KR101061611B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method and substrate processing program - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법 및 기판처리프로그램에 관한 것으로서 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)가 함께 기판 (G)를 보지하고 반송하는 구간은 반입 위치로부터 반출 위치까지의 전반송 구간이 아닌 도포 개시 위치로부터 도포 종료 위치까지의 중간 구간이다. 제 1의 기판 반송부 (84A)는 도포 종료 위치까지 기판 (Gi)를 반송하면 거기서 해당 기판 (G)에 대한 반송의 역할을 끝내고 즉시 반입 위치에 되돌려 후속의 새로운 기판 )(Gi +1)의 반송에 취한단. 한편 제 2의 기판 반송부 (84B)는 도포 종료 위치로부터 반출 위치까지 기판 (Gi)를 단독으로 반송하고 그 다음에 반입 위치보다 앞의 도포 개시 위치까지 되돌려 그 위치까지 제 1의 기판 반송부 (84A)가 다음의 기판 (Gi +1)를 단독으로 반송해 오는 것을 기다리는 스핀 레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 공급 내지 도포하는 처리 동작의 택트 타임을 큰폭으로 단축하는 기술을 제공한다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a substrate processing program, wherein a section in which the first and second substrate transfer portions 84A; 84B hold and convey the substrate G together is carried out from the loading position. It is an intermediate section from the application start position to the application end position, not the first half transfer section to the position. When the 1st board | substrate conveyance part 84A conveys the board | substrate G i to the application | coating end position, it will complete | finish the role of conveyance with respect to the said board | substrate G there, and immediately return to a carrying-in position, and a subsequent new board | substrate (G i + 1). ) Is taken to return. On the other hand, the 2nd board | substrate conveyance part 84B conveys board | substrate G i independently from an application | coating end position to a carrying out position, and then returns to the application | coating start position before a carrying-in position, and the 1st board | substrate conveyance part to that position. Provides a technique for significantly shortening the tact time of a processing operation of supplying or applying a processing liquid onto a processing target substrate in a spinless method that waits for the 84A to carry the next substrate (G i + 1 ) alone. do.
Description
도 1은 본 발명의 적용 가능한 도포 현상 처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a top view which shows the structure of the application | coating development process system applicable of this invention.
도 2는 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타내는 플로차트이다.2 is a flowchart showing a procedure of a process in the coating and developing processing system of the embodiment.
도 3는 실시 형태의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 유니트 및 감압 건조 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating the entire configuration of a resist coating unit and a reduced pressure drying unit in the coating and developing processing system of the embodiment.
도 4는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 사시도이다. 4 is a perspective view showing the overall configuration of a resist coating unit in the embodiment;
도 5는 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트의 전체 구성을 나타내는 대략 정면도이다. 5 is a substantially front view showing the overall configuration of a resist coating unit in the embodiment.
도 6은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 구성을 나타내는 일부 단면 대략 측면도이다.FIG. 6 is a partial cross-sectional side view schematically showing the configuration of the substrate transfer unit in the resist coating unit of the embodiment. FIG.
도 7은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보지부의 구성을 나타내는 확대 단면도이다.7 is an enlarged cross-sectional view showing the structure of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit of the embodiment.
도 8은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 패드부의 구성을 나타내는 사시도이다.8 is a perspective view illustrating a configuration of a pad portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit of the embodiment.
도 9는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 기판 반송부의 보지부의 하나의 변형례를 나타내는 사시도이다.9 is a perspective view illustrating one modification of the holding portion of the substrate transfer portion in the resist coating unit of the embodiment.
도 10 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 분출 제어부의 구성을 나타내는 단면도이다.It is sectional drawing which shows the structure of the ejection control part in the resist coating unit of FIG.
도 11은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 스테이지 내부의 유로의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing a configuration of a flow path inside a stage in the resist coating unit of the embodiment. FIG.
도 12는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 제어계의 구성을 나타내는 블럭도이다.12 is a block diagram showing a configuration of a control system in the resist coating unit of the embodiment.
도 13은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트도이다.It is a timing chart for demonstrating the application | coating process operation in the resist application | coating unit of embodiment.
도 14는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.14 is a plan view schematically illustrating one end layer of a coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 15은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.15 is a plan view schematically illustrating one end layer of a coating treatment operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 16은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.16 is a plan view schematically showing one layer of the coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 17은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.17 is a plan view schematically illustrating one layer of the coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 18은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.18 is a plan view schematically illustrating one layer of the coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 19는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.19 is a plan view schematically showing one layer of the coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 20은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.20 is a plan view schematically illustrating one end layer of a coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 21은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.21 is a plan view schematically showing one layer of the coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 22는 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 대략 평면도이다.22 is a plan view schematically showing one layer of the coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment.
도 23은 실시 형태의 레지스트 도포 유니트에 있어서의 도포 처리 동작의 일단층을 나타내는 사시도이다.FIG. 23 is a perspective view showing one end layer of a coating processing operation in the resist coating unit of the embodiment; FIG.
*주요부위를 나타내는 도면부호의 설명*** Description of reference numerals indicating major parts **
(40) 레지스트 도포 유니트(CT) (40) Resist Coating Unit (CT)
(54) 반송 장치(54) conveying device
(74) 반송 아암 (74) return arm
(76) 스테이지(76) stage
(78) 레지스트 노즐(78) Resist Nozzle
(84A) ;(84B) 제 1 및 제 2의 기판 반송부 84A; 84B First and second substrate transfer sections
(85) 반입용 리프트 핀 승강부(85) Lift pin lifting part for carrying in
(86) 반입용 리프트 핀 (86) Lift pin for import
(87) 얼라이먼트부 (87) Alignment Department
(88) 분출구(88) spout
(90) 흡인구(90) suction port
(91) 반출용 리프트 핀 승강부 (91) Lift pin lifting part for carrying out
(92) 반출용 리프트 핀(92) Lift pin for carrying out
(96A) (96B) 제 1 및 제 2의 가이드 레일 96A) 96B) First and Second Guide Rails
(98A) (98B) 제 1 및 제 2의 슬라이더
(100A) (100B) 제 1 및 제 2의 반송 구동부 (100A) (100B) first and second conveyance drive unit
(102A) (102B) 제 1 및 제 2의 보지부102A) 102B) First and second holding portions
(104A) (104B) 제 1 및 제 2의 흡착 패드 104A) 104B) First and Second Adsorption Pads
(106A) (106B) 제 1 및 제 2의 패드 지지부 106A) 106B) First and Second Pad Supports
(108A) (108B) 제 1 및 제 2의 패드 승강 부재 108A) 108B) First and Second Pad Lifting Members
(109A) (109B) 제 1 및 제 2의 패드 액츄에이터 (109A) (109B) First and Second Pad Actuators
(115A) (115B) 제 1 및 제 2의 패드 흡착 제어부 115A) 115B) First and Second Pad Adsorption Control Units
(134) 스테이지 기판 부상부(134) stage substrate floating part
(136) 콘트롤러 (136) controller
(M₁) 반입 영역(M₁) Import Area
(M₃) 도포 영역 (M₃) coating area
(M5) 반출 영역(M 5 ) Take out area
본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 공급해 처리를 실시하는 기술과 관련되고 특히 스핀 레스 방식에서 기판상에 처리액을 도포하는 기판 처리 기술에 관한다.BACKGROUND OF THE
최근 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 프로세스에 있어서의 포트리소그래피 공정에서는 피처리 기판(예를 들어 유리 기판)의 대형화에 유리한 레지스트 도포법으로서 기판에 대해서 긴형의 레지스트 노즐에서 레지스트액을 띠형상으로 토출시키면서 레지스트 노즐을 상대 이동 즉 주사시키는 것으로 회전운동을 필요로 하는 경우 없이 기판상에 원하는 막두께로 레지스트액을 도포하도록 한 스핀 레스 방식이 보급되어 있다.Recently, in the lithography process in the manufacturing process of a flat panel display (FPD), the resist liquid is ejected in a strip shape from a long resist nozzle to a substrate as a resist coating method which is advantageous for the enlargement of a substrate to be processed (for example, a glass substrate). While the resist nozzle is moved relative to each other, or scanned, the spinless method is adopted to apply a resist liquid to a desired film thickness on a substrate without requiring rotational motion.
스핀 레스 방식에 의한 종래의 레지스트 도포 장치는 예를 들어 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이 스테이지상에 수평으로 고정재치되는 기판과 스테이지 윗쪽에 설치되는 레지스트 노즐의 토출구의 사이에 수백 μm이하의 미소 갭을 설정해 레지스트 노즐을 주사 방향(일반적으로 노즐 긴 방향과 직교하는 수평 방향)으로 이동시키면서 기판상에 레지스트액을 토출시키도록 하고 있다. 이런 종류의 레지스트 노즐은 노즐 본체를 횡길이 또는 장척형상으로 형성해 구경이 매우 작은 미세지름(예를 들어 1OOμm정도)의 토출구으로부터 레지스트액을 띠형상으로 토출하도록 구성되고 있다. 이러한 긴형 레지스트 노즐의 주사에 의한 도포 처리가 종료하면 해 당 기판은 반송 로보트 또는 반송 아암에 의해 스테이지로부터 꺼내져 장치의 밖에 반출된다. 직후에 후속의 새로운 기판이 반송 로보트에 의해 장치에 반입되어 스테이지상에 재치된다. 그리고 이 새로운 기판에 대해서 레지스트 노즐의 주사에 의해 상기와 같은 도포 처리가 반복된다.Conventional resist coating apparatuses using a spinless method have a micro-gap of several hundred μm or less between a substrate fixed horizontally on a stage as described in
[특허 문헌 1] 일본국 특개평10-156255 [Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 10-156255
상기와 같은 스핀 레스 방식의 레지스트 도포 장치에서는 처리완료의 기판을 스테이지에서 언로딩 내지 반출하여 스테이지 상면을 완전하게 빈상태로 하지 않는 이상 후속의 새로운 기판을 스테이지상에 반입 내지 재치 할 수가 없다. 이 때문에 레지스트 노즐을 주사시키는 동작의 소요 시간 (Tc)에 미처리의 기판을 스테이지상에 반입 내지 로딩 하는 동작의 소요 시간 (Tin)과 처리완료의 기판을 스테이지에서 언로딩 내지 반출하는 동작의 소요 시간 (Tout)를 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간 (Tc+Tin+Tout)이 그대로 택트 타임이 되어 택트타임의 단축화가 어렵다고 하는 문제가 있다.In the spinless resist coating apparatus as described above, a subsequent new substrate cannot be loaded or placed on the stage unless the finished substrate is unloaded or taken out of the stage to completely empty the stage top surface. For this reason, the time Tin of the operation of loading or loading an unprocessed substrate onto the stage and the time of operation of unloading or unloading the finished substrate from the stage in the time Tc of the operation of scanning the resist nozzle. There is a problem in that the required time (Tc + Tin + Tout) of one cycle of the coating treatment, in which (Tout) is added to each other, becomes the tact time as it is, which shortens the tact time.
