KR101856110B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은 밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버와; 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지도록 기판을 지지하는 기판핸들링부와; 상기 진공챔버에 설치되어 기판에 대한 기판처리의 수행을 위한 기판처리모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method that perform substrate processing.
The present invention relates to a vacuum processing apparatus comprising a vacuum chamber for forming a closed processing space; A substrate handling part for supporting the substrate such that the substrate processing is performed while the substrate processing surface of the substrate is inclined toward the ground; And a substrate processing module installed in the vacuum chamber for performing substrate processing on the substrate.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법 {Substrate processing apparatus and substrate processing method}[0001] DESCRIPTION [0002] Substrate processing apparatus and substrate processing method [

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method that perform substrate processing.

평판표시소자(Flat Panel Display)는 액정표시소자 (Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자 (Organic Light Emitting Diodes) 등이 대표적이다. A flat panel display is typically a liquid crystal display, a plasma display panel, or an organic light emitting diode.

이 중에서 유기발광소자는 빠른 응답속도, 기존의 액정표시소자보다 낮은 소비 전력, 고휘도, 경량성 등의 특성이 있으며, 별도의 백라이트(back light) 장치가 필요 없어 초박형으로 만들 수 있는 점 등의 장점을 지니고 있는바, 차세대 디스플레이 소자로서 각광받고 있다.Of these, organic light emitting devices have advantages such as fast response speed, lower power consumption than conventional liquid crystal display devices, high brightness and light weight, and the advantage of being able to be made ultra thin by not requiring a separate back light device And has been attracting attention as a next-generation display device.

한편, 평판표시소자의 기판에 박막을 형성하는 일반적인 방법으로는, 증발증착법(Evaporation)과, 이온 플레이팅법(Ion-plation) 및 스퍼터링법(Sputtering)과 같은 물리증착법(PVD)과, 가스반응에 의한 화학기상증착법(CVD) 등이 있다. 이 중에서, 유기발광소자의 유기물층, 무기물층 등과 같은 박막형성에 증발증착법이 사용될 수 있다.On the other hand, as a general method for forming a thin film on a substrate of a flat panel display device, evaporation, physical vapor deposition (PVD) such as ion plating and sputtering, And chemical vapor deposition (CVD). Among them, a vapor deposition method can be used for forming a thin film such as an organic material layer, an inorganic material layer, etc. of an organic light emitting device.

상기와 같은 기판에 박막을 형성하는 기판처리를 수행하는 기판처리장치는 그 공정에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버와, 진공챔버 내에 설치되어 증발에 의하여 기판에 박막을 형성하는 증발원을 포함한다.The substrate processing apparatus for performing the substrate processing for forming a thin film on the substrate as described above can be variously configured according to the process, and includes a vacuum chamber for forming a closed processing space, a vacuum chamber provided in the vacuum chamber, And an evaporation source that forms an evaporation source.

여기서 종래의 기판처리장치는 증착물의 증발에 의하여 기판처리를 수행하는 경우 그 특성상 기판처리면을 지면을 향한 상태, 즉 하측을 향한 상태로 기판을 이송시키면서 기판처리를 수행하고 있다.In the conventional substrate processing apparatus, when the substrate processing is performed by evaporation of the deposition material, the substrate processing is performed while transferring the substrate with the substrate processing surface oriented toward the ground, that is, toward the lower side.

그러나 기판처리면이 하측을 향한 상태에서 기판처리가 수행되는 경우 기판의 자중에 의한 처짐이 발생하여 증착원으로부터의 거리가 일정하지 않아 균일한 기판처리가 수행되지 못하는 문제점이 있다.However, when the substrate processing is performed in a state that the substrate processing surface faces downward, deflection occurs due to the weight of the substrate, and the distance from the evaporation source is not constant, so that uniform substrate processing can not be performed.

특히 패턴화된 증착을 위하여 마스크가 설치되는 경우 마스크의 처짐이 함께 발생하여 균일한 기판처리가 수행되지 못하는 문제점이 발생하며 이러한 문제점은 대형의 기판에 대한 기판처리시에 극대화되고 있다.In particular, when a mask is installed for patterned deposition, deflection of the mask occurs together, resulting in a problem that a uniform substrate processing can not be performed. Such a problem is maximized at the time of substrate processing for a large substrate.

이에 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판처리면이 지면에 대하여 수직을 이룬 상태에서 기판처리를 수행하는 기판처리장치가 제안되고 있다.In order to solve the above problems, a substrate processing apparatus has been proposed in which a substrate processing process is performed while a substrate process surface is perpendicular to the paper surface.

그러나 기판처리면이 지면에 대하여 수직을 이룬 상태에서 기판처리를 수행하는 종래의 기판처리장치는 기판처리면의 상부 또는 기판처리면 중 상측부분에서의 파티클이 자중에 의하여 하측으로 흘러 내려 기판처리면의 하측부분에서의 얼룩형성 등 기판을 손상시키는 문제점이 있다.However, in the conventional substrate processing apparatus for performing the substrate processing in a state where the substrate processing surface is perpendicular to the paper surface, the particles in the upper portion of the substrate processing surface or the upper portion of the substrate processing surface flow downward due to their own weight, There is a problem that the substrate is damaged, such as formation of stains in the lower part of the substrate.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판처리면에 파티클이 접착되는 것을 방지하여 양호한 기판처리가 가능한 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method which can prevent a particle from being adhered to a substrate processing surface in order to solve the problems as described above.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버와; 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지도록 기판을 지지하는 기판핸들링부와; 상기 진공챔버에 설치되어 기판에 대한 기판처리의 수행을 위한 기판처리모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object of the present invention, and it is an object of the present invention to provide a vacuum processing apparatus, A substrate handling part for supporting the substrate such that the substrate processing is performed while the substrate processing surface of the substrate is inclined toward the ground; And a substrate processing module installed in the vacuum chamber for performing substrate processing on the substrate.

상기 기판처리모듈은 상기 기판처리면에 증착될 증착물질이 처리공간으로 증발되는 하나 이상의 증발원을 포함할 수 있다.The substrate processing module may include one or more evaporation sources through which the evaporation material to be evaporated onto the substrate processing surface is evaporated into the processing space.

상기 증발원은 상기 기판처리면과 평행하게 이동 가능하도록 설치될 수 있다.The evaporation source may be installed so as to be movable in parallel with the substrate processing surface.

상기 증발원은 복수개로 설치되며, 상기 복수의 증발원들은 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면에 대한 법선길이가 일정할 수 있다.The plurality of evaporation sources may have a constant length with respect to the substrate processing surface in a state where the substrate processing surface of the substrate is inclined toward the ground.

상기 기판핸들링부는 상기 진공챔버 내에 도입된 기판의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시킬 수 있다.The substrate handling unit may directly or indirectly tilt the substrate such that the substrate processing surface of the substrate introduced into the vacuum chamber is tilted toward the ground.

상기 기판핸들링부는 상기 진공챔버 내에 설치되며 기립된 상태로 도입된 기판의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나를 직접 또는 간접으로 지지하는 지지부와, 기판의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시키는 틸팅부를 포함할 수 있다.The substrate handling unit may include a support installed in the vacuum chamber and directly or indirectly supporting at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate introduced in an upright state, Or a tilting portion for indirectly tilting.

상기 지지부는 기판의 하부를 직접 또는 간접으로 지지하는 복수의 하부롤러들을 포함하며, 상기 틸팅부는 상기 하부롤러들을 기판이 도입되는 도입방향과 수직을 이루어 수평이동시키는 선형구동부를 포함할 수 있다.The supporting portion may include a plurality of lower rollers for directly or indirectly supporting a lower portion of the substrate, and the tilting portion may include a linear driving portion for horizontally moving the lower rollers perpendicularly to the introduction direction in which the substrate is introduced.

상기 지지부는 기판의 상부를 지지하는 상부지지부와, 기판의 하부를 지지하는 하부지지부를 포함하며, 상기 틸팅부는 상기 상부지지부 및 하부지지부 중 적어도 어느 하나를 이동시켜 기판의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시킬 수 있다.Wherein the supporting portion includes an upper supporting portion for supporting an upper portion of the substrate and a lower supporting portion for supporting a lower portion of the substrate, wherein the tilting portion moves at least one of the upper supporting portion and the lower supporting portion to face the substrate- The substrate can be tilted directly or indirectly to form an inclination.

