KR102057836B1 - Substrate treating apparatus - Google Patents

Substrate treating apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR102057836B1
KR102057836B1 KR1020190027710A KR20190027710A KR102057836B1 KR 102057836 B1 KR102057836 B1 KR 102057836B1 KR 1020190027710 A KR1020190027710 A KR 1020190027710A KR 20190027710 A KR20190027710 A KR 20190027710A KR 102057836 B1 KR102057836 B1 KR 102057836B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heating
processed
chemical liquid
drying
Prior art date
Application number
KR1020190027710A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20190029549A (en
Inventor
김미지
최우철
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020190027710A priority Critical patent/KR102057836B1/en
Publication of KR20190029549A publication Critical patent/KR20190029549A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102057836B1 publication Critical patent/KR102057836B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 공정을 포함하는 기판 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 상기 피처리 기판의 가장자리를 제1파지부재로 파지하고 상기 피처리 기판을 부상스테이지에 의해 부상된 상태로 이동시키면서 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 노즐이 구비된 약액 도포 유닛과; 상기 약액 도포 유닛으로부터 약액이 도포된 상태로 배출된 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 제3파지부재가 넘겨받아, 상기 부상스테이지에 의해 상기 피처리기판을 부상시킨 상태로 상기 제3파지부재와 함께 이동시키면서 상기 피처리 기판을 다단계의 온도로 가열하여 상기 약액을 건조시키는 가열 건조 유닛을; 포함하여 구성되어, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 다단계의 온도로 가열하여 약액을 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거할 수 있게 되므로, 종래의 진공 감압 건조 공정을 거치지 않더라도 약액 내의 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있게 되어, 진공 감압 건조 유닛을 구비하지 않고서도 피처리 기판에 도포된 약액을 얼룩없이 건조시키는 기판 처리 장치를 제공한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus including a step of applying a chemical liquid to a surface of a substrate to be processed, wherein the substrate is held by an edge of the substrate to be gripped by a first holding member and the substrate is floated. A chemical liquid applying unit provided with a chemical liquid nozzle for applying a chemical liquid to a surface of the substrate to be processed while moving in a floating state by a stage; A third holding member is transferred to the to-be-processed substrate discharged in a state in which the chemical liquid is applied from the chemical-coating unit in an injured state, and the third holding member and the third holding member are caused to float by the floating stage; A heating drying unit for drying the chemical liquid by heating the substrate to be processed to a multi-step temperature while moving together; It is configured to include, and by drying the chemical liquid by heating the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be processed in a multi-step temperature, it is possible to remove the solvent in the chemical liquid step by step, even without a conventional vacuum vacuum drying process The present invention provides a substrate processing apparatus capable of preventing stains due to solvents or bubbles in the inside, and drying the chemical liquid applied to the substrate to be processed without stains without having a vacuum vacuum drying unit.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS} Substrate Processing Unit {SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 처리 공정 별로 이동시키는 로봇 핸들러와, 기판을 거치시키는 거치 핀 및 진공 감압 건조 유닛을 제거하여 구성을 단순화하고, 기판의 정렬 공정을 제거하거나 최소화하여 공정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to simplify the configuration by removing the robot handler for moving the substrate processing step, the mounting pins for mounting the substrate and the vacuum pressure drying unit, and to remove the alignment process of the substrate. It relates to a substrate processing apparatus that can improve the process efficiency by minimizing or minimizing.

LCD 등 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 공정은 TFT기판 등을 제조하기 위하여, 피처리 기판을 세정하고, 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하고, 도포된 약액을 건조시키고, 약액을 건조시킨 후에 필요한 패턴으로 노광하는 등의 공정을 순차적으로 거치면서 이루어진다. In the process of manufacturing a flat panel display such as an LCD, a pattern required after cleaning a substrate to be processed, applying a chemical to the surface of the substrate, drying the applied chemical, and drying the chemical to produce a TFT substrate or the like. It is made while sequentially going through a process such as exposure.

이와 같이 피처리 기판의 처리 공정은 도1a에 도시된 기판 처리 장치(1)에 의해 행해진다. 즉, 세정 유닛(U09)에서 처리 공정을 행할 피처리 기판(G)을 세정기(10)로 세정하면, 로봇 핸들러(R1)는 세정 유닛(U09)으로부터 피처리 기판(G)을 약액 도포 유닛(U01)의 거치대로 이동시킨다. Thus, the process of processing a to-be-processed substrate is performed by the substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1A. That is, when the to-be-processed board | substrate G which will perform a process process by the washing | cleaning unit U09 is cleaned with the washing | cleaning machine 10, the robot handler R1 will carry out the to-be-processed board | substrate G from the cleaning unit U09, and the chemical | medical agent application unit ( U01) move to the cradle.

거치대에는 기판(G)을 임시적으로 거치시키는 다수의 거치 핀이 구비된다. 거치 핀에 거치된 피처리 기판(G)은 정렬 유닛(미도시)에 의해 정렬되어, 기판(G)이 기판 스테이지(21)에 위치 고정된 상태에서 이동하는 약액 노즐(25)에 의하여 표면에 약액이 도포되거나, 대한민국 등록특허공보 제10-1081886호에 개시된 바와 같이 기판(G)이 부상된 상태로 이동하면서 위치 고정된 약액 노즐에 의하여 표면에 약액(PR)이 도포된다. The holder is provided with a plurality of mounting pins for temporarily mounting the substrate (G). The substrate G to be mounted on the mounting pin is aligned by an alignment unit (not shown) to the surface by the chemical liquid nozzle 25 that moves in a state where the substrate G is fixed to the substrate stage 21. The chemical liquid is applied, or the chemical liquid PR is applied to the surface by the chemical liquid nozzle which is fixed while moving in a state where the substrate G is floating as disclosed in Korean Patent Publication No. 10-1081886.

그 다음, 로봇 핸들러(R2)는 그 다음 공정을 행하는 진공 감압 건조 유닛(U02)으로 피처리 기판(G)을 집어 이동시킨다. 본 출원인의 대한민국 등록특허공보 제10-1077834호에 개시된 '진공 감압 건조 방법 및 이에 사용되는 장치'에 개시된 바와 같이, 진공감압 건조장치는, 거치 핀(31)에 거치된 피처리 기판(G)을 정렬시킨 상태에서 외기와 차단시키는 밀폐 챔버(30) 내에서 감압하면서, 피처리 기판(G)의 표면에 도포된 약액을 건조시킨다. Next, the robot handler R2 picks up and moves the substrate to be processed G to a vacuum decompression drying unit U02 which performs the next step. As disclosed in the 'Vacuum Pressure-Drying Drying Method and Apparatus Used Therein' disclosed in Korean Patent Application Publication No. 10-1077834 of the applicant, the vacuum pressure-drying apparatus includes a substrate G to be placed on a mounting pin 31. The chemical liquid applied to the surface of the to-be-processed substrate G is dried while decompressing in the airtight chamber 30 which blocks the outside air in the aligned state.

그 다음, 로봇 핸들러(R3)는 그 다음 공정을 행하는 핫 플레이트 건조기 또는 콜드 플레이트 건조기(40)가 설치된 건조 유닛(U03)으로 피처리 기판(G)을 집어 이동시킨다. 이에 따라, 플레이트 건조기(40)는 피처리 기판(G)에 대하여 이동(44)하면서, 복사열에 의하여 피처리 기판(G)의 표면에 도포된 약액(PR)을 건조시킨다. Next, the robot handler R3 picks up and moves the substrate G to be processed to a drying unit U03 provided with a hot plate dryer or a cold plate dryer 40 which performs the next step. Accordingly, the plate dryer 40 dries the chemical liquid PR applied to the surface of the substrate G by radiant heat while moving 44 with respect to the substrate G to be processed.

그 다음, 도면에 도시되지 않았지만, 또 다른 로봇 핸들러에 의하여 노광 유닛, 현상 유닛, 검사 유닛, 오븐 등을 거치면서 처리 공정이 순차적으로 진행된다.Next, although not shown in the drawings, the processing process is sequentially performed while passing through the exposure unit, the developing unit, the inspection unit, the oven, and the like by another robot handler.

그러나, 도1a에 도시된 종래의 기판 처리 장치(1)는 각각의 처리 유닛(U09, U01, U02)에서 처리 공정을 행하기 위하여 피처리 기판(G)을 이송하는 구성이 로봇 핸들러(R1, R2, R3)에 의해 이루어짐에 따라, 로봇 핸들러가 피처리 기판(G)을 파지하기 위하여 접근하여 부드럽게 파지하는 시간이 오래 소요되는 문제가 있다. 이 뿐만 아니라, 로봇 핸들러가 처리 유닛(U01, U02,...)별로 피처리 기판을 거치 핀 상에 이송한 다음에도 피처리 기판(G)의 자세나 위치를 정렬하는 데 오랜 시간이 소요되어, 각 처리 유닛(U09, U01, U02,..)에 피처리 기판(G)을 이송하고 각 처리 유닛에서 처리 공정을 시작하는 데에 오랜 시간이 소요되어 공정 효율이 저하되는 문제가 있었다.However, in the conventional substrate processing apparatus 1 shown in Fig. 1A, the structure for transferring the substrate to be processed G in order to perform the processing process in each of the processing units U09, U01, and U02 includes a robot handler R1, According to the R2, R3), the robot handler takes a long time to approach and gently grip the substrate G to be processed. In addition to this, even after the robot handler transfers the processing target substrate to each of the processing units (U01, U02, ...) on the mounting pin, it takes a long time to align the posture or position of the processing substrate (G). In order to transfer the processing target substrate G to each processing unit U09, U01, U02, .. and start the processing process in each processing unit, there is a problem that the process efficiency is lowered.

한편, 도1b에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(2)의 처리 유닛(U09, U01, U02,..)에 피처리 기판(G)을 이송하는 공정을 로봇 핸들러(R1, R2, R3)에 의하지 않고, 롤러(Cv)나 컨베이어를 이용하여 이송할 수도 있다. 그러나, 이 방법은 로봇 핸들러에 비하여 피처리 기판(G)을 파지하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있지만, 각 처리 유닛(U09, U01, U02,..)으로 피처리 기판(G)을 이송하는 정확도가 낮아져, 거치 핀 상에서 피처리 기판(G)을 정렬시키는 공정을 필수적으로 수반되므로, 피처리 기판(G)이 각 처리 유닛에서 처리 공정을 시작하는 데에 오랜 시간이 소요되어 공정 효율이 저하되는 문제가 있었다. Meanwhile, as shown in FIG. 1B, the robot handlers R1, R2, and R3 perform a process of transferring the substrate G to the processing units U09, U01, U02, .. of the substrate processing apparatus 2. It is also possible to transfer using roller Cv or a conveyor regardless of this. However, this method can reduce the time required to hold the substrate G to be processed compared to the robot handler, but transfers the substrate G to each processing unit U09, U01, U02, .. The accuracy is lowered, which essentially entails the process of aligning the substrate G on the mounting pin, so that the processing substrate G takes a long time to start the treatment process in each processing unit, thereby reducing the process efficiency. There was a problem.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 출원일 이전에 공지되지는 않았지만 본 출원인에 의하여 특허출원된 특허출원 제10-2014-192299호에 따르면, 기판(G)을 부상 스테이지에 의하여 부상시킨 상태로 연속 이송하고 진공 감압 건조 유닛(U02)을 부상 스테이지 상에서 형성하는 구성이 제안되었다. 그러나, 이 구성은 부상 스테이지와 밀폐 챔버의 사이 틈새에 의하여 대기압보다 낮은 압력으로 유지시키는 데 한계가 있으므로, 진공 감압 건조 공정 중에 주변 공기의 유동이 발생되면서 피처리 기판의 표면에 도포된 약액의 건조가 불균일해져 얼룩이 발생되는 문제가 야기되었다. 이에 따라, 도1c에 도시된 형태로 진공 감압 건조 유닛(U02)에 피처리 기판을 이송하기나 진공 감압 건조 유닛(U02)으로부터 피처리 기판(G)을 이송하기 위해서는 로봇 아암과 리프트 핀이 필수적으로 수반되는 문제가 야기되었다.In order to solve such a problem, according to patent application No. 10-2014-192299, which is not known before the present application but patented by the present applicant, the continuous transfer of the substrate (G) in the state of floating by the floating stage And forming a vacuum reduced pressure drying unit U02 on the floating stage. However, this configuration has a limitation in maintaining it at a pressure lower than atmospheric pressure due to the gap between the floating stage and the closed chamber, so that the drying of the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be processed while the flow of ambient air occurs during the vacuum decompression drying process The nonuniformity caused a problem of staining. Accordingly, the robot arm and the lift pin are essential for transferring the processing target substrate to the vacuum reduced pressure drying unit U02 in the form shown in FIG. 1C or for transferring the processing target substrate G from the vacuum reduced pressure drying unit U02. The problem that followed came about.