또한 기판의 대형화에 수반해 긴형 레지스트 노즐의 치수 및 중량이 늘어나기 때문에 그러한 중후 장대의 레지스트 노즐을 스테이지 윗쪽에서 소정의 높이 위치(좁은 갭)를 일정하게 유지한 채로 일정한 속도로 안정에 수평 이동시키는 것이 어려워지고 있다고 하는 문제도 있다.In addition, as the size and weight of the long resist nozzle increase as the substrate is enlarged, such a long and thick resist nozzle is moved horizontally and stably at a constant speed while maintaining a predetermined height position (narrow gap) at the top of the stage. There is also the problem that things are becoming difficult.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로 스핀 레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 공급 내지 도포하는 처리 동작의 택트 타 임을 큰폭으로 단축하는 기판 처리 장치 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and a substrate processing apparatus substrate processing method and substrate processing program which greatly shortens the tact time of a processing operation of supplying or applying a processing liquid onto a processing target substrate in a spinless method. The purpose is to provide.
본 발명의 다른 목적은 기판의 대형화에 무리없이 효율적으로 대응할 수 있는 기판 처리 장치 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램을 제공하는 것에 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus substrate processing method and a substrate processing program which can efficiently and efficiently cope with the enlargement of a substrate.
상기의 목적을 달성하기 위해서 본 발명의 기판 처리 장치는 상면에 다수의 분출구를 갖고 상기 분출구에서 분출하는 기체의 압력으로 피처리 기판을 원하는 높이로 띄우는 스테이지와 상기 스테이지상의 반입 위치에 상기 기판을 반입하기 위한 반입부와 상기 스테이지상의 반출 위치로부터 상기 기판을 반출하기 위한 반출부와 상기 반입 위치와 상기 반출 위치의 사이의 도포 위치에서 상기 스테이지의 윗쪽으로부터 상기 기판의 상면에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와 상기 반입 위치로부터 상기 도포 위치를 지나 상기 도포 위치와 상기 반출 위치와의 사이로 설정된 제 1의 위치까지 상기 스테이지상에서 부상하고 있는 상기 기판을 보지하여 반송하는 제 1의 기판 반송부와 상기 반입 위치와 상기 도포 위치의 사이에서 설정된 제 2의 위치로부터 상기 도포 위치를 지나 상기 반출 위치까지 상기 스테이지상에서 부상하고 있는 상기 기판을 보지하여 반송하는 제 2의 기판 반송부를 가진다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus of the present invention has a plurality of ejection openings on an upper surface thereof, and the substrate is brought into a stage where the target substrate is floated to a desired height by the pressure of the gas ejected from the ejection opening and a loading position on the stage. A processing liquid for supplying a processing liquid from an upper portion of the stage to an upper surface of the substrate at an application portion between the carry-in portion and the carry-out position on the stage and an application portion between the carry-in position and the carry-out position The first substrate conveyance part and the carry-in position which hold | maintain and convey the said board | substrate which floats on the said stage from the supply part and the said carrying in position to the 1st position set between the said application position and the said carrying out position through the said application | coating position. To a second position set between and the application position Emitter and has a second portion of the substrate carrying the coating past the transport position to see the substrate which is emerging on the stage to the out position.
또 본 발명의 기판 처리 방법은 스테이지상에 기판 반송 방향을 따라 반입 위치 ; 도포 개시 위치 ; 도포 종료 위치 및 반출 위치를 일렬로 설정해 상기 스테이지의 상면에 설치한 다수의 분출구에서 분출하는 기체의 압력으로 피처리 기판을 원하는 높이로 띄워 상기 스테이지상에서 상기 반입 위치로부터 상기 도포 개시 위치까지의 제 1의 구간에서는 상기 기판의 제 1의 부위를 보지하고 상기 도포 개시 위치로부터 상기 도포 종료 위치까지의 제 2의 구간에서는 상기 기판의 제 1 및 제 2의 부위를 보지하고 상기 도포 종료 위치로부터 상기 반출 위치까지의 제 3의 구간에서는 상기 기판의 제 2의 부위를 보지하고 상기 기판을 상기 기판 반송 방향으로 반송하고 상기 기판이 상기 제 2의 구간을 이동하는 동안에 상기 기판의 상면에 처리액을 도포한다.Moreover, the substrate processing method of this invention is a carry-in position along a board | substrate conveyance direction on a stage; Application starting position; The application end position and the carrying out position are set in a line, and the substrate to be processed is raised to a desired height by the pressure of the gas ejected from a plurality of ejection openings provided on the upper surface of the stage, and the first from the loading position to the application starting position on the stage. In the interval of, the first portion of the substrate is held, and in the second interval from the coating start position to the coating end position, the first and second portions of the substrate are held and the carry-out position from the coating end position. In the third section up to, the second portion of the substrate is held, the substrate is conveyed in the substrate conveyance direction, and the processing liquid is applied to the upper surface of the substrate while the substrate is moving in the second section.
또 본 발명의 기판 처리 프로그램은 상면에 다수의 분출구를 가지는 스테이지의 반입 위치에 피처리 기판을 반입하는 스텝과 상기 스테이지상에서 상기 기판을 원하는 높이로 띄운 상태로 상기 반입 위치로부터 도포 개시 위치까지 상기 기판의 제 1의 부위를 보지하고 반송하는 스텝과 상기 스테이지상에서 상기 기판을 원하는 높이로 띄운 상태로 상기 도포 개시 위치로부터 도포 종료 위치까지 상기 기판의 제 1 및 제 2의 부위를 보지하고 반송하는 스텝과 상기 스테이지상에서 상기 기판이 상기 도포 개시 위치로부터 도포 종료 위치까지 이동하는 동안에 상기 기판의 상면에 처리액을 도포하는 스텝과 상기 스테이지상에서 상기 기판을 원하는 높이로 띄운 상태로 상기 도포 종료 위치로부터 반출 위치까지 상기 기판의 제 2의 부위를 보지하고 반송하는 스텝과 상기 스테이지의 반출 위치에 도착한 상기 기판을 반출하는 스텝을 실행한다.In addition, the substrate processing program of the present invention includes the steps of bringing a substrate to a loading position of a stage having a plurality of ejection openings on an upper surface thereof, and the substrate from the loading position to a coating start position in a state in which the substrate is floated at a desired height on the stage. Holding and conveying the first portion of the substrate; and holding and conveying the first and second portions of the substrate from the application start position to the application end position in a state where the substrate is floated to a desired height on the stage; Applying the processing liquid to the upper surface of the substrate while the substrate is moved from the application start position to the application end position on the stage; and from the application end position to the export position in a state in which the substrate is floated at a desired height on the stage. Hold and convey the 2nd site | part of the said board | substrate Executes a step for carrying the substrate arrives at the step out position of the stage.
본 발명에 있어서는 스테이지 상면의 분출구로부터 분출하는 기체(예를 들어 압축 공기)의 압력으로 기판을 공중에 띄워 스테이지상을 반입 위치로부터 반출 위치까지 반송하고 도중의 도포 위치에서 기판상에 처리액 공급부에서 처리액을 공급하는 것으로 기판 상면의 전역 또는 원하는 일부에 처리액을 도포한다. 스테이지상 에서 기판을 반송하기 위해서 제 1 및 제 2의 기판 반송부가 기판을 보지하면서 기판 반송 방향으로 이동한다. 여기서 제 1의 기판 반송부는 반입 위치로부터 도포 위치를 지나 반출 위치보다 앞의 제 1의 위치까지 부상 상태의 기판을 보지하고 반송한다. 한편 제 2의 기판 반송부는 반입 위치와 도포 위치의 사이의 제 2의 위치로부터 도포 위치를 지나 반출 위치까지 부상 상태의 기판을 보지하고 반송한다. 제 1 및 제 2의 기판 반송부가 함께 기판을 보지하고 반송하는 구간은 반입 위치로부터 반출 위치까지의 전반송 구간은 아니고 제 2의 위치로부터 제 1의 위치까지의 중간 구간이다. 제 1의 기판 반송부는 제 1의 위치까지 기판을 반송하면 거기서 해당 기판에 대한 반송을 멈추어 즉시 반입 위치에 되돌려 후속의 새로운 기판의 반송을 취한다. 한편 제 2의 기판 반송부는 제 1의 위치로부터 반출 위치까지 기판을 단독으로 반송하고 그리고 제 2의 위치까지 되돌려 반입 위치로부터 제 2의 위치까지 제 1의 기판 반송부가 다음의 기판을 단독으로 반송해 오는 것을 기다린다. 이와 같이 제 1 및 제 2의 기판 반송부의 양자가 협동하여 기판 반송을 실시하는 구간을 도포 위치 부근으로 한정해 그 이외는 각 지분의 구간(반입측 구간 ; 반출측 구간)에 있어서의 반송 내지 이동 동작을 단독으로 개별적으로 실시하도록 하고 있어 기판 반송 효율의 크게 되는 향상 나아가서는 택트 타임의 대폭적인 개선을 실현할 수 있다.In the present invention, the substrate is floated in the air by the pressure of a gas (for example, compressed air) ejected from the ejection port on the upper surface of the stage, the stage image is conveyed from the loading position to the ejecting position, and the processing liquid supply portion By supplying the treatment liquid, the treatment liquid is applied to the entire area or the desired portion of the upper surface of the substrate. In order to convey a board | substrate on a stage, a 1st and 2nd board | substrate conveyance part moves to a board | substrate conveyance direction, holding a board | substrate. Here, a 1st board | substrate conveyance part hold | maintains and conveys the board | substrate of a floating state from the loading position to the 1st position ahead of a carrying out position past an application | coating position. On the other hand, a 2nd board | substrate conveyance part hold | maintains and conveys the board | substrate of a floating state from the 2nd position between a carrying in position and an application | coating position to a carrying out position through an application | coating position. The section in which the first and second substrate transfer sections hold and convey the substrate together is not a first half transfer section from the carry-in position to the carry-out position but an intermediate section from the second position to the first position. When a 1st board | substrate conveyance part conveys a board | substrate to a 1st position, it stops conveyance with respect to the said board | substrate there and returns to a carrying-in position immediately, and takes conveyance of a next new board | substrate. On the other hand, a 2nd board | substrate conveyance part conveys a board | substrate independently from a 1st position to a carrying out position, and returns to a 2nd position, and a 1st board | substrate conveyance part conveys the next board | substrate independently from a loading position to a 2nd position. Wait for coming As described above, the section in which both the first and second substrate transfer units cooperate to carry out the substrate transfer is limited to the vicinity of the coating position, and the transfer or movement operation in each section of the stake (load-in section; export-side section) is otherwise. Independently and separately, the substrate transfer efficiency can be increased, and the tact time can be significantly improved.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서 매우 적합한 하나의 양태에 의하면 기판이 제 2의 위치로부터 반출 위치측에 이동하는 것과 거의 같은 타이밍으로 기판상의 처리액의 도포를 개시해 기판이 제 1의 위치에 도착하는 것과 거의 같은 타이밍 으로 기판상의 처리액의 도포가 완료한다.According to one aspect which is very suitable in the substrate processing apparatus of the present invention, application of the processing liquid on the substrate is started at about the same timing as the substrate moves from the second position to the carrying out position and the substrate arrives at the first position. Application of the processing liquid on the substrate is completed at about the same timing as that of the above.