상기 상부지지부 및 상기 하부지지부는 상기 진공챔버 내에서의 기판의 이송을 가이드할 수 있다.The upper support portion and the lower support portion may guide the transfer of the substrate in the vacuum chamber.

지면에 대하여 수직인 기준선과 상기 기판처리면이 이루는 경사각은 1°~10°인 것이 바람직하다.It is preferable that the inclination angle between the reference line perpendicular to the ground and the substrate processing surface is 1 deg. To 10 deg..

상기 진공챔버는 마스크가 설치되며, 상기 마스크는 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면과 평행하게 설치될 수 있다.The vacuum chamber is provided with a mask, and the mask may be installed parallel to the substrate processing surface in a state where the substrate processing surface of the substrate is inclined toward the ground.

상기 기판은 상기 진공챔버 내에서 직접 지지되어 기판처리되거나, 기판트레이에 의하여 간접으로 지지되어 기판처리될 수 있다.The substrate may be directly supported in the vacuum chamber to be subjected to a substrate treatment or indirectly supported by a substrate tray to be subjected to a substrate treatment.

본 발명은 또한 밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버 내에서 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법을 개시한다.The present invention also discloses a substrate processing method characterized in that substrate processing is performed in a state in which the substrate processing side of the substrate is inclined toward the ground in a vacuum chamber forming an enclosed processing space.

상기 기판처리방법은 기립된 상태의 기판을 상기 진공챔버 내에 도입하는 기판도입단계와; 증착물을 증발시켜 기판처리면에 박막을 형성하는 증착단계를 포함하는 기판처리방법으로서, "상기 기판도입단계 전", 또는 "상기 기판도입단계 후 및 상기 증착단계 전"에 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 기판을 틸팅시키는 기판틸팅단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method comprising: a substrate introducing step of introducing a substrate in a standing state into the vacuum chamber; A method for processing a substrate, comprising the steps of: evaporating a deposition material to form a thin film on a substrate processing surface, wherein the substrate processing surface has a surface before the substrate introduction step, or before the substrate introduction step and before the deposition step And a substrate tilting step of tilting the substrate so as to be inclined toward the substrate.

기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판이 이송될 수 있다.The substrate can be transported with the substrate-treated surface of the substrate inclined toward the ground.

상기 기판도입단계는 기판의 상단 및 하단 중 적어도 어느 하나를 지지부에 의하여 직접 또는 간접으로 지지하여 기판을 상기 진공챔버 내에 도입하며, 상기 기판틸팅단계는 기판을 지지하는 상기 지지부를 이동시켜 기판의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시킬 수 있다.Wherein the step of introducing a substrate directly or indirectly supports at least one of an upper end and a lower end of the substrate by a supporting part to introduce the substrate into the vacuum chamber and the substrate tilting step moves the supporting part supporting the substrate, The substrate can be directly or indirectly tilted so as to be inclined toward the ground.

상기 기판처리방법은 상기 기판틸팅단계 전 또는 후에 마스크를 기판의 기판처리면과 밀착시키는 마스크밀착단계를 더 포함할 수 있다.The substrate processing method may further include a mask adhesion step of bringing the mask into close contact with the substrate processing surface of the substrate before or after the substrate tilting step.

상기 마스크밀착단계는 기판과 마스크를 얼라인하는 얼라인단계와, 마스크를 기판처리면에 밀착시키는 밀착단계를 포함할 수 있다.The mask adhering step may include an aligning step of aligning the substrate and the mask, and an adhesion step of adhering the mask to the substrate processing surface.

상기 기판틸팅단계는 상기 기판도입단계 전에 수행되고, 상기 기판도입단계 후에 마스크를 기판의 기판처리면과 밀착시키는 마스크밀착단계가 수행될 수 있다.The substrate tilting step may be performed before the substrate introduction step, and a mask adhesion step may be performed after the substrate introduction step, wherein the mask is brought into close contact with the substrate processing surface of the substrate.

상기 기판처리방법은 기판처리 시에 지면에 대하여 수직인 기준선과 상기 기판처리면이 이루는 경사각은 1°~10°인 것이 바람직하다.In the substrate processing method, it is preferable that an inclination angle formed by the substrate processing surface and a reference line perpendicular to the sheet surface during the substrate processing is 1 to 10 degrees.

상기 기판은 직접 지지되어 기판처리가 수행되거나, 기판트레이에 의하여 간접으로 지지되어 기판처리가 수행될 수 있다.The substrate may be directly supported to perform the substrate processing, or may be indirectly supported by the substrate tray to perform the substrate processing.

본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은 진공챔버 내에서 기판처리면을 지면을 향하여 경사, 즉 하향경사를 이루어 기판처리를 수행함으로써 파티클의 낙하로 인한 기판의 손상을 방지할 수 있는 이점이 있다.The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention can advantageously prevent the substrate from being damaged due to the falling of the particles by performing the substrate processing in the vacuum chamber by inclining the substrate processing surface toward the ground, have.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은 진공챔버 내에서 기판처리면을 지면을 향하여 경사, 즉 하향경사를 이루어 기판처리를 수행함으로써 자중에 의한 기판처짐을 최소화함과 아울러 기판처리면 상에서 파티클 또는 증착물질의 흘러내림으로 인한 기판손상을 방지할 수 있는 이점이 있다.Further, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention minimize substrate deflection due to its own weight by performing the substrate processing by inclining the substrate processing surface in the vacuum chamber toward the ground, that is, downwardly inclining, There is an advantage that the substrate damage due to the flow of the particles or the evaporation material can be prevented.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 기판처리장치의 수직단면도로서, 기판처리면이 지면에 대하여 수직인 상태를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리장치의 수직단면도로서, 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 틸팅된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판처리장치의 수직단면도로서, 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 다른 방법에 의하여 틸팅된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판처리방법의 일예를 보여주는 흐름도이다.
1 is a vertical sectional view of a substrate processing apparatus showing a substrate processing apparatus according to the present invention, and is a sectional view showing a state in which a substrate processing surface is perpendicular to a paper surface.
FIG. 2 is a vertical sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1, and is a sectional view showing a state in which the substrate processing surface is tilted so as to be inclined toward the ground;
FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of the substrate processing apparatus of FIG. 1, showing a state in which the substrate processing surface is tilted by another method so as to be inclined toward the ground.
4 is a flowchart showing an example of a substrate processing method according to the present invention.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 진공챔버(100)와; 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지도록 직접 또는 간접으로 기판을 지지하는 기판핸들링부와; 진공챔버(100)에 설치되어 기판(10)에 대한 기판처리의 수행을 위한 기판처리모듈(390)을 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 2, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a vacuum chamber 100 forming a closed processing space S; A substrate handling unit for directly or indirectly supporting the substrate so that the substrate processing is performed in a state where the substrate processing surface of the substrate 10 is inclined toward the ground; And a substrate processing module 390 installed in the vacuum chamber 100 for performing substrate processing on the substrate 10.

여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은 액정표시소자 (Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이소자(Plasma Display Panel), 유기발광소자 (Organic Light Emitting Diodes) 등 기판처리면에 증착물의 증발에 의하여 박막을 형성할 수 있는 부재이면 어떠한 대상도 가능하다.Here, the substrate 10, which is an object of the substrate processing, forms a thin film by evaporation of a deposition material on a substrate-processed surface such as a liquid crystal display, a plasma display panel, and an organic light emitting diode Any object can be made as long as it can be done.

그리고 상기 기판(10)은 진공챔버(100) 내로 직접 이송되거나 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판트레이(20)에 안착되어 이송될 수 있다.The substrate 10 may be transported directly into the vacuum chamber 100 or may be transported in the substrate tray 20, as shown in FIGS. 2 and 3.

상기 기판트레이(20)는 기판(10)이 안착되어 기판(10)을 이송하기 위한 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The substrate tray 20 may have various configurations as a structure for receiving the substrate 10 and transporting the substrate 10.