따라서, 피처리 기판을 연속적으로 이송하여 공정 효율을 높이기 위해서는, 기판 처리 공정 중에 진공 감압 건조 유닛(U2)을 제외시키는 필요성이 절실히 요구되고 있다. 즉, 피처리 기판(G)을 처리하는 공정 효율을 보다 향상시키면서, 각 처리 유닛에서의 위치 정확성을 높여, 해당 처리 공정을 보다 정확하고 신뢰성있게 행할 수 있는 방안의 필요성이 절실히 요구되고 있다.Therefore, in order to continuously transfer a to-be-processed board | substrate and to raise process efficiency, the necessity of removing the vacuum pressure reduction drying unit U2 during a substrate processing process is urgently required. In other words, there is an urgent need for a method of improving the positional accuracy in each processing unit while improving the process efficiency of processing the substrate G to be processed, and more accurately and reliably.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로, 피처리 기판이 여러 처리 유닛을 거치면서 행해지는 처리 공정의 효율을 보다 향상시키면서, 각 처리 유닛에서의 위치 정확성을 높여, 해당 처리 공정을 보다 정확하고 신뢰성있게 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, while improving the efficiency of the processing process is performed while the substrate to be processed through the various processing units, while increasing the position accuracy in each processing unit, the processing process more accurate An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can be reliably and reliably performed.

즉, 본 발명은, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액의 일부를 진공 상태로 건조시키는 진공 감압 건조 유닛을 제외시키는 것에 의하여, 로봇 아암과 리프트 핀을 제거하고 전 공정에 걸쳐 피처리 기판이 부상된 상태로 이송되면서 약액의 도포와 약액 건조 공정이 행해짐으로써 공정 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.That is, the present invention removes the robot arm and the lift pins and removes the robot arm and the lift pins by excluding a vacuum reduced-pressure drying unit for drying a part of the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be vacuumed, thereby causing the substrate to be treated throughout the entire process. It is an object to improve the process efficiency by carrying out the application of the chemical liquid and the chemical liquid drying step while being transported in the state.

또한, 본 발명은 여러 처리 유닛마다 정렬 공정을 거치지 않더라도, 각 처리 유닛에서의 피처리 기판이 정확한 자세와 위치로 공급될 수 있도록 하여, 각 처리 유닛에서의 정렬 기구 및 정렬 과정을 배제하여, 구성을 단순화하면서도 보다 짧은 시간 내에 처리 공정을 곧바로 행할 수 있는 공정 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention allows the substrate to be processed in each processing unit to be supplied in the correct posture and position even without performing the alignment process for each processing unit, thereby excluding the alignment mechanism and the alignment process in each processing unit. It aims at improving the process efficiency which can simplify a process and can perform a process immediately in a short time.

그리고, 본 발명은 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 단계적으로 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트 성분에 의한 얼룩이 남는 것을 억제함으로써, 대기압 보다 낮은 감압 상태에서 건조하는 공정을 배제하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to eliminate the step of drying in a reduced pressure state lower than atmospheric pressure by suppressing the remaining of the chemical component applied to the surface of the substrate to be processed by step-by-step, leaving the stain by the solvent component in the chemical liquid. .

또한, 본 발명은 피처리 기판에 도포된 약액을 가열 플레이트에 의한 복사열로 건조시키는 과정에서, 가열 플레이트의 열선의 분포에 따른 열전달 편차를 억제하여 약액의 건조 과정에서 얼룩이 발생되는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention, in the process of drying the chemical liquid applied to the substrate to be treated by radiant heat by the heating plate, to suppress the heat transfer variation according to the distribution of the hot wire of the heating plate to suppress the generation of stains in the drying process of the chemical liquid It is done.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 공정을 포함하는 기판 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서, 상기 피처리 기판의 가장자리를 제1파지부재로 파지하고 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 이동시키면서 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 노즐이 구비된 약액 도포 유닛과; 상기 약액 도포 유닛으로부터 약액이 도포된 상태로 배출된 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 제3파지부재가 넘겨받아, 상기 피처리기판을 부상시킨 상태로 상기 제3파지부재와 함께 이동시키면서 상기 피처리 기판을 다단계의 온도로 가열하여 상기 약액을 건조시키는 가열 건조 유닛을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention provides a substrate processing apparatus including a step of applying a chemical liquid to a surface of a substrate, in order to achieve the object as described above, wherein the edge of the substrate to be treated as a first holding member; A chemical liquid application unit provided with a chemical liquid nozzle for holding and applying the chemical liquid to the surface of the substrate while moving the substrate to be floated; A third holding member is handed over to the to-be-processed substrate discharged in a state where the chemical solution is applied from the chemical-liquid application unit, and moved together with the third holding member while floating the to-be-processed substrate. A heating drying unit for drying the chemical liquid by heating the processing substrate to a multi-step temperature; It provides a substrate processing apparatus comprising a.

이는, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 다단계의 온도로 가열하여 약액을 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거할 수 있게 되므로, 종래의 진공 감압 건조 공정을 거치지 않더라도 약액 내의 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있게 되어, 진공 감압 건조 유닛을 구비하지 않고서도 피처리 기판에 도포된 약액을 얼룩없이 건조할 수 있도록 하기 위함이다.It is possible to remove the solvent in the chemical solution step by step by heating the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be processed to a multi-step temperature, so that the solvent or the solvent in the chemical liquid without the conventional vacuum vacuum drying process This is to prevent staining due to bubbles, so that the chemical liquid applied to the substrate to be treated can be dried without staining without having a vacuum vacuum drying unit.

이와 같이, 약액 도포 유닛에서 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 상태에서 진공 감압 건조 유닛을 거치지 않고 곧바로 가열 건조 유닛으로 이송됨에 따라, 밀폐 챔버에 피처리 기판을 위치시키기 위한 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, the robot arm and the lift pin for positioning the substrate to be processed in the hermetically sealed chamber, as the chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed and immediately transferred to the heating drying unit without going through the vacuum decompression drying unit. In addition, the chemicals are applied to the surface of the substrate in a floating state and then transferred to the heat drying unit in a floating state immediately, thereby increasing the transfer efficiency of the processing substrate and the time required for the entire process. An advantageous effect of shortening can be obtained.

즉, 상기 약액 도포 유닛과 상기 가열 건조 유닛의 사이에는 상기 피처리 기판을 대기압 보다 낮은 압력 상태에서 건조하는 진공 건조 유닛이 배치되지 않게 된다. That is, a vacuum drying unit for drying the substrate to be processed at a pressure lower than atmospheric pressure is not disposed between the chemical liquid applying unit and the heat drying unit.

여기서, 상기 가열 건조 유닛은 상기 피처리 기판의 진행 경로를 따라 가열 온도를 점진적으로 상승시키는 형태로 배치됨으로써, 피처리 기판에 도포된 약액에 함유된 솔벤트 성분을 점진적으로 약액으로부터 증발시키면서 건조시키게 되어, 솔벤트 성분에 의한 얼룩이 생기는 문제를 해결할 수 있다. 이 때, 피처리 기판이 이송되면서 가열 건조 유닛으로부터 열전달을 받아 약액을 가열 건조시킬 수 있다.Here, the heat drying unit is arranged in a form of gradually raising the heating temperature along the path of the substrate to be processed, thereby drying the solvent component contained in the chemical liquid applied to the substrate to be gradually evaporated from the chemical liquid. This can solve the problem of staining caused by solvent components. At this time, while the substrate to be processed is transferred, the chemical liquid can be heat dried by receiving heat transfer from the heat drying unit.

그리고, 상기 부상스테이지는 공기를 분출시키는 것에 의한 부상력으로 피처리 기판을 부상시킬 수도 있으며, 초음파에 의하여 가진되는 진동판으로부터 발생되는 부상력으로 피처리 기판을 부상시킬 수도 있다.In addition, the floating stage may float the substrate to be treated by the floating force by blowing air, and may also injure the substrate by the floating force generated from the diaphragm excited by ultrasonic waves.

한편, 상기 가열 건조 유닛은, 상기 피처리 기판을 가열하는 가열 플레이트가 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트는 적어도 2개 이상이 서로 다른 온도로 조절될 수 있다. 그리고, 피처리 기판은 가열 건조 유닛에서 서로 다른 온도로 조절되는 가열 영역에서 정지된 상태에서 열전달을 받아 약액을 가열 건조시킬 수도 있다. On the other hand, in the heat drying unit, a plurality of heating plates for heating the substrate to be processed are disposed along a transfer path of the substrate, and at least two or more of the heating plates may be adjusted to different temperatures. In addition, the substrate to be treated may be heat-dried by receiving heat transfer in a stopped state in a heating region controlled to different temperatures in the heating drying unit.

즉, 상기 가열 건조 유닛은 상기 피처리 기판의 이동 방향을 따라 서로 다른 온도로 조절되는 제1가열영역과 제2가열영역을 포함하는 2개 이상의 가열 영역으로 형성되어, 상기 피처리 기판이 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역에서 정지된 상태로 정해진 시간 동안에 가열 건조될 수 있다. That is, the heat drying unit is formed of two or more heating regions including a first heating region and a second heating region, which are adjusted to different temperatures along the moving direction of the substrate to be treated, so that the substrate is processed. The heating and drying may be performed for a predetermined time in a stationary state in the first heating region and the second heating region.

그리고, 상기 피처리 기판이 상기 제2가열 영역에 비하여 먼저 도달하는 상기 제1가열영역의 제1가열 온도는 상기 제2가열영역의 제2가열온도에 비하여 더 낮게 정해진다. In addition, the first heating temperature of the first heating region, in which the substrate to be processed reaches first compared to the second heating region, is set lower than the second heating temperature of the second heating region.

상기 가열 영역 중 어느 하나에 설치된 가열 플레이트는 복사 열전달에 의하여 상기 피처리 기판을 가열하는 것이 바람직하다. 대류 열전달에 의하여 피처리 기판을 가열하는 경우에는 공기의 유동에 의하여 약액의 유동이 야기되어 얼룩이 발생될 여지가 높기 때문이다.The heating plate provided in any one of the heating zones preferably heats the substrate to be processed by radiant heat transfer. This is because when the substrate to be processed is heated by convective heat transfer, the flow of the chemical liquid is caused by the flow of air, and thus the staining is high.

이 때, 상기 약액 도포 유닛이 행해진 다음에 처음 가열되는 제1가열 영역은 상기 약액 내의 솔벤트를 5중량% 내지 30중량% 제거하는 온도와 시간으로 정해지며, 예를 들어, 상기 제1가열영역은 40℃ 내지 70℃로 정해질 수 있다. 그리고, 제1가열영역 이후에 가열 건조되는 가열 영역들에서는 각각 60℃~85℃, 70℃~105℃ 등으로 정해질 수 있다. At this time, the first heating region which is first heated after the chemical liquid applying unit is performed is determined by a temperature and a time for removing 5-30% by weight of the solvent in the chemical liquid, for example, the first heating region is 40 to 70 ℃ can be set. In the heating regions heated and dried after the first heating region, the heating regions may be set to 60 ° C. to 85 ° C., 70 ° C. to 105 ° C., and the like.

여기서, 각각의 가열영역(예를 들어, 제1가열영역)에는 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수의 가열 플레이트가 배치되고, 그 다음에 열건조 공정이 행해지는 가열영역(예를 들어, 제2가열영역)에 인접한 위치의 제1-2가열 플레이트는 인접하지 아니한 위치의 제1-1가열 플레이트에 비하여 보다 낮은 온도로 조절될 수 있다. 이에 의하여, 그 다음에 열건조 공정이 행해지는 인접한 가열 영역(예를 들어, 제2가열영역)에서의 온도가 현재 열건조 공정이 행해지는 가열 영역(예를 들면, 제1가열영역)에서의 온도에 비해 높으므로, 1-2가열플레이트의 온도를 1-1가열플레이트에 비하여 더 낮게 조절하는 것에 의해 전체적으로 제1가열영역에서 피처리 기판에 전달되는 열전달양을 전체적으로 균일하게 조절할 수 있다. Here, in each heating zone (for example, the first heating zone), a plurality of heating plates are arranged along the transfer path of the substrate to be processed, and then a heating zone (for example, where a heat drying process is performed) The first-second heating plate at a position adjacent to the second heating region) may be controlled at a lower temperature than the first-first heating plate at a position not adjacent to the second heating region. Thereby, the temperature in the adjacent heating zone (e.g., the second heating zone) in which the heat drying process is then performed in the heating zone (e.g., the first heating zone) in which the heat drying process is currently performed Since the temperature is higher than the temperature, by adjusting the temperature of the 1-2 heating plate lower than that of the 1-1 heating plate, the amount of heat transfer transmitted to the substrate to be processed in the first heating region as a whole can be uniformly adjusted.

한편, 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역의 사이에는 열전달을 억제하는 차단막이 형성되어, 인접한 가열 영역들의 경계 부분에서 가열 정도에 편차가 생기는 것을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 차단막은 에어커튼으로 형성될 수도 있고, 미닫이 형태로 개폐되는 단열재 도어로 형성될 수도 있다.On the other hand, a blocking film that suppresses heat transfer is formed between the first heating region and the second heating region, it is possible to minimize the variation in the degree of heating at the boundary of the adjacent heating regions. For example, the barrier layer may be formed of an air curtain, or may be formed of a heat insulating material door that opens and closes in a sliding form.

무엇보다도, 상기 가열 플레이트에는 발열되는 열선이 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트와 상기 피처리 기판의 사이에는 매개 플레이트가 개재되어 상기 열선의 위치에 따른 온도 구배가 줄어든 상태로 상기 피처리 기판을 가열할 수 있다. 이와 같이, 매개 플레이트를 거친 상태로 피처리 기판의 약액에 복사 열전달을 하여 건조시킴으로써, 가열 플레이트에 배치된 열선 배치에 따른 열전달양의 편차를 없애 얼룩의 발생을 제거할 수 있다.First of all, the heating plate is arranged with a heating wire that generates heat, and an intermediate plate is interposed between the heating plate and the substrate to be heated to heat the substrate to be processed in a state in which a temperature gradient according to the position of the heating wire is reduced. Can be. In this way, by radiant heat transfer to the chemical liquid of the substrate to be processed while passing through the intermediate plate, drying can be eliminated by eliminating the variation in the amount of heat transfer due to the arrangement of the heat rays arranged on the heating plate.

