KR20180001117A - Substrate treating apparatus - Google Patents

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KR20180001117A
KR20180001117A KR1020160079840A KR20160079840A KR20180001117A KR 20180001117 A KR20180001117 A KR 20180001117A KR 1020160079840 A KR1020160079840 A KR 1020160079840A KR 20160079840 A KR20160079840 A KR 20160079840A KR 20180001117 A KR20180001117 A KR 20180001117A
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김미지
최우철
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

The present invention relates to a substrate processing apparatus which performs a substrate processing process including a process of applying a chemical solution on a surface of a substrate to be processed, comprising: a chemical solution applying unit for griping an edge of a substrate to be processed with a first gripping member, and including a chemical solution nozzle for applying a chemical solution on a surface of the substrate to be processed while the substrate to be processed is moved in a floated state by a first floating stage; and a heating dry unit for receiving, by a third gripping member, the substrate to be processed discharged in a state of the chemical solution applied thereon, from the chemical solution applying unit in the floated state, and heating the substrate to be processed with a multi-stage temperature to dry the chemical solution while the substrate to be processed is moved with the third gripping member in the floated state by a second floating stage. According to the present invention, a solvent in the chemical solution can be removed stepwise by heating the chemical solution applied to the surface of the substrate to be processed at a multi-stage temperature to dry the chemical solution. Therefore, stains caused by the solvent or bubbles in the chemical solution can be prevented even without completing a conventional vacuum decompression dry process. As a result, the chemical solution applied to the surface of the substrate to be processed can be dried without the stains even though a vacuum decompression dry unit is not provided.

Description

기판 처리 장치 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS} [0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS [0002]

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 처리 공정 별로 이동시키는 로봇 핸들러와, 기판을 거치시키는 거치 핀 및 진공 감압 건조 유닛을 제거하여 구성을 단순화하고, 기판의 정렬 공정을 제거하거나 최소화하여 공정 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate handling apparatus that simplifies the structure by removing a robot handler for moving a substrate handling process, a mounting pin for mounting a substrate, and a vacuum drying unit, Or a substrate processing apparatus capable of improving the process efficiency.

LCD 등 플랫 패널 디스플레이를 제조하는 공정은 TFT기판 등을 제조하기 위하여, 피처리 기판을 세정하고, 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하고, 도포된 약액을 건조시키고, 약액을 건조시킨 후에 필요한 패턴으로 노광하는 등의 공정을 순차적으로 거치면서 이루어진다. In the process of manufacturing a flat panel display such as an LCD, in order to manufacture a TFT substrate or the like, a substrate to be processed is cleaned, a chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed, the applied liquid is dried, , And the like.

이와 같이 피처리 기판의 처리 공정은 도1a에 도시된 기판 처리 장치(1)에 의해 행해진다. 즉, 세정 유닛(U09)에서 처리 공정을 행할 피처리 기판(G)을 세정기(10)로 세정하면, 로봇 핸들러(R1)는 세정 유닛(U09)으로부터 피처리 기판(G)을 약액 도포 유닛(U01)의 거치대로 이동시킨다. The processing of the substrate to be processed in this manner is performed by the substrate processing apparatus 1 shown in Fig. 1A. That is, when the substrate G to be treated in the cleaning unit U09 is cleaned by the cleaner 10, the robot handler R1 transfers the substrate G from the cleaning unit U09 to the chemical liquid application unit U01).

거치대에는 기판(G)을 임시적으로 거치시키는 다수의 거치 핀이 구비된다. 거치 핀에 거치된 피처리 기판(G)은 정렬 유닛(미도시)에 의해 정렬되어, 기판(G)이 기판 스테이지(21)에 위치 고정된 상태에서 이동하는 약액 노즐(25)에 의하여 표면에 약액이 도포되거나, 대한민국 등록특허공보 제10-1081886호에 개시된 바와 같이 기판(G)이 부상된 상태로 이동하면서 위치 고정된 약액 노즐에 의하여 표면에 약액(PR)이 도포된다. The mounting table is provided with a plurality of mounting pins for temporarily mounting the substrate (G). The substrate G mounted on the mounting pins is aligned by an aligning unit so that the substrate G is moved to the surface by the chemical liquid nozzle 25 moving in a state where the substrate G is fixed to the substrate stage 21. [ The chemical liquid PR is applied to the surface of the substrate G by the chemical liquid nozzle fixed in position while the substrate G moves in a floating state as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1081886.

그 다음, 로봇 핸들러(R2)는 그 다음 공정을 행하는 진공 감압 건조 유닛(U02)으로 피처리 기판(G)을 집어 이동시킨다. 본 출원인의 대한민국 등록특허공보 제10-1077834호에 개시된 '진공 감압 건조 방법 및 이에 사용되는 장치'에 개시된 바와 같이, 진공감압 건조장치는, 거치 핀(31)에 거치된 피처리 기판(G)을 정렬시킨 상태에서 외기와 차단시키는 밀폐 챔버(30) 내에서 감압하면서, 피처리 기판(G)의 표면에 도포된 약액을 건조시킨다. Then, the robot handler R2 picks up and moves the substrate G to be processed by the vacuum decompression drying unit U02 which performs the next process. As disclosed in Korean Patent Application Publication No. 10-1077834 entitled " Vacuum-reduced-pressure drying method and apparatus used therefor, " the vacuum-reduced drying apparatus includes a substrate to be processed (G) The chemical liquid applied to the surface of the target substrate G is dried while being decompressed in the hermetically closed chamber 30 which is shut off from the outside air in the state of being aligned.

그 다음, 로봇 핸들러(R3)는 그 다음 공정을 행하는 핫 플레이트 건조기 또는 콜드 플레이트 건조기(40)가 설치된 건조 유닛(U03)으로 피처리 기판(G)을 집어 이동시킨다. 이에 따라, 플레이트 건조기(40)는 피처리 기판(G)에 대하여 이동(44)하면서, 복사열에 의하여 피처리 기판(G)의 표면에 도포된 약액(PR)을 건조시킨다. Next, the robot handler R3 picks up and moves the substrate G to the drying unit U03 provided with a hot plate dryer or a cold plate dryer 40 for performing the next process. Thus, the plate dryer 40 dries the chemical liquid PR applied to the surface of the substrate G by the radiant heat while moving (44) relative to the substrate G to be processed.

그 다음, 도면에 도시되지 않았지만, 또 다른 로봇 핸들러에 의하여 노광 유닛, 현상 유닛, 검사 유닛, 오븐 등을 거치면서 처리 공정이 순차적으로 진행된다.Then, although not shown in the drawings, the processing proceeds sequentially through the exposure unit, the developing unit, the inspection unit, and the oven by another robot handler.

그러나, 도1a에 도시된 종래의 기판 처리 장치(1)는 각각의 처리 유닛(U09, U01, U02)에서 처리 공정을 행하기 위하여 피처리 기판(G)을 이송하는 구성이 로봇 핸들러(R1, R2, R3)에 의해 이루어짐에 따라, 로봇 핸들러가 피처리 기판(G)을 파지하기 위하여 접근하여 부드럽게 파지하는 시간이 오래 소요되는 문제가 있다. 이 뿐만 아니라, 로봇 핸들러가 처리 유닛(U01, U02,...)별로 피처리 기판을 거치 핀 상에 이송한 다음에도 피처리 기판(G)의 자세나 위치를 정렬하는 데 오랜 시간이 소요되어, 각 처리 유닛(U09, U01, U02,..)에 피처리 기판(G)을 이송하고 각 처리 유닛에서 처리 공정을 시작하는 데에 오랜 시간이 소요되어 공정 효율이 저하되는 문제가 있었다.However, in the conventional substrate processing apparatus 1 shown in Fig. 1A, the configuration for transferring the substrates G to be processed in the respective processing units U09, U01, U02 is not limited to the robot handlers R1, R2, and R3, there is a problem that it takes a long time for the robot handler to approach and grip the target substrate G smoothly. In addition, it takes a long time for the robot handler to align the position and position of the substrate G to be processed even after transferring the substrate to be processed to the mounting pins by the processing units U01, U02, ... , It takes a long time to transfer the substrate G to each of the processing units U09, U01, U02,... And start the processing in each of the processing units.

한편, 도1b에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(2)의 처리 유닛(U09, U01, U02,..)에 피처리 기판(G)을 이송하는 공정을 로봇 핸들러(R1, R2, R3)에 의하지 않고, 롤러(Cv)나 컨베이어를 이용하여 이송할 수도 있다. 그러나, 이 방법은 로봇 핸들러에 비하여 피처리 기판(G)을 파지하는 데 소요되는 시간을 줄일 수 있지만, 각 처리 유닛(U09, U01, U02,..)으로 피처리 기판(G)을 이송하는 정확도가 낮아져, 거치 핀 상에서 피처리 기판(G)을 정렬시키는 공정을 필수적으로 수반되므로, 피처리 기판(G)이 각 처리 유닛에서 처리 공정을 시작하는 데에 오랜 시간이 소요되어 공정 효율이 저하되는 문제가 있었다. 1B, the process of transferring the target substrate G to the processing units U09, U01, U02,... Of the substrate processing apparatus 2 is described as the robot handlers R1, R2, R3, But may be conveyed using a roller Cv or a conveyor. However, this method can reduce the time required for gripping the target substrate G as compared with the robot handler, but it is also possible to reduce the time required to grip the target substrate G to the processing units U09, U01, U02, Since the accuracy is lowered and the process of aligning the substrate G on the mounting pin is essentially involved, it takes a long time to start the process in each processing unit, There was a problem.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 본 출원일 이전에 공지되지는 않았지만 본 출원인에 의하여 특허출원된 특허출원 제10-2014-192299호에 따르면, 기판(G)을 부상 스테이지에 의하여 부상시킨 상태로 연속 이송하고 진공 감압 건조 유닛(U02)을 부상 스테이지 상에서 형성하는 구성이 제안되었다. 그러나, 이 구성은 부상 스테이지와 밀폐 챔버의 사이 틈새에 의하여 대기압보다 낮은 압력으로 유지시키는 데 한계가 있으므로, 진공 감압 건조 공정 중에 주변 공기의 유동이 발생되면서 피처리 기판의 표면에 도포된 약액의 건조가 불균일해져 얼룩이 발생되는 문제가 야기되었다. 이에 따라, 도1c에 도시된 형태로 진공 감압 건조 유닛(U02)에 피처리 기판을 이송하기나 진공 감압 건조 유닛(U02)으로부터 피처리 기판(G)을 이송하기 위해서는 로봇 아암과 리프트 핀이 필수적으로 수반되는 문제가 야기되었다.In order to solve such a problem, according to the patent application No. 10-2014-192299 filed by the present applicant, although not yet known before the present application date, the substrate G is lifted by the floating stage, And the vacuum decompression drying unit U02 is formed on the floating stage. However, since this configuration has a limitation in keeping the pressure lower than the atmospheric pressure by the gap between the floating stage and the hermetically closed chamber, the flow of the ambient air during the vacuum depressurization drying process causes drying of the chemical solution applied to the surface of the substrate to be processed Resulting in unevenness and unevenness. Accordingly, in order to transfer the substrate to be processed to the vacuum decompression drying unit U02 in the form shown in Fig. 1C or transfer the substrate G from the vacuum decompression drying unit U02, the robot arm and the lift pin are essential Resulting in problems associated with

따라서, 피처리 기판을 연속적으로 이송하여 공정 효율을 높이기 위해서는, 기판 처리 공정 중에 진공 감압 건조 유닛(U2)을 제외시키는 필요성이 절실히 요구되고 있다. 즉, 피처리 기판(G)을 처리하는 공정 효율을 보다 향상시키면서, 각 처리 유닛에서의 위치 정확성을 높여, 해당 처리 공정을 보다 정확하고 신뢰성있게 행할 수 있는 방안의 필요성이 절실히 요구되고 있다.Therefore, in order to increase the process efficiency by continuously transferring the substrate to be processed, there is a great demand for eliminating the vacuum decompression drying unit U2 during the substrate processing process. That is, there is a desperate need for a method that can improve the process efficiency of processing the substrate G and improve the positional accuracy in each processing unit, and perform the process steps more accurately and reliably.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 것으로, 피처리 기판이 여러 처리 유닛을 거치면서 행해지는 처리 공정의 효율을 보다 향상시키면서, 각 처리 유닛에서의 위치 정확성을 높여, 해당 처리 공정을 보다 정확하고 신뢰성있게 행할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to improve the position accuracy in each processing unit while improving the efficiency of a processing process performed while passing through various processing units, And to provide a substrate processing apparatus which can reliably perform the substrate processing.