상기 진공챔버(100)는 기판처리의 수행을 위한 처리공간(S)을 형성할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다. 여기서 상기 진공챔버(100)는 기판처리 수행을 위한 진공압의 형성 및 배기를 위하여 진공펌프(미도시)와 연결된 배기관(미도시)과 연결되는 배기구(미도시)가 형성될 수 있다.The vacuum chamber 100 may have any structure as long as it can form a processing space S for performing substrate processing. Here, the vacuum chamber 100 may be formed with an exhaust port (not shown) connected to an exhaust pipe (not shown) connected to a vacuum pump (not shown) for forming a vacuum pressure for performing substrate processing and exhausting the vacuum chamber.

예를 들면 상기 진공챔버(100)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 제1챔버부재(110) 및 제2챔버부재(120)가 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 진공챔버(100)의 분할방식에 따라서 다양한 형상 및 구조를 가질 수 있다. 1 and 2, the first chamber member 110 and the second chamber member 120 are detachably coupled to each other to form a process space S, And may have various shapes and structures according to the division method of the vacuum chamber 100. [

일 예로서, 기판(10)이 지면에 대하여 수직 또는 경사(기립된 상태)를 이루어 이송되는 경우 제1챔버부재(110) 및 제2챔버부재(120)는 지면에 대하여 실질적으로 수직을 이루어 진공챔버(100)를 분할하여 형성될 수 있다. 여기서 상기 제1챔버부재(110) 및 제2챔버부재(120) 중 적어도 어느 하나는 결합되는 면에 처리공간(S)의 밀폐를 위하여 오링과 같은 실링부재(미도시)가 설치된다.The first chamber member 110 and the second chamber member 120 are substantially perpendicular to the paper surface so that the substrate 10 is conveyed in a vertical or inclined (upright) And may be formed by dividing the chamber 100. At least one of the first chamber member 110 and the second chamber member 120 is provided with a sealing member (not shown) such as an O-ring for sealing the processing space S on the coupled surface.

상기 제1챔버부재(110)는 지지프레임(210) 등에 위치가 고정되어 설치되며 후술하는 제2챔버부재(120)에 형합되는 공간이 형성된다.The first chamber member 110 is fixedly installed on the support frame 210, and a space formed in the second chamber member 120, which will be described later, is formed.

그리고 상기 제1챔버부재(110)가 고정되어 설치되는 경우 진공챔버(100)의 구성에 있어서, 기판(10)의 원활한 도입 및 배출을 위하여 기판(10)이 입출되는 하나 이상의 게이트(121)가 형성됨이 바람직하다.When the first chamber member 110 is fixed and installed in the vacuum chamber 100, one or more gates 121 through which the substrate 10 is input and output for smooth introduction and discharge of the substrate 10 .

상기 제1챔버부재(110)에 게이트(121)가 형성되는 이유는 게이트(121)의 개폐를 위한 게이트밸브(미도시)와, 진공챔버(100)에 결합된 가이드레일(미도시)이 위치가 고정되어 설치되는 것이 바람직한바 이와 연결되는 게이트(121) 또한 위치가 고정된 제1챔버부재(110)에 형성될 필요가 있기 때문이다.The reason why the gate 121 is formed in the first chamber member 110 is that a gate valve (not shown) for opening and closing the gate 121 and a guide rail (not shown) coupled to the vacuum chamber 100 It is preferable that the gate 121 connected thereto is also formed in the first chamber member 110 fixed in position.

아울러, 상기 제1챔버부재(110)는 그 내부에 기판(10)의 이송을 위한 가이드레일(미도시)이 설치될 수 있다.In addition, a guide rail (not shown) for transferring the substrate 10 may be installed in the first chamber member 110.

상기 제2챔버부재(120)는 지지프레임(210) 상에 고정설치된 제1챔버부재(110)와 수평이동에 의하여 착탈결합되어 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서 제1챔버부재(110)에 형합되는 공간이 형성된다.The second chamber member 120 is detachably coupled to the first chamber member 110 fixed on the support frame 210 by horizontal movement to form the processing space S. The first chamber member 110, Is formed.

그리고 상기 제2챔버부재(120)는 후술하는 기판처리모듈(390)이 설치되며 스퍼터링타겟소스, 증발원 등 기판처리에 따라서 다양하게 구성될 수 있다.The second chamber member 120 may include a substrate processing module 390, which will be described later, and may be configured in various ways according to substrate processing such as a sputtering target source, an evaporation source, and the like.

일 예로서, 상기 기판처리모듈(390)은 기판처리의 수행을 위한 모듈로서, 기판처리면에 증착될 증착물질이 증발되는 하나 이상의 증발원(미도시)을 포함할 수 있다.As an example, the substrate processing module 390 may be a module for performing the substrate processing, and may include one or more evaporation sources (not shown) in which the evaporation material to be deposited on the substrate processing surface is evaporated.

상기 증발원은 증발물질의 종류 및 기판처리에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 담긴 용기(미도시), 용기에 담긴 증발물질을 가열하는 히터(미도시) 등을 포함하는 등 다양한 구성이 가능하다.The evaporation source may include various types of evaporation materials depending on the kind of the evaporation material and the substrate processing, and may include a container (not shown) and a heater (not shown) for heating the evaporation material contained in the container.

아울러, 상기 증발원은 용기에서 증발된 증기가 처리공간(S)으로 분출되는 하나 이상의 노즐(미도시) 등을 포함할 수 있다.In addition, the evaporation source may include one or more nozzles (not shown), etc., through which the vapor evaporated in the vessel is ejected into the processing space S, and the like.

이때 기판처리면에 대하여 골고루 증착될 필요가 있는바 균일한 증착을 위하여 증발원은 기판(10)에 대하여 상대이동을 요하는바, 증발원 및 기판(10)이 모두 이동되거나 증발원 및 기판(10) 중 어느 하나는 고정되고 나머지 하나만 이동되도록 구성될 수 있다.Since the evaporation source needs to be relatively moved relative to the substrate 10 in order to uniformly deposit the evaporation source and the substrate 10 on the substrate processing surface, One can be configured to be fixed and the other to be moved.

이때 상기 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면과 평행한 면을 가상의 이동면이라고 할 때, 상기 증발원은 가상의 이동면 내에서 이동되는 것이 바람직하다. 다시 말하면 상기 증발원은 기판처리면과 평행하게 이동 가능하도록 설치됨이 바람직하다.At this time, when the substrate processing surface of the substrate 10 is tilted toward the ground, the surface parallel to the substrate processing surface is assumed to be a virtual moving surface, and the evaporation source is preferably moved in the virtual moving surface. In other words, the evaporation source is preferably provided so as to be movable in parallel with the substrate processing surface.

또한 상기 증발원이 복수개로 설치되는 경우, 복수의 증발원들은 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면에 대하여 법선거리가 일정하게 설치됨이 바람직하다. 여기서 평면에 수직을 이룸과 아울러 거리측정을 위한 점을 지날 때 그 선을 법선이라 하며, 법선 중 평면으로부터 점까지의 거리를 법선거리로 정의한다.When a plurality of evaporation sources are provided, the plurality of evaporation sources are preferably arranged such that a normal distance from the substrate processing surface in a state in which the substrate processing surface of the substrate 10 is inclined toward the ground is constant. Here, when a line is perpendicular to a plane and a point for distance measurement passes, the line is referred to as a normal line, and a distance from a plane to a point is defined as a normal line distance.

즉, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 증발원이 기판처리면에 대하여 일정한 거리를 유지시킴으로써 균일한 기판처리가 가능하도록 한다.That is, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the evaporation source maintains a constant distance from the substrate processing surface, thereby enabling uniform substrate processing.

한편 상기 기판처리모듈(390)은 증발원인 경우 하나 이상이 설치될 수 있으며, 포인트 소스, 면소스, 또는 라인 타입의 소스 등 다양한 형태로 구성될 수 있다.Meanwhile, the substrate processing module 390 may be installed in at least one of evaporative sources, point sources, surface sources, and line type sources.

특히 상기 기판처리모듈(390)이 라인타입의 증발원으로 구성되는 경우 수직방향으로 배치될 수 있으며 이때 증발원은 틸팅된 상태의 기판(10)에 대하여 기판틸팅시 같이 틸팅되거나 틸팅된 상태를 설치됨으로써 동일한 거리를 유지하여 균일한 기판처리가 가능하도록 할 수 있다.In particular, when the substrate processing module 390 is constituted by a line-type evaporation source, the evaporation source may be arranged in a vertical direction. In this case, the evaporation source may be tilted or tilted when the substrate 10 is tilted, It is possible to maintain the distance and to perform uniform substrate processing.