매우 적합한 하나의 양태에 의하면 제 1 및 제 2의 기판 반송부가 각각 기판의 이동할 방향과 평행하게 연장하도록 상기 스테이지의 한편의 사이드에 배치되는 제 1 및 제 2의 가이드 레일과 이들 제 1 및 제 2의 가이드 레일을 따라 이동 가능한 제 1 및 제 2의 반송 본체와 이들 제 1 및 제 2의 반송 본체를 제 1 및 제 2의 가이드 레일을 따라 이동하도록 구동하는 제 1 및 제 2의 반송 구동부와 제 1 및 제 2의 반송 본체로부터 스테이지의 중심부로 향하여 연장하고 기판의 제 1 및 제 2의 측주변부를 탈착 가능하게 보지하는 제 1 및 제 2의 보지부를 가진다.According to one very suitable aspect, first and second guide rails and these first and second guide rails are disposed on one side of the stage such that the first and second substrate carriers extend in parallel with the moving direction of the substrate, respectively. First and second conveyance bodies movable along the guide rails of the first and second conveyance drive units and first driving the first and second conveyance bodies to move along the first and second guide rails; It extends from the 1st and 2nd conveyance main body toward the center part of a stage, and has the 1st and 2nd holding part which hold | maintains detachably the 1st and 2nd side peripheral part of a board | substrate.
매우 적합한 하나의 양태에 의하면 제 1의 기판 반송부가 제 1의 위치에서 제 1의 보지부에 기판의 제 1의 측주변부에 대한 보지를 해제시키고 직후에 제 1의 반송 본체를 제 1의 위치로부터 반입 위치까지 돌아가게 한다. 또 제 2의 기판 반송부가 기판이 반출 위치에 도착한 직후에 제 2의 보지부에 기판의 제 2의 측주변부에 대한 보지를 해제시키고 그 다음에 제 2의 반송 본체를 반출 위치로부터 상기 제 2의 위치에 돌아가게 한다. 바람직하게는 제 1 및 제 2의 보지부는 각각 기판의 제 1 및 제 2의 측주변부에 탈착 가능하게 흡착 가능한 제 1 및 제 2의 패드와 기단부가 제 1 및 제 2의 반송 본체에 고정되는 것과 동시에 선단부가 제 1 및 제 2의 패드에 결합된 제 1 및 제 2의 패드 지지부와 기판에 대한 제 1 및 제 2의 패드의 흡착을 제어하는 제 1 및 제 2의 패드 흡착 제어부를 가진다. 여기서 제 1 및 제 2의 패드 흡착 제어부는 바람직하게는 기판에 제 1 및 제 2의 패드를 결합시키기 위해서 제 1 및 제 2의 패드에 부압을 공급하는 제 1 및 제 2의 부압공급부를 갖고 기판으로부터 제 1 및 제 2의 패드를 분리시키기 위해서 제 1 및 제 2의 패드에 정압을 공급하는 제 1 및 제 2의 정압 공급부를 가진다.According to one aspect which is very suitable, the 1st board | substrate conveyance part releases the holding | maintenance with respect to the 1st side peripheral part of a board | substrate to a 1st holding part in a 1st position, and immediately after a 1st conveyance main body is removed from a 1st position. Return to the import position. Further, immediately after the second substrate conveying unit arrives at the carrying out position, the second holding unit releases holding of the second side peripheral part of the substrate to the second holding unit, and then the second conveying main body is removed from the carrying position. Return to position. Preferably, the first and second retaining portions are fixed to the first and second conveying bodies and the first and second pads and the proximal end portions that are detachably adsorbable to the first and second side peripheral portions of the substrate, respectively. At the same time, the tip has first and second pad supports coupled to the first and second pads and first and second pad adsorption controls to control the adsorption of the first and second pads to the substrate. Wherein the first and second pad adsorption controllers preferably have a first and a second negative pressure supply to supply negative pressure to the first and second pads in order to couple the first and second pads to the substrate. And a first and second constant pressure supply for supplying a constant pressure to the first and second pads to separate the first and second pads from the pads.
또 매우 적합한 하나의 양태에 의하면 제 1 및 제 2의 보지부가 각각 기판에 제 1 및 제 2의 패드를 결합시키기 때문에 제 1 및 제 2의 패드 지지부를 주행시켜 기판으로부터 제 1 및 제 2의 패드를 분리시키기 위해서 제 1 및 제 2의 패드 지지부를 역주행 시키는 제 1 및 제 2의 패드 액츄에이터를 가진다. 또한 제 1 및 제 2의 보지부는 반입 위치에서 제 1 및 제 2의 패드를 기판에 결합시켜 제 1 및 제 2의 위치에서 기판으로부터 제 1의 패드를 분리시킨다. 제 1 및 제 2의 패드 지지부는 기판의 높이 위치에 따라 그 선단부의 높이 위치를 변위시키는 것이 바람직하다.According to one very suitable embodiment, the first and second holding portions couple the first and second pads to the substrate, respectively, so that the first and second pad supports are driven to drive the first and second pads from the substrate. It has a first and a second pad actuator for back running the first and second pad support to separate it. The first and second retainers also engage the first and second pads to the substrate at the retracted position to separate the first pad from the substrate at the first and second positions. It is preferable that the 1st and 2nd pad support parts displace the height position of the front-end | tip part according to the height position of a board | substrate.
매우 적합한 하나의 양태에 의하면 반입부가 스테이지상의 반입 위치에서 기판을 핀 선단으로 지지하기 위한 복수 라인의 제 1의 리프트 핀과 제 1의 리프트 핀을 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 위치와의 사이에 승강 이동시키는 제 1의 리프트 핀 승강부를 가진다. 또 반출부가 스테이지상의 반출 위치에서 기판을 핀 선단으로 지지하기 위한 복수 라인의 제 2의 리프트 핀과 이 제 2의 리프트 핀을 스테이지 아래쪽의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행 위치의 사이에 승강 이동시키는 제 2의 리프트 핀 승강부를 가진다.According to one very suitable aspect, the carry-in portion has a plurality of first lift pins and a first lift pin for supporting the substrate at the tip position of the stage at an entry position on the stage between the original position below the stage and the traveling position above the stage. It has a 1st lift pin lifting part which raises and lowers on and off. And a second lift pin having a plurality of lines for supporting the substrate to the pin tip at the carry-out position on the stage and a second lift pin which moves the second lift pin between the home position below the stage and the travel position above the stage. Has a lift pin lift portion.
또 매우 적합한 하나의 양태에 의하면 처리액 공급부가 스테이지상의 기판 반송로를 횡단하는 방향으로 연장하는 미세지름의 토출구를 가지는 긴형의 노즐을 갖고 도포 위치에서 노즐 아래를 통과하는 기판을 향해 토출구에서 처리액을 토출 한다.According to one very suitable embodiment, the processing liquid supply unit has an elongated nozzle having a fine diameter discharge port extending in a direction crossing the substrate transport path on the stage and the processing liquid at the discharge port toward the substrate passing under the nozzle at the application position. To discharge.
본 발명의 기판 처리 방법에 있어서 바람직하게는 기판의 제 1 및 제 2의 부위는 기판 반송 방향으로부터 볼때 좌우 한 쌍의 측주변부이다. 또 제 1 제 2 및 제 3의 구간에 있어서 기판의 반송 속도를 독립으로 설정하고 기판의 부상 높이를 독립으로 설정해도 좋다. 또 도포 개시 위치에서는 기판을 일시정지시켜 기판의 제 2의 부위에 대한 보지를 개시해도 좋고 혹은 기판의 이동을 멈추지 않고 기판의 제 2의 부위에 대한 보지를 개시해도 괜찮다. 또 도포 종료 위치에서는 기판을 일시정지시켜 기판의 제 1의 부위에 대한 보지를 종료해도 좋고 혹은 기판의 이동을 멈추지 않고 기판의 제 1의 부위에 대한 보지를 종료해도 괜찮다. 또 기판이 제 2의 구간을 이동하고 있는 동안에 반입 위치에 후속의 새로운 기판을 반입해도 괜찮다.In the substrate processing method of this invention, Preferably, the 1st and 2nd site | part of a board | substrate is a pair of left and right side peripheral parts seen from the board | substrate conveyance direction. Moreover, in the 1st 2nd and 3rd area | region, you may set the conveyance speed of a board | substrate independently and set the floating height of a board | substrate independently. In addition, at the application start position, the substrate may be paused to start holding on the second portion of the substrate or may be held on the second portion of the substrate without stopping the movement of the substrate. Moreover, at the application | coating end position, holding | maintenance with respect to the 1st site | part of a board | substrate may be terminated by stopping a board | substrate, or holding with respect to the 1st site | part of a board | substrate may not be stopped. In addition, you may carry in a subsequent new board | substrate to a loading position while the board | substrate is moving a 2nd section.
이하 첨부도를 참조해 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The following describes a very suitable embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.
도 1에 본 발명의 기판 처리 장치가 적용 가능한 구성예로서 도포 현상 처리 시스템을 나타낸다. 이 도포 현상 처리 시스템은 클린 룸내에 설치되고 예를 들어 LCD 기판을 피처리 기판으로 해 LCD 제조 프로세스에 있어서 포트리소그래피 공정안의 세정 레지스트 도포 프리베이크 현상 및 포스트베이크의 각 처리를 실시하는 것이다. 노광 처리는 이 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광 장치(도시하지 않음)로 행해진다.1 shows a coating and developing treatment system as a structural example to which the substrate processing apparatus of the present invention is applicable. This coating and developing processing system is installed in a clean room, for example, by using an LCD substrate as a substrate to be treated to perform cleaning resist coating prebaking and post-baking in a photolithography process in an LCD manufacturing process. Exposure processing is performed by an external exposure apparatus (not shown) provided adjacent to this system.
이 도포 현상 처리 시스템은 크게 나누어 카세트 스테이션(C/S, 10)과 프로세스 스테이션 (P/S, 12)와 인터페이스부(I/F, 14)로 구성된다.This coating and developing treatment system is roughly divided into a cassette station (C / S, 10), a process station (P / S, 12), and an interface unit (I / F, 14).