즉, 본 발명은, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액의 일부를 진공 상태로 건조시키는 진공 감압 건조 유닛을 제외시키는 것에 의하여, 로봇 아암과 리프트 핀을 제거하고 전 공정에 걸쳐 피처리 기판이 부상된 상태로 이송되면서 약액의 도포와 약액 건조 공정이 행해짐으로써 공정 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다.That is, according to the present invention, by removing the vacuum decompression drying unit for drying a part of the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be processed in a vacuum state, the robot arm and the lift pin are removed, And a process of applying a chemical liquid and drying a chemical liquid are carried out while being transferred to a state in which the chemical liquid is transferred.

또한, 본 발명은 여러 처리 유닛마다 정렬 공정을 거치지 않더라도, 각 처리 유닛에서의 피처리 기판이 정확한 자세와 위치로 공급될 수 있도록 하여, 각 처리 유닛에서의 정렬 기구 및 정렬 과정을 배제하여, 구성을 단순화하면서도 보다 짧은 시간 내에 처리 공정을 곧바로 행할 수 있는 공정 효율을 향상시키는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention allows a substrate to be processed in each processing unit to be supplied to the correct posture and position without any sorting process for each processing unit, thereby eliminating the alignment mechanism and the alignment process in each processing unit, And it is an object of the present invention to improve the process efficiency in which the process can be performed immediately in a shorter time.

그리고, 본 발명은 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 단계적으로 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트 성분에 의한 얼룩이 남는 것을 억제함으로써, 대기압 보다 낮은 감압 상태에서 건조하는 공정을 배제하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to exclude a step of drying at a reduced pressure lower than atmospheric pressure by suppressing unevenness due to solvent components in the chemical liquid by gradually drying the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be treated .

또한, 본 발명은 피처리 기판에 도포된 약액을 가열 플레이트에 의한 복사열로 건조시키는 과정에서, 가열 플레이트의 열선의 분포에 따른 열전달 편차를 억제하여 약액의 건조 과정에서 얼룩이 발생되는 것을 억제하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to suppress the occurrence of unevenness in the course of drying a chemical liquid by suppressing heat transfer variation due to the distribution of heat rays of the heating plate during the process of drying the chemical liquid applied to the substrate by the radiation heat by the heating plate .

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 공정을 포함하는 기판 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서, 상기 피처리 기판의 가장자리를 제1파지부재로 파지하고 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 이동시키면서 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 노즐이 구비된 약액 도포 유닛과; 상기 약액 도포 유닛으로부터 약액이 도포된 상태로 배출된 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 제3파지부재가 넘겨받아, 상기 피처리기판을 부상시킨 상태로 상기 제3파지부재와 함께 이동시키면서 상기 피처리 기판을 다단계의 온도로 가열하여 상기 약액을 건조시키는 가열 건조 유닛을; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.According to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a substrate processing step including a step of applying a chemical liquid to a surface of a substrate to be processed, wherein the edge of the substrate to be processed is a first holding member A chemical liquid application unit having a chemical liquid nozzle for applying a chemical liquid to a surface of the substrate to be processed while holding the substrate while holding the substrate; The third holding member is moved in a floating state from the chemical solution applying unit to the substrate holding member while being moved in a state in which the chemical solution applying unit is in a floating state, A heat drying unit for heating the treated substrate to a multistage temperature to dry the chemical liquid; And a substrate processing apparatus.

이는, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 다단계의 온도로 가열하여 약액을 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거할 수 있게 되므로, 종래의 진공 감압 건조 공정을 거치지 않더라도 약액 내의 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있게 되어, 진공 감압 건조 유닛을 구비하지 않고서도 피처리 기판에 도포된 약액을 얼룩없이 건조할 수 있도록 하기 위함이다.This is because the solvent in the chemical liquid can be removed step by step by heating the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be processed to a multi-step temperature to dry the chemical liquid. Therefore, even if the conventional vacuum decompression drying process is not performed, It is possible to prevent stain caused by bubbles, and to dry the chemical liquid applied to the substrate to be treated without staining without providing a vacuum decompression drying unit.

이와 같이, 약액 도포 유닛에서 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 상태에서 진공 감압 건조 유닛을 거치지 않고 곧바로 가열 건조 유닛으로 이송됨에 따라, 밀폐 챔버에 피처리 기판을 위치시키기 위한 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the chemical solution applying unit, the chemical liquid is applied to the surface of the substrate to be processed, and the chemical liquid is delivered to the heat drying unit without passing through the vacuum decompression drying unit, Since the substrate is transported to the heating and drying unit in a floating state immediately after the chemical liquid is applied on the surface of the substrate in the floating state, the transport efficiency of the substrate to be processed is increased and the time required for the entire process Can be obtained.

즉, 상기 약액 도포 유닛과 상기 가열 건조 유닛의 사이에는 상기 피처리 기판을 대기압 보다 낮은 압력 상태에서 건조하는 진공 건조 유닛이 배치되지 않게 된다. That is, a vacuum drying unit for drying the substrate to be processed at a pressure lower than atmospheric pressure is not disposed between the chemical solution applying unit and the heat drying unit.

여기서, 상기 가열 건조 유닛은 상기 피처리 기판의 진행 경로를 따라 가열 온도를 점진적으로 상승시키는 형태로 배치됨으로써, 피처리 기판에 도포된 약액에 함유된 솔벤트 성분을 점진적으로 약액으로부터 증발시키면서 건조시키게 되어, 솔벤트 성분에 의한 얼룩이 생기는 문제를 해결할 수 있다. 이 때, 피처리 기판이 이송되면서 가열 건조 유닛으로부터 열전달을 받아 약액을 가열 건조시킬 수 있다.Here, the heating and drying unit is disposed in such a manner that the heating temperature is gradually increased along the course of the substrate to be processed, thereby gradually evaporating the solvent component contained in the chemical solution applied to the substrate to be treated while being evaporated from the chemical solution , It is possible to solve the problem of unevenness caused by the solvent component. At this time, the chemical liquid can be heated and dried under the heat transfer from the heat drying unit while the substrate is being transferred.

그리고, 상기 제1부상스테이지와 상기 제2부상스테이지는 공기를 분출시키는 것에 의한 부상력으로 피처리 기판을 부상시킬 수도 있으며, 초음파에 의하여 가진되는 진동판으로부터 발생되는 부상력으로 피처리 기판을 부상시킬 수도 있다.The first and second floating stages may float the target substrate by the floating force generated by blowing air and may float the target substrate by the levitation force generated from the vibration plate excited by the ultrasonic waves It is possible.

한편, 상기 가열 건조 유닛은, 상기 피처리 기판을 가열하는 가열 플레이트가 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트는 적어도 2개 이상이 서로 다른 온도로 조절될 수 있다. 그리고, 피처리 기판은 가열 건조 유닛에서 서로 다른 온도로 조절되는 가열 영역에서 정지된 상태에서 열전달을 받아 약액을 가열 건조시킬 수도 있다. On the other hand, in the heat drying unit, a plurality of heating plates for heating the substrate to be processed are arranged along the conveyance path of the substrate to be processed, and at least two or more of the heating plates can be adjusted to different temperatures. Further, the substrate to be treated may be heat-dried under heat transfer in a state where it is stopped in a heating region controlled at different temperatures in the heat drying unit.

즉, 상기 가열 건조 유닛은 상기 피처리 기판의 이동 방향을 따라 서로 다른 온도로 조절되는 제1가열영역과 제2가열영역을 포함하는 2개 이상의 가열 영역으로 형성되어, 상기 피처리 기판이 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역에서 정지된 상태로 정해진 시간 동안에 가열 건조될 수 있다. That is, the heating and drying unit is formed of two or more heating regions including a first heating region and a second heating region which are controlled at different temperatures along the moving direction of the substrate to be processed, 1 heating zone and the second heating zone in a stationary state.

그리고, 상기 피처리 기판이 상기 제2가열 영역에 비하여 먼저 도달하는 상기 제1가열영역의 제1가열 온도는 상기 제2가열영역의 제2가열온도에 비하여 더 낮게 정해진다. The first heating temperature of the first heating zone, in which the substrate to be processed reaches first in comparison with the second heating zone, is set to be lower than the second heating temperature of the second heating zone.

상기 가열 영역 중 어느 하나에 설치된 가열 플레이트는 복사 열전달에 의하여 상기 피처리 기판을 가열하는 것이 바람직하다. 대류 열전달에 의하여 피처리 기판을 가열하는 경우에는 공기의 유동에 의하여 약액의 유동이 야기되어 얼룩이 발생될 여지가 높기 때문이다.And the heating plate provided in any one of the heating regions heats the substrate to be processed by radiative heat transfer. When the substrate to be processed is heated by the convective heat transfer, the flow of the chemical liquid is caused by the flow of air, and there is a high possibility that the contamination is generated.

이 때, 상기 약액 도포 유닛이 행해진 다음에 처음 가열되는 제1가열 영역은 상기 약액 내의 솔벤트를 5% 내지 30% 제거하는 온도와 시간으로 정해지며, 예를 들어, 상기 제1가열영역은 40℃ 내지 70℃로 정해질 수 있다. 그리고, 제1가열영역 이후에 가열 건조되는 가열 영역들에서는 각각 60℃~85℃, 70℃~105℃ 등으로 정해질 수 있다. At this time, the first heating zone, which is first heated after the chemical liquid application unit is performed, is determined by the temperature and time for removing 5% to 30% of the solvent in the chemical solution. For example, Lt; RTI ID = 0.0 > 70 C. < / RTI > In the heating regions to be heated and dried after the first heating region, they may be set at 60 ° C to 85 ° C, 70 ° C to 105 ° C, and the like.

여기서, 각각의 가열영역(예를 들어, 제1가열영역)에는 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수의 가열 플레이트가 배치되고, 그 다음에 열건조 공정이 행해지는 가열영역(예를 들어, 제2가열영역)에 인접한 위치의 제1-2가열 플레이트는 인접하지 아니한 위치의 제1-1가열 플레이트에 비하여 보다 낮은 온도로 조절될 수 있다. 이에 의하여, 그 다음에 열건조 공정이 행해지는 인접한 가열 영역(예를 들어, 제2가열영역)에서의 온도가 현재 열건조 공정이 행해지는 가열 영역(예를 들면, 제1가열영역)에서의 온도에 비해 높으므로, 1-2가열플레이트의 온도를 1-1가열플레이트에 비하여 더 낮게 조절하는 것에 의해 전체적으로 제1가열영역에서 피처리 기판에 전달되는 열전달양을 전체적으로 균일하게 조절할 수 있다. Here, a plurality of heating plates are disposed along the conveyance path of the substrate to be processed in each of the heating regions (for example, the first heating region), and then a heating region (for example, The first heating plate in the position adjacent to the second heating zone) can be adjusted to a lower temperature than the first heating plate in the non-adjacent position. Thereby, the temperature in the adjacent heating area (for example, the second heating area) in which the heat drying process is performed is performed in the heating area (for example, the first heating area) where the current heat drying process is performed The amount of heat transferred from the first heating zone to the substrate to be treated as a whole can be uniformly adjusted as a whole by adjusting the temperature of the 1-2 heating plate to be lower than that of the 1-1 heating plate.

한편, 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역의 사이에는 열전달을 억제하는 차단막이 형성되어, 인접한 가열 영역들의 경계 부분에서 가열 정도에 편차가 생기는 것을 최소화할 수 있다. 예를 들어, 상기 차단막은 에어커튼으로 형성될 수도 있고, 미닫이 형태로 개폐되는 단열재 도어로 형성될 수도 있다.On the other hand, a shielding film for suppressing heat transfer is formed between the first heating region and the second heating region, and it is possible to minimize a variation in degree of heating at the boundary portion between adjacent heating regions. For example, the barrier membrane may be formed of an air curtain or a heat insulating door opened and closed in a sliding manner.

무엇보다도, 상기 가열 플레이트에는 발열되는 열선이 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트와 상기 피처리 기판의 사이에는 매개 플레이트가 개재되어 상기 열선의 위치에 따른 온도 구배가 줄어든 상태로 상기 피처리 기판을 가열할 수 있다. 이와 같이, 매개 플레이트를 거친 상태로 피처리 기판의 약액에 복사 열전달을 하여 건조시킴으로써, 가열 플레이트에 배치된 열선 배치에 따른 열전달양의 편차를 없애 얼룩의 발생을 제거할 수 있다.In particular, the heating plate is provided with a heating line, and an intermediate plate is interposed between the heating plate and the target substrate to heat the target substrate in a state in which the temperature gradient according to the position of the heating line is reduced . In this manner, by radiant heat transfer to the chemical solution of the substrate to be treated in the state of being passed through the intermediate plate and drying, deviation of the heat transfer amount due to the arrangement of the heat lines arranged on the heating plate is eliminated and the occurrence of unevenness can be eliminated.