이 때, 상기 가열 플레이트는 상기 피처리 기판의 상측에 배치되어, 충분히 넓은 공간 내에서 용이하게 설치되어 약액을 가열하는 온도를 정확하게 제어할 수 있다. At this time, the heating plate is disposed above the substrate to be processed, and can be easily installed in a sufficiently large space to accurately control the temperature at which the chemical liquid is heated.

한편, 상기 가열 플레이트 또는 매개 플레이트는 상기 부상스테이지의 진동판으로 형성될 수도 있다. 즉, 가열 플레이트나 매개 플레이트가 부상스테이지의 진동판으로 형성됨에 따라, 피처리 기판과 매우 작은 거리를 유지하면서 약액의 아랫부분부터 가열시킴에 따라, 건조 효율을 높이고 약액에 내재된 솔벤트를 하부부터 없앨 수 있다. On the other hand, the heating plate or the intermediate plate may be formed as a vibration plate of the floating stage. That is, as the heating plate or the intermediate plate is formed as the diaphragm of the floating stage, heating from the lower part of the chemical liquid while maintaining a very small distance from the substrate to be processed, thereby increasing the drying efficiency and eliminating the solvent inherent in the chemical liquid from the bottom. Can be.

상기와 같이, 가열 건조 유닛에 의하여 피처리 기판의 약액이 모두 건조되면, 상기 가열 건조 유닛의 최후단 에 위치한 제9가열영역은 상기 피처리 기판의 표면에 복사 열전달에 의하여 냉각시키는 냉각 플레이트로 정해질 수 있다.As described above, when the chemical liquid of the substrate to be processed is dried by the heat drying unit, the ninth heating region located at the end of the heat drying unit is defined as a cooling plate that cools the surface of the substrate by radiant heat transfer. Can be done.

그리고, 상기 제1파지부재는 상기 약액 도포 유닛이 행해지고 가열 건조 공정이 시작되기 직전까지만 이송하고, 피처리 기판을 제3파지부재로 넘겨준다. 그리고, 제1파지부재는 다시 약액 도포 유닛의 초입부로 이동하여 새로운 피처리 기판을 파지한 상태로 약액 도포공정이 행해진다.Then, the first holding member is transferred until just before the chemical liquid applying unit is performed and the heat drying process is started, and the substrate to be processed is transferred to the third holding member. Then, the first gripping member moves back to the beginning of the chemical liquid applying unit, and the chemical liquid applying step is performed while holding a new substrate to be treated.

이와 유사하게, 제3파지부재는, 상기 제1가열 영역을 이동할 때에 상기 피처리 기판을 파지하는 제3-1파지부재와, 상기 제1가열영역으로부터 상기 제2가열영역으로 이동할 때에 상기 제3-1파지부재로부터 상기 피처리 기판을 넘겨받는 제3-2파지부재를 포함하여 구성되어, 가열 영역이 변동될 때마다 제3-1파지부재와, 제3-2파지부재와, 제2-3파지부재 등으로 피처리 기판을 넘겨주어, 각 가열 영역에서는 서로 다른 파지 부재에 의해 파지된 상태로 이송될 수 있다. Similarly, the third gripping member includes a 3-1 gripping member for holding the substrate to be processed when the first heating region is moved, and the third holding member when moving from the first heating region to the second heating region. 3-1 holding member, 3-2 holding member, 3-2 holding member, and 2-3, each time the heating area is changed. The substrate to be processed is handed over to the gripping member or the like, and each heating region can be conveyed in a state held by different gripping members.

이와 같이, 서로 다른 처리 유닛에서 각각 하나의 피처리 기판이 약액도포공정과 가열건조공정을 행하는 과정은 제1파지부재가 피처리 기판을 파지하여 이송하면서 행해지고, 약액도포유닛에서 가열건조유닛까지 이송하는 과정이나 가열건조유닛에서 가열건조공정을 행하는 과정은 제3파지부재가 제1파지부재로부터 피처리 기판을 넘겨받아 피처리 기판의 타측을 파지하여 이송하면서 행해질 수 있다. In this way, each of the substrates to be treated by the chemical liquid applying process and the heating and drying process in each different processing unit is carried out while the first holding member grips and transports the substrate to be processed, and is transferred from the chemical liquid applying unit to the heating drying unit. The process of carrying out the heat drying process in the heating drying unit or the third holding member may be performed while the third holding member receives the to-be-processed substrate from the first holding member and grips and transports the other side of the to-be-processed substrate.

특히, 피처리 기판이 어느 일측에서만 파지 부재가 파지된 상태로 이송되다가 다른 파지 부재로 피처리 기판을 파지하는 상태를 넘겨주는 것에 의하여, 이와 같이, 피처리 기판이 거치 핀에 거치된 상태로 있지 아니하고, 제1파지부재와 제3파지부재에 일측과 타측이 번갈아가면서 파지되어 이송됨으로써, 피처리 기판의 위치 및 자세를 일단 1회만 셋팅하면, 예를 들어, 약액도포유닛에서 위치 및 자세가 1회 셋팅하면, 피처리 기판이 파지된 상태로 전달되면서 이송되고 전달받아 다시 이송되어 피처리 기판의 위치 및 자세가 정해진 상태로 유지되므로, 피처리 기판을 1회 정렬시키면, 그 다음(예를 들어, 가열건조유닛)부터는 정렬 공정이 없더라도, 피처리 기판은 항상 위치 및 자세가 정렬된 상태가 된다. In particular, the substrate to be processed is transferred to a state in which the gripping member is held on only one side, and then the state of holding the substrate to be held by the other gripping member is transferred to the mounting pin. In addition, one side and the other side are alternately gripped and transported to the first and third gripping members, so that once the position and posture of the substrate to be processed are set only once, for example, the position and the posture of the chemical liquid applying unit are 1 When the turn is set, the substrate to be processed is transferred while being conveyed while being held, and is transferred again to maintain the position and posture of the substrate to be processed. From the heating and drying unit), even if there is no alignment process, the substrate to be processed is always in a state where the position and posture are aligned.

따라서, 피처리 기판이 각 처리 유닛에서 처리 공정을 행하는 데 까지 필요한 시간을 단축하여 공정 효율을 보다 높일 수 있는 유리한 효과가 있다. 즉, 본 발명은, 피처리 기판을 1회 정렬시키면, 그 다음부터는 정렬 공정이 필요 없어지므로, 피처리 기판이 각 처리 유닛에서 처리 공정을 행하는 데 까지 필요한 시간을 단축하여 공정 효율을 높일 수 있는 유리한 효과가 있다. Therefore, there is an advantageous effect of shortening the time required for the substrate to be processed to perform the processing step in each processing unit to further increase the process efficiency. That is, according to the present invention, when the substrate to be processed is aligned once, the alignment process is no longer necessary. Therefore, the time required for the substrate to be processed in each processing unit can be shortened to increase the process efficiency. It has a beneficial effect.

오히려, 본 발명은 피처리 기판의 일측과 타측을 번갈아가면서 파지하면서 이송함에 따라, 피처리 기판을 넘겨주고 받는데 소요되는 시간이 매우 짧은 시간 내에 행할 수 있게 되어, 기판 이송 효율이 향상되는 잇점을 얻을 수 있다. 그리고, 피처리 기판이 여러 처리 유닛을 거치더라도 각 처리 유닛에서 피처리 기판의 위치 정확성을 높일 수 있게 되어, 해당 처리 공정을 보다 정확하고 신뢰성있게 행할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Rather, as the present invention alternately grips and transports one side and the other side of the substrate, the time required for handing over and receiving the substrate can be performed within a very short time, thereby obtaining an advantage of improving substrate transfer efficiency. Can be. Further, even if the substrate to be processed passes through several processing units, the positional accuracy of the substrate to be processed in each processing unit can be increased, and thus an effect of performing the processing process more accurately and reliably can be obtained.

또한, 약액도포공정을 행하면서 피처리 기판을 이송한 제1파지부재로부터 가열건조공정을 행하면서 피처리 기판을 이송하는 제3파지부재로 직접 전달을 받으므로, 기판의 처리 공정 효율을 저해하는 처리 유닛으로 이동시키는 로봇 핸들러 및 기판을 거치시키는 거치 핀을 제거하여 구성을 단순화하면서 공정 효율을 향상시킬 수 있다. In addition, since the transfer is directly received from the first holding member which carries the substrate to be processed while carrying out the chemical liquid applying process to the third holding member which carries the substrate to be processed while carrying out the heating and drying process, the processing efficiency of the substrate is impaired. By eliminating the robot handler that moves to the processing unit and the mounting pins that hold the substrate, process efficiency can be improved while simplifying configuration.

여기서, 부상 스테이지는 피처리 기판의 저면에서 부상력을 지속적으로 작용하도록 구성되는 것이 바람직하지만, 반드시 부상 스테이지가 끊임없이 연속적으로 배치되는 것으로 국한되지 않으며, 간헐적으로 부상력이 인가되는 것을 포함한다. 즉, 파지부재에 의하여 이송되는 과정에서 피처리 기판이 추락하지 않고 부상력을 받을 수 있을 정도면 충분하다.Here, the floating stage is preferably configured to continuously apply the floating force at the bottom of the substrate to be processed, but is not necessarily limited to the continuously arranged floating stage, and includes applying the floating force intermittently. That is, it is sufficient that the substrate to be processed can receive the floating force without falling in the process of being carried by the holding member.

또한, 부상스테이지에 의하여 인가되는 부상력에 의하여 피처리 기판은 파지부재에 일측에서만 파지되더라도, 피처리 기판의 전체 저면이 부상력에 의해 지지되므로, 피처리 기판에 잔진동이 발생하지 않으면서 이송하는 것이 가능하다. 다만, 본 발명은 피처리 기판이 일측에서 파지 부재에 의해 파지된 상태로 이송되는 구성에 국한되지 아니하며, 본 발명은 필요에 따라 피처리 기판이 기판 양측에서 파지 부재에 의하여 파지된 상태로 이송되는 영역이 적어도 일부 이상 포함될 수 있다. In addition, even if the substrate to be processed is held by only one side by the floating force applied by the floating stage, since the entire bottom surface of the substrate is supported by the floating force, the substrate is transferred without causing residual vibration. It is possible. However, the present invention is not limited to the configuration in which the substrate to be processed is gripped by the gripping member on one side, and the present invention is carried in the state in which the substrate to be gripped by the gripping members on both sides of the substrate, if necessary. At least a portion of the area may be included.

이와 같이, 파지부재는 각각 정해진 영역에서 왕복 이동하면서 연속적으로 공급되는 피처리 기판의 일측과 타측을 교대로 파지하여 이송하면서, 정해진 처리 공정을 단계별로 행함에 따라, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다. As described above, the holding members are each reciprocally moved in a predetermined area, and then alternately grips and transfers one side and the other side of the substrate to be supplied continuously, thereby improving the processing efficiency of the substrate. have.

그리고, 상기 제1파지부재는 상기 피처리 기판을 흡입 고정하는 흡입부를 구비하여, 정해진 경로의 이동 레일을 따라 이동하면서 피처리 기판을 안정되게 파지할 수 있다. The first gripping member may include a suction part for suction-fixing the substrate to be processed, and stably hold the substrate to be processed while moving along a moving rail of a predetermined path.

한편, 상기 제1파지부재와 상기 제3파지부재을 포함하는 파지부재는 정해진 영역을 왕복 이동하면서 부상 스테이지를 따라 공급되는 피처리 기판을 파지하여 이송한다. 이와 같이, 각각의 파지부재이 정해진 영역에서만 왕복 이동하면서 피처리 기판을 전진 이송시키므로, 보다 짧은 시간 간격으로 피처리 기판을 공급하면서 처리 공정을 행할 수 있다.Meanwhile, the gripping member including the first gripping member and the third gripping member grips and transfers a substrate to be supplied along the floating stage while reciprocating a predetermined region. As described above, since the respective holding members move forward and forward to be processed while reciprocating only in a predetermined region, the processing step can be performed while supplying the substrate to be processed at a shorter time interval.

이 때, 상기 제1파지부재와 상기 제3파지부재는 상기 부상스테이지의 일측과 타측을 따라 종방향으로 연장된 이송 레일을 따라 이송한다. 예를 들어, 상기 제1파지부재와 상기 제3파지부재는 에어 베어링에 의하여 부상된 상태로 정교하게 수평 이동되게 구성되며, 이송 레일에 대하여 리니어 모터의 원리 등 다양한 공지된 직선 이동 형태로 구성하여 이동할 수 있다.At this time, the first holding member and the third holding member is transported along a transfer rail extending in the longitudinal direction along one side and the other side of the floating stage. For example, the first gripping member and the third gripping member are configured to be precisely horizontally moved in an injured state by an air bearing, and are configured in various known linear movement forms such as the principle of a linear motor with respect to a transfer rail. I can move it.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 다단계의 온도로 점진적으로 가열하여 약액을 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거하면서 건조할 수 있게 되므로, 대기압보다 낮은 압력 상태에서 약액의 일부를 건조시키는 진공 감압 건조 유닛을 배제하고서도, 피처리 기판에 도포된 약액을 건조시키는 과정에서 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. As described above, the present invention can be dried while gradually removing the solvent in the chemical liquid by gradually heating the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be processed to a multi-stage temperature, so that it can be dried at atmospheric pressure. Even if the vacuum reduced pressure drying unit for drying a part of the chemical liquid at a low pressure state is excluded, an effect of preventing staining due to solvents or bubbles in the process of drying the chemical liquid applied to the substrate to be treated can be obtained.