시스템의 일단부에 설치되는 카세트 스테이션 (C/S, 10)은 복수의 기판 (G)를 수용하는 카세트 (C)를 소정수 예를 들어 4개까지 재치 가능한 카세트 스테이지 (16)과 이 카세트 스테이지 (16)상의 측쪽으로 또한 카세트 (C)의 배열 방향과 평행하게 설치된 반송로 (17)과 이 반송로 (17)상에서 이동 자유롭게 스테이지 (16)상의 카세트 (C)에 대해서 기판 (G)의 출입을 실시하는 반송 기구 (20)을 갖추고 있다. 이 반송 기구 (20)은 기판 (G)를 보지할 수 있는 수단 예를 들어 반송 아암을 갖고 (X ; Y ; Z ;θ)의 4축에서 동작 가능하고 후술하는 프로세스 스테이션(P/S,12)측의 반송 장치 (38)과 기판 (G)의 수수를 실시할 수 있게 되어 있다.The cassette station C /
프로세스 스테이션 (P/S,12)는 상기 힘으로 카세트 스테이션(C/S, 10)측으로 부터 차례로 세정 프로세스부 (22)와 도포 프로세스부 (24)와 현상 프로세스부 (26)을 기판 중계부 (23); 약액 공급 유니트 (25) 및 스페이스 (27)을 개재하여(끼워서) 횡일렬로 설치하고 있다.The process station P / S, 12 uses the above-mentioned force to sequentially clean the
세정 프로세스부 (22)는 2개의 스크러버 세정 유니트 (SCR, 28)과 상하 2단의 자외선 조사/냉각 유니트 (UV/COL, 30)과 가열유니트 (HP,32)와 냉각 유니트(COL, 34)를 포함하고 있다.The
도포 프로세스부 (24)는 스핀 레스 방식의 레지스트 도포유니트(CT, 40)과 감압 건조 유니트(VD, 42)와 상하 2단형 애드히젼/냉각 유니트 (AD/COL,46)과 상하 2단형 가열/냉각 유니트 (HP/COL,48)과 가열 유니트 (HP, 50)을 포함하고 있다. The
현상 프로세스부 (26)은 3개의 현상 유니트 (DEV,52)와 2개의 상하 2단형 가열/냉각 유니트 (HP/COL,53)과 가열 유니트(HP, 55)를 포함하고 있다.The developing
각 프로세스부 (22, 24, 26)의 중앙부에는 긴 방향에 반송로 (36; 51; 58)이 설치되어 반송 장치 (38;54; 60)이 각각 반송로 (36; 51; 58)을 따라 이동하고 각 프로세스 부내의 각 유니트에 액세스 해 기판 (G)의 반입/반출 또는 반송을 실시하게 되어 있다. 또한 이 시스템에서는 각 프로세스부 (22, 24, 26)에 있어서 반송로 (36; 51; 58)의 한쪽측에 액처리계의 유니트(SCR ;CT ;DEV 등 )가 배치되고 다른쪽측에 열처리계의 유니트(HP; COL 등 )가 배치되고 있다.The
시스템의 타단부에 설치되는 인터페이스부(I/F, 14)는 프로세스 스테이션 (12)와 인접하는 측에 익스텐션(기판 수수부, 56) 및 버퍼 스테이지 (57)을 설치하고 노광 장치와 인접하는 측에 반송 기구 (59)를 설치하고 있다. 이 반송 기구 (59)는 Y방향으로 연장하는 반송로 (19)상에서 이동 자유롭고 버퍼 스테이지(57)에 대해서 기판 (G)의 출입을 행하는 것 외에 익스텐션(기판 수수부,56)이나 근처의 노광 장치와 기판 (G)의 수수를 실시하게 되어 있다.The interface unit I /
도 2에 이 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저 카세트 스테이션(C/S,10)에 있어서 반송 기구 (20)이 스테이지 (16)상의 소정의 카세트 (C)중에서 1개의 기판 (G)를 꺼내 프로세스 스테이션 (P/S,16)의 세정 프로세스부 (22)의 반송 장치 (38)에 건네준다(스텝 S1).2 shows a procedure of the treatment in this coating and developing treatment system. First, in the cassette station C / S, 10, the
세정 프로세스부 (22)에 있어서 기판 (G)는 먼저 자외선 조사/냉각 유니트(UV/COL, 30)에 차례로 반입되고 최초의 자외선 조사 유니트(UV)에서는 자외선 조사에 의한 건식 세정을 실시시키고 다음의 냉각 유니트 (COL)에서는 소정 온도까지 냉각된다(스텝 S2). 이 자외선 세정에서는 주로 기판 표면의 유기물이 제거된다.In the
다음에 기판 (G)는 스크러버 세정 유니트(SCR, 28)의 하나로 스크러빙 세정 처리를 받아 기판 표면으로부터 입자 형상의 더러움이 제거된다(스텝 S3). 스크러빙 세정후 기판 (G)는 가열 유니트(HP, 32)로 가열에 의한 탈수 처리를 받고(스텝 S4) 그 다음에 냉각 유니트 (COL, 34)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이것으로 세정 프로세스부 (22)에 있어서의 사전 처리가 종료하고 기판 (G)는 반송 장치 (38)에 의해 기판 수수부 (23)을 개재하여 도포 프로세스부 (24)에 반송된다.Subsequently, the substrate G is subjected to a scrubbing cleaning process by one of the scrubber
도포 프로세스부 (24)에 있어서 기판 (G)는 먼저 애드히젼/냉각 유니트(AD/COL, 46)에 차례로 반입되어 최초의 애드히젼 유니트 (AD)에서는 소수화 처리(HMDS)를 받고(스텝 S6) 다음의 냉각 유니트 (COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S7).In the
그 후 기판 (G)는 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 스핀 레스법에 의해 레지스트액을 도포시키고 그 다음에 감압 건조 유니트(VD, 42)로 감압에 의한 건조 처리를 받는다(스텝 S8).Subsequently, the substrate G is coated with the resist liquid by the resist coating method to the resist coating units CT and 40, and then subjected to a drying process under reduced pressure by the vacuum drying units VD and 42 (step S8).
다음에 기판 (G)는 가열/냉각 유니트(HP/COL,48)에 차례로 반입되어 최초의 가열 유니트 (HP)에서는 도포 후 베이킹(프리베이크)을 하고(스텝 S9) 다음에 냉각 유니트 (COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S10). 또한 이 도포 후 베이킹에 가열 유니트 (HP, 50)을 이용할 수도 있다.Subsequently, the substrate G is brought into the heating / cooling unit (HP / COL, 48) in turn, and then applied and baked (prebaked) in the first heating unit (HP) (step S9), and then the cooling unit (COL). To a constant substrate temperature (step S10). It is also possible to use a heating unit (HP, 50) for baking after this application.
상기 도포 처리후 기판 (G)는 도포 프로세스부 (24)의 반송 장치 (54)와 현상 프로세스부 (26)의 반송 장치 (60)에 의해 인터페이스부(I/F, 14)에 반송되어 그곳으로부터 노광 장치에게 건네진다(스텝 S11). 노광 장치에서는 기판 (G)상의 레지스트에 소정의 회로패턴을 노광시킨다. 그리고 패턴 노광을 끝낸 기판 (G)는 노광 장치로부터 인터페이스부(I/F, 14)에 되돌려진다. 인터페이스부(I/F, 14)의 반송 기구 (59)는 노광 장치로부터 받은 기판 (G)를 익스텐션 (56)을 개재하여 프로세스 스테이션 (P/S,12)의 현상 프로세스부 (26)에 건네준다(스텝 S11).After the coating treatment, the substrate G is conveyed to the interface portions I / F and 14 by the conveying
현상 프로세스부 (26)에 있어서 기판 (G)는 현상 유니트(DEV, 52)의 어느쪽이든 1개로 현상 처리를 받고(스텝 S12) 그 다음에 가열/냉각 유니트 (HP/COL, 53)의 하나에 차례로 반입되고 최초의 가열 유니트 (HP)에서는 포스트베이킹을 하고(스텝 S13) 다음에 냉각 유니트 (COL)로 일정한 기판 온도까지 냉각된다(스텝 S14). 이 포스트베이킹에 가열 유니트 (HP, 55)를 이용할 수도 있다.In the developing
현상 프로세스부 (26)에서의 일련의 처리가 끝난 기판 (G)는 프로세스 스테이션(P/S, 24)내의 반송 장치 (60) ;(54); 38에 의해 카세트 스테이션(C/S,10)까지 되돌려져 거기서 반송 기구 (20)에 의해 어느쪽이든 1개의 카세트 (C)에 수용된다(스텝 S1).The substrate G which has been subjected to a series of processings in the developing
이 도포 현상 처리 시스템에 있어서는 예를 들어 도포 프로세스부 (24)의 레지스트 도포 유니트 (CT, 40)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하 도 3~도 18에 대해 본 발명을 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 적용한 하나의 실시 형태를 설명한다.In this application | coating development system, this invention can be applied to the resist application | coating unit (CT, 40) of the application |
도 3에 이 실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트 (CT, 40) 및 감압 건조 유니트(VD, 42)의 전체 구성을 나타낸다.3, the whole structure of the resist coating unit (CT, 40) and the pressure reduction drying unit (VD, 42) in this embodiment is shown.