이 때, 상기 가열 플레이트는 상기 피처리 기판의 상측에 배치되어, 충분히 넓은 공간 내에서 용이하게 설치되어 약액을 가열하는 온도를 정확하게 제어할 수 있다. At this time, the heating plate is disposed on the upper side of the substrate to be processed, and is easily installed in a sufficiently large space, and the temperature at which the chemical liquid is heated can be accurately controlled.

한편, 상기 가열 플레이트 또는 매개 플레이트는 상기 제2부상스테이지의 진동판으로 형성될 수도 있다. 즉, 가열 플레이트나 매개 플레이트가 제2부상스테이지의 진동판으로 형성됨에 따라, 피처리 기판과 매우 작은 거리를 유지하면서 약액의 아랫부분부터 가열시킴에 따라, 건조 효율을 높이고 약액에 내재된 솔벤트를 하부부터 없앨 수 있다. Meanwhile, the heating plate or the intermediate plate may be formed as a diaphragm of the second floating stage. That is, since the heating plate or the intermediate plate is formed of the diaphragm of the second floating stage, by heating the lower portion of the chemical liquid while maintaining a very small distance from the substrate to be processed, the drying efficiency is improved, Can be removed.

상기와 같이, 가열 건조 유닛에 의하여 피처리 기판의 약액이 모두 건조되면, 상기 가열 건조 유닛의 최후단 에 위치한 제9가열영역은 상기 피처리 기판의 표면에 복사 열전달에 의하여 냉각시키는 냉각 플레이트로 정해질 수 있다.As described above, when all of the chemical liquid of the substrate to be processed is dried by the heat drying unit, the ninth heating region located at the rear end of the heating and drying unit is cooled by a cooling plate which is cooled by radiative heat transfer to the surface of the substrate to be processed .

그리고, 상기 제1파지부재는 상기 약액 도포 유닛이 행해지고 가열 건조 공정이 시작되기 직전까지만 이송하고, 피처리 기판을 제3파지부재로 넘겨준다. 그리고, 제1파지부재는 다시 약액 도포 유닛의 초입부로 이동하여 새로운 피처리 기판을 파지한 상태로 약액 도포공정이 행해진다.Then, the first holding member is transferred only until the chemical solution applying unit is performed and just before the heat drying process is started, and the substrate to be processed is handed over to the third holding member. Then, the first gripping member moves to the initial portion of the chemical solution applying unit again, and the chemical solution applying process is performed while gripping the new target substrate.

이와 유사하게, 제3파지부재는, 상기 제1가열 영역을 이동할 때에 상기 피처리 기판을 파지하는 제3-1파지부재와, 상기 제1가열영역으로부터 상기 제2가열영역으로 이동할 때에 상기 제3-1파지부재로부터 상기 피처리 기판을 넘겨받는 제3-2파지부재를 포함하여 구성되어, 가열 영역이 변동될 때마다 제3-1파지부재와, 제3-2파지부재와, 제2-3파지부재 등으로 피처리 기판을 넘겨주어, 각 가열 영역에서는 서로 다른 파지 부재에 의해 파지된 상태로 이송될 수 있다. Similarly, the third holding member may include a third holding member for gripping the substrate to be processed when moving the first heating region, and a third holding member for holding the third substrate when moving from the first heating region to the second heating region, And a third-2 holding member for holding the substrate to be processed from the first holding member, wherein the third-1 holding member, the third-2 holding member, and the second- The substrate to be processed can be handed over by a holding member or the like and can be transferred in a state gripped by different gripping members in the respective heating regions.

이와 같이, 서로 다른 처리 유닛에서 각각 하나의 피처리 기판이 약액도포공정과 가열건조공정을 행하는 과정은 제1파지부재가 피처리 기판을 파지하여 이송하면서 행해지고, 약액도포유닛에서 가열건조유닛까지 이송하는 과정이나 가열건조유닛에서 가열건조공정을 행하는 과정은 제3파지부재가 제1파지부재로부터 피처리 기판을 넘겨받아 피처리 기판의 타측을 파지하여 이송하면서 행해질 수 있다. As described above, in the process in which one substrate to be processed in each of the different processing units performs the chemical liquid application process and the heating and drying process, the first gripping member is carried while holding the substrate to be processed and transported from the chemical solution application unit to the heat drying unit And the heating and drying process in the heating and drying unit can be performed while the third holding member passes the substrate to be processed from the first holding member and grasps and transfers the other side of the substrate to be processed.

특히, 피처리 기판이 어느 일측에서만 파지 부재가 파지된 상태로 이송되다가 다른 파지 부재로 피처리 기판을 파지하는 상태를 넘겨주는 것에 의하여, 이와 같이, 피처리 기판이 거치 핀에 거치된 상태로 있지 아니하고, 제1파지부재와 제3파지부재에 일측과 타측이 번갈아가면서 파지되어 이송됨으로써, 피처리 기판의 위치 및 자세를 일단 1회만 셋팅하면, 예를 들어, 약액도포유닛에서 위치 및 자세가 1회 셋팅하면, 피처리 기판이 파지된 상태로 전달되면서 이송되고 전달받아 다시 이송되어 피처리 기판의 위치 및 자세가 정해진 상태로 유지되므로, 피처리 기판을 1회 정렬시키면, 그 다음(예를 들어, 가열건조유닛)부터는 정렬 공정이 없더라도, 피처리 기판은 항상 위치 및 자세가 정렬된 상태가 된다. Particularly, by transferring the state in which the gripping member is gripped on only one side of the substrate to be processed, and holding the substrate to be processed by the other gripping member, the substrate to be processed is not mounted on the mounting pin When the position and posture of the substrate to be processed are set once only once, the position and posture of the chemical liquid application unit are set to 1 When the substrate to be processed is transferred in a gripped state, the substrate is transferred and transferred again, and the position and attitude of the substrate to be processed are maintained. Therefore, when the substrate to be processed is aligned once, , A heating and drying unit), even if there is no alignment step, the target substrate is always in a position and posture aligned.

따라서, 피처리 기판이 각 처리 유닛에서 처리 공정을 행하는 데 까지 필요한 시간을 단축하여 공정 효율을 보다 높일 수 있는 유리한 효과가 있다. 즉, 본 발명은, 피처리 기판을 1회 정렬시키면, 그 다음부터는 정렬 공정이 필요 없어지므로, 피처리 기판이 각 처리 유닛에서 처리 공정을 행하는 데 까지 필요한 시간을 단축하여 공정 효율을 높일 수 있는 유리한 효과가 있다. Therefore, there is an advantageous effect that the time required for performing the processing process in each processing unit of the substrate to be processed can be shortened and the process efficiency can be further increased. That is, according to the present invention, once the substrate to be processed is aligned, there is no need for an alignment step thereafter, so that the time required for the substrate to be processed in each processing unit is shortened, There is an advantageous effect.

오히려, 본 발명은 피처리 기판의 일측과 타측을 번갈아가면서 파지하면서 이송함에 따라, 피처리 기판을 넘겨주고 받는데 소요되는 시간이 매우 짧은 시간 내에 행할 수 있게 되어, 기판 이송 효율이 향상되는 잇점을 얻을 수 있다. 그리고, 피처리 기판이 여러 처리 유닛을 거치더라도 각 처리 유닛에서 피처리 기판의 위치 정확성을 높일 수 있게 되어, 해당 처리 공정을 보다 정확하고 신뢰성있게 행할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.On the contrary, according to the present invention, as one side and the other side of the substrate to be processed are alternately held while being gripped, the time required for transferring the substrate to be processed can be shortened within a very short period of time, . Further, even if the substrate to be processed passes through various processing units, it is possible to improve the position accuracy of the substrate to be processed in each processing unit, and it is possible to obtain the effect of performing the processing process more accurately and reliably.

또한, 약액도포공정을 행하면서 피처리 기판을 이송한 제1파지부재로부터 가열건조공정을 행하면서 피처리 기판을 이송하는 제3파지부재로 직접 전달을 받으므로, 기판의 처리 공정 효율을 저해하는 처리 유닛으로 이동시키는 로봇 핸들러 및 기판을 거치시키는 거치 핀을 제거하여 구성을 단순화하면서 공정 효율을 향상시킬 수 있다. Further, since the first holding member transferred from the first holding member is directly transferred to the third holding member for transferring the substrate while performing the heating and drying process while performing the chemical solution coating process, the processing efficiency of the substrate is lowered The robot handler for moving to the processing unit and the mounting pin for mounting the substrate can be removed to simplify the structure and improve the process efficiency.

여기서, 부상 스테이지는 피처리 기판의 저면에서 부상력을 지속적으로 작용하도록 구성되는 것이 바람직하지만, 반드시 부상 스테이지가 끊임없이 연속적으로 배치되는 것으로 국한되지 않으며, 간헐적으로 부상력이 인가되는 것을 포함한다. 즉, 파지부재에 의하여 이송되는 과정에서 피처리 기판이 추락하지 않고 부상력을 받을 수 있을 정도면 충분하다.Here, it is preferable that the floating stage is configured to continuously apply the floating force on the bottom surface of the substrate to be processed, but it is not limited to the continuous arrangement of the floating stage continuously, and includes the application of the floating force intermittently. That is, it suffices that the substrate to be processed can be received without being dropped during the process of being transported by the holding member.

또한, 부상스테이지에 의하여 인가되는 부상력에 의하여 피처리 기판은 파지부재에 일측에서만 파지되더라도, 피처리 기판의 전체 저면이 부상력에 의해 지지되므로, 피처리 기판에 잔진동이 발생하지 않으면서 이송하는 것이 가능하다. 다만, 본 발명은 피처리 기판이 일측에서 파지 부재에 의해 파지된 상태로 이송되는 구성에 국한되지 아니하며, 본 발명은 필요에 따라 피처리 기판이 기판 양측에서 파지 부재에 의하여 파지된 상태로 이송되는 영역이 적어도 일부 이상 포함될 수 있다. Further, even if the substrate to be processed is gripped only by one side of the holding member due to the floating force applied by the floating stage, the entire bottom surface of the substrate to be processed is supported by the floating force. Therefore, It is possible. However, the present invention is not limited to a configuration in which a substrate to be processed is transported in a state where it is gripped by a grip member at one side, and in the present invention, the substrate to be processed is transported while gripped by gripping members At least some of the regions may be included.

이와 같이, 파지부재는 각각 정해진 영역에서 왕복 이동하면서 연속적으로 공급되는 피처리 기판의 일측과 타측을 교대로 파지하여 이송하면서, 정해진 처리 공정을 단계별로 행함에 따라, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다. As described above, the gripping members are capable of improving the processing efficiency of the substrate by carrying out the predetermined processing steps step by step while gripping and transferring the one side and the other side of the substrate to be processed, which are successively supplied while reciprocating in a predetermined region, have.

그리고, 상기 제1파지부재는 상기 피처리 기판을 흡입 고정하는 흡입부를 구비하여, 정해진 경로의 이동 레일을 따라 이동하면서 피처리 기판을 안정되게 파지할 수 있다. The first holding member is provided with a suction unit for sucking and fixing the substrate to be processed, and can stably grip the substrate to be processed while moving along a moving rail of a predetermined path.

한편, 상기 제1파지부재와 상기 제3파지부재을 포함하는 파지부재는 정해진 영역을 왕복 이동하면서 부상 스테이지를 따라 공급되는 피처리 기판을 파지하여 이송한다. 이와 같이, 각각의 파지부재이 정해진 영역에서만 왕복 이동하면서 피처리 기판을 전진 이송시키므로, 보다 짧은 시간 간격으로 피처리 기판을 공급하면서 처리 공정을 행할 수 있다.On the other hand, the gripping member including the first gripping member and the third gripping member grasps and transfers the substrate to be processed supplied along the floating stage while reciprocating in a predetermined region. As described above, since each of the holding members reciprocates only in a predetermined region, the substrate to be processed is advanced and transferred, so that the processing process can be performed while feeding the substrate to be processed at shorter time intervals.

이 때, 상기 제1파지부재와 상기 제3파지부재는 상기 부상스테이지의 일측과 타측을 따라 종방향으로 연장된 이송 레일을 따라 이송한다. 예를 들어, 상기 제1파지부재와 상기 제3파지부재는 에어 베어링에 의하여 부상된 상태로 정교하게 수평 이동되게 구성되며, 이송 레일에 대하여 리니어 모터의 원리 등 다양한 공지된 직선 이동 형태로 구성하여 이동할 수 있다.At this time, the first holding member and the third holding member are moved along a conveying rail extending in the longitudinal direction along one side and the other side of the flotation stage. For example, the first gripping member and the third gripping member are configured to be horizontally and horizontally moved in a floating state by an air bearing, and are configured in various known linear movement types such as the principle of a linear motor with respect to the transferring rail Can be moved.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 피처리 기판의 표면에 도포된 약액을 다단계의 온도로 점진적으로 가열하여 약액을 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거하면서 건조할 수 있게 되므로, 대기압보다 낮은 압력 상태에서 약액의 일부를 건조시키는 진공 감압 건조 유닛을 배제하고서도, 피처리 기판에 도포된 약액을 건조시키는 과정에서 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있는 효과를 얻을 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, by gradually heating the chemical liquid applied to the surface of the substrate to be treated to a multistage temperature to dry the chemical liquid, the solvent in the chemical liquid can be dried while being stepwise removed, It is possible to prevent stains caused by solvent or bubbles in the process of drying the chemical solution applied to the substrate to be processed even if the vacuum decompression drying unit for drying a part of the chemical solution at a low pressure is excluded.