또한, 본 발명은, 밀폐 챔버로 피처리 기판을 이송하고 밀폐 챔버로부터 피처리 기판을 이송하기 위하여 필수적으로 수반되는 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있게 되므로, 피처리 기판에 약액을 도포하고 건조시키는 공정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다. In addition, the present invention can remove the robot arm and the lift pins, which are essential for transferring the substrate to the sealed chamber and transferring the substrate from the sealed chamber, thereby applying and drying the chemical liquid on the substrate. An advantageous effect of increasing the process efficiency to make it can be obtained.

이를 통해, 본 발명은, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Through this, the present invention, since the chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed in a floating state and then immediately transferred to the heating and drying unit in a floating state, the transfer efficiency of the processing substrate is increased and the time required for the entire process is increased. An advantageous effect of shortening can be obtained.

그리고, 본 발명은, 피처리 기판이 거치는 다수의 처리유닛에서 각각 하나의 피처리 기판이 각 처리과정을 순차적으로 거치는 데 있어서, 어느 하나의 처리유닛을 행한 피처리 기판의 일측을 어느 하나의 파지부재이 흡입 파지한 상태로 정해진 위치까지 이송하면, 다른 파지부재이 피처리 기판의 타측을 흡입 파지하여 이송하는 형태로 이송하는 것과 같이, 피처리 기판의 일측과 타측이 번갈아가면서 흡입 파지되어 이송됨에 따라, 피처리 기판의 위치 및 자세를 일단 1회만 셋팅하면, 그 다음부터의 피처리 기판은 일측과 타측이 번갈아가면서 흡입 파지된 상태로 이송되어 피처리 기판의 위치 및 자세가 정해진 상태로 유지되므로, 피처리 기판을 1회 정렬시키면, 그 다음부터는 각 처리 유닛에서의 처리 공정을 위하여 정렬 공정을 매번 하지 않더라도 정해진 자세와 위치를 유지하므로, 정렬 공정에 소요되는 시간을 단축하여 보다 높은 공정 효율을 달성할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.And, in the present invention, in each of the plurality of processing units that the substrate to be processed, each one of the substrates sequentially go through each processing process, any one holding the one side of the substrate to be subjected to any one processing unit When the member is conveyed to a predetermined position in the state of suction gripping, as the other gripping member is conveyed in the form of suction gripping and conveying the other side of the substrate, the one side and the other side of the substrate to be treated are alternately sucked and conveyed, Once the position and posture of the substrate to be processed are set only once, the substrate to be processed thereafter is transferred to the suction gripping state alternately with one side and the other side, and the position and posture of the substrate to be processed are maintained in a fixed state. If the processing substrate is aligned once, then the alignment process is not performed every time for the processing in each processing unit. By maintaining a predetermined posture and position, it is possible to shorten the time required for the alignment process and obtain an advantageous effect of achieving higher process efficiency.

또한, 본 발명은, 피처리 기판의 일측과 타측을 번갈아가면서 흡입 파지하면서 이송함에 따라, 피처리 기판을 넘겨주고 받는데 소요되는 시간이 매우 짧은 시간 내에 행할 수 있게 되어, 기판 이송 효율을 향상시킬 수 있는 잇점을 얻을 수 있다. In addition, according to the present invention, by transferring the suction and gripping one side and the other side of the substrate to be processed alternately, the time required to pass and receive the substrate can be performed within a very short time, thereby improving the substrate transfer efficiency. You can get the benefits.

그리고, 본 발명은, 가열 플레이트로부터 복사 열전달을 통해 피처리 기판의 약액을 건조시키는 과정에서, 가열 플레이트와 기판의 사이에 열전도 특성이 우수한 매개 플레이트를 개재시키는 것에 의하여, 가열 플레이트에서 열선이 배치된 영역과 열선이 배치되지 아니한 영역의 온도 차이에 따른 열전달 편차에도 불구하고, 매개 플레이트에 의하여 열분포가 균일하게 유도된 상태로 피처리 기판에 열이 전달됨으로써, 피처리 기판에 도포된 약액을 균일하게 열건조시켜 얼룩의 발생을 억제하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention, in the process of drying the chemical liquid of the substrate to be processed through the radiant heat transfer from the heating plate, by interposing a medium plate excellent in thermal conductivity between the heating plate and the substrate, the heating wire is arranged in the heating plate In spite of the heat transfer variation according to the temperature difference between the region and the region where no heat wire is not arranged, heat is transferred to the substrate to be processed with the heat distribution uniformly induced by each plate, thereby uniformly dispensing the chemical liquid applied to the substrate to be processed. The effect of suppressing the occurrence of spots can be obtained by heat drying.

도1a 및 도1b는 종래의 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도1c는 종래의 기판 처리 장치를 개선한 구성을 도시한 도면,
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도3은 도2의 세정 유닛의 일례를 도시한 도면,
도4는 도2의 약액도포유닛의 일례를 도시한 도면,
도5는 도2의 가열건조유닛의 일례를 도시한 도면,
도6은 도2의 절단선 Ⅵ-Ⅵ에 따른 단면도,
도7a 내지 도7c는 도5의 제1가열영역의 상세 구성을 도시한 도면이다.
1A and 1B show the structure of a conventional substrate processing apparatus;
Fig. 1C is a view showing a configuration in which a conventional substrate processing apparatus is improved;
2 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 shows an example of the cleaning unit of FIG. 2;
4 is a view showing an example of the chemical liquid applying unit of FIG.
5 is a view showing an example of the heating and drying unit of FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the cutting line VI-VI of FIG. 2;
7A to 7C are detailed views of the first heating region of FIG. 5.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)를 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 9 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, in describing the present invention, a detailed description of known functions or configurations will be omitted to clarify the gist of the present invention.

도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)는, 피처리 기판(G)에 대하여 다수의 처리 공정이 행해지는 처리 유닛(U9, U1, U3; U)과, 다수의 처리 유닛(U9, U1, U3)에서 피처리 기판(G)에 부상력을 인가하여 피처리 기판(G)의 일측을 파지하더라도 피처리 기판(G)을 수평 상태로 유지시키는 부상 스테이지(1000, 2000)와, 부상 스테이지(1000, 2000)의 양측을 따라 배열된 이송 레일(R1, R2)과, 이송 레일(R1, R2)을 따라 이동하면서 피처리 기판(G)을 이송하는 파지부재(H9, H1, H3)으로 구성된다. As shown in Fig. 2, the substrate processing apparatus 9 according to the embodiment of the present invention includes processing units U9, U1, U3; U in which a plurality of processing steps are performed on the substrate G to be processed. And floating to apply the floating force to the substrate G in the plurality of processing units U9, U1, and U3 to hold the substrate G in a horizontal state even when one side of the substrate G is gripped. The substrates G, which are transferred along the stages 1000 and 2000, the transfer rails R1 and R2 arranged along both sides of the floating stages 1000 and 2000, and the transfer rails R1 and R2, are transferred. It consists of holding | gripping tools H9, H1, and H3.

상기 처리 유닛(U)은 디스플레이 장치를 제조하기 위한 패널을 형성하는 공정으로, 피처리 기판(G)의 세정 공정, 약액 도포 공정, 건조 공정, 노광 공정, 현상 공정, 검사 공정, 오븐에 의한 경화 공정 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 도면에 도시된 실시예에서는 제9처리유닛(U9)에서 세정공정이 행해지는 세정 유닛이고, 제1처리유닛(U1)에서 약액 도포 공정이 행해지는 약액 도포 유닛이고, 제3처리유닛(U3)에서는 가열 건조 공정이 행해지는 가열 건조 유닛인 구성으로 설명한다.The processing unit U is a step of forming a panel for manufacturing a display device, and the cleaning step, the chemical liquid coating step, the drying step, the exposure step, the developing step, the inspection step, and the curing of the processing target substrate G are performed. Process, and the like. In the embodiment shown in the figure, it is a cleaning unit in which a cleaning process is performed in the ninth processing unit U9, a chemical liquid applying unit in which a chemical liquid applying process is performed in the first processing unit U1, and a third processing unit U3. It demonstrates by the structure which is a heat drying unit in which a heat drying process is performed.

상기 처리 유닛(U) 중에 제9처리 공정으로서 세정 공정이 행해지는 제9처리유닛(U9)은 도3에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치를 제조하기 위한 피처리 기판(G)이 공급되면, 세정액 노즐(900)로부터 세정액(900a)이 고압 분사되면서, 처리 공정이 행해지는 피처리 기판(G)의 표면을 세정한다. 세정 공정이 행해진 피처리 기판(G)은 이송 롤러(910)의 회전에 의하여 부상 스테이지(1000)의 상측으로 이송된다. 도2에 도시된 바와 같이, 제9파지부재(H9)에 파지되기 이전에, 세정 유닛(U9)에서는 'ㄱ'자 형태로 형성된 정렬 부재(920)를 피처리 기판(G)을 향하여 이동(920d)시켜 피처리 기판(G)의 자세 및 위치를 정해진 자세와 위치로 정렬시킨다. 그리고 나서, 제9파지부재(H9)이 피처리 기판(G)을 파지하여 이송(99)한다. In the ninth processing unit U9 in which the cleaning process is performed as the ninth processing step in the processing unit U, as shown in FIG. 3, when the substrate G for manufacturing the display device is supplied, the cleaning liquid is supplied. While the cleaning liquid 900a is injected at a high pressure from the nozzle 900, the surface of the substrate G to be processed is cleaned. The to-be-processed substrate G subjected to the cleaning process is transferred to the upper side of the floating stage 1000 by the rotation of the transfer roller 910. As shown in FIG. 2, before being gripped by the ninth gripping member H9, the cleaning member U9 moves the alignment member 920 formed in a '-' shape toward the processing target substrate G ( 920d) to align the posture and the position of the substrate G to the predetermined posture and position. Then, the ninth gripping member H9 grips the substrate G to be processed and transports it 99.

상기 처리 유닛(U) 중에 약액도포공정으로서 약액 도포 공정이 행해지는 약액도포유닛(U1)은, 도4에 도시된 바와 같이 제1파지부재(H1)에 의하여 이송되는 피처리 기판(G)의 표면에 약액 노즐(100)로부터 약액(PR)이 토출되어, 피처리 기판(G)의 정해진 영역에 약액(PR)이 도포되게 한다. 여기서, 약액이 도포되는 영역은 피처리 기판(G)의 전체 표면일 수도 있고, 다수의 셀 영역으로 분할된 부분일 수도 있다. The chemical liquid applying unit U1 in which the chemical liquid applying step is performed as the chemical liquid applying step in the processing unit U is, as shown in FIG. 4, of the substrate G to be transferred by the first holding member H1. The chemical liquid PR is discharged from the chemical liquid nozzle 100 to the surface so that the chemical liquid PR is applied to a predetermined region of the substrate G to be processed. Here, the region to which the chemical liquid is applied may be the entire surface of the substrate G, or may be a portion divided into a plurality of cell regions.

약액도포유닛(U1)은 제9처리유닛(U9)으로부터 전달받은 피처리 기판(G)을 제1파지부재(H1)에 의하여 제2이송레일(R2)을 따라 이동시키면서, 피처리 기판(G)이 약액 노즐(100)의 하측을 통과할 때에, 피처리 기판(G)의 표면에 약액(PR)이 도포된다. 여기서, 피처리 기판(G)이 약액 노즐(100)로부터 약액(PR)이 도포되는 동안에는 피처리 기판(G)의 부상 높이를 정교하게 제어할 필요가 있으므로, 약액 도포 영역(CA)에서는 보다 정교하게 부상력이 조절된다. 이를 위하여, 약액 도포 영역(CA)에서의 부상스테이지(1000)는 초음파에 의하여 가진되는 진동판의 크기가 다른 영역에 비하여 보다 작게 형성되어, 정교한 진동 제어가 행해진다. 필요에 따라 부상 스테이지(1000)가 에어 분사 방식으로 형성되는 경우에는 약액 도포 영역(CA)에서 에어 분사공의 간격이 보다 조밀하게배치된다. The chemical liquid applying unit U1 moves the processing target substrate G received from the ninth processing unit U9 along the second transfer rail R2 by the first holding member H1, and the processing target substrate G When () passes below the chemical liquid nozzle 100, the chemical liquid PR is applied to the surface of the substrate G to be processed. Here, since the floating height of the processing target substrate G needs to be precisely controlled while the processing target substrate G is applied with the chemical liquid PR from the chemical liquid nozzle 100, the chemical processing region CA is more precise. The flotation force is controlled. To this end, the floating stage 1000 in the chemical liquid application region CA is formed smaller than the size of the vibration plate excited by the ultrasonic wave, so that precise vibration control is performed. If necessary, when the floating stage 1000 is formed by the air injection method, the spacing of the air injection holes is more densely arranged in the chemical liquid application region CA.