도 3에 나타나는 바와 같이 지지대 또는 지지 프레임 (70) 위에 레지스트 도 포 유니트 (CT, 40)과 감압 건조 유니트 (VD, 42)가 X방향으로 횡일렬로 배치되고 있다. 도포 처리를 받아야 할 새로운 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54, 도 1)에 의해 화살표 FA로 나타는 바와 같이 레지스트 도포 유니트(CT, 40)에 반입된다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리가 끝난 기판 (G)는 지지대 (70)상의 가이드 레일 (72)에 안내되어 X방향으로 이동 가능한 반송 아암 (74)에 의해 화살표 Fs로 나타나는 바와 같이 감압 건조 유니트 (VD, 42)에 전송된다. 감압 건조 유니트 (VD, 42)로 건조 처리를 끝낸 기판 (G)는 반송로 (51)측의 반송 장치 (54) (도 1)에 의해 화살표 Fc로 나타나는 바와 같이 인수된다.As shown in FIG. 3, the resist
레지스트 도포 유니트 (CT, 40)은 X방향으로 길게 연장하는 스테이지 (76)을 갖고 이 스테이지 (76)상에서 기판 (G)를 동일 방향으로 평류하여 반송하면서 스테이지 (76)의 윗쪽에 배치된 긴형의 레지스트 노즐 (78)보다 기판 (G)상에 레지스트액을 공급하여 스핀 레스법으로 기판 상면(피처리면)에 일정 막두께의 레지스트 도포막을 형성하도록 구성되고 있다. 유니트 (CT, 40)내의 각부의 구성 및 작용은 후에 상술한다.The resist
감압 건조 유니트(VD, 42)는 상면이 개구하고 있다 트레이 또는 낮은깊이 용기형의 하부 챔버 (80)과 이 하부 챔버 (80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워맞춤이 가능하게 구성된 뚜껑 형상의 상부 챔버(도시하지 않음)를 가지고 있다. 하부 챔버 (80)는 거의 사각형으로 중심부에는 기판 (G)를 수평으로 재치하여 지지하기 위한 스테이지 (82)가 설치되어 저면의 사각에는 배기구 (83)이 설치되고 있다. 각 배기구 (83)은 배기관(도시하지 않음)을 개재하여 버큠 펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부 챔버 (80)에 상부 챔버를 씌운 상태로 양 챔버내의 밀폐된 처리 공간을 상기 버큠 펌프에 의해 소정의 버큠도까지 감압할 수 있게 되어 있다. The upper surface of the reduced pressure drying unit (VD) 42 is opened. A lid or upper portion of a lid shape configured to hermetically close or fit in an upper surface of the
도 4 및 도 5에 본 발명의 일실시 형태에 있어서의 레지스트 도포 유니트(CT, 40)내의 더욱 상세한 전체 구성을 나타낸다.4 and 5 show a more detailed overall configuration in the resist
이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트 (CT, 40)에 있어서는 스테이지 (76)이 종래와 같이 기판 (G)를 고정 보지하는 재치대로서 기능하는 것이 아니라 기판 (G)를 공기압의 힘으로 공중에 띄우기 위한 기판 부상대로서 기능한다. 그리고 스테이지 (76)의 양사이드에 배치되고 있는 직진 운동형의 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A)(84B)가 스테이지 (76)상에서 부상하고 있는 기판 (G)의 양측주변부를 각각 탈착 가능하게 보지하고 스테이지 긴 방향(X방향)에 기판 (G)를 반송하도록 되어 있다. 레지스트 노즐 (78)은 이동형 또는 주사형은 아니고 정치형이고 스테이지 (76)의 긴 방향 또는 반송 방향(X방향)에 있어서의 중심 위치의 윗쪽에 설치되어 있다.In the resist coating units CT and 40 of this embodiment, the
상세하게는 스테이지 (76)은 그 긴 방향(X방향) 에 있어서 5개의 영역 (M₁) (M₂) (M₃) (M₄) (M5)에 분할되고 있다(도 5). 좌단의 영역 (M₁)은 반입 영역이고 도포 처리를 받아야 할 신규의 기판 (G)는 이 영역 (M₁) 소정 위치에 반입된다. 이 반입 영역 (M₁)에는 반송 장치 (54, 도 1)의 반송 아암으로부터 기판 (G)를 받아 스테이지 (76)상에 로딩 하기 위해서 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행위치의 사이에 승강 이동 가능한 리프트 핀 (86)이 소정의 간격을 두고복수 라인(예를 들어 4개) 설치되고 있다. 이들의 리프트 핀 (86)은 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반입용의 리프트 핀 승강부 (85,도 12)에 의해 승강 구동된다. Specifically, the
이 반입 영역 (M₁)는 부상식의 기판 반송이 개시되는 영역이기도 하고 이 영역내의 스테이지 상면에는 기판 (G)를 원하는 높이 위치 (Ha)로 부상시키기 위한 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)이 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 여기서 반입 영역 (M₁) 에 있어서 스테이지 (76)의 상면으로부터 본 기판 (G)의 높이 위치 또는 부상위치 (Ha)는 특히 높은 정밀도를 필요로 하지 않고 예를 들어 100~150μm의 범위내로 유지되면 좋다. 또 반송 방향(X방향) 에 있어서 반입 영역 (M₁)의 사이즈는 기판 (G)의 사이즈를 웃돌고 있는 것이 바람직하다. 또한 반입 영역 (M₁)에는 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 위치맞춤하기 위한 얼라이먼트부 (87, 도 12)도 설치되고 있다.This carry-in area | region M 'is also the area | region where floating type conveyance of a board | substrate is started, and the blower outlet which blows out the high pressure or constant pressure compressed air for floating the board | substrate G to the desired height position Ha in the stage upper surface in this area | region ( 88) A large number of these are installed at a constant density. Here, the height position or the floating position Ha of the board | substrate G seen from the upper surface of the
스테이지 (76)의 중심부로 설정된 영역 (M₃)는 레시스트액 공급 영역 또는 도포 영역이고 기판 (G)는 이 영역 (M₃)를 통과할 때에 소정의 위치에서 윗쪽의 레지스트 노즐 (78)로부터 레지스트액 (R)의 공급을 받는다. 이 도포 영역 (M₃)의 스테이지 상면에는 기판 (G)를 원하는 부상 위치 (Hb)로 띄우기 위해서 고압 또는 정압의 압축 공기를 분출하는 분출구 (88)과 부압으로 공기를 흡입하는 흡인구 (90)이 일정한 밀도로 혼재하여 다수 설치되고 있다.The region M3, which is set to the center of the
여기서 정압의 분출구 (88)과 부압의 흡인구 (90)을 혼재시키고 있는 것은 부상 위치 (Hb)를 높은 정밀도로 설정값(예를 들어 50μm) 으로 유지하기 때문에 있다. 즉 도포 영역 (M₃)에 있어서의 부상 위치 (Hb)는 노즐 하단(토출구)과 기판 상면(피처리면)과의 사이의 갭 (S, 예를 들어 1OOμm)를 규정한다. 이 갭 (S)는 레지스트 도포막 두께의 균일성이나 레지스트 소비량을 좌우하는 중요한 파라미터이고 높은 정밀도로 일정하게 유지될 필요가 있다. 이 실시 형태에서는 기판 (G)의 도포 영역 (M₃)를 통과하고 있는 부분에 대해서는 분출구 (88)으로부터 압축 공기에 의한 수직 상향의 힘을 가하면 동시에 흡인구 (90)에서 부압 흡인력에 의한 수직 하향한 힘을 가하여 쌍방향의 합성된 압력의 밸런스를 제어하는 것으로 부상 위치 (Hb)를 설정값(50 μm)에 유지하도록 하고 있다. 이 부상 위치 제어를 위해서 기판 (G)의 높이 위치를 검출하는 높이 검출 센서(도시하지 않음) 등을 피드백 제어 기구가 설치되어도 좋다. 또한 반송 방향(X방향)에 있어서의 도포영역 (M₃)의 사이즈는 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래에 상기와 같은 좁은 갭 (S)를 안정되게 형성 할 수 있을 정도의 여유가 있으면 좋고 통상은 기판 (G)의 사이즈보다 작고 좋다.The mixing of the positive
반입 영역 (M₁)와 도포 영역 (M₃)의 사이로 설정된 중간 영역 (M₂)는 반송중에 기판 (G)의 높이 위치를 반입 영역 (M₁)에 있어서의 부상 위치 (Ha,100~150μm)로부터 도포 영역 (M₃)에 있어서의 부상 위치 (Hb, 50μm)으로 변화 또는 천이시키기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역 (M₂)내에서도 스테이지 (76)의 상면에는 분출구 (88)과 (90)을 혼재시켜 배치하고 있다. 다만 흡인구 (90)의 밀도를 반송 방향을 따라 점차 크게하고 있어 이것에 의해 반송중에 기판 (G)의 부상 위치가 점차적 또는 선형적으로 Ha 로부터 Hb로 이행하게 되어 있다.The intermediate region M2, which is set between the carry-in region M₁ and the application region M₃, sets the height position of the substrate G during the conveyance from the floating position Ha (100-150 μm) in the carry-in region M₁. It is a transition region for changing or transitioning to the floating position (Hb, 50 µm) in (M 3). Even in this transition region M2, the
도포 영역 (M₃)의 하류측 근처의 영역 (M₄)는 반송중에 기판 (G)의 높이 위치를 도포용의 부상 위치 (Hb, 50 μm)로부터 반출용의 부상 위치 (Hc, 예를 들어 100~150 μm)로 바꾸기 위한 천이 영역이다. 이 천이 영역 (M₄)의 스테이지 상면에는 반송 방향에 있어서 상기한 상류측의 천이 영역 (M₂)와 대칭적인 배치 패턴으로 분출구 (88)과 흡인구 (90)이 혼재하여 배치되고 있다.The region M 'near the downstream side of the coating region M₃ is a floating position Hc for carrying out the height position of the substrate G from the floating position Hb (50 μm) for coating during conveyance. 150 μm) transition area. On the stage upper surface of this transition area | region M ', the
스테이지 (76)의 하류단(우측단)의 영역 (M5)는 반출 영역이다. 레지스트 도포 유니트(CT, 40)으로 도포 처리를 받은 기판 (G)는 이 반출 영역 (M5)내의 소정 위치 또는 반출 위치로부터 반송 아암 (74, 도 3)에 의해 하류측 근처의 감압 건조 유니트(VD, 42, 도 3)에 반출된다. 이 반출 영역 (M5)는 상기한 반입 영역 (M₁)와 공간적으로 대조적인 구성으로 되어 있어 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 언로딩 하여 반송 아암 (74, 도 3)으로 주고 받기 위해서 스테이지 하부의 원위치와 스테이지 윗쪽의 주행위치의 사이에 승강 이동 가능한 리프트 핀 (92)가 소정의 간격을 두고 복수 라인(예를 들어 4개) 설치되는 것과 동시에 기판 (G)를 상기 부상 위치 (Hc)에 띄우기 위한 분출구 (88)이 스테이지 상면에 일정한 밀도로 다수 설치되고 있다. 리프트 핀 (92)는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)를 구동원에 이용하는 반출용의 리프트 핀 승강부 (91, 도 12)에 의해 승강구동 된다.The area M 5 at the downstream end (right end) of the