또한, 본 발명은, 밀폐 챔버로 피처리 기판을 이송하고 밀폐 챔버로부터 피처리 기판을 이송하기 위하여 필수적으로 수반되는 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있게 되므로, 피처리 기판에 약액을 도포하고 건조시키는 공정 효율을 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다. In addition, the present invention can remove the robot arm and the lift pin, which are essentially involved in transferring the substrate to the hermetically closed chamber and transferring the substrate from the hermetically closed chamber, so that the chemical liquid is applied to the substrate to be processed and dried Thereby obtaining an advantageous effect of increasing the process efficiency.

이를 통해, 본 발명은, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Accordingly, since the chemical liquid is applied to the surface of the substrate in a floating state and then transferred to the heating and drying unit in a floating state immediately after the chemical liquid is applied to the surface of the substrate, the transport efficiency of the substrate to be processed is increased, It is possible to obtain an advantageous effect of shortening the time.

그리고, 본 발명은, 피처리 기판이 거치는 다수의 처리유닛에서 각각 하나의 피처리 기판이 각 처리과정을 순차적으로 거치는 데 있어서, 어느 하나의 처리유닛을 행한 피처리 기판의 일측을 어느 하나의 파지부재이 흡입 파지한 상태로 정해진 위치까지 이송하면, 다른 파지부재이 피처리 기판의 타측을 흡입 파지하여 이송하는 형태로 이송하는 것과 같이, 피처리 기판의 일측과 타측이 번갈아가면서 흡입 파지되어 이송됨에 따라, 피처리 기판의 위치 및 자세를 일단 1회만 셋팅하면, 그 다음부터의 피처리 기판은 일측과 타측이 번갈아가면서 흡입 파지된 상태로 이송되어 피처리 기판의 위치 및 자세가 정해진 상태로 유지되므로, 피처리 기판을 1회 정렬시키면, 그 다음부터는 각 처리 유닛에서의 처리 공정을 위하여 정렬 공정을 매번 하지 않더라도 정해진 자세와 위치를 유지하므로, 정렬 공정에 소요되는 시간을 단축하여 보다 높은 공정 효율을 달성할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The present invention is characterized in that, in each of a plurality of processing units carried by a substrate to be processed, one substrate to be processed sequentially passes through the respective processing steps, one side of the substrate to be processed, When one of the sides of the substrate to be processed is suction gripped and transported alternately such that the other substrate is transported in the form of suction grasping and transporting the other side of the substrate to be processed, When the position and attitude of the substrate to be processed are set only once, the substrate to be processed next is transferred in a state in which suction and holding are performed while alternately alternating one side and the other side, and the position and attitude of the substrate to be processed are maintained in a predetermined state. Once the process substrate is aligned, it is not necessary to perform the alignment process every time for the process steps in each processing unit It is possible to obtain a favorable effect of achieving higher process efficiency by shortening the time required for the alignment process because the predetermined attitude and position are maintained.

또한, 본 발명은, 피처리 기판의 일측과 타측을 번갈아가면서 흡입 파지하면서 이송함에 따라, 피처리 기판을 넘겨주고 받는데 소요되는 시간이 매우 짧은 시간 내에 행할 수 있게 되어, 기판 이송 효율을 향상시킬 수 있는 잇점을 얻을 수 있다. In addition, according to the present invention, as one side and the other side of a substrate to be processed are alternately transported while gripping and grasping, the time required for transferring the substrate to be processed can be shortened within a very short time, You can get an advantage.

그리고, 본 발명은, 가열 플레이트로부터 복사 열전달을 통해 피처리 기판의 약액을 건조시키는 과정에서, 가열 플레이트와 기판의 사이에 열전도 특성이 우수한 매개 플레이트를 개재시키는 것에 의하여, 가열 플레이트에서 열선이 배치된 영역과 열선이 배치되지 아니한 영역의 온도 차이에 따른 열전달 편차에도 불구하고, 매개 플레이트에 의하여 열분포가 균일하게 유도된 상태로 피처리 기판에 열이 전달됨으로써, 피처리 기판에 도포된 약액을 균일하게 열건조시켜 얼룩의 발생을 억제하는 효과를 얻을 수 있다.In the process of drying the chemical liquid of the substrate to be treated through the radiating heat transfer from the heating plate, an intermediate plate having excellent heat conduction characteristics is interposed between the heating plate and the substrate, Heat is transferred to the target substrate in a state in which heat distribution is uniformly induced by the intermediate plate despite the heat transfer deviation due to the temperature difference between the region and the region where the heat line is not disposed, It is possible to obtain an effect of suppressing the generation of stains by heat drying.

도1a 및 도1b는 종래의 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도1c는 종래의 기판 처리 장치를 개선한 구성을 도시한 도면,
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면,
도3은 도2의 세정 유닛의 일례를 도시한 도면,
도4는 도2의 약액도포유닛의 일례를 도시한 도면,
도5는 도2의 가열건조유닛의 일례를 도시한 도면,
도6은 도2의 절단선 Ⅵ-Ⅵ에 따른 단면도,
도7a 내지 도7c는 도5의 제1가열영역의 상세 구성을 도시한 도면이다.Figs. 1A and 1B are views showing the configuration of a conventional substrate processing apparatus,
FIG. 1C is a view showing a configuration in which a conventional substrate processing apparatus is improved,
2 is a view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention,
Fig. 3 is a view showing an example of the cleaning unit of Fig. 2,
Fig. 4 is a view showing an example of the chemical liquid application unit of Fig. 2,
Fig. 5 is a view showing an example of the heat drying unit of Fig. 2,
6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in Fig. 2,
7A to 7C are diagrams showing the detailed configuration of the first heating zone in Fig.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)를 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 9 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)는, 피처리 기판(G)에 대하여 다수의 처리 공정이 행해지는 처리 유닛(U9, U1, U3; U)과, 다수의 처리 유닛(U9, U1, U3)에서 피처리 기판(G)에 부상력을 인가하여 피처리 기판(G)의 일측을 파지하더라도 피처리 기판(G)을 수평 상태로 유지시키는 부상 스테이지(1000, 2000)와, 부상 스테이지(1000, 2000)의 양측을 따라 배열된 이송 레일(R1, R2)과, 이송 레일(R1, R2)을 따라 이동하면서 피처리 기판(G)을 이송하는 파지부재(H9, H1, H3)으로 구성된다. 2, a substrate processing apparatus 9 according to an embodiment of the present invention includes a processing unit U9, U1, U3, U which performs a plurality of processing steps on a substrate G to be processed, And a floating state in which the target substrate G is held in a horizontal state even if one side of the target substrate G is grasped by applying a levitation force to the target substrate G in the plurality of processing units U9, U1, Conveying rails R1 and R2 arranged along both sides of the floatation stages 1000 and 2000 and conveying the target substrate G while moving along the conveying rails R1 and R2 And gripping members H9, H1 and H3.

상기 처리 유닛(U)은 디스플레이 장치를 제조하기 위한 패널을 형성하는 공정으로, 피처리 기판(G)의 세정 공정, 약액 도포 공정, 건조 공정, 노광 공정, 현상 공정, 검사 공정, 오븐에 의한 경화 공정 등을 포함하여 이루어질 수 있다. 도면에 도시된 실시예에서는 제9처리유닛(U9)에서 세정공정이 행해지는 세정 유닛이고, 제1처리유닛(U1)에서 약액 도포 공정이 행해지는 약액 도포 유닛이고, 제3처리유닛(U3)에서는 가열 건조 공정이 행해지는 가열 건조 유닛인 구성으로 설명한다.The processing unit U is a step of forming a panel for manufacturing a display device and includes a cleaning process of a substrate G, a chemical solution coating process, a drying process, an exposure process, a development process, an inspection process, Process, and the like. In the embodiment shown in the drawings, the chemical solution applying unit is a cleaning unit that performs the cleaning process in the ninth processing unit U9, and the chemical solution applying unit performs the chemical solution applying process in the first processing unit U1. A heating and drying unit in which a heating and drying step is performed will be described.

상기 처리 유닛(U) 중에 제9처리 공정으로서 세정 공정이 행해지는 제9처리유닛(U9)은 도3에 도시된 바와 같이, 디스플레이 장치를 제조하기 위한 피처리 기판(G)이 공급되면, 세정액 노즐(900)로부터 세정액(900a)이 고압 분사되면서, 처리 공정이 행해지는 피처리 기판(G)의 표면을 세정한다. 세정 공정이 행해진 피처리 기판(G)은 이송 롤러(910)의 회전에 의하여 부상 스테이지(1000)의 상측으로 이송된다. 도2에 도시된 바와 같이, 제9파지부재(H9)에 파지되기 이전에, 세정 유닛(U9)에서는 'ㄱ'자 형태로 형성된 정렬 부재(920)를 피처리 기판(G)을 향하여 이동(920d)시켜 피처리 기판(G)의 자세 및 위치를 정해진 자세와 위치로 정렬시킨다. 그리고 나서, 제9파지부재(H9)이 피처리 기판(G)을 파지하여 이송(99)한다. As shown in FIG. 3, the ninth processing unit U9, which performs the cleaning process as the ninth processing step in the processing unit U, is supplied with the cleaning liquid The surface of the substrate G to be processed is cleaned while the cleaning liquid 900a is jetted from the nozzle 900 under high pressure. The substrate G subjected to the cleaning process is transferred to the upper side of the floating stage 1000 by the rotation of the conveying roller 910. As shown in FIG. 2, before the wafer W is gripped by the ninth holding member H9, the aligning member 920 formed in the 'A' shape is moved (moved) toward the substrate G in the cleaning unit U9 920d to align the posture and position of the target substrate G to the determined posture and position. Then, the ninth holding member H9 grasps and transfers the substrate G to be processed (step 99).

상기 처리 유닛(U) 중에 약액도포공정으로서 약액 도포 공정이 행해지는 약액도포유닛(U1)은, 도4에 도시된 바와 같이 제1파지부재(H1)에 의하여 이송되는 피처리 기판(G)의 표면에 약액 노즐(100)로부터 약액(PR)이 토출되어, 피처리 기판(G)의 정해진 영역에 약액(PR)이 도포되게 한다. 여기서, 약액이 도포되는 영역은 피처리 기판(G)의 전체 표면일 수도 있고, 다수의 셀 영역으로 분할된 부분일 수도 있다. The chemical solution applying unit U1 in which the chemical solution applying process is performed as the chemical solution applying process in the processing unit U is not limited to the chemical solution applying unit U1, The chemical liquid PR is discharged from the chemical liquid nozzle 100 onto the surface so that the chemical liquid PR is applied to the predetermined region of the substrate G to be processed. Here, the region to which the chemical liquid is applied may be the entire surface of the substrate G, or may be a portion divided into a plurality of cell regions.

약액도포유닛(U1)은 제9처리유닛(U9)으로부터 전달받은 피처리 기판(G)을 제1파지부재(H1)에 의하여 제2이송레일(R2)을 따라 이동시키면서, 피처리 기판(G)이 약액 노즐(100)의 하측을 통과할 때에, 피처리 기판(G)의 표면에 약액(PR)이 도포된다. 여기서, 피처리 기판(G)이 약액 노즐(100)로부터 약액(PR)이 도포되는 동안에는 피처리 기판(G)의 부상 높이를 정교하게 제어할 필요가 있으므로, 약액 도포 영역(CA)에서는 보다 정교하게 부상력이 조절된다. 이를 위하여, 약액 도포 영역(CA)에서의 제1부상스테이지(1000)는 초음파에 의하여 가진되는 진동판의 크기가 다른 영역에 비하여 보다 작게 형성되어, 정교한 진동 제어가 행해진다. 필요에 따라 부상 스테이지(1000)가 에어 분사 방식으로 형성되는 경우에는 약액 도포 영역(CA)에서 에어 분사공의 간격이 보다 조밀하게배치된다. The chemical liquid application unit U1 transfers the substrate G from the ninth processing unit U9 to the target substrate G while moving the substrate G along the second transfer rail R2 by the first holding member H1 ), The chemical liquid PR is applied to the surface of the substrate G to be processed when it passes under the chemical liquid nozzle 100. It is necessary to precisely control the lifting height of the target substrate G while the target substrate G is coated with the chemical liquid PR from the chemical liquid nozzle 100. Therefore, in the chemical liquid applying region CA, The flotation force is controlled. To this end, the size of the diaphragm excited by the ultrasonic waves in the first floating stage 1000 in the chemical liquid application region CA is formed smaller than that in the other regions, and precise vibration control is performed. In the case where the floating stage 1000 is formed by an air spraying method as required, the intervals of the air injection holes in the chemical solution application area CA are arranged more densely.