상기 기판핸들링부는 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지도록 직접 또는 간접으로 기판을 지지하는 구성으로서 기판(10)의 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다. The substrate handling part supports the substrate directly or indirectly so that the substrate processing surface of the substrate 10 is inclined toward the ground, and can be variously configured according to the transporting method of the substrate 10 .

여기서 상기 기판핸들링부는 기판(10)을 지지함에 있어 기판(10)의 가장자리 일부를 직접 클램핑하여 지지하거나, 기판(10)이 안착된 기판트레이(미도시)를 클램핑함으로써 기판(10)을 간접으로 지지할 수 있다.The substrate handling part directly clamps and supports a part of the edge of the substrate 10 in supporting the substrate 10 or indirectly clamps the substrate 10 by clamping a substrate tray (not shown) on which the substrate 10 is mounted Can support.

또한 상기 기판트레이는 기판(10)을 진공챔버(100) 내에 도입하여 기판핸들링부에 의하여 기판(10)이 클램핑된 후 진공챔버(100) 외부로 배출되고 공정 후에 다시 도입되어 기판(10)이 안착되어 기판(10)을 외부로 배출할 수 있다.The substrate tray 10 is introduced into the vacuum chamber 100 and the substrate 10 is clamped by the substrate handling unit and then discharged to the outside of the vacuum chamber 100 and then introduced again after the process, So that the substrate 10 can be discharged to the outside.

한편 상기 기판핸들링부의 구성과 관련하여, 먼저 진공챔버(100) 내외로의 기판(10)의 도입 및 배출 등 기판(10)의 이송자체가 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태로 이송될 수 있다.The transfer of the substrate 10, such as the introduction and discharge of the substrate 10 into and out of the vacuum chamber 100, is performed by the substrate processing surface of the substrate 10 tilting toward the ground It can be transported in an established state.

이 경우 상기 기판핸들링부는 기판(10)을 지지함과 아울러 기판(10)의 이동을 가이드하는 하나 이상의 지지부를 포함할 수 있다.In this case, the substrate handling part may include at least one supporting part for supporting the substrate 10 and for guiding the movement of the substrate 10.

그리고 상기 지지부는 기판(10)의 이송방식에 따라서 하나 이상의 롤러, 자력을 이용하기 위한 자석 등 다양한 구성이 가능하다.The supporting portion may have various configurations such as one or more rollers, a magnet for utilizing magnetic force, or the like depending on the conveying method of the substrate 10.

한편 기판(10)은 진공챔버(100)의 외부에서 진공챔버(100) 내로 도입되거나 배출될 때 지면에 대하여 기립된 상태 또는 수평을 이루어 이송되고, 진공챔버(100) 내부에 도입되었을 때 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 틸팅(tilting)될 수 있다.When the substrate 10 is introduced into or out of the vacuum chamber 100 from the outside of the vacuum chamber 100, the substrate 10 is transported in an upright or horizontal state relative to the surface of the substrate. When the substrate 10 is introduced into the vacuum chamber 100, 10 may be tilted so as to be inclined toward the ground.

이 경우 상기 기판핸들링부는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)이 지면에 대하여 기립된 또는 수평을 이룬 상태, 특히 수직을 이룬 상태에서 진공챔버(100) 내에 기판(20)이 도입된 후, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 틸팅시켜 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 구성될 수 있다.In this case, as shown in FIG. 2, the substrate handling part may be configured such that the substrate 20 is introduced into the vacuum chamber 100 in a state in which the substrate 10 stands upright or horizontally with respect to the paper surface, 2 and 3, the substrate 10 may be tilted to tilt the substrate-processed surface of the substrate 10 toward the ground.

상기 기판핸들링부는 기판(10)을 틸팅시킬 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하며, 일예로서, 진공챔버(100) 내에 설치되며 기판(10)을 직접 또는 기판(10)이 기판트레이(20)에 안착되어 이송되는 경우 기판트레이(20)를 통하여 간접으로 지지하는 하나 이상의 지지부(310, 320)와, 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판(10)을 직접 또는 간접으로 틸팅시키는 틸팅부(330)를 포함할 수 있다.The substrate handling unit may be any structure as long as it can tilt the substrate 10. For example, the substrate handling unit may be disposed in the vacuum chamber 100, One or more supports 310 and 320 for supporting the substrate 10 indirectly through the substrate tray 20 when the substrate 10 is placed and transported, and the substrate 10 directly or indirectly supported so as to be inclined toward the surface of the substrate 10 And a tilting unit 330 for tilting the tilting unit 330.

상기 지지부(310, 320)는 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 기판(10)의 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판(10)의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나를 직접 또는 간접으로 지지하도록 구성될 수 있다. 여기서 상기 지지부(310, 320)는 진공챔버(100) 내에서의 기판(10)의 이송을 위한 가이드부와 별도로 구성되거나, 가이드부의 구성 중 적어도 일부로서도 구성할 수 있다.ㄴThe support portions 310 and 320 are configured to support the substrate 10 and may have various structures according to the transporting method of the substrate 10. The support portions 310 and 320 may be formed by directly or indirectly supporting at least one of the upper portion and the lower portion of the substrate 10. [ As shown in FIG. Here, the support portions 310 and 320 may be formed separately from the guide portion for conveying the substrate 10 in the vacuum chamber 100, or may be configured as at least a part of the configuration of the guide portion.

상기 지지부(310, 320)는 예로서, 기판(10)의 상부를 지지하는 상부지지부(320)와, 기판(10)의 하부를 지지하는 하부지지부(310)를 포함하여 구성될 수 있다.The support portions 310 and 320 may include an upper support portion 320 for supporting the upper portion of the substrate 10 and a lower support portion 310 for supporting the lower portion of the substrate 10. [

상기 하부지지부(320)는 기판(10)의 이송방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 하부를 직접 또는 간접으로 지지함과 아울러 그 이동을 가이드하는 복수의 하부롤러(311)들을 포함할 수 있다.As shown in FIGS. 2 and 3, the lower support part 320 may support the lower part of the substrate 10 directly or indirectly, and may be moved And a plurality of lower rollers 311 for guiding the lower rollers 311.

여기서 상기 하부롤러(311)는 후술하는 틸팅부(330)에 의한 기판(10)의 원활한 틸팅을 위하여 기판(10)을 지지하는 지지면이 곡면을 이루는 것이 바람직하다.The lower roller 311 may have a curved surface for supporting the substrate 10 for smooth tilting of the substrate 10 by a tilting part 330 described later.

즉 상기 하부롤러(311)는 기판(10)이 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판처리면이 지면에 향하여 경사를 이루게 되면 도 1의 상태에서 틸팅되는바 기판(10)(또는 기판트레이20))를 지지하는 지지면이 오목한 곡면을 이룸으로써 기판(10)의 틸팅이 원활해진다.2 and 3, when the substrate processing surface is tilted toward the ground, the lower roller 311 is moved in the direction of the substrate 10 (or substrate Tray 20) is concave, the tilting of the substrate 10 is smooth.

여기서 상기 하부롤러(311)에 의하여 지지되는 기판(10)(또는 기판트레이20))의 하단 또한 하부롤러(311)의 오목한 지지면에 대응하여 볼록하게 형성되는 것이 바람직하다.Here, the lower end of the substrate 10 (or the substrate tray 20) supported by the lower roller 311 is also convexly formed corresponding to the concave support surface of the lower roller 311.

한편 상기 지지부(310, 320) 중 기판(10)의 하부를 지지하는 하부지지부(310)는 롤러 이외에 기판(10)을 지지할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.Meanwhile, the lower support portion 310 supporting the lower portion of the substrate 10 among the support portions 310 and 320 may have any structure as long as it can support the substrate 10 in addition to the rollers.

그리고 상기 상부지지부(320)는 기판(10)의 지지 및 이송형식에 따라서 반드시 설치될 필요는 없으며, 자기를 이용한 지지방식을 사용하는 경우 기판(10)(또는 기판트레이(20))와 접촉되지 않은 상태로 설치될 수 있는 등 다양한 구성이 가능하다.The upper support part 320 is not always required to be supported according to the supporting and transporting type of the substrate 10 and is not in contact with the substrate 10 (or the substrate tray 20) It can be installed in a state where it is not installed.

