DE19936838A1 - Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls

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    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze. Es wird ein in Pulverform vorliegender Dotierstoff verwendet, der nitridisch gebundenes Silicium enthält.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung ei­ nes mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Ein­ kristalls aus einer Schmelze.
Stickstoffquellen für das Dotieren eines Einkristalls sind üb­ licherweise Sticksoffgas oder flüchtige Stickstoff-Verbindungen (US-4,591,409) oder mit Siliciumnitrid beschichtete Silicium­ scheiben (JP-5-294780). Die Stickstoffeinbringung über die Gas­ phase ist schwer zu kontrollieren, die mit Hilfe einer be­ schichteten Scheibe umständlich und teuer.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines einfachen, kostengünstigen und im industriellen Maßstab einsetzbaren Ver­ fahrens zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkri­ stalls.
Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Herstellung ei­ nes mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Ein­ kristalls aus einer Schmelze, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein in Pulverform vorliegender Dotierstoff verwendet wird, der nitridisch gebundenes Silicium enthält.
Die Erfindung ist insbesondere zur Herstellung von Einkristal­ len aus Halbleitermaterial verwendbar. Besonders bevorzugt ist die Anwendung zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium gemäß dem Czochralski-Verfahren (CZ-Verfahren) oder dem tiegel­ freien Zonenziehen (FZ-Verfahren).
Der Dotierstoff wird entweder zur Schmelze zugegeben oder mit dem die Schmelze bildenden Feststoff vermischt und zusammen mit diesem geschmolzen. In beiden Fällen löst sich der Dotierstoff in der Schmelze aus der der Einkristall gezogen wird.
Der Vorteil des Verfahrens liegt insbesondere in der Verfügbar­ keit und der einfachen Dosierbarkeit des Dotierstoffs durch Wiegen. Das Einbringen des Dotierstoffs bereitet keine Schwie­ rigkeiten und läßt sich ohne weiteres in den Ablauf bewährter Produktionsverfahren eingliedern.
Der Datierstoff ist pulverförmig und enthält nitridisch gebun­ denes Silicium vorzugsweise in Form von Si2N3H oder Si3N4 oder einer Mischung dieser Verbindungen. Die Mikrostruktur des Pul­ vers kann kristallin oder amorph sein. Es besitzt eine bestimm­ te Körnung und Reinheit.

Claims (3)

1. Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls durch Ziehen des Einkristalls aus einer Schmelze, dadurch gekennzeichnet, daß ein in Pulverform vorliegender Do­ tierstoff verwendet wird, der nitridisch gebundenes Silicium enthält.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierstoff mindestens eine Verbindung mit der Formel Si2N3H oder Si3N4 enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Dotierstoff in der Schmelze gelöst wird.
DE1999136838 1999-08-05 1999-08-05 Verfahren zur Herstellung eines mit Stickstoff dotierten Einkristalls Withdrawn DE19936838A1 (de)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2542867A1 (de) * 1975-09-25 1977-03-31 Wacker Chemitronic Verfahren zur herstellung von halbleitereinkristallen mit einstellbarer dotierstoffkonzentration
US4591409A (en) * 1984-05-03 1986-05-27 Texas Instruments Incorporated Control of nitrogen and/or oxygen in silicon via nitride oxide pressure during crystal growth
JPH05294780A (ja) * 1992-04-21 1993-11-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造方法

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