레지스트 노즐 (78)은 레지스트액 공급부 (93,도 12)에 포함되어 스테이지 (76)상의 기판 (G)를 일단으로부터 타단까지 커버 할 수 있는 길이로 Y방향으로 연장하는 장척상의 노즐 본체 (79)를 갖고 레지스트액 공급원(도시하지 않음)으로부 터의 레지스트 공급관 (94)에 접속되고 있다. 노즐 본체 (79)는 문형 또는 역コ형의 노즐 지지체(도시하지 않음)에 지지를 받고 있어 그 하단에는 노즐 긴 방향(Y방향)으로 연장하는 슬릿 형상 또는 다공형의 미세지름 토출구(도시하지 않음)가 형성되고 있다. 이 레지스트 노즐 (78)은 정치형이지만 바로 아래를 통과하는 기판 (G)와의 갭 (S)를 조정하기 위해서 예를 들어 볼 나사 기구 등에 의해 구성되는 노즐 승강부 (95,도 12)에 의해 상하 방향으로 높이 위치를 임의로 바꿀 수 있는 것이 바람직하다.The resist
도 4; 도 6 및 도 7에 나타나는 바와 같이 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)는 스테이지 (76)의 좌우 양사이드에 평행하게 배치된 제 1 및 제 2의 가이드 레일 (96A) (96B)와 양가이드 레일 (96A) (96B)상에 축방향(X방향)으로 이동 가능하게 장착된 제 1 및 제 2의 슬라이더(반송 본체, 98A;98B)와 양 가이드 레일 (96A)(96B)상에서 양 슬라이더 (98A)(98B)를 동시 또는 개별로 직진 이동시키는 제 1 및 제 2의 반송 구동부 (100A)(100B)와 양슬라이더 (98A)(98B)로부터 스테이지 (76)의 중심부로 향해 연장하여 기판 (G)의 좌우 양측 주변부를 탈착 가능 보지하는 제 1 및 제 2의 보지부 (102A)(102B)를 각각 가지고 있다.4; As shown in FIGS. 6 and 7, the first and second
여기서 반송 구동부 (100A) (100B)는 직진형의 구동 기구 예를 들어 리니어 모터에 의해 구성되고 있다. 또 보지부 (102A)(102B)는 기판 (G)의 좌우 양측 주변부의 하면에 버큠 흡착력으로 결합하는 흡착 패드 (104A)(104B)와 선단부에서 흡착 패드 (104A)(104B)를 지지해 슬라이더 (98A)(98B)측의 기단부를 지점으로서 선단부의 높이 위치를 바꿀 수 있도록 탄성 변형 가능한 판 스프링의 패드 지지부 (106A) (106B)를 각각 가지고 있다. 흡착 패드 (104A)(104B)는 일정한 피치로 일렬로 배치되고 패드 지지부 (106A)(106B)는 각각의 흡착 패드 (104A)(104B)를 독립으로 지지하고 있다. 이것에 의해 개개의 흡착 패드 (104) 및 패드 지지부 (106)이 독립한 높이 위치에서(다른 높이 위치에서도) 기판 (G)를 안정되게 보지할수 있게 되어 있다.Here,
도 6 및 도 7에 나타나는 바와 같이 이 실시 형태에 있어서의 패드 지지부 (106A)(106B)는 슬라이더 (98A)(98B)의 내측면에 승강 가능하게 장착된 판형상의 패드 승강 부재 (108A)(108B)에 장착되고 있다. 슬라이더 (98A)(98B)에 탑재되고 있는 예를 들어 에어 실린더(도시하지 않음)로부터 이루어지는 제 1 및 제 2의 패드 액츄에이터 (109A;109B,도 12)가 패드 승강 부재 (108A)(108B)를 기판 (G)의 부상 높이 위치보다 낮은 원위치(퇴피 위치)와 기판 (G)의 부상 높이 위치에 대응하는 주행위치(결합 위치)의 사이에 승강 이동시키게 되어 있다.As shown in FIG. 6 and FIG. 7, the
도 8에 나타나는 바와 같이 각각의 흡착 패드 (104A)(104B)는 예를 들어 합성고무제로 직방체 형상의 패드 본체 (110A)(110B)의 상면에 복수개의 흡인구 (112A)(112B)를 설치하고 있다. 이것들의 흡인구 (112A)(112B)는 슬릿 형상의 긴 구멍이지만 고리나 구형의 직사각형이라도 좋다. 흡착 패드 (104A)(104B)에는 예를 들어 합성고무로 이루어지는 띠형상의 버큠관 (114A)(114B)가 접속되고 있다. 이들의 버큠관 (114A)(114B)의 관로 (116A)(116B)는 각각 제 1 및 제 2의 패드 흡착 제어부 (115A;115B,도 12)의 버큠원에 각각 통하고 있다.As shown in Fig. 8, each of the
제 1 및 제 2의 패드 흡착 제어부 (115A;115B,도 12)는 버큠관 (114A)(114B) 의 관로 (116A; 116B,도 8)을 전환 밸브(도시하지 않음)를 개재하여 압축 공기원(도시하지 않음)에도 접속하고 있고 흡착 패드 (104A)(104B)를 기판 (G)의 측주변부로부터 분리시킬 때는 상기 전환 밸브를 상기 압축 공기원측으로 전환하여 흡착 패드 (104A)(104B)에 정압 또는 고압의 압축 공기를 공급하도록 되어 있다.The first and second
보지부 (102A)(102B)에 있어서는 도 4에 나타나는 바와 같이 편측 일렬의 버큠 흡착 패드 (104A)(104B) 및 패드 지지부 (106A) (106B)가 1조 마다 분리하고 있는 분리형 또는 완전 독립형의 구성이 바람직하다. 그러나 도 9에 나타나는 바와 같이 노치 부분 (118A)(118B)를 설치한 한 장의 판스프링으로 편측 일렬 분의 패드 지지부 (120A) (120B)를 형성해 그 위에 편측 일렬의 흡착 패드 (104A)(104B)를 배치하는 일체형의 구성도 가능하다.In the holding
상기와 같이 스테이지 (76)의 상면에는 다수의 분출구 (88)이 설치되고 있다. 이 실시 형태에서는 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁) 및 반출 영역 (M5)에 속하는 각 분출구 (88)에 대해서 공기의 분출 유량을 기판 (G)와의 상대적인 위치 관계로 개별적 또한 자동적으로 전환하는 분출 제어부 (122)를 유량 전환 밸브의 형태로 스테이지 (76)의 내부에 설치하고 있다.As described above, a plurality of jet holes 88 are provided on the upper surface of the
도 10에 하나의 실시예에 의한 분출 제어부 (122)의 구성을 나타낸다. 이 분출 제어부 (122)는 스테이지 (76)의 내부에 형성된 구면체형 형상의 벽면을 가지는 밸브실 (124)와 이 밸브실 (124) 안에서 이동 가능하게 설치된 구형상의 밸브 본체 (126)을 가지고 있다. 밸브실 (124)의 정점부 및 저부에는 수직 방향으로 서로 대 향하는 출구 (124a)및 입구 (124b)가 각각 형성되고 있다. 출구 (124a)는 해당 분출 제어부 (122)와 대응하는 분출구 (88)에 연통하고 있다. 입구 (124b)는 스테이지 (76)의 하부를 지나가고 있는 압축 공기 공급로 (128)에 연통하고 있다.10 shows the configuration of the
도 11에 스테이지 (76)내에 있어서의 압축 공기 공급로 (128)의 배관 패턴의 일례를 나타낸다. 예를 들어 압력 등의 압축 공기원(도시하지 않음)들의 압축 공기는 외부 배관 (130)안을 흘러 와 스테이지 (76)내의 압축 공기 도입부 (132)에 도입된다. 압축 공기 도입부 (132)에 도입된 압축 공기는 그곳에서 스테이지 (76)내에 돌고 있는 다수의 압축 공기 공급로 (128)에 분배된다.11 shows an example of a piping pattern of the compressed
도 10에 있어서 밸브실 (124)의 출구 (124a)의 주위는 벨브판을 구성한다. 이 벨브판에는 출구 (124a)로부터 방사형상으로 연장하는 홈부 (124c)가 주위회전 방향으로 소정의 간격(예를 들어 90˚간격)을 두고 복수(4개) 형성되고 있다. 이것에 의해 밸브 본체 (126)이 벨브판에 밀착 또는 착석해 출구 (124a)를 막아도 밸브실 (124)로부터 압축 공기가 홈부 (124c)를 지나 분출구 (88) 측에 누출하도록 되어 있다. 밸브 본체 (126)은 밸브실 (124)의 내경보다 1주 내지 2주 작은 직경을 가지는 예를 들어 수지제의 구체이고 구면의 하반부에 입구 (124b)측의 공기압에 따른 수직 상향의 힘 (Pu)를 받는 것과 동시에 구면의 상반부에 출구 (124a)측의 공기압에 따른 수직 하향한 힘(반작, PD)를 받는다. 또 밸브 본체 (126)에는 그 질량에 따른 중력 (PG , 일정값)가 상시 수직 하향으로 작용한다. 밸브 본체 (126)은 상기와 같은 수직 상향의 힘 (Pu)와 수직 하향의 힘 (PD+PG)과의 차이에 따라 밸브 실 (124)내에서 수직 방향의 위치(높이 위치)를 바꾼다.In FIG. 10, the periphery of the
이 실시 형태에서는 도 10에 나타나는 바와 같이 각 분출구 (88)의 윗쪽에 기판 (G)가 있는지 아닌지에 따라 해당 분출구 (88) 바로 아래의 분출 제어부 (122)에서는 밸브실 (124)내의 밸브 본체 (126)의 높이 위치가 출구 (124a)측의 벨브판에 밀착하는 제 1의 위치 혹은 상기 벨브판으로부터 이간하여 밸브실 (124)내에서 부상한 상태가 되는 제 2의 위치의 어느쪽이든 전환하도록 되어 있다. In this embodiment, as shown in FIG. 10, in the
즉 각 분출구 (88)의 윗쪽에(엄밀하게는 설정 부상위치 (Ha)이하의 접근 거리로) 기판 (G)가 있을 때는 기판 (G)로부터의 반작용으로 해당 분출구 (88) 부근이나 그 바로아래의 밸브실 (124)의 출구 (124a)부근의 공기압이 높아져 밸브 본체 (126)에 작용하는 수직 하향의 힘(특히 PD)가 수직 상향의 힘 (Pu)와 호각이나 그것을 약간 웃도는 정도로 증대하고 밸브 본체 (126)이 출구 (124a)측의 벨브판으로부터 이간한다. 이것에 의해 출구 (124a)가 열린 상태가 되어 입구 (124b)로부터 That is, when there is a substrate G above each ejection outlet 88 (strictly at an approach distance of less than the set floating position Ha), there is a reaction from the substrate G near or just below the
밸브실 (124)에 도입된 압축 공기는 큰 유량으로 출구 (124a)를 빠져 나가 분출구 (88)에서 분출한다.The compressed air introduced into the
상기와 같이 스테이지 (76)의 상면에 형성된 다수의 분출구 (88) 및 그들로 부상력 발생용의 압축 공기를 공급하기 위한 압축 공급원 ; 외부 배관 (130) ;압축 공기 공급로 (128) ; 분출 제어부 (122) 또 스테이지 (76)의 영역 (M₂)(M3)(M₄)내에 분출구 (88)과 혼재하여 형성된 흡인구 (90) 및 그들에 부압 흡인력을 주기 위한 버큠기구 등에 의해 스테이지 (76)상에서 기판 (G)를 효율적으로 원하는 높이로 띄우기 위한 스테이지 기판 부상부 (134, 도 12)가 구성되고 있다.A plurality of jet holes 88 formed on the upper surface of the
도 12에 이 실시 형태의 레지스트 도포 유니트 (CT, 40)에 있어서의 제어계의 구성을 나타낸다. 콘트롤러 (136)은 마이크로 컴퓨터로 이루어지고 유니트내의 각부 특히 스테이지 기판 부상부 (134) ; 레지스트액 공급부 (93) ; 노즐 승강부 (95) ; 반입용 리프트 핀 승강부 (85); 반출용 리프트 핀 승강부 (91); 제 1 및 제 2 반송 구동부 (100A)(100B) ; 제 1 및 제 2 패드 흡착 제어부 (115A) (115B); 제 1 및 제 2 패드 액츄에이터 (109A)(109B) 등의 개개의 동작과 전체의 동작(씨퀀스)을 제어한다.12 shows a configuration of a control system in the resist coating unit (CT, 40) of this embodiment. The
다음에 도 13~도 23에 대해 이 실시 형태의 레시스트 도포 유니트 (CT, 40)에 있어서의 도포 처리 동작을 설명한다. 도 13은 도포 처리동작의 1 사이클에 있어서의 유니트 (CT, 40)내의 각부의 위치 또는 상태를 타이밍 챠트로 나타낸다. 도 14~도 22는 1 사이클의 각 시점에 있어서의 주된 가동부의 위치 또는 상태를 대략 평면도로 나타낸다. 도 23은 도 22의 상태를 사시도로 나타낸다.Next, the coating process operation in the resist coating unit (CT, 40) of this embodiment is demonstrated about FIGS. 13 shows the position or state of each part in the unit (CT, 40) in one cycle of the coating processing operation with a timing chart. 14-22 shows the position or state of the main movable part in each time of one cycle in a rough plan view. FIG. 23 shows the state of FIG. 22 in a perspective view. FIG.