구체적으로 상기 상부지지부(320)는 기판(10)이 안착된 기판트레이(20) 또는 기판(10)의 상부에 설치된 제1자석(미도시)의 자극에 대하여 반대 자극이 향하도록 설치된 하나 이상의 제2자석을 포함할 수 있다.More specifically, the upper support part 320 may include at least one member (not shown) provided so that the opposite pole faces the magnetic pole of the first magnet (not shown) installed on the substrate tray 20 or the substrate 10 on which the substrate 10 is mounted. 2 magnets.

상기 제2자석은 기판(10)의 상부에 설치된 제1자석을 자력에 의하여 지지하기 위한 구성으로서 직접 접촉상태를 유지하거나 비접촉상태로 기판(10)의 이송을 가이드할 수 있다.The second magnet can support the first magnet mounted on the upper side of the substrate 10 by magnetic force, and can guide the transfer of the substrate 10 in a non-contact state.

상기 틸팅부(330)는 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시키는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The tilting unit 330 may be configured to tilt the substrate directly or indirectly so that the substrate processing surface of the substrate 10 tilts toward the ground.

일예로서, 상기 틸팅부(330)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)을 지지하는 지지부(310, 320)를 이동시켜 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시키도록 구성될 수 있다.1 to 3, the tilting unit 330 moves the supporting units 310 and 320 supporting the substrate 10 to move the substrate-processed surface of the substrate 10 toward the ground, The substrate may be tilted directly or indirectly.

구체적으로 상기 틸팅부(330)는 지지부(310, 320)의 구성, 예를 들면 상부지지부(320) 및 하부지지부(310)로 구성된 경우 상부지지부(320) 및 하부지지부(310) 중 어느 하나를 이동시켜 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판(10)을 틸팅시키도록 구성되는 등 다양한 구성이 가능하다.More specifically, the tilting unit 330 may include any one of the upper support unit 320 and the lower support unit 310 when the upper support unit 320 and the lower support unit 310 include the support units 310 and 320, And the substrate 10 is tilted so that the substrate-processed surface of the substrate 10 is tilted toward the ground.

일 실시예로서, 상기 틸팅부(330)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 하부를 지지하는 하부지지부(310), 즉 하부롤러(311)들을 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다.1 and 2, the tilting unit 330 includes a lower holding unit 310 for holding a lower portion of the substrate 10, that is, lower rollers 311, And may be configured to move in a direction perpendicular to the transport direction.

상기 틸팅부(330)가 하부롤러(311)들을 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 이동시키면, 하부롤러(311)에 의하여 지지되는 기판(10)의 하부가 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 이동되어 전체적으로 기판(10)이 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 틸팅된다. 물론 상기 틸팅부(330)가 반대쪽으로 하부롤러(311)를 이동시키면 기판(10)은 도입/배출을 위한 상태로 복귀하게 된다.The lower portion of the substrate 10 supported by the lower roller 311 is moved by the lower roller 311 in a direction perpendicular to the direction in which the lower roller 311 is conveyed by the tilting portion 330, So that the substrate 10 is tilted so that the substrate 10 is tilted toward the ground. Of course, when the lower roller 311 is moved to the opposite side of the tilting part 330, the substrate 10 returns to the state for introduction / discharge.

여기서 상기 틸팅부(330)는 하부롤러(311)들을 기판(10)이 도입되는 도입방향과 수직을 이루어 수평이동시키는 선형구동부를 포함할 수 있다.The tilting unit 330 may include a linear driving unit for horizontally moving the lower rollers 311 perpendicularly to the direction in which the substrate 10 is introduced.

즉, 상기 틸팅부(330)는 선형구동부에 의하여 지지하는 기판(10)을 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 이동시키면 전체적으로 기판(10)이 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 틸팅된다.That is, when the substrate 10 supported by the linear driving unit is moved in a direction perpendicular to the conveying direction of the substrate 10, the substrate 10 is inclined toward the substrate surface Tilting.

다른 실시예로서, 상기 틸팅부(330)는 하부지지부(310)를 이동시키는 도 2에 도시된 실시예와는 달리, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 상부를 지지하는 제2지지부(320)를 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 이동시키도록 구성될 수 있다. 물론 상기 틸팅부(330)가 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 상부지지부(320)를 이동시키면 기판(10)은 도입/배출을 위한 상태로 복귀하게 된다.3, which is different from the embodiment shown in FIG. 2, in which the tilting part 330 moves the lower holding part 310, the tilting part 330 has a second tilting part 330 for supporting the upper part of the substrate 10, And may be configured to move the support portion 320 in a direction perpendicular to the conveying direction of the substrate 10. Of course, if the tilting part 330 moves the upper support part 320 in a direction perpendicular to the conveying direction of the substrate 10, the substrate 10 is returned to the state for introduction / ejection.

여기서 상기 상부지지부(320)가 자력에 의하여 기판(10)을 지지하는 제2자석을 포함하는 경우 틸팅부(330)는 제2자석을 기판(10)의 이송방향과 수직인 방향으로 이동시키는 선형구동부를 포함할 수 있다.When the upper support part 320 includes a second magnet for supporting the substrate 10 by a magnetic force, the tilting part 330 may be a linear type of moving the second magnet in a direction perpendicular to the direction of transfer of the substrate 10 And may include a driving unit.

또한 상기 틸팅부(330)는 기판(10)을 비접촉에 의하여 지지함을 고려하여 기판처리면의 전방 및 후방으로의 기판(10)의 과도한 이동을 방지하기 위하여 기판처리면 및 그 후면 중 어느 하나의 과동한 이동을 제한하는 하나 이상의 스토퍼(미도시)가 설치될 수 있다.In order to prevent the substrate 10 from being excessively moved forward and backward of the substrate processing surface in consideration of supporting the substrate 10 by the noncontact, the tilting portion 330 may be formed on either one of the substrate- One or more stoppers (not shown) may be installed to limit the excessive movement of the motor.

상기 스토퍼는 틸팅부(330)에 의한 기판(10)의 틸팅이 가능하도록 기판처리면과는 일정한 거리를 두고 설치된다.The stopper is installed at a predetermined distance from the substrate processing surface so that the tilting of the substrate 10 by the tilting part 330 can be performed.

한편 상기 틸팅부(330)에 의하여 기판(10)이 틸팅되어 지면에 대하여 수직인 기준선과 기판처리면이 이루는 경사각(θ)은 1°~10°인 것이 바람직하다.It is preferable that the tilting portion 330 tilts the substrate 10 and the inclination angle? Formed by the substrate processing surface and the reference line perpendicular to the ground surface is 1 to 10 degrees.

상기 경사각(θ)이 지나치게 작은 경우 틸팅효과가 거의 없어 파티클이 기판처리면의 하부 쪽으로 흘러내려 손상을 일으키는 문제를 개선할 수 없다.When the inclination angle? Is excessively small, there is almost no tilting effect, and the problem that the particles flow down to the lower side of the substrate processing surface to cause damage can not be solved.

그리고 상기 경사각(θ)이 지나치게 큰 경우 기판(10)이 자중에 의하여 처짐이 발생되는 문제가 있으며, 기판(10) 틸팅을 가능하게 하기 위하여 진공챔버(10)의 처리공간의 내부 체적을 증가시켜 장치의 제조비용을 증가시키는 문제점이 있다.If the inclination angle? Is excessively large, the substrate 10 may be deflected due to its own weight. In order to enable the tilting of the substrate 10, the internal volume of the processing space of the vacuum chamber 10 is increased There is a problem that the manufacturing cost of the apparatus is increased.

한편 기판(10)은 진공챔버(100)의 외부에서 지면에 대하여 수직 또는 수평을 이루어 이송되고, 진공챔버(100) 외부에서 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 틸팅된 후 진공챔버(100) 내로 도입되고, 진공챔버(100) 내에서 기판처리를 마친 기판(10)이 진공챔버(100) 외부로 배출된 후 다시 지면에 대하여 수직 또는 수평을 이루도록 틸팅될 수 있다.On the other hand, the substrate 10 is transported vertically or horizontally with respect to the ground from the outside of the vacuum chamber 100, and is tilted outside the vacuum chamber 100 such that the substrate-treated surface of the substrate 10 is tilted toward the ground The substrate 10 which has been introduced into the vacuum chamber 100 and has undergone the substrate processing in the vacuum chamber 100 can be tilted so as to be perpendicular or horizontal to the ground after being discharged out of the vacuum chamber 100.