여기서, 약액 노즐(100)은 약액 도포 공정 중에 필요에 따라 부상 스테이지(1000)를 따라 이동시키는 이송 유닛(120)을 연결하는 크로스 바(110)에 위치 고정되어, 하나의 위치에서 부상된 상태로 이동 중이 피처리 기판(G)의 표면에 약액(PR)을 도포한다. Here, the chemical liquid nozzle 100 is fixed to the cross bar 110 that connects the transfer unit 120 to move along the floating stage 1000 as needed during the chemical liquid application process, in a state of floating in one position The chemical | medical agent PR is apply | coated to the surface of the to-be-processed substrate G during a movement.

상기 처리 유닛(U) 중에 가열건조공정이 행해지는 가열건조유닛(U3)은, 약액 도포 유닛(U1)에서 피처리 기판(G)의 표면에 도포된 약액을 가열하여 건조시킨다. 이를 위하여, 제3파지부재(H3)는 가열 영역(U31, U32, U33,...)로 진입하기 이전에 약액 도포 공정 중에 피처리 기판(G)을 이송시켰던 제1파지부재(H1)로부터 피처리 기판(G)을 넘겨받고, 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)으로 진입하여 피처리 기판(G)의 약액(PR)이 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)에서 가열 온도가 점진적으로 높여지면서 단계적으로 가열 건조되도록 한다. The heating drying unit U3 in which the heating drying step is performed in the processing unit U heats and dries the chemical liquid applied to the surface of the substrate G in the chemical liquid applying unit U1. To this end, the third gripping member H3 is moved from the first gripping member H1 which has transported the processing target substrate G during the chemical liquid applying process before entering the heating regions U31, U32, U33,... The substrate G is handed over and enters a plurality of heating regions U31, U32, U33 so that the chemical liquid PR of the substrate G is heated at each heating region U31, U32, U33. Gradually increase in temperature and allow to heat up in stages.

그리고, 제3파지부재(H3)는 하나의 파지 부재가 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)을 순차적으로 통과하도록 작동할 수도 있지만, 제3파지부재(H3)는 다수의 파지부재(H3-1, H3-2, H3-3)으로 구성되어 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)을 통과할 때마다 서로 다른 파지 부재로 번갈아가면서 피처리 기판(G)을 파지하여 이송(92, 93, 94)할 수도 있다. 이와 같이, 서로 다른 다수의 파지 부재(H3-1, H3-2, H3-3)가 번갈아가면서 피처리 기판(G)을 파지하여 이송함으로써, 짧은 시간 간격으로 가열 건조 유닛(U3)으로 유입되는 피처리 기판(G)에 대하여 쉼없이 가열 건조 공정을 행할 수 있다.The third gripping member H3 may operate to allow one gripping member to sequentially pass through the plurality of heating regions U31, U32, and U33, but the third gripping member H3 may include a plurality of gripping members H3. -1, H3-2, H3-3, each time passing through the plurality of heating zones (U31, U32, U33) alternately to different holding members to grip and transfer the substrate (G) to be processed (92, 93, 94). As described above, a plurality of different holding members H3-1, H3-2, and H3-3 alternately hold and transfer the substrate G to be processed, thereby being introduced into the heating drying unit U3 at a short time interval. The heat-drying process can be performed with respect to the to-be-processed substrate G freely.

무엇보다도, 가열 건조 유닛(U3)은 피처리 기판(U의 진행 경로를 따라 가열 온도를 점진적으로 상승시키는 형태로 배치됨으로써, 피처리 기판에 도포된 약액에 함유된 솔벤트 성분을 점진적으로 약액으로부터 증발시키면서 건조시킬 수 있으므로, 약액 내에 함유된 솔벤트 성분이 급작스럽게 건조되면서 약액의 유동에 의한 얼룩이 생기는 문제를 해결할 수 있다. Above all, the heat drying unit U3 is arranged in such a manner as to gradually raise the heating temperature along the progress path of the substrate to be processed, thereby gradually evaporating the solvent component contained in the chemical liquid applied to the substrate to be processed from the chemical liquid. Since it can be dried while drying, the problem that the solvent component contained in the chemical liquid is suddenly dried while staining due to the flow of the chemical liquid can be solved.

따라서, 가열 건조 유닛(U3)이 도면에 예시된 바와 같이 3개 이상 단계적으로 가열 온도를 높여가면서 피처리 기판(G)의 약액을 가열 건조시키는 것에 의하여, 종래에 약액 내의 솔벤트를 일부 제거하기 위하여 진공 상태에서 건조시키는 진공 감압 건조 공정을 대체할 수 있게 된다. 이를 통해, 밀폐된 챔버 내에서 대기압보다 낮은 상태로 건조하여 약액 내의 솔벤트의 일부를 제거하는 공정을 배제할 수 있게 되므로, 밀폐 챔버에 피처리 기판을 위치시키기 위한 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Therefore, in order to remove some of the solvent in the chemical liquid in the related art by heating and drying the chemical liquid of the substrate to be processed G while the heating drying unit U3 increases the heating temperature in steps of three or more as illustrated in the drawing. It is possible to replace the vacuum vacuum drying process of drying in a vacuum state. This makes it possible to eliminate the process of removing some of the solvent in the chemical liquid by drying at a lower than atmospheric pressure in the closed chamber, thereby eliminating the robot arm and lift pins for placing the substrate to be processed in the closed chamber. In addition, since the chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed in a floating state, it is immediately transferred to the heating and drying unit in a floating state, thereby increasing the transfer efficiency of the processing substrate and reducing the time required for the entire process. The effect can be obtained.

여기서, 가열 건조 유닛(U3)은 피처리 기판(G)을 가열하는 가열 플레이트(301, 302, 303)가 피처리 기판(G)의 이송 경로를 따라 다수 배치되어 있되, 서로 다른 가열 영역(U31, U32, U33)마다 배치된 가열 플레이트(301, 302, 303)는 서로 다른 온도로 조절될 수 있다. Here, in the heat drying unit U3, a plurality of heating plates 301, 302, and 303 for heating the substrate G are disposed along the transfer path of the substrate G, and different heating regions U31 are provided. , U32, U33 disposed for each heating plate (301, 302, 303) can be adjusted to different temperatures.

그리고, 피처리 기판(G)은 가열 건조 유닛(U3)의 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)을 정지하지 않고 천천히 이동하면서 가열 플레이트(301, 302, 303)로부터 복사 열전달에 의해 점진적으로 높아지는 가열 온도로 가열될 수도 있다. 보다 바람직한 실시 형태에 따르면, 피처리 기판(G)은 서로 다른 가열 영역(U31, U32, U33)에서 조절되는 가열 온도에 따라 정지된 상태로 일정한 가열 온도로 정해진 시간 동안 가열될 수 있다. The substrate G is gradually moved by radiant heat transfer from the heating plates 301, 302, 303 while slowly moving the plurality of heating regions U31, U32, U33 of the heat drying unit U3 without stopping. It may be heated to an elevated heating temperature. According to a more preferred embodiment, the substrate G can be heated for a predetermined time at a constant heating temperature in a stopped state according to the heating temperature controlled in the different heating regions U31, U32, U33.

여기서, 피처리 기판(G)이 가장 먼저 가열건조되는 제1가열영역(U31)의 가열 플레이트(301)의 온도에 비하여, 그 다음에 가열 건조되는 제2가열영역(U32)의 가열 플레이트(302)의 온도가 더 높게 정해지며, 그 다음에 가열 건조되는 제3가열영역(U33)의 가열 플레이트(303)의 온도가 더 높게 정해진다. 예를 들어, 약액 도포 유닛(U1)에서 약액 도포 공정이 행해진 다음에 처음 가열되는 제1가열 영역(U31)에서는 약액 내의 솔벤트를 5중량% 내지 30중량% 제거하는 온도와 시간으로 정해진다. 예를 들어, 제1가열영역(U31)의 가열 온도는 40℃ 내지 70℃로 정해지며, 가열 시간은 20초 내지 70초로 정해질 수 있다. 그리고, 제1가열영역 이후에 가열 건조되는 제2가열영역(U32)과 제3가열영역(U33)의 가열 온도는 각각 60℃~85℃, 70℃~105℃ 등으로 정해지며, 가열 시간은 제1가열영역(U31)에서의 가열 시간과 10초 내외의 적은 시간 차이 또는 동일한 가열 시간으로 정해질 수 있다. Here, the heating plate 302 of the second heating region U32 to be heated and dried next to the temperature of the heating plate 301 of the first heating region U31 to which the substrate G is first heated and dried. ) Is set higher, and then the temperature of the heating plate 303 of the third heating zone U33 to be heat dried is set higher. For example, in the first heating region U31 which is first heated after the chemical liquid applying process is performed in the chemical liquid applying unit U1, the temperature and time for removing 5 to 30% by weight of the solvent in the chemical liquid are determined. For example, the heating temperature of the first heating region U31 may be set to 40 ° C. to 70 ° C., and the heating time may be set to 20 seconds to 70 seconds. In addition, the heating temperatures of the second heating region U32 and the third heating region U33 heat-dried after the first heating region are set to 60 ° C. to 85 ° C., 70 ° C. to 105 ° C., respectively, and the heating time is The heating time in the first heating region U31 may be determined by a small time difference of about 10 seconds or the same heating time.

이 때, 각각의 가열영역에서 조절되는 가열 온도는 일정하게 유지되어야 약액이 전체적으로 균일하게 가열될 수 있다. 그런데, 가열 영역(U31, U32, U33)의 경계에서는 인접한 가열 영역으로부터 열이 전달되므로, 가열 영역(U31, U32, U33)의 가장자리에 위치한 가열 플레이트에서는 인접한 가열 영역으로부터 전달되는 열을 상쇄시키는 열 조절이 필요하다. At this time, the heating temperature controlled in each heating zone must be kept constant so that the chemical liquid can be uniformly heated as a whole. However, since heat is transferred from adjacent heating zones at the boundaries of the heating zones U31, U32, and U33, heat is offset in the heating plates located at the edges of the heating zones U31, U32, and U33 to offset heat transferred from the adjacent heating zones. Adjustment is necessary.

이를 위하여, 도7a를 참조하면, 제1가열영역(U31)에는 다수의 가열 플레이트(311, 312, 313, 314, 315, 316)가 배치되어 있고, 제1가열영역(U31)의 가열 온도를 50℃로 유지하고자 하는 경우에는, 피처리 기판(G)이 유입되는 입구측에 배치된 가열 플레이트(311, 312)는 외기에 열손실이 발생되므로 중앙부의 가열 플레이트(313, 314)에 비하여 보다 높은 온도(예를 들어, 53℃ 내지 57℃)로 조절되고, 피처리 기판(G)이 배출되는 출구측에 배치되는 가열 플레이트(315, 316)은 제2가열영역(U32)으로부터 열이 전달되므로 중앙부의 가열 플레이트(313, 314)에 비하여 보다 낮은 온도(예를 들어, 43℃ 내지 46℃)로 조절될 수 있다. 여기서, 가열하고자 하는 온도에 비하여 입구측과 출구측의 가열 플레이트의 온도의 차이는 가열 영역의 단열 성능에 따라 다르게 정해진다. 이를 통해, 제1가열영역(U31)에 위치한 피처리 기판(G)에 도달하는 열전달양은 전체적으로 균일해지므로, 피처리 기판(G)에 도포된 약액이 균일하게 가열 건조될 수 있게 된다. To this end, referring to FIG. 7A, a plurality of heating plates 311, 312, 313, 314, 315, and 316 are disposed in the first heating region U31, and the heating temperature of the first heating region U31 is adjusted. When the temperature is to be maintained at 50 ° C, the heat plates 311 and 312 disposed at the inlet side into which the substrate G is introduced are more likely than the heat plates 313 and 314 at the center part because heat loss occurs in the outside air. Heated plates 315 and 316, which are controlled at a high temperature (eg, 53 ° C. to 57 ° C.) and disposed on the outlet side from which the substrate G is discharged, are transferred heat from the second heating region U32. Therefore, it can be adjusted to a lower temperature (for example, 43 ℃ to 46 ℃) compared to the central heating plate (313, 314). Here, the difference in temperature of the heating plate on the inlet side and the outlet side compared to the temperature to be heated is determined differently according to the heat insulation performance of the heating zone. As a result, the heat transfer amount reaching the substrate G positioned in the first heating region U31 becomes uniform as a whole, so that the chemical liquid applied to the substrate G is uniformly heated and dried.

이와 같은 구성은 제2가열영역(U32) 및 제3가열영역(U33)에 대해서도 동일하거나 유사하게 적용될 수 있다. This configuration may be similarly or similarly applied to the second heating region U32 and the third heating region U33.

한편, 가열 건조 유닛(U3)을 구성하는 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)은 상호간의 열전달에 의한 온도 편차를 줄이기 위하여, 각 가열 영역의 사이에는 열전달을 억제하는 열차단막(399)이 형성될 수 있다. On the other hand, the plurality of heating regions U31, U32, and U33 constituting the heat drying unit U3 have a heat shielding film 399 for suppressing heat transfer between the heating regions in order to reduce the temperature variation due to the mutual heat transfer. Can be formed.

예를 들어, 열차단막(399)은 에어 커튼에 의해 형성될 수 있다. 이 때, 에어 커튼에 의하여 가열 영역(U31, U32, U33)에서의 공기 유동이 발생되는 것이 정교하게 억제되어야 하므로, 에어의 분사 방향은 상측에서 하측으로 불어주는 것을 지양하고, 일측에서 타측으로 불어주거나 하측에서 상측으로 고압의 에어를 불어주는 것에 에어 커튼을 형성하는 것이 좋다. For example, the thermal barrier 399 may be formed by an air curtain. At this time, since the air flow in the heating zones U31, U32 and U33 must be precisely suppressed by the air curtain, the injection direction of the air is refrained from blowing from the upper side to the lower side, and blows from one side to the other side. It is advisable to form an air curtain to blow or blow high pressure air from the lower side to the upper side.