콘트롤러 (136)은 예를 들어 광디스크 등의 기억매체에 격납되고 있는 레지스트 도포 처리 프로그램을 주메모리에 넣어 실행하고 프로그램된 일련의 도포 처리 동작을 제어한다.The
도 14는 도 13의 시점 t0에 대응하고 반입기 즉 반송 장치 (54, 도 1)에서 미처리의 새로운 기판 (Gi)가 스테이지 (76)의 반입 영역 (M₁)에 반입 직후의 상태를 나타낸다. 이 때 반입 영역 (M₁)의 리프트 핀 (86)은 수취한 바로 직후 기판 (Gi)를 주행 위치에서 수평으로 지지하고 있다. 제 1의 기판 반송부 (84A)는 슬라이더 (98A)를 반입 영역 (M₁)내의 반입 위치에 대응하는 반송 시점 위치 (Pa)에 되돌린 바로 직후이다. 패드 흡착 제어부 (115A)는 이 시점에서 흡착 패드 (104A)에 버큠 공급을 개시한다. 무엇보다 패드 액츄에이터 (109A)는 흡착 패드 (104A)를 원위치(퇴피 위치)로 내리고 있다. 한편 제 2의 기판 반송부 (84B)는 스테이지 (76)상에서 도포 처리를 끝낸 1개 앞의 기판 (Gi-1)을 반출 영역 (M5)에 보낸 바로 직후이다. 슬라이더 (98B)는 반출 영역 (M5)내의 반출 위치에 대응하는 반송 종점 위치 (Pb)에 도착하고 있고 패드 흡착 제어부 (115B)는 흡착 패드 (104B)로부터 버큠 흡착력을 해제하고 있다. 대신에 기판 (Gi-1)을 언로딩 하기 위해서 리프트 핀 (92)가 스테이지 하부의 원위치에서 스테이지 윗쪽의 주행 위치(기판 수수 위치)까지 상승한다.FIG. 14 shows a state corresponding to the time point t 0 of FIG. 13 and immediately after the unprocessed new substrate G i is loaded into the carry-in area M 'of the
이 직후 반입 영역 (M₁)로 리프트 핀 (86)이 하강하여 기판 (Gi)를 반송용의 높이 위치 즉 부상 위치 (Ha, 도 5)까지 내린다. 그 다음에 얼라이먼트부 (87)이 작동해 부상 상태의 기판 (Gi)에 사방으로부터 누름 부재(도시하지 않음)를 화살표 J로 나타나는 바와 같이 꽉 눌러 기판 (Gi)를 스테이지 (76)상에서 위치 맞춤 한다(도 15, 도 13의 ;시점 t₁). 제 2의 기판 반송부 (84B)는 슬라이더 (98B)를 반송 종점 위치 (Pb)로부터 도포 개시 위치에 대응하는 반송 정지 위치 (Pc)에 고속도 (V₁)로 되돌리게 한다. 반출 영역 (M5)에 반출기 즉 반송 아암 (74)가 액세스 해 리프트 핀 (92)로부터 기판 (Gi -1)을 받아 스테이지 (76)의 밖으로 반출한다(도 15, 도 13의 시점 t₁). 또한 도포 개시 위치는 반입 영역 (M₁)내의 반입 위치와 레지스트 노즐 (78) 바로 아래 위치 즉 레지스트액 공급 위치 (Ps)의 사이로 설정되어 있다.Height positions for transporting the substrate (G i) by the lift pins 86 are lowered to the area immediately after the import (M₁), i.e. down to the injured location (Ha, Fig. 5). The
반입 영역 (M₁)로 기판 (Gi)의 얼라이먼트가 완료하면 그 직후에 제 1의 기판 반송부 (84A)에 있어서 패드 액츄에이터 (109A)가 작동하고 흡착 패드 (104A)를 원위치(퇴피 위치)로부터 주행위치(결합 위치)로 상승(UP)시킨다. 흡착 패드 (104 A)는 그 전부터 버큠이 온 하고 있고 부상 상태의 기판 (Gi)의 한쪽(좌측)의 측주변부에 접촉 가부나 버큠 흡착력으로 결합한다(도 16, 도 13의 시점 t₂). 흡착 패드 (104A)가 기판 (Gi)의 좌측 측주변부에 결합한 직후에 얼라이먼트부 (87)은 억압 부재를 소정 위치로 퇴피시킨다. 한편 제 2의 기판 반송부 (84B)는 반송 정지 위치 (Pc)로 슬라이더 (98B)를 대기시키면서 흡착 패드 (104B)에 버큠의 공급을 개시한다. 또 반출부 (M5)에서는 반출용의 리프트 핀 (92)가 스테이지 아래쪽으로 퇴피한다(도 16, 도 13의 시점 t₂).Immediately after the alignment of the substrate Gi to the carry-in area M 직후 is completed, the
다음에 제 1의 기판 반송부 (84A)는 보지부 (102A)로 기판 (Gi)의 좌측주변부를 보지한 채로 슬라이더 (98A)를 반송 시점 위치 (Pa)로부터 기판 반송 방향(X방향)에 비교적 고속의 일정 속도 (V₂)로 직진 이동시켜 스테이지 (76)상의 도포 개시 위치에 대응하는 상류측의 반송 정지 위치 (Pc)에 도착하면 거기서 일시정지 시킨다(도 17, 도 13의 시점 t₃). 도포 개시 위치에서는 기판 (Gi) 상의 레지스트 도포 영역의 앞단(도포 개시 라인)이 레지스트 노즐 (78)의 바로 아래에 위치한다. 또한 반송 시점 위치 (Pa)로부터 상류측 반송 정지 위치 (Pc)까지의 기판 반송에 있어서 기판 (Gi)의 우측 주변부는 자유단으로 되어 있지만 스테이지 기판 부상부 (134)에 의한 부상력으로 높은 위치를 구속시켜 제 1의 기판 반송부 (84A)의 보지부 (102A)에 결합하고 있는 우측 주변부와 거의 같은 높이로 이동한다.Next, the 1st board |
상기와 같이 하여 제 1의 기판 반송부 (84A)의 슬라이더 (98A)가 상류측 반송 정지 위치 (Pc)에 도착하면 거기서 대기하고 있던 제 2의 기판 반송부 (84B)에서는 패드 액츄에이터 (109B)가 작동하고 흡착 패드 (104B)를 원위치(퇴피 위치)로부터 주행 위치(결합 위치)에 상승(UP)시킨다. 흡착 패드 (104B)는 버큠이 온 하고 있으므로 기판 (Gi)의 다른쪽(우측)의 측주변부에 접촉 가부나 버큠 흡착력으로 결합한다. 스테이지 (76)상의 도포 개시 위치에서 기판 (Gi)의 높이 위치는 기판 후단부측 (Ha)와 기판 전단부측 (Hb)로 다르지만 그 차분 (Ha-Hb)은 대략 100 μm이고 흡착 패드 (104B)의 원위치로부터 주행위치로의 상승 거리(예를 들어 수 mm)에 비교하여 무시할 수 있는 만큼이다. 이렇게 하여 스테이지 (76)상의 도포 개시 위치에 대응하는 반송 정지 위치 (Pc)로 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)가 부상 상태의 기판 (Gi)를 끼워 서로 대향하고 기판 (Gi)의 양측 주변부를 같은 높이 위치에서 각각 보지한 상태가 된다.(도 18, 도 13의 시점 t4) 한편 도시는 생략 하 지만 노즐 승강부 (95)가 작동하여 레지스트 노즐 (78)을 내리고 레지스트 노즐 (78)의 토출구와 기판 (Gi)간의 갭 (S)를 설정값(예를 들어 50 μm)에 맞춘다.When the
다음에 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A)(84B)는 동시에 슬라이더 (98A) (98B)를 반송 정지 위치 (Pc)로부터 기판 반송 방향(X방향)으로 비교적 저속의 일정 속도 (V₃)로 직진 이동시킨다(도 13의 시점 t5). 한편 레지스트액 공급부 (93)에 있어서 레지스트 노즐 (78)에서 레지스트액 (R)의 토출을 개시한다. 이렇게 해 레지스트 노즐 (78) 바로 아래의 레지스트액 공급 위치 (Ps)를 X방향으로 일정 속도 (V3)로 통과하는 기판 (Gi)의 상면을 향해 Y방향으로 연장하는 긴형 레지스트 노즐 (78)에서 띠형상의 레지스트액 (R)이 일정한 유량으로 토출되는 것으로 기판 (Gi)의 전단으로부터 후단으로 향하여 레지스트액의 도포막 (RM)이 형성되어 간다 (도 19, 도 13의 시점 t6).Next, the 1st and 2nd board |
기판 (Gi)의 후단부(도포 종료 라인)가 레지스트 노즐 (78) 바로 아래의 레지스트액 공급 위치 (Ps)에 도착하면 이 타이밍으로 도포 처리가 종료하고 레지스트액 공급부 (93)이 레지스트 노즐 (78)으로부터의 레지스트액 (R)의 토출을 종료시키는 것과 동시에 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)가 각각의 슬라이더 (98A)(98B)를 반송 종점 위치 (Pb)의 앞의 위치(하류측 반송 정지 위치,Pd)로 동시에 정지시킨다. 한편 반입 영역 (M₁)에서는 도포 동작중에 후속의 새로운 기판 (Gi)가 반송 장치 (54)에 의해 반입되어 리프트 핀 (86)으로 수수된다(도 20, 도 13 의 시점 t7).When the rear end (coating end line) of the substrate G i reaches the resist liquid supply position Ps immediately below the resist
제 1의 기판 반송부 (84A)에 있어서는 슬라이더 (98A)가 반송 정지 위치 (Pd)에 도착가부나 패드 흡착 제어부 (115A)가 흡착 패드 (104A)에 대한 버큠의 공급을 멈추고 이것과 동시에 패드 액츄에이터 (109A)가 흡착 패드 (104A)를 주행위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)로 내리고 기판 (Gi)의 좌측 단부로부터 흡착 패드 (104A)를 분리시킨다(도 20, 도 13의 시점 t8). 이 때 패드 흡착 제어부 (115A)는 흡착 패드 (104A)에 정압(압축 공기)을 공급하고 기판 (Gi)로부터의 분리를 속행한다. 그 다음에 슬라이더 (98A)를 기판 반송 방향과 반대의 방향으로 고속도 (V5)로 이동시켜 반송 시점 위치 (Pa)까지 되돌리게 한다(도 21, 도 13의 시점 t9).In the first
한편 제 2의 기판 반송부 (84B)에 있어서는 보지부 (102B)로 기판 (Gi)의 우측 단부를 보지한 채로 슬라이더 (98B)를 하류측 기판 정지 위치 (Pd)로부터 반송 종점 위치 (Pb)까지 비교적 고속의 일정 속도 (V₄)로 기판 반송 방향(X방향)으로 이동시킨다(도 21, 도 13의 시점 t9). 이 때 기판 (Gi)의 좌측 주변부는 자유단으로 되어 있지만 역시 스테이지 기판 부상부 (134)에 의한 부상력으로 높은 위치를 구속시켜 우측 주변부와 거의 같은 높이로 이동한다. 그리고 슬라이더 (98B)가 반송 종점 위치 (Pb)에 도착하는 가부나 패드 흡착 제어부 (115B)가 흡착 패드 (104B)에 대한 버큠의 공급을 멈추고 이것과 동시에 패드 액츄에이터 (109B)가 흡착 패드 (104B)를 주행 위치(결합 위치)에서 원위치(퇴피 위치)로 내리고 기판 (Gi)의 우측 단부로부터 흡착 패드 (104B)를 분리시킨다. 이 때 패드 흡착 제어부 (115B)는 흡착 패드 (104B)에 정압(압축 공기)을 공급하고 기판 (Gi)로부터의 분리를 속행한다. 대신하여 리프트 핀 (92)가 기판 (Gi)를 언로딩 하기 위해서 스테이지 하부의 원위치에서 스테이지 윗쪽의 주행 위치로 상승한다(도 22, 도 23, 도 13의 시점 t10).On the other hand seen in the substrate transfer section (84B) of the second portion (102B) to the substrate carrying the end point position (Pb) while seeing the right end of the (G i) a slider (98B) from the downstream side substrate stop position (Pd) to move at a relatively high speed constant velocity (V₄), the substrate transport direction (X direction) in the (time t 9 in Fig. 21, Fig. 13). At this time, the left periphery of the substrate (G i) is a free end, but is also moved at approximately the same height as the right side peripheral portion bound to the high position in the levitation force due to the