여기서, 약액 노즐(100)은 약액 도포 공정 중에 필요에 따라 제1부상 스테이지(1000)를 따라 이동시키는 이송 유닛(120)을 연결하는 크로스 바(110)에 위치 고정되어, 하나의 위치에서 부상된 상태로 이동 중이 피처리 기판(G)의 표면에 약액(PR)을 도포한다. Here, the chemical liquid nozzle 100 is fixed to the cross bar 110 connecting the transfer unit 120 that moves along the first float stage 1000 as needed during the chemical liquid application process, The chemical solution PR is applied to the surface of the substrate G to be processed.

상기 처리 유닛(U) 중에 가열건조공정이 행해지는 가열건조유닛(U3)은, 약액 도포 유닛(U1)에서 피처리 기판(G)의 표면에 도포된 약액을 가열하여 건조시킨다. 이를 위하여, 제3파지부재(H3)는 가열 영역(U31, U32, U33,...)로 진입하기 이전에 약액 도포 공정 중에 피처리 기판(G)을 이송시켰던 제1파지부재(H1)로부터 피처리 기판(G)을 넘겨받고, 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)으로 진입하여 피처리 기판(G)의 약액(PR)이 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)에서 가열 온도가 점진적으로 높여지면서 단계적으로 가열 건조되도록 한다. The heat drying unit U3 in which the heating and drying process is performed in the processing unit U heats the chemical liquid applied to the surface of the substrate G in the chemical liquid application unit U1 and dries the chemical liquid. To this end, the third gripping member H3 is moved from the first gripping member H1 which has transported the substrate G during the chemical solution applying process before entering the heating zones U31, U32, U33, ... U32 and U33 and the chemical liquid PR of the target substrate G is heated at the respective heating zones U31, U32 and U33 in the heating zones U31, U32 and U33, Is gradually heated to be gradually heated and dried.

그리고, 제3파지부재(H3)는 하나의 파지 부재가 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)을 순차적으로 통과하도록 작동할 수도 있지만, 제3파지부재(H3)는 다수의 파지부재(H3-1, H3-2, H3-3)으로 구성되어 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)을 통과할 때마다 서로 다른 파지 부재로 번갈아가면서 피처리 기판(G)을 파지하여 이송(92, 93, 94)할 수도 있다. 이와 같이, 서로 다른 다수의 파지 부재(H3-1, H3-2, H3-3)가 번갈아가면서 피처리 기판(G)을 파지하여 이송함으로써, 짧은 시간 간격으로 가열 건조 유닛(U3)으로 유입되는 피처리 기판(G)에 대하여 쉼없이 가열 건조 공정을 행할 수 있다.The third grasping member H3 may operate so that one grasping member sequentially passes through the plurality of heating regions U31, U32 and U33, but the third grasping member H3 includes a plurality of grasping members H3 U3, and U33, the substrate G is gripped while being alternately moved to different gripping members to be transported (92, 93, 94). As described above, the plurality of gripping members H3-1, H3-2, and H3-3, which are different from each other, are gripped and transferred to the target substrate G so that they flow into the heat drying unit U3 at short time intervals The heating and drying process can be performed on the substrate G without interruption.

무엇보다도, 가열 건조 유닛(U3)은 피처리 기판(U의 진행 경로를 따라 가열 온도를 점진적으로 상승시키는 형태로 배치됨으로써, 피처리 기판에 도포된 약액에 함유된 솔벤트 성분을 점진적으로 약액으로부터 증발시키면서 건조시킬 수 있으므로, 약액 내에 함유된 솔벤트 성분이 급작스럽게 건조되면서 약액의 유동에 의한 얼룩이 생기는 문제를 해결할 수 있다. Above all, the heat drying unit U3 is arranged so as to gradually increase the heating temperature along the course of the substrate U to be processed, thereby gradually evaporating the solvent component contained in the chemical solution applied to the substrate to be processed from the chemical solution It is possible to solve the problem that the solvent component contained in the chemical liquid is suddenly dried and the unevenness due to the flow of the chemical liquid occurs.

따라서, 가열 건조 유닛(U3)이 도면에 예시된 바와 같이 3개 이상 단계적으로 가열 온도를 높여가면서 피처리 기판(G)의 약액을 가열 건조시키는 것에 의하여, 종래에 약액 내의 솔벤트를 일부 제거하기 위하여 진공 상태에서 건조시키는 진공 감압 건조 공정을 대체할 수 있게 된다. 이를 통해, 밀폐된 챔버 내에서 대기압보다 낮은 상태로 건조하여 약액 내의 솔벤트의 일부를 제거하는 공정을 배제할 수 있게 되므로, 밀폐 챔버에 피처리 기판을 위치시키기 위한 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Therefore, by heating and drying the chemical solution of the substrate G while the heating and drying unit U3 increases the heating temperature by three or more steps as illustrated in the figure, conventionally, in order to partially remove the solvent in the chemical solution It is possible to replace the vacuum vacuum drying step of drying in a vacuum state. As a result, it is possible to eliminate the process of removing a portion of the solvent in the chemical liquid by drying in a state of being lower than atmospheric pressure in the closed chamber, so that the robot arm and the lift pin for positioning the substrate to be processed in the closed chamber can be removed In addition, since the substrate is transferred to the heat drying unit in a floating state immediately after the chemical liquid is applied to the surface of the substrate in a floating state, the transfer efficiency of the substrate to be processed is increased and the time required for the entire process is shortened Effect can be obtained.

여기서, 가열 건조 유닛(U3)은 피처리 기판(G)을 가열하는 가열 플레이트(301, 302, 303)가 피처리 기판(G)의 이송 경로를 따라 다수 배치되어 있되, 서로 다른 가열 영역(U31, U32, U33)마다 배치된 가열 플레이트(301, 302, 303)는 서로 다른 온도로 조절될 수 있다. The heating and drying unit U3 is provided with a plurality of heating plates 301, 302 and 303 for heating the target substrate G along the conveying path of the target substrate G, , U32, and U33 may be adjusted to different temperatures.

그리고, 피처리 기판(G)은 가열 건조 유닛(U3)의 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)을 정지하지 않고 천천히 이동하면서 가열 플레이트(301, 302, 303)로부터 복사 열전달에 의해 점진적으로 높아지는 가열 온도로 가열될 수도 있다. 보다 바람직한 실시 형태에 따르면, 피처리 기판(G)은 서로 다른 가열 영역(U31, U32, U33)에서 조절되는 가열 온도에 따라 정지된 상태로 일정한 가열 온도로 정해진 시간 동안 가열될 수 있다. The target substrate G is gradually moved from the heating plates 301, 302, and 303 to the heating plates U3, U32, and U33 without stopping the heating regions U31, U32, It may be heated to an elevated heating temperature. According to a more preferred embodiment, the substrate G to be processed can be heated for a predetermined time at a constant heating temperature in a stationary state according to heating temperatures adjusted in different heating zones U31, U32, U33.

여기서, 피처리 기판(G)이 가장 먼저 가열건조되는 제1가열영역(U31)의 가열 플레이트(301)의 온도에 비하여, 그 다음에 가열 건조되는 제2가열영역(U32)의 가열 플레이트(302)의 온도가 더 높게 정해지며, 그 다음에 가열 건조되는 제3가열영역(U33)의 가열 플레이트(303)의 온도가 더 높게 정해진다. 예를 들어, 약액 도포 유닛(U1)에서 약액 도포 공정이 행해진 다음에 처음 가열되는 제1가열 영역(U31)에서는 약액 내의 솔벤트를 5% 내지 30% 제거하는 온도와 시간으로 정해진다. 예를 들어, 제1가열영역(U31)의 가열 온도는 40℃ 내지 70℃로 정해지며, 가열 시간은 20초 내지 70초로 정해질 수 있다. 그리고, 제1가열영역 이후에 가열 건조되는 제2가열영역(U32)과 제3가열영역(U33)의 가열 온도는 각각 60℃~85℃, 70℃~105℃ 등으로 정해지며, 가열 시간은 제1가열영역(U31)에서의 가열 시간과 10초 내외의 적은 시간 차이 또는 동일한 가열 시간으로 정해질 수 있다. Here, the temperature of the heating plate 301 of the second heating zone U32, which is then heated and dried, is lower than the temperature of the heating plate 301 of the first heating zone U31, Is set higher, and the temperature of the heating plate 303 of the third heating zone U33, which is then heated and dried, is determined to be higher. For example, in the first heating zone U31, which is heated first after the chemical solution application process is performed in the chemical solution application unit U1, the temperature and time for removing 5% to 30% of the solvent in the chemical solution are set. For example, the heating temperature of the first heating zone U31 is set at 40 to 70 DEG C, and the heating time may be set to 20 to 70 seconds. The heating temperatures of the second heating zone U32 and the third heating zone U33, which are heated and dried after the first heating zone, are set at 60 ° C to 85 ° C and 70 ° C to 105 ° C, respectively, The heating time in the first heating zone U31 may be set to a small time difference of about 10 seconds or the same heating time.

이 때, 각각의 가열영역에서 조절되는 가열 온도는 일정하게 유지되어야 약액이 전체적으로 균일하게 가열될 수 있다. 그런데, 가열 영역(U31, U32, U33)의 경계에서는 인접한 가열 영역으로부터 열이 전달되므로, 가열 영역(U31, U32, U33)의 가장자리에 위치한 가열 플레이트에서는 인접한 가열 영역으로부터 전달되는 열을 상쇄시키는 열 조절이 필요하다. At this time, the heating temperature adjusted in each heating zone must be kept constant so that the chemical solution can be uniformly heated as a whole. Since the heat is transmitted from the adjacent heating regions at the boundaries of the heating regions U31, U32, and U33, the heat plate that is located at the edge of the heating regions U31, U32, Need adjustment.

이를 위하여, 도7a를 참조하면, 제1가열영역(U31)에는 다수의 가열 플레이트(311, 312, 313, 314, 315, 316)가 배치되어 있고, 제1가열영역(U31)의 가열 온도를 50℃로 유지하고자 하는 경우에는, 피처리 기판(G)이 유입되는 입구측에 배치된 가열 플레이트(311, 312)는 외기에 열손실이 발생되므로 중앙부의 가열 플레이트(313, 314)에 비하여 보다 높은 온도(예를 들어, 53℃ 내지 57℃)로 조절되고, 피처리 기판(G)이 배출되는 출구측에 배치되는 가열 플레이트(315, 316)은 제2가열영역(U32)으로부터 열이 전달되므로 중앙부의 가열 플레이트(313, 314)에 비하여 보다 낮은 온도(예를 들어, 43℃ 내지 46℃)로 조절될 수 있다. 여기서, 가열하고자 하는 온도에 비하여 입구측과 출구측의 가열 플레이트의 온도의 차이는 가열 영역의 단열 성능에 따라 다르게 정해진다. 이를 통해, 제1가열영역(U31)에 위치한 피처리 기판(G)에 도달하는 열전달양은 전체적으로 균일해지므로, 피처리 기판(G)에 도포된 약액이 균일하게 가열 건조될 수 있게 된다. Referring to FIG. 7A, a plurality of heating plates 311, 312, 313, 314, 315 and 316 are disposed in the first heating zone U31 and the heating temperature of the first heating zone U31 is set to The heating plates 311 and 312 disposed at the inlet side to which the target substrate G is introduced generate heat loss in the outside air so that the heating plates 311 and 312 are located closer to the heating plates 313 and 314 The heating plates 315 and 316 arranged at the outlet side where the substrate to be processed G is discharged are adjusted to a high temperature (for example, 53 to 57 ° C) and heat is transferred from the second heating zone U32 (For example, 43 DEG C to 46 DEG C) as compared with the heating plates 313 and 314 at the central portion. Here, the temperature difference between the inlet and outlet heat plates is different from the temperature to be heated depending on the heat insulating performance of the heating area. As a result, the amount of heat transferred to the target substrate G located in the first heating area U31 becomes uniform as a whole, so that the chemical liquid applied to the target substrate G can be uniformly heated and dried.