이때 상기 기판핸들링부는 진공챔버(100)의 외측에 결합되어 진공챔버(100) 내부에 도입되기 전에 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 틸팅시킨 후 진공챔버(100) 내로 기판(10)을 도입하고, 진공챔버(100) 내에서 기판처리를 마친 기판(10)이 진공챔버(100) 외부로 배출되면 다시 지면에 대하여 수직 또는 수평을 이루도록 틸팅시키도록 구성될 수 있다.The substrate handling part is coupled to the outside of the vacuum chamber 100 and is tilted so that the substrate processing surface of the substrate 10 tilts toward the ground surface before being introduced into the vacuum chamber 100, When the substrate 10 having undergone the substrate processing in the vacuum chamber 100 is discharged to the outside of the vacuum chamber 100, the substrate 10 may be tilted so as to be vertical or horizontal to the ground.

여기서 상기 기판핸들링부는 진공챔버(100) 내로의 도입 전 및 진공챔버(100)로부터 배출 후 틸팅시킬 수 있는 구성은 도 2 및 도 3에 도시된 구성 등 어떠한 구성도 가능하다.Here, the substrate handling portion can be tilted before introduction into the vacuum chamber 100 and after ejection from the vacuum chamber 100 can have any configuration such as the configuration shown in Figs. 2 and 3.

또한 기판(10)의 도입 및 배출은 진공챔버(100)에 형성된 게이트(121)를 통하여 이루지며, 하나의 게이트(121)를 통하여 이루어지거나, 기판(10)이 일방향으로 이송되고 그 이송방향을 따라서 진공챔버(100)에 형성된 한 쌍의 게이트를 통하여 기판(10)의 도입 및 배출이 각각 이루어질 수 있다.The introduction and discharge of the substrate 10 are performed through the gate 121 formed in the vacuum chamber 100 and are performed through one gate 121 or the substrate 10 is transferred in one direction, Thus, the substrate 10 can be introduced and discharged through a pair of gates formed in the vacuum chamber 100, respectively.

한편 상기 진공챔버(100)는 기판처리면에 패턴화된 증착이 이루어지도록 마스크(340)가 설치될 수 있다.Meanwhile, the vacuum chamber 100 may be provided with a mask 340 for patterned deposition on the substrate-processed surface.

상기 마스크(340)는 외부에서 기판(10)과 함께 진공챔버(100)로 도입되거나 진공챔버(100)의 내부에 설치되는 등 다양한 방식에 의하여 설치될 수 있다.The mask 340 may be installed in the vacuum chamber 100 together with the substrate 10 or may be installed in the vacuum chamber 100 in various ways.

상기 마스크(340)는 기판(10)의 기판처리면에 패턴화된 증착이 이루지도록 패턴화된 하나 이상의 개구가 형성되며 기판처리면에 밀착되는 구성으로서 다양한 구성이 가능하다.The mask 340 may have a variety of configurations in which at least one patterned opening is formed on the substrate-processed surface of the substrate 10 so as to form a patterned deposition, and is closely attached to the substrate-processed surface.

이때 앞서 설명한 바와 같이, 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지는바 기판처리면에 밀착되는 마스크(340) 또한 기판처리시에는 지면을 향하여 경사를 이룰 필요가 있다.At this time, as described above, the substrate 340 is processed in a state in which the substrate-processed surface of the substrate 10 is inclined toward the ground, and the mask 340 adhered to the substrate-processed surface is also required to be inclined toward the ground .

따라서 상기 마스크(340)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 회전과 함께 틸팅되거나, 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면과 평행하게 설치될 수 있다.2 and 3, the mask 340 may be tilted together with the rotation of the substrate 10, or may be tilted with the rotation of the substrate 10, or the substrate processing surface of the substrate 10 may be inclined toward the ground, As shown in FIG.

한편 상기 진공챔버(100)는 마스크(340)의 개구패턴이 기판(10)의 기판처리면에 형성될 패턴에 위치되도록 마스크(340)와 기판(10)을 얼라인하는 얼라이너장치(350)가 설치된다.The vacuum chamber 100 includes an aligner device 350 for aligning the mask 340 and the substrate 10 so that the opening pattern of the mask 340 is positioned in a pattern to be formed on the substrate- Respectively.

상기 얼라이너장치(350)는 마스크(340)의 개구패턴이 기판(10)의 기판처리면에 형성될 패턴에 위치되도록 마스크(340) 및 기판(10)을 얼라인할 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.The aligner device 350 may be configured so as to be capable of aligning the mask 340 and the substrate 10 such that the opening pattern of the mask 340 is positioned in the pattern to be formed on the substrate- It is also possible.

일예로서, 상기 얼라이너장치(350)는 일단이 마스크(340)와 연결되는 복수의 위치조정핀들과 위치조정핀들의 타단이 연결되어 위치조정핀들을 이동시켜 기판(10) 및 마스크(340)를 얼라인하는 구동장치를 포함하여 구성되는 등 다양하게 구성될 수 있다.For example, the aligner device 350 includes a plurality of position adjusting pins, one end of which is connected to the mask 340, and the other end of the position adjusting pins are connected to move the position adjusting pins to move the substrate 10 and the mask 340 And a driving device for aligning the image.

이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 의한 기판처리방법의 일 실시예에 관하여 상세히 설명한다.Hereinafter, one embodiment of the substrate processing method by the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 기판처리방법은 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 진공챔버(100) 내에서 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사, 즉 하향경사를 이룬 상태에서 기판처리를 수행하는 것을 특징으로 한다.The substrate processing method according to the present invention performs substrate processing in a state in which the substrate processing surface of the substrate 10 is tilted toward the ground in the vacuum chamber 100 forming the closed processing space S, .

여기서 상기 진공챔버(100) 내에서 기판(10)의 기판처리면이 지면을 향하여 경사, 즉 하향경사를 이룬 상태를 틸팅된 상태로 정의할 수 있다.Here, the substrate processing surface of the substrate 10 in the vacuum chamber 100 can be defined as a tilted state, that is, a state in which the substrate processing surface is tilted toward the ground, that is, a downward tilted state.

그리고 상기 기판(10)은 기판처리는 물론 진공챔버(100)를 포함하는 챔버 간의 이송 등 이송 또한 틸팅된 상태를 이송되거나, 후술하는 바와 같이, 기판(10)은 기판처리 전, 즉 진공챔버(100) 내로의 도입 전 또는 진공챔버(100) 내부로의 도입 후에 기판틸팅단계를 거쳐 틸팅될 수 있다.The substrate 10 is transported in a tilted state as well as transported between the chambers including the vacuum chamber 100 as well as the substrate processing. Alternatively, the substrate 10 is transported before the substrate processing, that is, in the vacuum chamber 100, or after introduction into the vacuum chamber 100, the substrate may be tilted through a tilting step.

상기와 같은 기판처리의 수행을 위하여 본 발명에 따른 기판처리방법은 도 4에 도시된 바와 같이, 지면에 대하여 수직 또는 수평을 이루어 기판(10)을 진공챔버(100) 내에 도입하는 기판도입단계(S10)와; 기판회전단계(S20) 후에 증착물을 증발시켜 기판처리면에 박막을 형성하는 증착단계(S30)를 포함함과 아울러, 기판도입단계(S10) 전", 또는 "기판도입단계(S10) 후 및 증착단계(S30) 전"에 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이루도록 기판을 틸팅시키는 기판틸팅단계(S20)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, the substrate processing method of the present invention for performing the above-described substrate processing includes a substrate introducing step of introducing the substrate 10 into the vacuum chamber 100, S10); (S30) of evaporating the deposition material after the substrate rotation step (S20) to form a thin film on the substrate processing surface, and also includes a step of " before the substrate introduction step (S10) The substrate processing apparatus may further include a substrate tilting step (S20) of tilting the substrate so that the substrate processing surface is inclined toward the ground before the step " S30 ".