또는, 열차단막(399)은 단열 성능이 우수한 미닫이 도어로 형성되어, 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)에서 가열 건조 공정이 행해지고 있는 동안에는 열차단막이 닫힌 상태로 유지되어 상호간의 열교환을 차단하고, 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)에서 가열 건조 공정이 종료되어 그 다음 공정으로 피처리 기판(G)을 이송할 때에만 미닫이 도어가 개방되도록 작동할 수 있다.Alternatively, the thermal barrier 399 is formed of a sliding door having excellent thermal insulation performance, and the thermal barrier is kept closed while the heat drying process is performed in each of the heating regions U31, U32, and U33 to block heat exchange between them. In addition, the sliding door can be operated to open only when the heat-drying process is terminated in each of the heating regions U31, U32, U33 and the substrate G to be transferred to the next process.

그 밖에, 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)의 사이에는 열차단막(399)은 공지된 다양한 재료와 수단에 의하여 2개의 공간을 수평 방향으로 열차단시키는 다양한 구성으로 이루어질 수 있다.In addition, the thermal barrier film 399 may be formed between various heating regions U31, U32, and U33 in various configurations for thermally blocking the two spaces in the horizontal direction by various known materials and means.

이와 같이, 단계적으로 피처리 기판(G)의 약액을 가열 건조시키는 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)의 사이에는 열차단막(399)이 구비됨으로써, 가열 영역(U31, U32, U33)들의 경계 부분에서 가열 편차가 생겨 약액이 불균일하게 건조되면서 얼룩이 발생되는 것을 억제할 수 있다.In this way, the thermal barrier film 399 is provided between the heating zones U31, U32, and U33 for heating and drying the chemical liquid of the substrate G in stages, thereby providing the heating zones U31, U32, and U33. It is possible to suppress the occurrence of staining while the chemical liquid is unevenly dried due to the heating deviation at the boundary portion.

한편, 가열 플레이트(301, 302, 303)로부터 피처리 기판(G)에 복사 열전달에 의하여 가열하는 경우에는, 주로 가열 플레이트(301, 302, 303)에 열선이 배치된 구성에 의해 이루어진다. 그러나, 가열 플레이트(301, 302, 303)에 배치된 열선은 플레이트 전체 표면에 균일하게 배치되지 아니하므로, 열선이 배치된 영역으로부터 복사 열전달양과 열선이 배치되지 아니한 영역으로부터의 복사 열전달양의 편차가 생기게 된다. On the other hand, in the case of heating by radiant heat transfer from the heating plates 301, 302, 303 to the processing target substrate G, the heating wire is mainly arranged on the heating plates 301, 302, 303. However, since the heating wires arranged on the heating plates 301, 302, and 303 are not uniformly arranged on the entire surface of the plate, the deviation of the radiant heat transfer amount from the region where the heating wires are arranged and the amount of radiant heat transfer from the region where the heating wires are not arranged is different. Will be created.

따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 도7b에 도시된 바와 같이, 열선이 표면에 배치되어 있는 가열 플레이트(311-316)와 피처리 기판(G)의 사이에 열전도율이 우수한 매개 플레이트(320)이 개재될 수 있다. 예를 들어, 매개 플레이트는 구리판이나 알루미늄 판으로 형성될 수 있다. 그리고, 매개 플레이트와 가열 플레이트(311-316)의 이격거리는 1mm 내지 100mm로 다양하게 정해질 수 있다. 바람직하게는, 가열 플레이트(311-316)의 열선의 분포가 균일한 경우에는 이격 거리는 1mm 내지 10mm로 작게 정해질 수 있으며, 가열 플레이트(311-316)의 열선 분포가 치우친 경우에는 이격 거리는 10mm 내지 100mm로 크게 정해진다. 경우에 따라서는, 가열 플레이트(311-316)와 매개 플레이트(320)는 접촉된 상태로 배치될 수도 있지만, 이 경우는 열선의 분포가 매우 조밀하고 균일하게 분포된 경우에 적용될 수 있다. Therefore, according to the preferred embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7B, the intermediate plate 320 having excellent thermal conductivity between the heating plates 311-316 and the substrate G to which the hot wire is disposed on the surface is processed. ) May be intervened. For example, the intermediate plate may be formed of a copper plate or an aluminum plate. And, the separation distance between the medium plate and the heating plate (311-316) may be determined in various ways from 1mm to 100mm. Preferably, when the distribution of the heating wires of the heating plates 311-316 is uniform, the separation distance may be set as small as 1 mm to 10 mm, and when the distribution of the heating wires of the heating plates 311-316 is biased, the separation distance is 10 mm to It is largely set to 100 mm. In some cases, the heating plates 311-316 and the intermediate plate 320 may be disposed in contact with each other, but this case may be applied to a case where the distribution of the hot wire is very dense and uniformly distributed.

이에 따라, 가열 플레이트(311-316)의 열선이 배치된 영역과 열선이 배치되지 않은 영역에서 복사 열전달된 열은 전도율이 우수한 재질의 매개 플레이트에서 열이 골고루 확산되면서, 피처리 기판에는 열전달양(Hav)이 균일해지므로, 피처리 기판(G)의 약액은 전체적으로 균일하게 열건조되는 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, the heat radiated in the areas where the heating wires and the heating wires are disposed and the regions where the heating wires are not disposed is spread evenly in the medium plate of a material having excellent conductivity, and thus the amount of heat transfer to the substrate to be treated ( Since Hav) becomes uniform, the chemical liquid of the to-be-processed substrate G can obtain the effect of uniformly heat drying as a whole.

한편, 도7a 및 도7b에 도시된 바와 같이 가열 플레이트(311-316)는 피처리 기판(G)의 상측에 위치할 수도 있지만, 도7c에 도시된 바와 같이 가열 플레이트(311-316)는 기판(G)의 하측에 위치할 수도 있다. 이를 통해, 피처리 기판(G)에 도포된 약액의 하측부터 가열할 수 있으므로, 약액의 바닥에 위치한 솔벤트를 먼저 가열하여 배출시킬 수 있게 된다. Meanwhile, the heating plates 311-316 may be located above the substrate G as shown in FIGS. 7A and 7B, but the heating plates 311-316 may have a substrate as shown in FIG. 7C. It may be located below (G). Through this, since it can be heated from the lower side of the chemical liquid applied to the processing target substrate (G), it is possible to first heat the solvent located on the bottom of the chemical liquid to be discharged.

가열 플레이트(311-316)가 기판(G)의 하측에 위치하는 경우에는 초음파 가진부(V)가 열에 의하여 예정된 성능이 발휘되지 않을 수 있으므로, 가열 플레이트(311-316)는 초음파 진동판의 상면에 부착되거나 초음파 진동판과 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 초음파 진동판에 대한 피처리 기판(G)의 부상높이는 매우 작으므로, 매개 플레이트가 가열 플레이트(311-316)와 일체로 설치할 수도 있다.When the heating plates 311-316 are positioned below the substrate G, the ultrasonic vibration unit V may not exhibit the predetermined performance due to heat, and thus the heating plates 311-316 may be disposed on the upper surface of the ultrasonic vibration plate. It is preferably attached or formed integrally with the ultrasonic diaphragm. And since the floating height of the to-be-processed board | substrate G with respect to an ultrasonic diaphragm is very small, an intermediate plate can also be provided integrally with the heating plates 311-316.

이를 통해, 가열 플레이트(301, 302, 303)의 열선 위치에 따른 온도 구배가 줄어든 상태로 상기 피처리 기판을 가열할 수 있으므로, 가열 플레이트에 배치된 열선 배치에 따른 열전달양의 편차를 없애 얼룩의 발생을 제거할 수 있다.As a result, the substrate to be processed can be heated in a state in which the temperature gradient according to the position of the heating wires of the heating plates 301, 302, and 303 is reduced. Occurrences can be eliminated.

상기 부상 스테이지(1000, 2000)는 도2에 도시된 바와 같이 피처리 기판(G)에 대한 여러 단계의 처리 공정이 행해지는 경로를 따라 길게 연장 형성된다. 도면에는, 부상 스테이지(1000, 2000)가 중간 중간에 끊어진 형태인 구성을 예로 들었지만, 부상 스테이지(1000)가 연속한 하나의 형태로 형성될 수 있다. 즉, 피처리 기판(G)이 파지부재(H)에 의하여 부상된 상태로 이송할 수 있을 정도로 부상력(88d)이 작용하면 충분하다. As shown in FIG. 2, the floating stages 1000 and 2000 extend long along a path in which various steps of a processing process are performed on the substrate G to be processed. In the drawing, the configuration in which the floating stages 1000 and 2000 are broken in the middle is taken as an example, but the floating stage 1000 may be formed in one continuous form. That is, it is sufficient that the floating force 88d acts so that the substrate G can be transported in the injured state by the holding member H.

상기 이송 레일(R1, R2)은 부상 스테이지(1000)의 일측과 타측에 각각 길이 방향으로 연장 형성된다. 따라서, 처리 유닛(U)이 직선 형태로 배열된 경우에는 이송 레일(R1, R2)도 직선 형태로 배열되며, 처리 유닛(U)이 곡선 형태나 꺾인선 형태로 배열된 경우에는 이송 레일(R1, R2)도 곡선 형태나 꺾인선 형태로 배열된다.The transfer rails R1 and R2 extend in the longitudinal direction on one side and the other side of the floating stage 1000, respectively. Therefore, when the processing units U are arranged in a straight line, the transfer rails R1 and R2 are also arranged in a straight line, and when the processing units U are arranged in a curved or broken line form, the transfer rails R1. , R2) is also arranged in the form of curve or broken line.

상기 파지 부재(H)는 피처리 기판(G)의 일측이나 양측의 저면에 흡입압을 인가하여, 피처리 기판(G)을 흡입 파지한 상태로 이송 레일(R1, R2)을 따라 이동하는 것에 의하여 피처리 기판(G)을 이송한다. 파지 부재(H)는 공지된 다양한 형태로 이동 구동될 수 있지만, 이송 레일(R1, R2)은 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, 파지 부재(H1)코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다. The gripping member H applies suction pressure to one or both bottom surfaces of the substrate G to move along the transfer rails R1 and R2 in a state in which the substrate G is sucked and gripped. The substrate G to be processed is transferred. While the holding member H can be driven to move in various known forms, the conveying rails R1 and R2 control currents in which the permanent magnets of the N pole and the S pole are alternately arranged and applied to the holding member H1 coil. It can be driven by the principle of a linear motor capable of precise position control by.

파지 부재(H)은 부상 스테이지(1000)의 부상력(88d)에 의하여 부상된 피처리 기판(G)의 일측과 타측을 교대로 흡입(Hx) 파지하면서 이송되어, 피처리 기판(G)이 부상 스테이지(1000)을 따라 이동하는 것이 바람직하다. The holding member H is transported while holding one side and the other side of the to-be-processed substrate G which is injured by the floating force 88d of the floating stage 1000 while holding the suction Hx alternately, so that the to-be-processed substrate G is It is desirable to move along the flotation stage 1000.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)의 작동 원리를 상술한다.Hereinafter, the operation principle of the substrate processing apparatus 9 according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described in detail.

단계 1: 먼저, 세정 유닛(U9)으로 피처리 기판(G)이 공급되면, 피처리 기판(G)의 표면에 세정기(900)로부터 고압의 세정액(900a)이 분사되면서, 피처리 기판(G)의 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. Step 1 : First, when the processing target substrate G is supplied to the cleaning unit U9, the high-pressure cleaning liquid 900a is sprayed from the cleaner 900 onto the surface of the processing target substrate G, thereby processing the processing target substrate G. Remove any foreign substances remaining on the surface of).

그리고, 도3에 도시된 바와 같이, 피처리 기판(G)을 지지하는 다수의 롤러(910)가 회전(910a)하면서 피처리 기판(G)을 전진시킨다. 피처리 기판(G)이 제9파지부재(H9)에 파지되기 이전에, 'ㄱ'자 형태의 정렬 기구(920)가 대각선 방향(920a)으로 접근하면서, 피처리 기판(G)의 위치 및 자세를 정해진 위치 및 자세로 정렬시킨다. As shown in FIG. 3, the plurality of rollers 910 supporting the substrate G are rotated 910a to advance the substrate G. Before the processing target substrate G is held by the ninth holding member H9, the alignment mechanism 920 having the 'A' shape approaches the diagonal direction 920a, and thus the position of the processing target substrate G and Align your posture with a fixed position and posture.

그리고 나서, 제9파지부재(H9)에 흡입압이 인가되면서 피처리 기판(G)의 타측 저면을 흡입 파지한다. 이 때, 피처리 기판(G)의 저면은 부상 스테이지(1000)의 부상력(88d)에 의하여 지지되므로, 피처리 기판(G)의 일측이 하측으로 휘는 변형이 발생되지 않는다. Then, while the suction pressure is applied to the ninth gripping member H9, the other side bottom surface of the substrate G is suction-held. At this time, since the bottom surface of the substrate G is supported by the floating force 88d of the floating stage 1000, deformation of one side of the substrate G to be bent downward does not occur.