이와 같은 구성은 제2가열영역(U32) 및 제3가열영역(U33)에 대해서도 동일하거나 유사하게 적용될 수 있다. Such a configuration can be applied to the second heating region U32 and the third heating region U33 in the same or similar manner.

한편, 가열 건조 유닛(U3)을 구성하는 다수의 가열 영역(U31, U32, U33)은 상호간의 열전달에 의한 온도 편차를 줄이기 위하여, 각 가열 영역의 사이에는 열전달을 억제하는 열차단막(399)이 형성될 수 있다. On the other hand, a plurality of heating zones U31, U32, U33 constituting the heat drying unit U3 are provided with a heat shield film 399 for suppressing heat transfer between the respective heating zones in order to reduce the temperature deviation due to mutual heat transfer .

예를 들어, 열차단막(399)은 에어 커튼에 의해 형성될 수 있다. 이 때, 에어 커튼에 의하여 가열 영역(U31, U32, U33)에서의 공기 유동이 발생되는 것이 정교하게 억제되어야 하므로, 에어의 분사 방향은 상측에서 하측으로 불어주는 것을 지양하고, 일측에서 타측으로 불어주거나 하측에서 상측으로 고압의 에어를 불어주는 것에 에어 커튼을 형성하는 것이 좋다. For example, the trailer membrane 399 may be formed by an air curtain. At this time, since the air curtain is required to precisely suppress air flow in the heating areas U31, U32, and U33, the air is prevented from blowing from the upper side to the lower side, It is preferable to form an air curtain for blowing high-pressure air from the lower side to the upper side.

또는, 열차단막(399)은 단열 성능이 우수한 미닫이 도어로 형성되어, 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)에서 가열 건조 공정이 행해지고 있는 동안에는 열차단막이 닫힌 상태로 유지되어 상호간의 열교환을 차단하고, 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)에서 가열 건조 공정이 종료되어 그 다음 공정으로 피처리 기판(G)을 이송할 때에만 미닫이 도어가 개방되도록 작동할 수 있다.Alternatively, the heat insulating film 399 is formed of a sliding door having excellent heat insulating performance. While the heating and drying process is performed in the respective heating areas U31, U32, and U33, the heat insulating film is maintained in a closed state, And can be operated so that the sliding door is opened only when the heating and drying process in each of the heating zones U31, U32, and U33 is completed and the substrate G is transferred to the next process.

그 밖에, 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)의 사이에는 열차단막(399)은 공지된 다양한 재료와 수단에 의하여 2개의 공간을 수평 방향으로 열차단시키는 다양한 구성으로 이루어질 수 있다.In addition, the heat insulating film 399 between the respective heating areas U31, U32, and U33 may have various configurations for horizontally heat-shielding two spaces by various known materials and means.

이와 같이, 단계적으로 피처리 기판(G)의 약액을 가열 건조시키는 각각의 가열 영역(U31, U32, U33)의 사이에는 열차단막(399)이 구비됨으로써, 가열 영역(U31, U32, U33)들의 경계 부분에서 가열 편차가 생겨 약액이 불균일하게 건조되면서 얼룩이 발생되는 것을 억제할 수 있다.As described above, since the heat insulating film 399 is provided between the heating regions U31, U32, and U33 for heating the chemical liquid of the substrate G in a stepwise manner, the heat of the heating regions U31, U32, It is possible to suppress the occurrence of unevenness as the chemical liquid is unevenly dried due to a heating deviation at the boundary portion.

한편, 가열 플레이트(301, 302, 303)로부터 피처리 기판(G)에 복사 열전달에 의하여 가열하는 경우에는, 주로 가열 플레이트(301, 302, 303)에 열선이 배치된 구성에 의해 이루어진다. 그러나, 가열 플레이트(301, 302, 303)에 배치된 열선은 플레이트 전체 표면에 균일하게 배치되지 아니하므로, 열선이 배치된 영역으로부터 복사 열전달양과 열선이 배치되지 아니한 영역으로부터의 복사 열전달양의 편차가 생기게 된다. On the other hand, when heating is performed from the heating plates 301, 302, 303 to the target substrate G by radiative heat transfer, the heating lines 301, 302, However, since the heat lines arranged on the heating plates 301, 302, and 303 are not uniformly arranged on the entire surface of the plate, the amount of radiant heat transfer from the region where the heat rays are arranged and the deviation of the amount of radiant heat transfer from the region where the heat rays are not disposed .

따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 도7b에 도시된 바와 같이, 열선이 표면에 배치되어 있는 가열 플레이트(311-316)와 피처리 기판(G)의 사이에 열전도율이 우수한 매개 플레이트(320)이 개재될 수 있다. 예를 들어, 매개 플레이트는 구리판이나 알루미늄 판으로 형성될 수 있다. 그리고, 매개 플레이트와 가열 플레이트(311-316)의 이격거리는 1mm 내지 100mm로 다양하게 정해질 수 있다. 바람직하게는, 가열 플레이트(311-316)의 열선의 분포가 균일한 경우에는 이격 거리는 1mm 내지 10mm로 작게 정해질 수 있으며, 가열 플레이트(311-316)의 열선 분포가 치우친 경우에는 이격 거리는 10mm 내지 100mm로 크게 정해진다. 경우에 따라서는, 가열 플레이트(311-316)와 매개 플레이트(320)는 접촉된 상태로 배치될 수도 있지만, 이 경우는 열선의 분포가 매우 조밀하고 균일하게 분포된 경우에 적용될 수 있다. 7B, between the heating plate 311-316 on which the heating wire is disposed and the substrate to be processed G, an intermediate plate 320 having excellent thermal conductivity is provided between the heating plate 311-316 and the substrate to be processed G, ) Can be interposed. For example, the intermediate plate may be formed of a copper plate or an aluminum plate. The separation distance between the intermediate plate and the heating plates 311-316 can be variously determined from 1 mm to 100 mm. Preferably, when the distribution of the heat lines of the heating plates 311-316 is uniform, the spacing distance may be set to a small value of 1 mm to 10 mm. When the distribution of the heat lines of the heating plates 311-316 is deviated, 100 mm. In some cases, the heating plates 311-316 and the intermediate plate 320 may be disposed in contact with each other, but this case can be applied to a case where the distribution of heat rays is very dense and uniformly distributed.

이에 따라, 가열 플레이트(311-316)의 열선이 배치된 영역과 열선이 배치되지 않은 영역에서 복사 열전달된 열은 전도율이 우수한 재질의 매개 플레이트에서 열이 골고루 확산되면서, 피처리 기판에는 열전달양(Hav)이 균일해지므로, 피처리 기판(G)의 약액은 전체적으로 균일하게 열건조되는 효과를 얻을 수 있다.As a result, the heat radiated from the regions where the heat lines of the heating plates 311-316 are arranged and the region where the heat lines are not arranged diffuses uniformly in the intermediate plate having a high conductivity, Hav is uniform, the chemical solution of the substrate G can be uniformly and thermally dried as a whole.

한편, 도7a 및 도7b에 도시된 바와 같이 가열 플레이트(311-316)는 피처리 기판(G)의 상측에 위치할 수도 있지만, 도7c에 도시된 바와 같이 가열 플레이트(311-316)는 기판(G)의 하측에 위치할 수도 있다. 이를 통해, 피처리 기판(G)에 도포된 약액의 하측부터 가열할 수 있으므로, 약액의 바닥에 위치한 솔벤트를 먼저 가열하여 배출시킬 수 있게 된다. 7A and 7B, the heating plates 311-316 may be located on the upper side of the target substrate G. However, as shown in FIG. 7C, Or may be located on the lower side of the gap G as shown in Fig. As a result, since the solvent can be heated from the lower side of the chemical liquid applied to the substrate G, the solvent located at the bottom of the chemical liquid can be heated and discharged first.

가열 플레이트(311-316)가 기판(G)의 하측에 위치하는 경우에는 초음파 가진부(V)가 열에 의하여 예정된 성능이 발휘되지 않을 수 있으므로, 가열 플레이트(311-316)는 초음파 진동판의 상면에 부착되거나 초음파 진동판과 일체로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 초음파 진동판에 대한 피처리 기판(G)의 부상높이는 매우 작으므로, 매개 플레이트가 가열 플레이트(311-316)와 일체로 설치할 수도 있다.When the heating plates 311-316 are located on the lower side of the substrate G, the ultrasonic vibrator V may not exhibit the predetermined performance due to heat. Therefore, the heating plates 311-316 are provided on the upper surface of the ultrasonic diaphragm Or formed integrally with the ultrasonic diaphragm. Since the floating height of the target substrate G with respect to the ultrasonic vibration plate is very small, the intermediate plate may be provided integrally with the heating plates 311-316.

이를 통해, 가열 플레이트(301, 302, 303)의 열선 위치에 따른 온도 구배가 줄어든 상태로 상기 피처리 기판을 가열할 수 있으므로, 가열 플레이트에 배치된 열선 배치에 따른 열전달양의 편차를 없애 얼룩의 발생을 제거할 수 있다.Accordingly, since the substrate to be processed can be heated in a state in which the temperature gradient according to the position of the heating line of the heating plates 301, 302, 303 is reduced, the deviation of the amount of heat transfer due to the arrangement of the heating lines arranged on the heating plate is eliminated, Generation can be eliminated.

상기 부상 스테이지(1000, 2000)는 도2에 도시된 바와 같이 피처리 기판(G)에 대한 여러 단계의 처리 공정이 행해지는 경로를 따라 길게 연장 형성된다. 도면에는, 부상 스테이지(1000, 2000)가 중간 중간에 끊어진 형태인 구성을 예로 들었지만, 부상 스테이지(1000)가 연속한 하나의 형태로 형성될 수 있다. 즉, 피처리 기판(G)이 파지부재(H)에 의하여 부상된 상태로 이송할 수 있을 정도로 부상력(88d)이 작용하면 충분하다. The lifting stages 1000 and 2000 are elongated along a path for performing various stages of processing for the substrate G as shown in FIG. Although the figure shows a configuration in which the floating stages 1000 and 2000 are cut off in the middle, the floating stage 1000 can be formed as a continuous one. That is, it is sufficient that the flotation force 88d acts on the substrate G to such an extent that the substrate G can be transported in a floating state by the gripping member H.

상기 이송 레일(R1, R2)은 부상 스테이지(1000)의 일측과 타측에 각각 길이 방향으로 연장 형성된다. 따라서, 처리 유닛(U)이 직선 형태로 배열된 경우에는 이송 레일(R1, R2)도 직선 형태로 배열되며, 처리 유닛(U)이 곡선 형태나 꺾인선 형태로 배열된 경우에는 이송 레일(R1, R2)도 곡선 형태나 꺾인선 형태로 배열된다.The feed rails R1 and R2 extend in the longitudinal direction on one side and the other side of the lifting stage 1000, respectively. Therefore, when the processing units U are arranged in a straight line, the feed rails R1 and R2 are also arranged in a straight line. When the processing units U are arranged in a curved line or a broken line, , R2) are arranged in a curved line or a broken line.

상기 파지 부재(H)는 피처리 기판(G)의 일측이나 양측의 저면에 흡입압을 인가하여, 피처리 기판(G)을 흡입 파지한 상태로 이송 레일(R1, R2)을 따라 이동하는 것에 의하여 피처리 기판(G)을 이송한다. 파지 부재(H)는 공지된 다양한 형태로 이동 구동될 수 있지만, 이송 레일(R1, R2)은 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, 파지 부재(H1)코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다. The grasping member H moves along the feed rails R1 and R2 in a state in which the suction pressure is applied to one side or both sides of the target substrate G to suck and hold the target substrate G Thereby transferring the substrate G to be processed. Although the gripping members H can be moved and driven in various known ways, the feed rails R1 and R2 are arranged such that the permanent magnets of the N pole and the S pole are alternately arranged, and the current control Can be driven by the principle of a linear motor capable of precise position control by the linear motor.

파지 부재(H)은 부상 스테이지(1000)의 부상력(88d)에 의하여 부상된 피처리 기판(G)의 일측과 타측을 교대로 흡입(Hx) 파지하면서 이송되어, 피처리 기판(G)이 부상 스테이지(1000)을 따라 이동하는 것이 바람직하다. The gripping members H are transferred while gripping one side and the other side of the target substrate G floated by the lifting force 88d of the lifting stage 1000 while suctioning (Hx) alternately, It is preferable to move along the floating stage 1000.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)의 작동 원리를 상술한다.Hereinafter, the operation principle of the substrate processing apparatus 9 according to the embodiment of the present invention will be described in detail.