상기와 같이 이 실시 형태에 있어서는 스테이지 (76)상에 반입 영역 (M₁) ;도포 영역 (M₃); 반출 영역 (M5)를 별개로 설치하고 그러한 각 영역에 기판을 차례로 전송하여 기판 반입 동작; 레지스트액 공급 동작;기판 반출 동작을 각 영역에서 독립 또는 병렬적으로 실시하도록 하고 있다. 이러한 파이프라인 방식에 의해 1매의 기판 (G)에 대해서 스테이지 (76)상에 반입하는 동작에 필요로 하는 시간(TIN)과 스테이지 (76)상에서 반입 영역 (M₁)로부터 반출 영역 (M5)까지 반송하는데 필요로 하는 시간 (Tc)와 반출 영역 (M5)로부터 반출하는데 필요로 하는 시간 (Tout)를 서로 더한 도포 처리 1 사이클의 소요 시간 (Tc+TIN+Tout)보다 택트 타임을 큰폭으로 단축할 수가 있다. 또한 스테이지 (76)의 상면에 설치한 분출구 (88)에서 분출하는 기체의 압력을 이용해 기판 (G)를 공중에 띄워 부상하고 있는 기판 (G)를 스테이지 (76)상에서 반송하면서 정치의 긴형 레지스트 노즐 (78)에서 기판 (G)상에 레지스트액을 공급하여 도포하도록 했으므로 기판의 대형화에 무리없이 효율적으로 대응할 수가 있다.As mentioned above, in this embodiment, the carry-in area | region M '; the application | coating area | region M₃ on the
리고 스테이지 (76)상에서 기판 (Gi)를 반송하기 위해서 스테이지 (76)의 양사이드에 배치된 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)가 기판 (Gi)의 양측주변부를 보지하면서 기판 반송 방향으로 이동한다. 여기서 제 1의 기판 반송부 (84A)는 반입 영역 (M₁)내의 반입 위치로부터 긴형 레지스트 노즐 바로아래의 도포 위치를 지나 도포 위치와 반출 영역 (M5)내의 반출 위치의 사이로 설정된 도포 종료 위치까지 스테이지 (76)상에서 부상하고 있는 기판 (Gi)를 보지하고 반송한다. 한편 제 2의 기판 반송부 (84B)는 반입 위치와 도포 위치의 사이에서 설정된 도포 개시 위치로부터 도포 위치를 지나 반출 위치까지 스테이지상에서 부상하고 있는 기판을 보지하고 반송한다.Hitting stage the 76 disposed on both sides of the stage (76) for conveying the substrate (G i) on a first and a substrate carrying the second section (84A); (84B) the both sides of the periphery of the substrate (G i) While moving to the substrate conveyance direction. Here, the first
제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)가 함께 기판 (Gi)를 보지하고 반송하는 구간은 반입 위치로부터 반출 위치까지의 전반송 구간은 아니고 도포 개시 위치로부터 도포 종료 위치까지의 중간 구간이다. 제 1의 기판 반송부 (84A)는 도포 종료 위치까지 기판 (Gi)를 반송하면 거기서 해당 기판 (Gi)에 대한 반송의 역할을 종료하고 즉시 반입 위치에 되돌려 후속의 새로운 기판 (Gi +1)의 반송을 취한다. 한편 제 2의 기판 반송부 (84B)는 도포 종료 위치로부터 반출 위치까지 기판 (Gi)를 단독으로 반송하고 그 다음에 반입 위치보다 앞의 도포 개시 위치까지 되돌려 그 위치까지 제 1의 기판 반송부 (84A)가 다음의 기판 (Gi +1)을 단독으로 반송해 오는 것을 기다린다.
이와 같이 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)의 사이에서는 양자 동시의 기판 반송 동작을 필요 최소한(엄밀한 기판 높이가 요구되는 도포안의 구간)으로 한정하고 그 이외는 각 지분의 구간(반입측 구간 ; 반출측 구간)에 있어서의 반송 내지 이동 동작을 단독으로 개별적으로 실시하도록 하고 있어 기판 반송 효율의 커지는 향상 나아가서는 택트 타임의 대폭적인 개선을 실현하고 있다. 또 스테이지 (76)상의 양사이드에 부설하는 가이드 레일 (96A)(96B)는 스테이지 (76)의 끝에서 끝까지 부설할 필요는 없고 제 1의 기판 반송부 (84A)는 가이드 레일 (96A)를 반입 위치로부터 도포 종료 위치까지 부설하는 것만으로 좋고 제 2의 기판 반송부 (84B)는 가이드 레일 (96B)를 도포 개시 위치로부터 반출 위치까지 부설하는 것만으로 좋고 가이드 레일 (96A)(96B)나 반송 구동부 (100A)(100B) 등의 반송계의 코스트 삭감도 도모할 수 있다. 무엇보다 제 2의 기판 반송부 (84B)측의 가이드 레일 (96B)를 반입 위치까지 연장해 로트 선두의 기판에 대해서는 양기판 반송부 (84A) ;(84B)가 반입 위치로부터 함께 기판 반송을 개시해도 괜찮다.Thus, between the 1st and 2nd board |
이상 본 발명의 매우 적합한 실시 형태를 설명했지만 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고 그 기술적 사상의 범위내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.As mentioned above, although the very suitable embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the scope of the technical idea.
예를 들어 상기한 실시 형태에 있어서의 기판 반송부 (84A) ;(84B)의 보지부 (102A)(102B)는 버큠 흡착식의 패드 (104A)(104B)를 가지는 것이었지만 기판 (G)의 측주변부를 메커니컬로(예를 들어 끼워 장착하여) 보지하는 패드 등도 가능하다. 또 패드 (104A)(104B)를 기판 (G)의 측주변부에 탈착 자유롭게 결합하기 위한 기구(패드 지지부 (106A)(106B) ;패드 승강부 (106A) (106B) ;패드 액츄에이터 (109A) (109B)등 )에도 여러 가지의 방식 구성을 채용할 수가 있다. 상기한 실시 형태에서는 레지스트 노즐 (78)을 정치형으로 했지만 필요에 따라서 수평 이동 가능한 것으로 해도 좋다.For example, although the holding |
상기한 실시 형태에서는 제 1의 기판 반송부 (84A)에 의한 기판 반송을 맞춘 도포 개시 위치에 대응하는 위치 (Pc)에서 일시정지시켜 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)에 의한 기판 반송을 맞춘 도포 종료 위치에 대응하는 위치(Pd)로 일시정지시키고 있다. 하나의 변형례로서 그러한 일시정지를 실시하지 않고 도포 개시 위치에 대응하는 위치 (Pc)에서는 이동중의 기판 (G)에 제 2의 기판 반송부 (84B)가 결합하고 도포 종료 위치에 대응하는 위치 (Pd)에서는 이동중의 기판 (G)로부터 제 1의 기판 반송부 (84A)가 분리하는 구성으로 하는 것도 가능하다. 다른 변형예로서 도포 개시 위치에 대응하는 위치 (Pc)로부터 어긋난 위치에서 제 1의 기판 반송부 (84A)에 기판 반송의 일시정지나 제 2의 기판 반송부 (84B)에 기판 반송으로의 참가를 실시하게 하거나 도포 종료 위치에 대응하는 위치(Pd)부터 어긋난 위치에서 제 1 및 제 2의 기판 반송부 (84A) ;(84B)에 기판 반송의 일시정지나 제 1의 기판 반송부 (84A)에 기판 반송으로부터의 강판을 실시하게 하는 것도 가능하다.In the above-described embodiment, the substrate transfer by the first
상기한 실시 형태는 LCD 제조의 도포 현상 처리 시스템에 있어서의 레지스트 도포 장치와 관련되는 것이었지만 본 발명은 피처리 기판상에 처리액을 공급하는 임의의 처리 장치나 어플리케이션에 적용 가능하다. 따라서 본 발명에 있어서의 처리액으로서는 레지스트액 이외로도 예를 들어 층간 절연 재료 ;유전체 재료; 배선 재료 등의 도포액도 가능하고 현상액이나 린스액 등도 가능하다. 본 발명에 있어서의 피처리 기판은 LCD 기판에 한정하지 않고 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판 ; 반도체 웨이퍼; CD기판 ; 유리 기판 ; 포토마스크 ; 프린트 기판 등도 가능하다.Although the above embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating and developing processing system of LCD manufacture, the present invention can be applied to any processing apparatus or application for supplying a processing liquid onto a substrate to be processed. Therefore, as the processing liquid in the present invention, in addition to the resist liquid, for example, an interlayer insulating material; a dielectric material; Coating liquids, such as a wiring material, can also be used, and a developing solution, a rinse liquid, etc. are also possible. The to-be-processed board | substrate in this invention is not limited to an LCD board | substrate, Another flat panel display board | substrate; Semiconductor wafers; CD substrate; Glass substrates; Photomask; A printed board etc. are also possible.
본 발명의 기판 처리 장치 기판 처리 방법 및 기판 처리 프로그램에 상술한 바와 같은 구성 및 작용에 의해 스핀 레스 방식에서 피처리 기판상에 처리액을 공급 내지 도포하는 처리 동작의 택트 타임을 큰폭으로 단축할 수가 있어 또 부상 반송으로 기판의 대형화에 무리없이 효율적으로 대응할 수도 있다.The tact time of the processing operation of supplying or applying the processing liquid onto the substrate to be processed in the spinless method can be greatly shortened by the configuration and operation described above in the substrate processing apparatus substrate processing method and substrate processing program of the present invention. In addition, it is possible to efficiently cope with the increase in size of the substrate by floating conveyance.
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