단계 2: 그리고 나서, 제9파지부재(H9)는 피처리 기판(G)과 함께 제1이송레일(R1)을 따라 이송(99)되어 약액도포유닛인 약액도포유닛(U1)의 입구에 도달한다. 이 때, 제1파지부재(H1)은 제9파지부재(H9)으로부터 피처리 기판(G)을 전달받아 흡입 파지한다. Step 2 : Then, the ninth gripping member H9 is transferred 99 along the first transfer rail R1 together with the substrate G to reach the inlet of the chemical liquid applying unit U1 which is the chemical liquid applying unit. do. At this time, the first gripping member H1 receives the substrate G to be processed from the ninth gripping member H9 and grips it by suction.

보다 구체적으로는, 제9파지부재(H9)은 X9로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되고, 제1파지부재(H1)은 X1으로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되며, 이들의 중복 영역(Xo)이 설정된다. 따라서, 제9파지부재(H9)이 중복 영역(Xo)까지 피처리 기판(G)의 타측을 파지한 상태로 이송하면, 중복 영역(Xo)에서 제1파지부재(H1)이 피처리 기판(G)의 일측을 파지하면서 제9파지부재(H9)이 피처리기판(G)의 타측에 인가하였던 흡입압을 제거한다. 이에 의하여, 중복 영역(Xo)에서 제9파지부재(H9)으로부터 제1파지부재(H1)으로 피처리 기판(G)을 전달하게 된다. More specifically, the ninth gripping member H9 is set to reciprocate the area indicated by X9, the first gripping member H1 is set to reciprocate the area indicated by X1, and these overlapping areas Xo Is set. Therefore, when the ninth gripping member H9 is transferred to the overlapping area Xo while holding the other side of the substrate G to be processed, the first gripping member H1 is moved from the processing area to the overlapping area Xo. While holding one side of G), the suction pressure applied to the other side of the substrate G by the ninth holding member H9 is removed. As a result, the substrate G is transferred from the ninth holding member H9 to the first holding member H1 in the overlapping area Xo.

이와 같이, 피처리 기판의 위치 및 자세를 제9처리유닛(U9)에서 정렬 기구(920)에 의하여 일단 1회만 셋팅하면, 그 다음부터는 피처리 기판(G)의 자세가 흡입 파지되는 기판이송기구(U)에 의하여 정해진 상태로 유지되므로, 각 처리 유닛(U)에서의 처리 공정을 위하여 정렬 공정을 매번 하지 않더라도 정해진 자세와 위치를 유지하여, 정렬 공정에 소요되는 시간을 단축하여 보다 높은 공정 효율을 달성할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, once the position and posture of the substrate to be processed are set only once by the alignment mechanism 920 in the ninth processing unit U9, the substrate transfer mechanism for suctioning and holding the posture of the substrate G to be processed thereafter. Since it is maintained in the state defined by (U), even if the alignment process is not performed every time for the processing process in each processing unit (U), it maintains the predetermined posture and position, and shortens the time required for the alignment process, resulting in higher process efficiency. An advantageous effect can be obtained that can be achieved.

그 다음, 제1파지부재(H1)은 제2이송레일(R2)을 따라 이동(91)하면서, 도4에 도시된 바와 같이, 약액 노즐(100)로부터 피처리 기판(G)의 표면에 약액(PR)이 도포되도록 한다. Then, the first holding member H1 moves 91 along the second transfer rail R2, and as shown in FIG. 4, the chemical liquid from the chemical liquid nozzle 100 to the surface of the substrate G to be processed. Allow PR to be applied.

단계 3: 그리고 나서, 제1파지부재(H1)은 피처리 기판(G)과 함께 제2이송레일(R2)을 따라 이송(91)되어 약액도포유닛(U1)과 가열건조유닛(U3)의 사이 영역에 도달한다. 이 때, 제3-1파지부재(H3-1)은 제1파지부재(H1)으로부터 피처리 기판(G)을 전달받아 흡입 파지한다. Step 3 : Then, the first holding member H1 is transferred 91 along the second transfer rail R2 together with the substrate G to be treated to form the chemical liquid applying unit U1 and the heat drying unit U3. Reach the area in between. At this time, the 3-1st holding member H3-1 receives the processing target substrate G from the first holding member H1 and suction-holds it.

보다 구체적으로는, 제1파지부재(H1)은 X1로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되고, 제3-1파지부재(H3-1)은 X2으로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되며, 이들의 중복 영역(Xo)이 설정된다. 따라서, 제1파지부재(H1)이 중복 영역(Xo)까지 피처리 기판(G)의 일측을 파지한 상태로 이송하면, 도6에 도시된 바와 같이 중복 영역(Xo)에서 제3-1파지부재(H3-1)이 피처리 기판(G)의 타측 저면을 흡입 파지하며, 그 이후에 제1파지부재(H1)이 피처리기판(G)의 일측에 인가하였던 흡입압을 제거한다. 이에 의하여, 중복 영역(Xo)에서 제1파지부재(H1)으로부터 제3-1파지부재(H3)으로 피처리 기판(G)을 전달하게 된다. More specifically, the first gripping member H1 is set to reciprocate the area indicated by X1, and the 3-1 gripping member H3-1 is set to reciprocate the area indicated by X2, and these overlap The area Xo is set. Therefore, when the first holding member H1 is gripped to one side of the substrate G to be processed to the overlapping area Xo, as shown in FIG. 6, the 3-1 gripping is performed at the overlapping area Xo. The member H3-1 sucks and grips the other bottom surface of the substrate G, and thereafter, the suction pressure applied by the first holding member H1 to one side of the substrate G is removed. As a result, the processing target substrate G is transferred from the first holding member H1 to the third-first holding member H3 in the overlapping area Xo.

그 다음, 제3파지부재(H3-1, H3-2, H3-3; H3)에 의하여 피처리 기판(G)이 이동하면서 단계적으로 가열되어 약액을 가열 건조시킨다. Subsequently, the substrate G is moved by the third holding members H3-1, H3-2, H3-3, and H3, and is heated in stages to heat and dry the chemical liquid.

보다 구체적으로는, 먼저 제3-1파지부재(H3-1)는 제1이송레일(R1)을 따라 피처리 기판(G)과 함께 제1이송레일(R1)을 따라 이송(92)되어 가열건조유닛(U3)의 제1가열영역(U31)에서 낮은 온도(예를 들어, 50℃)로 약 45초동안 1차 가열된다. 이 과정에서 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)에 함유된 솔벤트의 20중량%정도가 증발되면서 배출된다. More specifically, first, the 3-1 holding member H3-1 is transferred 92 along the first transport rail R1 along with the substrate G along the first transport rail R1 to be heated. In the first heating region U31 of the drying unit U3, primary heating is performed at a low temperature (for example, 50 ° C.) for about 45 seconds. In this process, about 20% by weight of the solvent contained in the chemical liquid PR applied to the processing target substrate G is discharged while being evaporated.

그리고 나서, 제3-1파지부재(H3-1)는 제1이송레일(R1)을 따라 이동하여 제1가열영역(U31)과 제2가열영역(U32)의 사이에서, 제3-2파지부재(H3-2)가 이동하는 범위(X3)의 중복 영역(Xo)에서 피처리 기판(G)을 제3-2파지부재(H3-2)로 넘겨준다. 그리고, 제3-1파지부재(H3-1)는 다시 제1파지부재(H1)와의 중복 영역(Xo)으로 이동하여 약액 도포 공정을 마친 피처리 기판을 넘겨 받는다. Then, the 3-1 holding member (H3-1) is moved along the first transfer rail (R1) between the first heating region (U31) and the second heating region (U32), the third-2 holding In the overlapping area Xo of the range X3 in which the member H3-2 moves, the substrate G is turned over to the third-2 holding member H3-2. Then, the 3-1st holding member H3-1 moves to the overlapping area Xo with the first holding member H1 again and hands over the substrate to be processed after the chemical liquid applying process is completed.

그 다음, 제3-2파지부재(H3-2)는 제2이송레일(R2)을 따라 이동하여 제2가열영역(U32)으로 피처리 기판(G)을 이송(93)한다. 그리고, 제2가열영역(U32)에서 정지된 상태로 제1가열영역(U31)에 비하여 높은 온도(예를 들어, 70℃)로 약 47초간 2차로 가열한다. 이 과정에서 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)에 함유된 솔벤트의 50중량%이상이 증발되면서 배출된다. Next, the third-2 holding member H3-2 moves along the second transfer rail R2 to transfer the substrate G to be processed 93 to the second heating region U32. Then, the second heating is performed for about 47 seconds at a higher temperature (for example, 70 ° C.) than the first heating region U31 while being stopped in the second heating region U32. In this process, more than 50% by weight of the solvent contained in the chemical liquid PR applied to the substrate G to be processed is discharged.

그리고 나서, 제3-2파지부재(H3-2)는 제2이송레일(R2)을 따라 이동하여 제2가열영역(U32)과 제3가열영역(U33)의 사이에서, 제3-3파지부재(H3-3)가 이동하는 범위(X4)의 중복 영역(Xo)에서 피처리 기판(G)을 제3-3파지부재(H3-3)로 넘겨준다. 그리고, 제3-2파지부재(H3-2)는 다시 제3-1파지부재(H3-1)와의 중복 영역(Xo)으로 이동하여 1차 가열 건조 공정을 마친 피처리 기판을 넘겨 받는다. Then, the third-2 holding member H3-2 moves along the second transfer rail R2 and is held between the second heating region U32 and the third heating region U33. In the overlapping area Xo of the range X4 in which the member H3-3 moves, the substrate G is turned over to the third-3 holding member H3-3. And the 3-2 holding member H3-2 moves to the overlap area Xo with the 3-1 holding member H3-1 again, and takes over the to-be-processed substrate which completed the 1st heat-drying process.

그 다음, 제3-3파지부재(H3-3)는 제1이송레일(R1)을 따라 이동하여 제3가열영역(U33)으로 피처리 기판(G)을 이송(94)한다. 그리고, 제3가열영역(U33)에서 정지된 상태로 제2가열영역(U32)에 비하여 높은 온도(예를 들어, 85℃)로 약 45초간 가열한다. 이 과정에서 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)에 함유된 솔벤트의 기준치 이상이 증발되면서 약액이 건조된다. Next, the third to third gripping members H3-3 move along the first transfer rail R1 to transfer the substrate G to be processed 94 to the third heating region U33. Then, the substrate is heated at a higher temperature (for example, 85 ° C.) for about 45 seconds than the second heating region U32 while being stopped in the third heating region U33. In this process, the chemical liquid is dried while evaporating more than the reference value of the solvent contained in the chemical liquid PR applied to the substrate G to be processed.

도면에는 약액의 가열 건조 공정이 3단계에 걸쳐 행해지는 구성을 예로 들었지만, 약액의 도포 두께가 얇거나 솔벤트의 함량이 적은 경우에는 2단계에 걸쳐 행해질 수도 있고, 약액의 도포 두께가 두껍거나 솔벤트의 함량이 큰 경우에는 4단계 이상에 걸쳐 가열건조공정이 단계적으로 행해질 수 있다.In the drawings, the heat drying process of the chemical liquid is taken as an example, but the chemical liquid may be applied in two stages when the coating thickness of the chemical liquid is thin or the solvent content is low. If the content is large, the heat drying process may be carried out step by step over four or more steps.

필요에 따라, 제3-2파지부재(H3-2)은 제1이송레일(R1)을 따라 이동하면서, 피처리 기판(G)을 콜드 플레이트(미도시)의 하측을 통과하게 하면서, 저온의 복사냉각에 의하여 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)을 냉각시킬 수도 있다.As needed, the 3-2 holding member H3-2 moves along the 1st conveyance rail R1, and makes the to-be-processed substrate G pass through the lower side of a cold plate (not shown), The chemical liquid PR applied to the processing target substrate G may be cooled by radiation cooling.

이렇듯, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)는, 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)을 다단계로 점진적으로 가열하여 약액을 가열 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거하면서 건조할 수 있게 되므로, 대기압보다 낮은 압력 상태에서 약액의 일부를 건조시키는 진공 감압 건조 유닛을 배제하면서도 약액 건조 과정에서 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있는 품질 개선의 효과가 있다. As described above, the substrate processing apparatus 9 according to the exemplary embodiment of the present invention may gradually heat the chemical liquid PR applied to the processing target substrate G in multiple stages to heat-dry the chemical liquid, thereby drying the solvent in the chemical liquid. Since it can be dried while removing step by step, there is an effect of quality improvement that can prevent stains caused by solvents or bubbles during the chemical drying process, while excluding the vacuum vacuum drying unit that dries a part of the chemical liquid at a pressure lower than atmospheric pressure. .

또한, 본 발명은, 종래의 진공 감압 건조 유닛을 기판 처리 공정에서 배제함에 따라, 밀폐 챔버로 피처리 기판(G)을 이송하기 위하여 필수적으로 수반되는 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있게 되므로, 전체적인 설비를 보다 저렴하게 구성하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention, by excluding the conventional vacuum vacuum drying unit in the substrate processing process, it is possible to remove the robot arm and the lift pins that are necessary to transfer the substrate G to the closed chamber, It is possible to obtain the effect of constructing the whole plant at a lower cost.

이 뿐만 아니라, 본 발명은, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하여 공정 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention, since the chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed in a floating state, it is immediately transferred to the heat-drying unit in a floating state, thereby increasing the transfer efficiency of the processing substrate and the time required for the entire process. An advantageous effect of shortening the process time can be obtained.