상기 기판도입단계(S10)는 진공챔버(100) 내로 기판(10)을 도입하는 단계로서 기판(10)의 이송방식에 따라서 다양한 방식이 가능하며, 기판(10)의 상단 및 하단 중 적어도 어느 하나를 지지부(310, 320)에 의하여 직접 또는 간접으로 지지하여 기판을 진공챔버(100) 내에 도입할 수 있다.The substrate introducing step S10 is a step of introducing the substrate 10 into the vacuum chamber 100 and may be carried out in various manners depending on the transferring method of the substrate 10 and at least one of the upper and lower ends of the substrate 10 May be directly or indirectly supported by the supports 310 and 320 to introduce the substrate into the vacuum chamber 100.

상기 기판틸팅단계(S20)는 기판(10)의 틸팅에 따라서 다양한 방식이 가능하며, 기판(10)을 지지하는 지지부(310, 320)를 이동시켜 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판(10)을 직접 또는 간접으로 틸팅시킬 수 있다.The substrate tilting step S20 may be performed in various manners in accordance with the tilting of the substrate 10 and may be performed by moving the supporting portions 310 and 320 supporting the substrate 10 and moving the substrate processing surface of the substrate 10 toward the ground The substrate 10 can be tilted directly or indirectly so as to form an inclination.

구체적으로 상기 기판틸팅단계(S20)는 기판(10)의 상단 또는 하단을 기판처리모듈(390)을 향하여 선형이동시켜 전체적으로 기판(10)의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판(10)을 직접 또는 간접으로 틸팅시킬 수 있다.Specifically, the substrate tilting step S20 linearly moves the upper or lower end of the substrate 10 toward the substrate processing module 390 so that the substrate processing surface of the substrate 10 as a whole is tilted toward the ground, Can be directly or indirectly tilted.

한편 상기 기판틸팅단계(S20)는 진공챔버(100)의 외부에서 또는 진공챔버(100) 내에서 수행되는 등 다양한 위치에서 수행될 수 있다.Meanwhile, the substrate tilting step (S20) may be performed at various positions such as being performed outside the vacuum chamber 100 or in the vacuum chamber 100.

특히 상기 기판틸팅단계(S20)는 진공챔버(100)에 버퍼챔버(미도시) 등이 설치된 경우 외부는 물론 버퍼챔버 등에서 수행되는 등 다양한 위치에서 수행될 수 있음은 물론이다.In particular, the substrate tilting step S20 may be performed at various positions such as a buffer chamber (not shown) or the like when a buffer chamber (not shown) is installed in the vacuum chamber 100.

한편 상기 기판틸팅단계(S20)가 진공챔버(100)의 외부에서 수행되는 경우, 기판(10)은 진공챔버(100)로부터 배출된 후 다시 지면에 대하여 수직 또는 수평을 이루도록 다시 틸팅될 수 있다.When the substrate tilting step S20 is performed outside the vacuum chamber 100, the substrate 10 may be retracted again after being discharged from the vacuum chamber 100 so as to be vertical or horizontal to the ground.

한편 상기 기판처리가 마스크(340)를 설치한 상태에서 이루어지는 경우 기판틸팅단계(S20) 전 또는 후에 패턴화된 증착이 이루어지도록 마스크(340)를 기판(10)의 기판처리면과 밀착시키는 마스크밀착단계(S21)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, when the substrate processing is performed with the mask 340 installed, the mask 340 is closely contacted with the substrate-processed surface of the substrate 10 so that patterned deposition may be performed before or after the substrate tilting step S20 And may further include step S21.

상기 마스크밀착단계(S21)는 기판(10) 및 마스크(310)를 얼라인하는 얼라인단계와, 마스크(310)를 기판처리면에 밀착시키는 밀착단계를 포함할 수 있다. 이때 상기 기판틸팅단계(S20)는 밀착단계 후에 수행될 수 있다.The mask adhering step S21 may include an aligning step for aligning the substrate 10 and the mask 310, and an adhesion step for adhering the mask 310 to the substrate processing surface. At this time, the substrate tilting step S20 may be performed after the adhesion step.

또한 상기 마스크밀착단계(S21)는 기판(10) 및 마스크(310)를 얼라인하는 얼라인단계와, 마스크(310)를 기판처리면에 밀착시키는 밀착단계를 포함할 수 있으며 이때 얼라인단계는 기판틸팅단계(S20) 후에 수행될 수 있다.The mask adhering step S21 may include an aligning step of aligning the substrate 10 and the mask 310 and an adhesion step of bringing the mask 310 into close contact with the substrate processing surface, May be performed after the substrate tilting step S20.

한편 상기 기판틸팅단계(S20)와 유사하게 마스크밀착단계(S21) 또한 진공챔버(100) 외부, 별도의 버퍼챔버, 진공챔버(100)의 내부 등 다양한 위치에서 수행될 수 있다.The mask adhering step S21 may be performed at various positions such as outside the vacuum chamber 100, a separate buffer chamber, and the inside of the vacuum chamber 100, similar to the substrate tilting step S20.

예를 들면, 상기 기판틸팅단계(S20)는 기판도입단계(S20) 전에 수행되고, 기판도입단계(S20) 후에 마스크(310)를 기판(10)의 기판처리면과 밀착시키는 마스크밀착단계(S21)가 수행될 수 있다.
For example, the substrate tilting step S20 is performed before the substrate introduction step S20. After the substrate introduction step S20, the mask 310 is brought into close contact with the substrate processing surface of the substrate 10 ) Can be performed.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It is to be understood that both the technical idea and the technical spirit of the invention are included in the scope of the present invention.

10 : 기판 20 ; 기판트레이
100 : 진공챔버 310, 320 : 지지부
10: substrate 20; Substrate tray
100: vacuum chamber 310, 320: support

Claims (21)

밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버와;
지면에 대하여 기립된 기판의 기판처리면이 지면에 대하여 수직인 기준선에 대해 지면을 향하여 하향 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지도록 기판을 지지하는 기판핸들링부와;
상기 진공챔버에 설치되어 기판에 대한 기판처리의 수행을 위한 기판처리모듈을 포함하며,
상기 기판핸들링부는, 기판의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나를 직접 또는 간접으로 지지하며 상기 진공챔버 내로 도입시 그 이동을 가이드하는 지지부를 포함하며,
상기 기판은, 상기 진공챔버에 하향 경사를 이룬 상태에서 도입되고 기판처리시 하향 경사를 이룬 상태를 이루는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A vacuum chamber for forming a closed processing space;
A substrate handling unit for supporting the substrate such that substrate processing is performed while the substrate processing surface of the substrate standing with respect to the ground is inclined downward toward the ground with respect to a reference line perpendicular to the ground;
And a substrate processing module installed in the vacuum chamber for performing substrate processing on the substrate,
Wherein the substrate handling unit includes a support for directly or indirectly supporting at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate and guiding the movement of the substrate when the substrate is introduced into the vacuum chamber,
Wherein the substrate is introduced into the vacuum chamber in a downwardly inclined state and is downwardly inclined when the substrate is processed.
청구항 1에 있어서,
상기 기판처리모듈은 상기 기판처리면에 증착될 증착물질이 처리공간으로 증발되는 하나 이상의 증발원을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate processing module includes at least one evaporation source through which the evaporation material to be deposited on the substrate processing surface evaporates into the processing space.
청구항 2에 있어서,
상기 증발원은 상기 기판처리면과 평행하게 이동 가능하도록 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 2,
Wherein the evaporation source is installed so as to be movable in parallel with the substrate processing surface.
청구항 2에 있어서,
상기 증발원은 복수개로 설치되며,
상기 복수의 증발원들은 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면에 대한 법선길이가 일정한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 2,
The evaporation sources are installed in a plurality,
Wherein the plurality of evaporation sources have a constant normal length to a substrate processing surface in a state where the substrate processing surface of the substrate is inclined toward the ground.
삭제delete 밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버와;
지면에 대하여 기립된 기판의 기판처리면이 지면에 대하여 수직인 기준선에 대해 지면을 향하여 하향 경사를 이룬 상태에서 기판처리가 이루어지도록 기판을 지지하는 기판핸들링부와;
상기 진공챔버에 설치되어 기판에 대한 기판처리의 수행을 위한 기판처리모듈을 포함하며,
상기 기판핸들링부는 상기 진공챔버 내에 설치되며 지면에 대하여 기립된 상태로 도입된 기판의 상부 및 하부 중 적어도 어느 하나를 직접 또는 간접으로 지지하며 상기 진공챔버 내로 도입시 그 이동을 가이드하는 지지부와,
기판처리시 기판의 기판처리면이 지면에 향하여 하향 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시키는 틸팅부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
A vacuum chamber for forming a closed processing space;
A substrate handling unit for supporting the substrate such that substrate processing is performed while the substrate processing surface of the substrate standing with respect to the ground is inclined downward toward the ground with respect to a reference line perpendicular to the ground;
And a substrate processing module installed in the vacuum chamber for performing substrate processing on the substrate,
The substrate handling unit may include a support installed in the vacuum chamber and directly or indirectly supporting at least one of an upper portion and a lower portion of the substrate introduced in a standing state with respect to the ground and guiding the movement of the substrate when the vacuum chamber is introduced into the vacuum chamber,
And a tilting unit that directly or indirectly tilts the substrate so that the substrate-processed surface of the substrate is inclined downward toward the ground during substrate processing.
청구항 6에 있어서,
상기 지지부는 기판의 하부를 직접 또는 간접으로 지지하는 복수의 하부롤러들을 포함하며,
상기 틸팅부는 상기 하부롤러들을 기판이 도입되는 도입방향과 수직을 이루어 수평이동시키는 선형구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 6,
The support portion includes a plurality of lower rollers for directly or indirectly supporting the lower portion of the substrate,
Wherein the tilting unit includes a linear driving unit for horizontally moving the lower rollers perpendicularly to an introduction direction in which the substrate is introduced.
청구항 6에 있어서,
상기 지지부는 기판의 상부를 지지하는 상부지지부와, 기판의 하부를 지지하는 하부지지부를 포함하며,
상기 틸팅부는 상기 상부지지부 및 하부지지부 중 적어도 어느 하나를 이동시켜 기판의 기판처리면을 지면에 향하여 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시키는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 6,
The support portion includes an upper support portion for supporting an upper portion of the substrate, and a lower support portion for supporting a lower portion of the substrate,
Wherein the tilting portion moves at least one of the upper support portion and the lower support portion to tilt the substrate directly or indirectly so as to be inclined toward the surface of the substrate.
청구항 8에 있어서,
상기 상부지지부 및 상기 하부지지부는 상기 진공챔버 내에서의 기판의 이송을 가이드하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 8,
Wherein the upper support portion and the lower support portion guide the transfer of the substrate in the vacuum chamber.
청구항 1 내지 청구항 4 및 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,
지면에 대하여 수직인 기준선과 상기 기판처리면이 이루는 경사각은 1°~10°인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to any one of claims 1 to 4 and 6 to 9,
Wherein the inclined angle between the reference line perpendicular to the ground and the substrate processing surface is 1 to 10 degrees.
청구항 10에 있어서,
상기 진공챔버는 마스크가 설치되며, 상기 마스크는 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서의 기판처리면과 평행하게 설치된 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
The method of claim 10,
Wherein the vacuum chamber is provided with a mask, and the mask is disposed parallel to the substrate processing surface in a state where the substrate processing surface of the substrate is inclined toward the ground.
청구항 1 내지 청구항 4 및 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은 상기 진공챔버 내에서 직접 지지되어 기판처리되거나, 기판트레이에 의하여 간접으로 지지되어 기판처리되는 특징으로 하는 기판처리장치.
The method according to any one of claims 1 to 4 and 6 to 9,
Wherein the substrate is directly supported in the vacuum chamber to be subjected to a substrate treatment or indirectly supported by a substrate tray to perform a substrate treatment.
밀폐된 처리공간을 형성하는 진공챔버 내에서 지면에 대하여 기립된 기판의 기판처리면이 지면에 대하여 수직인 기준선에 대해 지면을 향하여 하향 경사를 이룬 상태에서 기판처리를 수행하며, 기판을 상기 진공챔버 내에 도입하는 기판도입단계와; 증착물을 증발시켜 기판처리면에 박막을 형성하는 증착단계를 포함하는 기판처리방법으로서,
"상기 기판도입단계 전", 또는 "상기 기판도입단계 후 및 상기 증착단계 전"에 지면에 대하여 기립된 기판처리면이 지면을 향하여 하향 경사를 이루도록 기판을 틸팅시키는 기판틸팅단계를 더 포함하며,
상기 기판도입단계는 기판의 상단 및 하단 중 적어도 어느 하나를 지지부에 의하여 직접 또는 간접으로 지지하며 그 이동을 가이드하여 기판을 상기 진공챔버 내에 도입하며,
상기 기판틸팅단계는 기판을 지지하는 상기 지지부를 이동시켜 기판의 기판처리면이 지면을 향하여 하향 경사를 이루도록 기판을 직접 또는 간접으로 틸팅시키는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
The substrate processing step is performed while the substrate processing surface of the substrate standing with respect to the paper in the vacuum chamber forming the closed processing space is inclined downward toward the ground with respect to the reference line perpendicular to the ground surface, A substrate introducing step of introducing the substrate into the chamber; And a deposition step of evaporating the deposition material to form a thin film on the substrate processing surface,
Further comprising a substrate tilting step of tilting the substrate such that the substrate processing surface standing with respect to the sheet is inclined downward toward the ground in "before the substrate introduction step ",or" before the substrate introduction step and before the deposition step &
Wherein the step of introducing the substrate directly or indirectly supports at least one of an upper end and a lower end of the substrate by a supporting part, guides the movement of the substrate, and introduces the substrate into the vacuum chamber,
Wherein the substrate tilting step moves the substrate supporting the substrate so that the substrate is directly or indirectly tilted so that the substrate processing surface of the substrate is inclined downward toward the ground.
삭제delete 삭제delete 청구항 13에 있어서,
상기 기판틸팅단계 전 또는 후에 마스크를 기판의 기판처리면과 밀착시키는 마스크밀착단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
14. The method of claim 13,
Further comprising a mask adhering step of bringing the mask into close contact with the substrate processing surface of the substrate before or after the substrate tilting step.
청구항 16에 있어서,
상기 마스크밀착단계는
기판과 마스크를 얼라인하는 얼라인단계와, 마스크를 기판처리면에 밀착시키는 밀착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
18. The method of claim 16,
The mask tightening step
An aligning step of aligning the substrate and the mask, and an adhesion step of bringing the mask into close contact with the substrate processing surface.
청구항 13에 있어서,
상기 기판틸팅단계는 상기 기판도입단계 전에 수행되고, 상기 기판도입단계 후에 마스크를 기판의 기판처리면과 밀착시키는 마스크밀착단계가 수행되며,
상기 마스크밀착단계는 기판과 마스크를 얼라인하는 얼라인단계와, 마스크를 기판처리면에 밀착시키는 밀착단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the substrate tilting step is performed before the step of introducing the substrate, and after the step of introducing the substrate, a mask adhering step for adhering the mask to the substrate processing surface of the substrate is performed,
Wherein the mask adhering step includes an aligning step of aligning the substrate and the mask, and an adhesion step of bringing the mask into close contact with the substrate processing surface.
청구항 13에 있어서,
기판의 기판처리면이 지면을 향하여 경사를 이룬 상태에서 기판이 이송되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
14. The method of claim 13,
Wherein the substrate is transferred while the substrate-treated surface of the substrate is inclined toward the ground.
청구항 13 및 청구항 16 내지 청구항 19 중 어느 하나의 항에 있어서,
기판처리 시에 지면에 대하여 수직인 기준선과 상기 기판처리면이 이루는 경사각은 1°~10°인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
The method according to any one of claims 13 and 16 to 19,
Wherein the inclination angle between the base line perpendicular to the ground and the substrate processing surface during the substrate processing is in the range of 1 to 10 degrees.
청구항 13 및 청구항 16 내지 청구항 19 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 기판은 직접 지지되어 기판처리가 수행되거나, 기판트레이에 의하여 간접으로 지지되어 기판처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
The method according to any one of claims 13 and 16 to 19,
Wherein the substrate is directly supported and subjected to a substrate process or indirectly supported by a substrate tray to perform a substrate process.
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