단계 1: 먼저, 세정 유닛(U9)으로 피처리 기판(G)이 공급되면, 피처리 기판(G)의 표면에 세정기(900)로부터 고압의 세정액(900a)이 분사되면서, 피처리 기판(G)의 표면에 잔류하는 이물질을 제거한다. Step 1 : Firstly, when the substrate G is supplied to the cleaning unit U9, a high-pressure cleaning liquid 900a is sprayed from the cleaner 900 to the surface of the substrate G, ) Is removed.

그리고, 도3에 도시된 바와 같이, 피처리 기판(G)을 지지하는 다수의 롤러(910)가 회전(910a)하면서 피처리 기판(G)을 전진시킨다. 피처리 기판(G)이 제9파지부재(H9)에 파지되기 이전에, 'ㄱ'자 형태의 정렬 기구(920)가 대각선 방향(920a)으로 접근하면서, 피처리 기판(G)의 위치 및 자세를 정해진 위치 및 자세로 정렬시킨다. 3, a plurality of rollers 910 for supporting the target substrate G rotate 910a to move the target substrate G forward. The aligning mechanism 920 in the shape of a letter is approaching in the diagonal direction 920a before the substrate G is gripped by the ninth holding member H9, Align the posture to the specified position and posture.

그리고 나서, 제9파지부재(H9)에 흡입압이 인가되면서 피처리 기판(G)의 타측 저면을 흡입 파지한다. 이 때, 피처리 기판(G)의 저면은 부상 스테이지(1000)의 부상력(88d)에 의하여 지지되므로, 피처리 기판(G)의 일측이 하측으로 휘는 변형이 발생되지 않는다. Then, while the suction pressure is applied to the ninth gripping member H9, the other bottom surface of the target substrate G is sucked and held. At this time, the bottom surface of the target substrate G is supported by the lifting force 88d of the lifting stage 1000, so that one side of the target substrate G is not deformed downward.

단계 2: 그리고 나서, 제9파지부재(H9)는 피처리 기판(G)과 함께 제1이송레일(R1)을 따라 이송(99)되어 약액도포유닛인 약액도포유닛(U1)의 입구에 도달한다. 이 때, 제1파지부재(H1)은 제9파지부재(H9)으로부터 피처리 기판(G)을 전달받아 흡입 파지한다. Step 2 : The ninth holding member H9 is then conveyed along the first conveying rail R1 together with the substrate to be processed G to reach the entrance of the chemical solution applying unit U1 as the chemical solution applying unit do. At this time, the first gripping member H1 receives the substrate G from the ninth gripping member H9 and sucks it.

보다 구체적으로는, 제9파지부재(H9)은 X9로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되고, 제1파지부재(H1)은 X1으로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되며, 이들의 중복 영역(Xo)이 설정된다. 따라서, 제9파지부재(H9)이 중복 영역(Xo)까지 피처리 기판(G)의 타측을 파지한 상태로 이송하면, 중복 영역(Xo)에서 제1파지부재(H1)이 피처리 기판(G)의 일측을 파지하면서 제9파지부재(H9)이 피처리기판(G)의 타측에 인가하였던 흡입압을 제거한다. 이에 의하여, 중복 영역(Xo)에서 제9파지부재(H9)으로부터 제1파지부재(H1)으로 피처리 기판(G)을 전달하게 된다. More specifically, the ninth gripping member H9 is set to reciprocate in an area indicated by X9, and the first gripping member H1 is set to reciprocate in an area indicated by X1, Is set. Therefore, when the ninth holding member H9 is transferred to the overlapped region Xo while grasping the other side of the substrate G to be processed, the first holding member H1 is held in the overlapping region Xo, G while gripping one side of the target holding member H9 to remove the suction pressure applied to the other side of the target substrate G. [ Thus, the substrate G is transferred from the ninth holding member H9 to the first holding member H1 in the overlapping area Xo.

이와 같이, 피처리 기판의 위치 및 자세를 제9처리유닛(U9)에서 정렬 기구(920)에 의하여 일단 1회만 셋팅하면, 그 다음부터는 피처리 기판(G)의 자세가 흡입 파지되는 기판이송기구(U)에 의하여 정해진 상태로 유지되므로, 각 처리 유닛(U)에서의 처리 공정을 위하여 정렬 공정을 매번 하지 않더라도 정해진 자세와 위치를 유지하여, 정렬 공정에 소요되는 시간을 단축하여 보다 높은 공정 효율을 달성할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.When the position and posture of the substrate to be processed is set once by the alignment mechanism 920 in the ninth processing unit U9 as described above, (U), it is possible to maintain the predetermined attitude and position without performing the aligning process for each processing unit U, thereby shortening the time required for the aligning process, It is possible to obtain an advantageous effect.

그 다음, 제1파지부재(H1)은 제2이송레일(R2)을 따라 이동(91)하면서, 도4에 도시된 바와 같이, 약액 노즐(100)로부터 피처리 기판(G)의 표면에 약액(PR)이 도포되도록 한다. 4, the first gripping member H1 moves from the chemical liquid nozzle 100 to the surface of the target substrate G while moving along the second transfer rail R2, (PR) is applied.

단계 3: 그리고 나서, 제1파지부재(H1)은 피처리 기판(G)과 함께 제2이송레일(R2)을 따라 이송(91)되어 약액도포유닛(U1)과 가열건조유닛(U3)의 사이 영역에 도달한다. 이 때, 제3-1파지부재(H3-1)은 제1파지부재(H1)으로부터 피처리 기판(G)을 전달받아 흡입 파지한다. Step 3 : The first holding member H1 is then transferred 91 along the second transferring rail R2 together with the substrate to be processed G to transfer the chemical solution applying unit U1 and the heat drying unit U3 . At this time, the third-first holding member H3-1 receives the substrate G from the first holding member H1 and sucks it.

보다 구체적으로는, 제1파지부재(H1)은 X1로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되고, 제3-1파지부재(H3-1)은 X2으로 표시된 영역을 왕복 이동하게 설정되며, 이들의 중복 영역(Xo)이 설정된다. 따라서, 제1파지부재(H1)이 중복 영역(Xo)까지 피처리 기판(G)의 일측을 파지한 상태로 이송하면, 도6에 도시된 바와 같이 중복 영역(Xo)에서 제3-1파지부재(H3-1)이 피처리 기판(G)의 타측 저면을 흡입 파지하며, 그 이후에 제1파지부재(H1)이 피처리기판(G)의 일측에 인가하였던 흡입압을 제거한다. 이에 의하여, 중복 영역(Xo)에서 제1파지부재(H1)으로부터 제3-1파지부재(H3)으로 피처리 기판(G)을 전달하게 된다. More specifically, the first grasping member H1 is set to reciprocate in an area indicated by X1, and the 3-1 grasping member H3-1 is set to reciprocate in an area indicated by X2, The area Xo is set. 6, when the first gripping member H1 is transferred to the overlapped region Xo while gripping one side of the target substrate G, The member H3-1 sucks and holds the other bottom surface of the target substrate G and thereafter removes the suction pressure applied to one side of the target substrate G by the first holding member H1. Thus, the substrate G is transferred from the first holding member H1 to the third holding member H3 in the overlapping area Xo.

그 다음, 제3파지부재(H3-1, H3-2, H3-3; H3)에 의하여 피처리 기판(G)이 이동하면서 단계적으로 가열되어 약액을 가열 건조시킨다. Subsequently, the substrate G is heated by the third holding members H3-1, H3-2, H3-3, H3 step by step while the substrate G is moved to heat and dry the chemical liquid.

보다 구체적으로는, 먼저 제3-1파지부재(H3-1)는 제1이송레일(R1)을 따라 피처리 기판(G)과 함께 제1이송레일(R1)을 따라 이송(92)되어 가열건조유닛(U3)의 제1가열영역(U31)에서 낮은 온도(예를 들어, 50℃)로 약 45초동안 1차 가열된다. 이 과정에서 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)에 함유된 솔벤트의 20%정도가 증발되면서 배출된다. More specifically, the third-first holding member H3-1 is transferred along the first conveying rail R1 along the first conveying rail R1 together with the target substrate G, Is first heated for about 45 seconds at a low temperature (for example, 50 DEG C) in the first heating zone U31 of the drying unit U3. In this process, about 20% of the solvent contained in the chemical solution (PR) applied to the substrate (G) is evaporated and discharged.

그리고 나서, 제3-1파지부재(H3-1)는 제1이송레일(R1)을 따라 이동하여 제1가열영역(U31)과 제2가열영역(U32)의 사이에서, 제3-2파지부재(H3-2)가 이동하는 범위(X3)의 중복 영역(Xo)에서 피처리 기판(G)을 제3-2파지부재(H3-2)로 넘겨준다. 그리고, 제3-1파지부재(H3-1)는 다시 제1파지부재(H1)와의 중복 영역(Xo)으로 이동하여 약액 도포 공정을 마친 피처리 기판을 넘겨 받는다. Then, the third-first holding member H3-1 moves along the first conveying rail R1 and between the first heating zone U31 and the second heating zone U32, the third- The target substrate G is transferred to the third-second holding member H3-2 in the overlapping area Xo of the range X3 in which the member H3-2 moves. Then, the third-first holding member H3-1 moves again to the overlapped region Xo with the first holding member H1 and receives the substrate to be processed after the chemical solution applying process.

그 다음, 제3-2파지부재(H3-2)는 제2이송레일(R2)을 따라 이동하여 제2가열영역(U32)으로 피처리 기판(G)을 이송(93)한다. 그리고, 제2가열영역(U32)에서 정지된 상태로 제1가열영역(U31)에 비하여 높은 온도(예를 들어, 70℃)로 약 47초간 2차로 가열한다. 이 과정에서 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)에 함유된 솔벤트의 50%이상이 증발되면서 배출된다. Then, the third-second holding member H3-2 moves along the second transferring rail R2 to transfer (93) the substrate G to the second heating region U32. Then, in a stopped state in the second heating region U32, the substrate is heated at a higher temperature (for example, 70 DEG C) than the first heating region U31 for about 47 seconds. In this process, more than 50% of the solvent contained in the chemical solution (PR) applied to the substrate (G) is evaporated and discharged.

그리고 나서, 제3-2파지부재(H3-2)는 제2이송레일(R2)을 따라 이동하여 제2가열영역(U32)과 제3가열영역(U33)의 사이에서, 제3-3파지부재(H3-3)가 이동하는 범위(X4)의 중복 영역(Xo)에서 피처리 기판(G)을 제3-3파지부재(H3-3)로 넘겨준다. 그리고, 제3-2파지부재(H3-2)는 다시 제3-1파지부재(H3-1)와의 중복 영역(Xo)으로 이동하여 1차 가열 건조 공정을 마친 피처리 기판을 넘겨 받는다. Then, the third-second holding member H3-2 moves along the second conveying rail R2, and between the second heating zone U32 and the third heating zone U33, the third- The substrate G to be processed is transferred to the third-third holding member H3-3 in the overlapping area Xo of the range X4 in which the member H3-3 moves. Then, the third-second holding member H3-2 moves again to the overlapped region Xo with the third-first holding member H3-1 and receives the substrate to be processed after the first heat-drying process.

그 다음, 제3-3파지부재(H3-3)는 제1이송레일(R1)을 따라 이동하여 제3가열영역(U33)으로 피처리 기판(G)을 이송(94)한다. 그리고, 제3가열영역(U33)에서 정지된 상태로 제2가열영역(U32)에 비하여 높은 온도(예를 들어, 85℃)로 약 45초간 가열한다. 이 과정에서 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)에 함유된 솔벤트의 기준치 이상이 증발되면서 약액이 건조된다. Then, the 3-3-th holding member H3-3 moves along the first transfer rail R1 to transfer (94) the substrate G to the third heating area U33. Then, it is heated for about 45 seconds at a high temperature (for example, 85 DEG C) as compared with the second heating zone U32 in a state of being stopped in the third heating zone U33. In this process, more than the reference value of the solvent contained in the chemical solution (PR) applied to the substrate (G) is evaporated and the chemical solution is dried.

도면에는 약액의 가열 건조 공정이 3단계에 걸쳐 행해지는 구성을 예로 들었지만, 약액의 도포 두께가 얇거나 솔벤트의 함량이 적은 경우에는 2단계에 걸쳐 행해질 수도 있고, 약액의 도포 두께가 두껍거나 솔벤트의 함량이 큰 경우에는 4단계 이상에 걸쳐 가열건조공정이 단계적으로 행해질 수 있다.Although the drawing shows the structure in which the heating and drying process of the chemical liquid is performed in three steps, it may be performed in two steps when the coating thickness of the chemical liquid is small or when the content of the solvent is small, When the content is large, the heat drying step may be performed stepwise over four or more steps.

필요에 따라, 제3-2파지부재(H3-2)은 제1이송레일(R1)을 따라 이동하면서, 피처리 기판(G)을 콜드 플레이트(미도시)의 하측을 통과하게 하면서, 저온의 복사냉각에 의하여 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)을 냉각시킬 수도 있다.The third-2 holding member H3-2 moves along the first transfer rail R1 while allowing the substrate to be processed G to pass under the cold plate (not shown) It is also possible to cool the chemical liquid PR applied to the substrate G by radiative cooling.

이렇듯, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(9)는, 피처리 기판(G)에 도포된 약액(PR)을 다단계로 점진적으로 가열하여 약액을 가열 건조시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트를 단계적으로 제거하면서 건조할 수 있게 되므로, 대기압보다 낮은 압력 상태에서 약액의 일부를 건조시키는 진공 감압 건조 유닛을 배제하면서도 약액 건조 과정에서 솔벤트나 기포에 의한 얼룩을 방지할 수 있는 품질 개선의 효과가 있다. As described above, the substrate processing apparatus 9 according to the embodiment of the present invention gradually heats the chemical solution PR applied to the substrate G to be processed in multiple stages to heat and dry the chemical solution, There is an effect of improving quality that can prevent stains due to solvent or air bubbles during the chemical liquid drying process while eliminating the vacuum decompression drying unit for drying a part of the chemical liquid at a pressure lower than atmospheric pressure .

또한, 본 발명은, 종래의 진공 감압 건조 유닛을 기판 처리 공정에서 배제함에 따라, 밀폐 챔버로 피처리 기판(G)을 이송하기 위하여 필수적으로 수반되는 로봇 아암과 리프트 핀을 제거할 수 있게 되므로, 전체적인 설비를 보다 저렴하게 구성하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, since the conventional vacuum depressurizing and drying unit is excluded in the substrate processing step, the present invention can remove the robot arm and the lift pin, which are necessarily involved in transferring the substrate G to the hermetically closed chamber, The effect of constructing the entire facility at a lower cost can be obtained.

이 뿐만 아니라, 본 발명은, 부상된 상태로 피처리 기판의 표면에 약액이 도포된 이후에 곧바로 부상된 상태로 가열 건조 유닛으로 이송되므로, 피처리 기판의 이송 효율이 높아지고 전체 공정에 소요되는 시간을 단축하여 공정 시간을 단축하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, since the present invention is transferred to the heating and drying unit in a floating state immediately after the chemical liquid is applied to the surface of the substrate in a floating state, the transfer efficiency of the substrate to be processed is increased and the time required for the entire process It is possible to obtain a favorable effect of shortening the processing time.

또한, 본 발명은, 피처리 기판(G)이 거치는 다수의 처리유닛(U)에서 각각 하나의 피처리 기판(G)이 각 처리과정을 순차적으로 거치는 데 있어서, 어느 하나의 처리유닛을 행한 피처리 기판(G)의 일측을 어느 하나의 파지부재이 흡입 파지한 상태로 정해진 위치까지 이송하면, 다른 파지부재이 피처리 기판의 타측을 흡입 파지하여 이송하는 형태로 이송하여 피처리 기판(G)의 일측과 타측의 저면을 번갈아가면서 흡입 파지하여 이송함으로써, 피처리 기판(G)의 위치 및 자세를 일단 1회만 셋팅하면, 그 다음부터의 피처리 기판(G)은 일측과 타측이 번갈아가면서 흡입 파지된 상태로 이송되어 피처리 기판의 위치 및 자세가 정해진 상태로 유지되므로, 피처리 기판(G)을 1회 정렬시키면, 그 다음부터는 각 처리 유닛에서 일정한 자세와 위치로 정렬된 상태를 유지하므로, 정렬 공정에 소요되는 시간을 단축하여 보다 높은 공정 효율을 달성하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, the present invention is characterized in that, in a plurality of processing units (U) carried by a substrate to be processed (G), each of the substrates (G) sequentially passes through the respective processing steps, When one of the gripping members is transported to a predetermined position in a state in which the gripping members are suction gripped, the other gripping members are transported in the form of suction grasping and transporting the other side of the substrate to be processed, The position and posture of the substrate G to be processed are set once and once, and the substrate G to be processed next is alternately moved in one direction and the other side to be sucked and held The position and orientation of the substrate to be processed are maintained in a predetermined state. Therefore, when the substrate G is aligned once, the processing units are aligned in a predetermined posture and position Therefore, it is possible to obtain an advantageous effect to achieve higher process efficiency by reducing the time required for the alignment process.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

즉, 전술한 실시예에서는 가열 건조 유닛(U3)에서 피처리 기판(G)이 다수의 가열 영역 중 어느 하나에 정지된 상태로 정해진 시간 동안 가열된 후, 그 다음 가열 영역으로 이동하여 가열 건조하는 구성이 예시되어 있지만, 본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 피처리 기판(G)이 다수의 가열 영역을 천천히 이동하면서 가열 건조되는 구성을 포함한다. That is, in the above-described embodiment, the target substrate G in the heating and drying unit U3 is heated for a predetermined period of time in a state where it is stopped in any one of a plurality of heating regions, then moved to the heating region, The structure is exemplified, but according to another embodiment of the present invention, the substrate to be processed G is heated and dried while slowly moving a plurality of heating regions.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
100: 기판 처리 장치 U9: 세정 유닛
U1: 약액도포유닛 U3: 가열건조유닛
H1: 제1파지부재 H3: 제3파지부재
900: 세정기 100: 약액 도포 기구
301, 302, 303: 가열 플레이트 G: 피처리 기판DESCRIPTION OF REFERENCE NUMERALS
100: substrate processing apparatus U9: cleaning unit
U1: chemical liquid application unit U3: heat drying unit
H1: first gripping member H3: third gripping member
900: Washer 100: Chemical solution dispensing apparatus
301, 302, 303: heating plate G: substrate to be processed

Claims (20)

피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 공정을 포함하는 기판 처리 공정이 행해지는 기판 처리 장치로서,
상기 피처리 기판의 가장자리를 제1파지부재로 파지하고 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 이동시키면서 상기 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 노즐이 구비된 약액 도포 유닛과;
상기 약액 도포 유닛으로부터 약액이 도포된 상태로 배출된 상기 피처리 기판을 부상된 상태로 제3파지부재가 넘겨받아, 상기 피처리기판을 부상시킨 상태로 상기 제3파지부재와 함께 이동시키면서 상기 피처리 기판을 다단계의 온도로 가열하여 상기 약액을 건조시키는 가열 건조 유닛을;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
A substrate processing apparatus comprising a substrate processing step including a step of applying a chemical liquid to a surface of a substrate to be processed,
A chemical liquid application unit having a chemical liquid nozzle for holding an edge of the target substrate with a first holding member and applying a chemical liquid to a surface of the target substrate while moving the target substrate in a floating state;
The third holding member is moved in a floating state from the chemical solution applying unit to the substrate holding member while being moved in a state in which the chemical solution applying unit is in a floating state, A heat drying unit for heating the treated substrate to a multistage temperature to dry the chemical liquid;
Wherein the substrate processing apparatus comprises:
제 1항에 있어서,
상기 가열 건조 유닛은 상기 피처리 기판의 가열 온도를 점진적으로 상승시키는 형태로 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heating and drying unit is arranged so as to gradually increase the heating temperature of the substrate to be processed.
제 1항에 있어서,
상기 약액 도포 유닛과 상기 가열 건조 유닛의 사이에는 상기 피처리 기판을 대기압 보다 낮은 압력 상태에서 건조하는 진공 건조 유닛이 없는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein no vacuum drying unit is provided between the chemical solution applying unit and the heat drying unit for drying the substrate to be processed at a pressure lower than atmospheric pressure.
제 1항에 있어서, 상기 가열 건조 유닛은,
상기 피처리 기판을 가열하는 가열 플레이트가 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트는 적어도 2개 이상이 서로 다른 온도로 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The heating and drying unit according to claim 1,
Wherein a plurality of heating plates for heating the substrate to be processed are arranged along a conveyance path of the substrate to be processed, and at least two or more of the heating plates are adjusted to different temperatures.
제 1항에 있어서,
상기 가열 건조 유닛은 상기 피처리 기판의 이동 방향을 따라 서로 다른 온도로 조절되는 제1가열영역과 제2가열영역을 포함하는 2개 이상의 가열 영역으로 형성되어, 상기 피처리 기판이 상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역에서 정해진 시간 동안에 가열 건조되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heating and drying unit is formed of at least two heating zones including a first heating zone and a second heating zone controlled at different temperatures along a moving direction of the substrate to be processed, Region and the second heating region for a predetermined period of time.
제 5항에 있어서,
상기 피처리 기판은 상기 가열 영역 중 어느 하나 이상에서 정지된 상태로 가열 건조되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the substrate to be processed is heated and dried in a state where it is stopped in at least one of the heating regions.
제 4항에 있어서,
상기 피처리 기판이 상기 제2가열 영역에 비하여 먼저 도달하는 상기 제1가열영역의 제1가열 온도는 상기 제2가열영역의 제2가열온도에 비하여 더 낮은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the first heating temperature of the first heating region in which the substrate to be processed reaches first before the second heating region is lower than the second heating temperature of the second heating region.
제 7항에 있어서,
상기 제1가열영역에는 상기 피처리 기판의 이송 경로를 따라 다수의 가열 플레이트가 배치되고, 상기 제2가열영역과 인접한 위치의 제1-2가열 플레이트는 상기 제2가열영역과 이격된 위치의 제1-1가열 플레이트에 비하여 보다 낮은 온도로 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
8. The method of claim 7,
Wherein a plurality of heating plates are disposed along the conveyance path of the substrate to be processed in the first heating area and a first 1-2 heating plate at a position adjacent to the second heating area is provided at a position spaced apart from the second heating area, 1-1 < / RTI > heating plate.
제 4항에 있어서,
상기 약액 도포 유닛이 행해진 다음에 처음 가열되는 제1가열 영역은 상기 약액 내의 솔벤트를 5% 내지 30% 제거하는 온도로 정해지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the first heating zone, which is first heated after the chemical-solution coating unit is performed, is set to a temperature for removing 5% to 30% of the solvent in the chemical liquid.
제 4항에 있어서, 상기 제3파지부재는,
상기 제1가열 영역을 이동할 때에 상기 피처리 기판을 파지하는 제3-1파지부재와, 상기 제1가열영역으로부터 상기 제2가열영역으로 이동할 때에 상기 제3-1파지부재로부터 상기 피처리 기판을 넘겨받는 제3-2파지부재를;
포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
[5] The apparatus according to claim 4,
A third heating unit for heating the substrate to be processed from the first heating region to the second heating region, A third 3-2 grip member to be handed over;
Wherein the substrate processing apparatus comprises:
제 1항에 있어서,
상기 제1부상스테이지와 상기 제2부상스테이지는 초음파에 의하여 상기 피처리 기판을 부상시키는 부상력이 도입되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first floating stage and the second floating stage introduce a floating force for floating the target substrate by ultrasonic waves.
제 5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1가열영역과 상기 제2가열영역의 사이에는 열전달을 억제하는 차단막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method according to any one of claims 5 to 11,
Wherein a shielding film for suppressing heat transfer is formed between the first heating region and the second heating region.
제 12항에 있어서,
상기 차단막은 에어커튼인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the shielding film is an air curtain.
제 12항에 있어서,
상기 차단막은 미닫이 형태로 개폐되는 단열재 도어인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the shielding film is a heat insulating material door which is opened and closed in the form of a sliding door.
제 5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가열 영역 중 어느 하나에 설치된 가열 플레이트는 복사 열전달에 의하여 상기 피처리 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
12. The method according to any one of claims 5 to 11,
Wherein the heating plate provided in any one of the heating regions heats the substrate to be processed by radiative heat transfer.
제 15항에 있어서,
상기 가열 플레이트에는 발열되는 열선이 배치되어 있고, 상기 가열 플레이트와 상기 피처리 기판의 사이에는 매개 플레이트가 개재되어 상기 열선의 위치에 따른 온도 구배가 줄어든 상태로 상기 피처리 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method of claim 15,
And an intermediate plate is interposed between the heating plate and the target substrate to heat the target substrate in a state in which a temperature gradient according to the position of the heating line is reduced. .
제 16항에 있어서,
상기 매개 플레이트는 구리, 알루미늄 중 어느 하나 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the intermediate plate comprises at least one of copper and aluminum.
제 16항에 있어서,
상기 가열 플레이트는 상기 가열 플레이트와 이격 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the heating plate is spaced apart from the heating plate.
제 15항에 있어서,
상기 가열 플레이트는 상기 피처리 기판의 상측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
16. The method of claim 15,
Wherein the heating plate is disposed above the substrate to be processed.
제 15항에 있어서,
상기 가열 플레이트는 상기 제2부상스테이지의 진동판으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.

16. The method of claim 15,
And the heating plate is formed of a diaphragm of the second floating stage.

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