또한, 본 발명은, 피처리 기판(G)이 거치는 다수의 처리유닛(U)에서 각각 하나의 피처리 기판(G)이 각 처리과정을 순차적으로 거치는 데 있어서, 어느 하나의 처리유닛을 행한 피처리 기판(G)의 일측을 어느 하나의 파지부재이 흡입 파지한 상태로 정해진 위치까지 이송하면, 다른 파지부재이 피처리 기판의 타측을 흡입 파지하여 이송하는 형태로 이송하여 피처리 기판(G)의 일측과 타측의 저면을 번갈아가면서 흡입 파지하여 이송함으로써, 피처리 기판(G)의 위치 및 자세를 일단 1회만 셋팅하면, 그 다음부터의 피처리 기판(G)은 일측과 타측이 번갈아가면서 흡입 파지된 상태로 이송되어 피처리 기판의 위치 및 자세가 정해진 상태로 유지되므로, 피처리 기판(G)을 1회 정렬시키면, 그 다음부터는 각 처리 유닛에서 일정한 자세와 위치로 정렬된 상태를 유지하므로, 정렬 공정에 소요되는 시간을 단축하여 보다 높은 공정 효율을 달성하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, in the present invention, in each of the plurality of processing units U through which the substrate G is subjected, each of the substrates G sequentially passes through each of the processing steps, and thus, any one processing unit is performed. When one side of the processing substrate G is transferred to a predetermined position in the state in which one of the holding members is suction-held, the other holding member is transferred in the form of suction gripping and transferring the other side of the substrate to be processed and one side of the processing substrate G. By alternately sucking and transferring the bottom of the other side and the suction side, once the position and posture of the processing target substrate G are set only once, the processing target substrate G thereafter alternates with the suction holding gripping one side and the other side. Since the position and posture of the substrate to be processed are maintained in a fixed state because the substrate G is aligned once, the substrate G is maintained in a constant posture and position in each processing unit. Therefore, it is possible to obtain an advantageous effect to achieve higher process efficiency by reducing the time required for the alignment process.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.In the above, the preferred embodiments of the present invention have been described by way of example, but the scope of the present invention is not limited to these specific embodiments, and may be appropriately changed within the scope described in the claims.

즉, 전술한 실시예에서는 가열 건조 유닛(U3)에서 피처리 기판(G)이 다수의 가열 영역 중 어느 하나에 정지된 상태로 정해진 시간 동안 가열된 후, 그 다음 가열 영역으로 이동하여 가열 건조하는 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 피처리 기판(G)이 다수의 가열 영역을 천천히 이동하면서 가열 건조되는 구성을 포함한다. That is, in the above-described embodiment, the substrate G is heated in the heating drying unit U3 for a predetermined time in a state of being stopped in any one of the plurality of heating zones, and then moved to the next heating zone to heat and dry. Although the configuration is illustrated, according to another embodiment of the present invention, the substrate G includes a configuration in which the substrate G is heated and dried while slowly moving a plurality of heating regions.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100: 기판 처리 장치 U9: 세정 유닛
U1: 약액도포유닛 U3: 가열건조유닛
H1: 제1파지부재 H3: 제3파지부재
900: 세정기 100: 약액 도포 기구
301, 302, 303: 가열 플레이트 G: 피처리 기판
** Description of symbols for the main parts of the drawing **
100: substrate processing apparatus U9: cleaning unit
U1: chemical coating unit U3: heating drying unit
H1: first gripping member H3: third gripping member
900: washer 100: chemical liquid application mechanism
301, 302, 303: heating plate G: substrate to be processed

Claims (20)

피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 공정을 포함하는 기판 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
상기 피처리 기판의 상기 기판 처리 공정이 행해지는 이동 경로를 따라 연장 형성되어 상기 피처리 기판에 부상력을 인가하여 부상시키는 부상 스테이지와;
상기 피처리 기판의 가장자리를 제1파지부재로 파지하고 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 이동시키면서 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 노즐이 구비된 약액 도포 유닛과;
상기 약액 도포 유닛으로부터 약액이 도포된 상태로 배출된 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 제3파지부재가 넘겨받아, 상기 피처리기판을 부상시킨 상태로 상기 제3파지부재와 함께 이동시키면서 상기 피처리 기판을 가열하여 상기 약액을 건조시키되, 상기 피처리 기판의 이동 방향을 따라 상기 피처리 기판의 가열 온도를 점진적으로 상승시키도록 서로 다른 다단계의 온도로 조절되는 제1가열영역과 제2가열영역을 포함하는 2개 이상의 가열 영역으로 형성되어, 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역에서 상기 피처리 기판을 정해진 시간 동안에 가열 건조시키는 가열 건조 유닛과;
상기 부상 스테이지의 양측에 배열된 이송 레일 중 일측에서 왕복 이동하고상기 제1가열 영역에서의 가열건조공정을 행하는 동안 상기 피처리 기판을 파지하는 제3-1파지부재와, 상기 부상 스테이지의 양측에 배열된 상기 이송 레일 중 타측에서 왕복 이동하고 상기 제1가열영역에서의 상기 가열건조공정을 마친 상기 피처리기판을 상기 제3-1파지부재로부터 넘겨받아 상기 제2가열영역에서의 가열건조공정을 행하는 동안 상기 피처리 기판을 파지하는 제3-2파지부재를 포함하는 상기 제3파지부재를;
포함하여 구성되어, 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역에서 각각 서로 다른 상기 제3-1파지부재와 상기 제3-2파지부재에 의하여 파지된 상태로 이송하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus in which a substrate processing step including a step of applying a chemical liquid to a surface of a substrate to be processed is performed.
A floating stage extending along a moving path in which the substrate processing step of the substrate is processed to apply the floating force to the substrate;
A chemical liquid application unit provided with a chemical liquid nozzle for holding the edge of the substrate to be treated with a first holding member and applying the chemical to the surface of the substrate while moving the substrate to a floating state;
A third holding member is handed over to the to-be-processed substrate discharged in a state where the chemical liquid is applied from the chemical-liquid application unit, and moved together with the third holding member while the to-be-processed substrate is floating. The first heating zone and the second heating zone are heated to different temperature stages so as to dry the chemical liquid by heating the processing substrate and gradually raising the heating temperature of the processing substrate along the moving direction of the substrate. A heat drying unit formed of two or more heating regions including a heat drying unit for heating and drying the substrate to be processed for a predetermined time in the first heating region and the second heating region;
3-1 gripping member for reciprocating on one side of the transfer rails arranged on both sides of the floating stage and holding the substrate to be processed during the heat drying process in the first heating region, and on both sides of the floating stage. Receiving the substrate to be reciprocated from the other side of the arranged transfer rails and completing the heating and drying step in the first heating zone from the 3-1 holding member to perform the heating and drying step in the second heating zone. The third gripping member including a third-2 gripping member that grips the substrate to be processed during the processing;
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the substrate is transferred to the first heating region and the second heating region in a state of being gripped by the 3-1 holding member and the 3-2 holding member, respectively. .
제 1항에 있어서,
상기 약액 도포 유닛과 상기 가열 건조 유닛의 사이에는 상기 피처리 기판을 대기압 보다 낮은 압력 상태에서 건조하는 진공 건조 유닛이 없는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And a vacuum drying unit for drying the substrate to be processed at a pressure lower than atmospheric pressure between the chemical liquid applying unit and the heat drying unit.
제 1항에 있어서,
상기 피처리 기판은 상기 가열 영역 중 어느 하나 이상에서 정지된 상태로 가열 건조되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The substrate to be processed is heat-dried in a stationary state in any one or more of the heating regions.
제 1항에 있어서,
상기 제1가열영역에는 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수의 가열 플레이트가 배치되고, 상기 제2가열영역과 인접한 위치의 제1-2가열 플레이트는 상기 제2가열영역과 이격된 위치의 제1-1가열 플레이트에 비하여 보다 낮은 온도로 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
A plurality of heating plates are disposed along the transfer path of the substrate to be processed in the first heating region, and the first-second heating plate at a position adjacent to the second heating region is disposed at a position spaced apart from the second heating region. Substrate processing apparatus, characterized in that it is controlled to a lower temperature than 1-1 heating plate.
제 1항에 있어서,
상기 약액 도포 유닛이 행해진 다음에 처음 가열되는 제1가열 영역은 상기 약액 내의 솔벤트를 5중량% 내지 30중량% 제거하는 온도로 정해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And the first heating region which is first heated after the chemical liquid applying unit is performed is determined at a temperature for removing 5-30% by weight of the solvent in the chemical liquid.
제 1항에 있어서,
상기 부상 스테이지는 초음파에 의하여 상기 피처리 기판을 부상시키는 부상력이 도입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
The floating stage is a substrate processing apparatus, characterized in that the floating force for introducing the substrate to be processed by ultrasonic waves.
제 1항에 있어서,
상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역의 사이에는 열전달을 억제하는 차단막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 1,
And a blocking film for suppressing heat transfer is formed between the first heating region and the second heating region.
제 7항에 있어서,
상기 차단막은 에어커튼인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein
And said blocking film is an air curtain.
제 7항에 있어서,
상기 차단막은 미닫이 형태로 개폐되는 단열재 도어인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 7, wherein
The blocking film is a substrate processing apparatus, characterized in that the heat insulating door that opens and closes in the form of sliding.
제 1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 영역 중 어느 하나에 설치된 가열 플레이트는 복사 열전달에 의하여 상기 피처리 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to any one of claims 1 to 9,
A heating plate provided in any one of the heating zones heats the substrate to be processed by radiant heat transfer.
제 10항에 있어서,
상기 가열 플레이트에는 발열되는 열선이 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트와 상기 피처리 기판의 사이에는 매개 플레이트가 개재되어 상기 열선의 위치에 따른 온도 구배가 줄어든 상태로 상기 피처리 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10,
The heating plate is disposed in the heating plate is heated, the intermediate plate is interposed between the heating plate and the target substrate to heat the substrate to be processed in a state in which the temperature gradient according to the position of the heating wire is reduced. Substrate processing apparatus.
제 11항에 있어서,
상기 매개 플레이트는 구리, 알루미늄 중 어느 하나 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 11,
And the intermediate plate comprises at least one of copper and aluminum.
제 11항에 있어서,
상기 매개 플레이트는 상기 가열 플레이트와 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 11,
And the intermediate plate is spaced apart from the heating plate.
제 10항에 있어서,
상기 가열 플레이트는 상기 피처리 기판의 상측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method of claim 10,
And the heating plate is disposed above the substrate to be processed.
제 10항에 있어서,
상기 가열 플레이트는 상기 부상스테이지의 진동판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.


The method of claim 10,
And the heating plate is formed of a diaphragm of the floating stage.


삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020190027710A 2019-03-11 2019-03-11 Substrate treating apparatus KR102057836B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190027710A KR102057836B1 (en) 2019-03-11 2019-03-11 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190027710A KR102057836B1 (en) 2019-03-11 2019-03-11 Substrate treating apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160079840A Division KR20180001117A (en) 2016-06-27 2016-06-27 Substrate treating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190029549A KR20190029549A (en) 2019-03-20
KR102057836B1 true KR102057836B1 (en) 2019-12-20

Family

ID=66036378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190027710A KR102057836B1 (en) 2019-03-11 2019-03-11 Substrate treating apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102057836B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237482A (en) 2005-02-28 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, substrate processing method, and substrate processing program
JP2009076547A (en) * 2007-09-19 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd Normal pressure dryer, substrate processing apparatus, and method for processing substrate
WO2012008218A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-19 シャープ株式会社 Heating/drying apparatus for manufacturing film, film manufacturing apparatus provided with the heating/drying apparatus, and film manufacturing method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006237482A (en) 2005-02-28 2006-09-07 Tokyo Electron Ltd Substrate processing device, substrate processing method, and substrate processing program
JP2009076547A (en) * 2007-09-19 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd Normal pressure dryer, substrate processing apparatus, and method for processing substrate
WO2012008218A1 (en) * 2010-07-12 2012-01-19 シャープ株式会社 Heating/drying apparatus for manufacturing film, film manufacturing apparatus provided with the heating/drying apparatus, and film manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190029549A (en) 2019-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180001117A (en) Substrate treating apparatus
JP4542577B2 (en) Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
US7591601B2 (en) Coater/developer, coating/developing method, and storage medium
JP4592787B2 (en) Substrate processing equipment
KR100367963B1 (en) Coating apparatus for semiconductor process
KR101269748B1 (en) Heat treatment unit
KR101442334B1 (en) Substrate processing apparatus
JP4384686B2 (en) Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
TW201007872A (en) Decompression drying equipment
KR20090031271A (en) Normal pressure drying device, substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20110065310A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium storing program for executing the substrate processing method
KR102057836B1 (en) Substrate treating apparatus
JP2011114055A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and vacuum-drying device
KR101555717B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101026279B1 (en) Coating method and coating apparatus
KR101341001B1 (en) Apparatus for large-area mask cleaning using laser and large-area mask cleaning system comprising the same
JP4043009B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and substrate processing system
JPH08162405A (en) Heat-treating method, heating treating device, and treating device
KR20110066864A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium storing program for executing the substrate processing method
KR102544865B1 (en) Substrate heating apparatus
JP4508436B2 (en) Coating method and coating apparatus
KR101645433B1 (en) Substrate treating apparatus
CN111041424B (en) Film forming apparatus, manufacturing system of organic EL panel, film forming method, and manufacturing method of organic EL element
KR20190055448A (en) Substrate treating apparatus
WO2004064129A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant