KR101044525B1 - 사이드월 잔사 제거용 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 15
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- GTDKXDWWMOMSFL-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)C GTDKXDWWMOMSFL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- -1 hexafluorosilicic acid Chemical compound 0.000 description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLYSRROVZCWHDU-UHFFFAOYSA-N N.CF Chemical compound N.CF PLYSRROVZCWHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N peroxysulfuric acid Chemical compound OOS(O)(=O)=O FHHJDRFHHWUPDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005200 wet scrubbing Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조동안 금속 표면, 특히 알루미늄 또는 알루미늄-함유 표면으로부터 소위 "사이드월 잔사(sidewall residue)"를 제거하기 위한 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조 동안 금속 표면, 특히 알루미늄 또는 알루미늄-함유 표면으로부터 소위 "사이드월 잔사(sidewall residue)"를 제거하기 위한 조성물에 관한 것이다.
집적 회로에서 도체 트랙은 주로 알루미늄 또는 알루미늄/구리 합금(0.5%의 구리)으로 구성되고, 이는 스퍼터링에 의해 전체 표면상에 증착된다. 구조체는 포토레지스트를 이용한 코팅, 노출 및 전개에 의해 후속적으로 형성된다. 후속적인 드라이-에칭 과정에서, 알루미늄이 구축되고, 이동안 포토레지스트와 에칭 가스의 구성성분으로부터 중합체가 형성되고 알루미늄 도체 트랙의 주로 사이드월 상에 연속 층으로서 증착된다. 심지어 산소 플라즈마 또는 카로산(Caro's acid)을 이용하여 포토레지스트를 제거한 후에도, 이들 중합체는 도체 트랙 상에 남아있다. 이들 소위 잔사 중합체(이는 일반적으로 "사이드월 잔사"로 공지되어 있다)는 IC 소자의 성능 및 신뢰성을 보증하기 위해서 제조 공정이 계속되기 전에 완벽하게 제거되어 야만 한다. 이들 "사이드월 잔사"는 하기에서 잔사 중합체로 언급된다.
통상적인 방법에서, 잔사 중합체는 스트리퍼 또는 스트리퍼 용액으로 알려진 용액을 이용함으로써 습식 세정 단계에 의해 제거된다. 통상적인 스트리퍼는 착화제, 부식 억제제 및 극성 용매를 포함한다. 가장 흔하게 사용되는 제품 EKC 265에서, 이들 성분은 하이드록실아민, 모노에탄올-아민, 카테콜 및 물이다.
보다 최근의 발견 결과, 순수한 무기 스트리퍼를 사용하는 것 또한 가능하다. 예를 들면, 제 WO 97/36209 A1 호(메르크)는 희석 황산/과산화수소 용액(DSP)계 조성물을 개시한다. 미국 특허 제 5,698,503 호 및 제 5,709,756 호에서는, 상응하는 암모늄 플루오라이드 용액계 스트리퍼가 사용된다.
희석 황산/과산화수소 용액(DSP)은 그 자체로는 잔사 중합체의 제거에 충분하지 않아서, 추가의 첨가제를 포함한다. 이런 첨가제는 예를 들면 10 내지 100mg/kg의 농도 범위의 소량의 불화수소산이다. 불화수소산은 알루미늄과 알루미늄/구리 합금에 대한 약한 부식 작용을 갖는다. 공격은 금속화에 손상을 미치지는 않고 전체 표면에 걸쳐 일어난다. 예를 들면 염화 이온에 의한 구멍 부식은 일어나지 않는다.
언더에칭(underetching)으로 인해, 잔류 중합체 층은 금속 표면과 분리되고, 액체에 의해 세정되어 없어진다(리프트-오프(lift-off)). 에칭 조작에 의해 노출된 금속 표면은 나중에 과산화수소에 의해 다시 부동화된다.
에칭 첨가제로서 불화수소산을 사용하는 데 있어 단점은 농도가 매우 정확하게 유지되고 모니터링되어야만 한다는 점이다. 과다하게 높은 농도는 금속 표면을 과하게 공격할 것이고, 부적합한 불화수소산 농도는 적합한 세정 작용을 달성하지 않는다.
스트리퍼 용액이 사용되어야하는 공장의 유형에 따라, 서로 다른 HF 농도가 설정된다. 스핀 에칭기에서 스트리퍼 용액을 사용할 때, 일반적으로 HF 농도가 100mg/kg인 스트리퍼가 사용된다. 이와는 대조적으로, 탱크 유니트에서는 HF 농도가 단지 10mg/kg인 조성물이 사용된다.
특히, 탱크 유니트에서 사용하기 위한 매우 낮은 농도의 용액은 공정 제어를 매우 복잡하게 만든다. 농도는 공칭 값에서 단지 몇 ppm정도만 다를 수 있다. 이 목표는 불화수소산의 연속적이고, 정확한 측정 및 제어된 보충에 의해서만 달성될 수 있다. 이는 유니트가 온-라인 분석 시스템과 상응하는 계량 시스템을 갖는 경우에만 가능하다.
문헌
발명의 명칭이 "드라이 에칭후의 사이드월 잔사를 제거하기 위한 용액 및 공정(Solution and Process for Removal of Sidewall Residue after Dry Etching)"인 메르크의 특허 출원 제 WO 97/36209 호.
애쉬랜드(Ashland)의 문헌[Technical Note, Fluoride-Containing Strippers].
SEZ. Inorganic Chemical DSP
제 EP 0 773 480 A1 호(발명의 명칭이 "Remover solution composition for resist and method for removing resist using the same"임).
제 EP 0 485 161 A1 호(발명의 명칭이 "Stripping composition and method of stripping resist from substrates"임).
제 US A 5,698,503 호(발명의 명칭이 "Stripping and Cleaning composition"임).
제 US A 5,709,756 호(발명의 명칭이 "Basic Stripping and cleaning composition"임).
제 EP 0 596 515 B1 호(발명의 명칭이 "Alkaline photoresist stripping composition producing reduced metal corrosion"임).
목적
본 발명의 목적은 소위 "사이드월 잔사"로 불리는 잔사 중합체를 제거하기 위한 안정한 조성물 또는 스트리퍼 용액을 제공함으로써, 넓은 농도 범위의 첨가제로 알루미늄 또는 알루미늄/구리 합금상에서의 안정된 에칭 속도를 제공하고, 금속화 층 또는 도체 트랙을 손상시키거나 부식을 유발하지 않고 상기 개시된 잔류 중합체를 완전히 제거하는 것이다.
상기 목적은 수용액 중에서, 선택적으로 첨가제와 조합된, 10 내지 500mg/kg의 총 양의 H2SiF6 및/또는 HBF4, 12 내지 17중량%의 H2SO4
, 2 내지 4중량%의 H2O2를 포함하는 반도체 제조용 조성물에 의해 달성된다.
따라서 본 발명은 반도체 제조의 공정 단계에서 잔류 중합체 제거제로서 H2SiF6 및/또는 HBF4를 포함하는 조성물의 용도, 특히 Al 또는 Al-함유 도체 트랙에서 잔류 중합체를 제거하기 위한 조성물의 용도에 관한 것이다.
이들 조성물은 바람직하게는 금속 도체 트랙 및 접점 구멍을 드라이 에칭한 후 잔사 중합체를 제거하기 위해 사용된다. 따라서, 본 발명은 또한 알루미늄 또는 구리/알루미늄 합금으로부터 잔류 중합체를 제거하기 위한 이 조성물의 용도에 관한 것이고, 특히 수용액에서, 선택적으로 첨가제와 조합된, 10 내지 500mg/kg의 총 양의 H2SiF6 및/또는 HBF4, 12 내지 17중량%의 H2SO4
, 2 내지 4중량%의 H2O2를 포함하는 조성물의 용도에 관한 것이다. 이들 조성물은 바람직하게는 스핀 에칭기 또는 탱크 유니트에서 반도체를 제조하는 공정 단계중에 잔류 중합체를 제거하기 위해 사용된다.
본 발명에 따르면, 본 발명의 조성물은 Al 또는 Al-함유 도체 트랙으로부터 잔류 중합체를 제거하기 위한 공정에서 이용된다.
도 1은 HF, NH4F, TMAF 및 H2PO3F의 에칭 성분의 농도의 함수로서의 에칭 행동에 관한 것이다.
도 2는 500mg/kg의 일정한 H2SiF6 함량에서 알루미늄에 대한 에칭 속도의 의존성을 나타낸다.
도 3은 처리 전 알루미늄 도체 트랙을 갖는 웨이퍼의 부분을 보여준다.
도 4는 100ppm의 H2SiF6를 포함하는 조성물을 이용하여 스트리핑한 후의 상응하는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 5는 500ppm의 H2SiF6를 포함하는 조성물을 이용하여 스트리핑한 후의 상응하는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 6은 1000ppm의 H2SiF6를 포함하는 조성물을 이용하여 스트리핑한 후의 상응하는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 7은 동일한 조건하에서 100ppm의 HF를 이용하여 수득된 결과를 보여준다.
도 8은 동일한 조건하에서 200ppm의 HF를 이용하여 수득된 결과를 보여준다.
도 9는 동일한 조건하에서 500ppm의 HF를 이용하여 수득된 결과를 보여준다.
도 10은 100ppm의 H2SiF6을 이용하여 매트슨 AWP 탱크 가공기중에서 잔류 중합체를 제거하여 얻은 결과를 보여준다.
도 11은 600ppm의 H2SiF6을 이용하여 매트슨 AWP 탱크 가공기중에서 잔류 중합체를 제거하여 얻은 결과를 보여준다.
도 12는 12중량%의 H2SO4, 2.4중량%의 H2O2, 100ppm의 H2
SiF6 및 추가의 계면활성제를 포함하는 스트리퍼 용액으로 처리한 후의 도체 트랙을 보여준다.
도 13은 추가의 계면활성제가 없는 도 12에 상응하는 스트리퍼 용액을 이용한 처리 후의 도체 트랙을 보여준다.
개시된 바와 같이, 불소 함유 무기 첨가제뿐만 아니라 황산 및 과산화수소는 스트리퍼의 주된 구성성분이다. 현재 가장 흔하게 사용되는 무기 조성물은 황산, 과산화수소, 및 첨가제로서 10 내지 100mg/kg의 농도 범위의 순수한 불화수소산으로 구성된 상기 언급된 DSP 혼합물이다.
불화암모늄, 불화사메틸암모늄 또는 불화포스폰산과 같은 첨가제를 불화수소산 대신 사용하는 경우, 이들은 알루미늄에 대해 동일한 에칭 행동을 나타낸다. 즉, 스트리퍼에 존재하는 불화물 농도에 선형 의존한다. 에칭 성분의 농도의 함수로서의 이 유형의 선형 에칭 행동은 HF, NH4F, TMAF 및 H2PO3F에 대해 도 1에 도시되어 있다. 이들 모든 첨가제의 에칭 속도가 그래프에서 직선상에 있다는 사실은 산성 용액중의 불화물 성분이 HF로 완전히 전환된다는 것을 제안한다.
이와는 대조적으로, 불소 화합물인 육불화규산 및 사불화붕산의 에칭 행동은, 실험에서 나타나는 바와 같이, 완전히 다르다. 에칭 속도는, 비록 초기에는 농도에 따라 증가하지만, 농도가 더 이상 증가함에 따라 본질적으로 일정하게 유지된다. 이런 행동은 또한 도 1의 도면에 나타나 있다.
비록, 육불화규산 및 사불화붕산이 강산이라는 것이 일반적으로 이해되고 있지만, 이제 실험은 상기 언급된 첨가제 대신 이들을 이용하는 것이 스트리퍼 용액의 행동에 유리하게 영향을 미칠 수 있음을 보여준다. 심지어 이들 성분이 비교적 소량으로 첨가된 경우에도, 이의 긍정적인 효과는 매우 명백하다. 그러나, 육불화 규산 및/또는 사불화붕산의 첨가에 의해 유리한 영향을 받을 수 있는 것은 에칭 속도뿐만 아니고, 동시에, 이에 의해 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어진 도체 트랙의 표면의 부식에 대한 부동화가 달성된다.
이들 화합물의 "이중" 억제제 활성으로 인해 잔류 중합체의 제거에 필요한 이 공정 단계가 장기간동안 훨씬 더 큰 농도 범위에서 일정한 스트리퍼 활성을 갖고 수행되는 것이 가능해졌다.
따라서 제조 과정 동안의 첨가제 함량 및 보충량을 연속적으로 측정할 필요가 없다. 따라서 장치 비용이 절감되고, 동시에 더 큰 공정 안정성이 달성된다.
조성물중에서 100 내지 500mg/kg의 농도로 육불화규산 및/또는 사불화붕산을 이용함으로써, 잔류 중합체가 매우 우수하게 제거되며, 이는 SEM 연구에 의해 확인될 수 있다. 동시에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 공격은 상기 농도 범위에서는 명백하지 않다. 육불화규산의 유리한 작용은 첨가제로서의 HF와의 직접적인 비교에서 명백하다. HF는 단지 100mg/kg에서도 상당한 표면 에칭을 나타낸다(도 3의 그림 5 참고).
다음과 같은 층 구조를 갖는 구조화된 웨이퍼를 이용하여 실험을 수행한다:
·SiO2(열적 산화물 기판)
·스퍼터링된 티탄 100nm
·스퍼터링된 알루미늄(0.5% Cu) 900nm
·스퍼터링된 TiN 100nm
알루미늄 도체 트랙을 포토레지스트로 코팅하고, 노출시키고, 후속적으로 전개하고, 레지스트를 UV 조사로 경화시켜 구축된다.
그런 다음, LAM TCP 9600의 에칭 챔버에서 웨이퍼를 에칭 가스로서 Cl2/BCl3 및 N2를 이용하여 에칭한다.
스트리핑 챔버에서 포토레지스트 층을 O2/H2O 플라스마 처리에 의해 제거한 후, 추가의 챔버에서 염소의 제거(부식 방지)를 위해 온수로 처리하였다.
드라이 에칭후에 잔류 중합체를 제거하는 공정, 즉, 스트리핑 공정은 먼저 DIN 50453에 따라 재현가능한 상황하에서 비이커 실험에서 개발되었다. 그런 다음, 공정은 다음의 공정 변수를 이용하여 SEZ 스핀 에칭기 및 매트슨(Mattson) AWP200 탱크 유니트로 이동되었다:
제 1 실험은 현재 사용되고 있는 DSP 혼합물에 상응하는 조성물, 즉 12 내지 17중량%의 범위의 농도의 황산 및 2 내지 4중량%의 범위의 농도의 과산화수소의 수용액을 이용하여 수행되었다. 여기서는 H2SiF6 및 HBF4 각각으로 제조된 것도 사용되지만, 또한 불화 이온 공급자로서 이들 두 화합물의 조합 또한 사용된다.
이들 실험은 불화 이온 공급제인 H2SiF6 및 HBF4의 개별적인 첨가뿐만 아니 라, 이들의 조합 또한 잔류 중합체를 잘 제거할 수 있고, H2SiF6으로 인해 부동화처리가 더 잘된다는 것을 보여준다. 따라서, 이 실험 결과와 이들의 더 우수한 취급성 때문에, H2SiF6의 사용이 바람직하다.
드라이 에칭 후에 잔류 중합체를 제거하기에 적합한 용액은 1 내지 17중량%의 범위의 농도로 H2SO4를 함유하는 것들이다. 12 내지 17중량%의 H2SO
4를 포함하는 조성물이 특히 우수한 결과를 달성한다.
1 내지 12중량%의 범위의 농도로 H2O2를 포함하는 조성물이 잔류 중합체의 제거에 적합한 것으로 입증되었다. 2 내지 4중량%의 범위의 농도로 H2O2를 포함하는 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.
이들 농도 범위에서, 알루미늄에 대한 에칭 속도는 본질적으로 일정하고, 첨가제의 함량에 의해서만 결정된다. 도 2는 500mg/kg의 일정한 H2SiF6 함량에서 알루미늄에 대한 에칭 속도의 의존성을 나타낸다.
특히 적합한 조성물은 12 내지 17중량%의 H2SO4, 2 내지 4중량%의 H2O2
및 100 내지 500mg/kg의 H2SiF6를 포함하는 것으로 입증되었다. 불화물 공급원이 HBF
4와 조합된 H2SiF6이고, 2가지 화합물의 총 양이 100 내지 500mg/kg인 상응하는 조성물이 바람직하다. 본 발명의 추가의 바람직한 양태는 유일한 불소 함유 화합물로서 HBF4를 100 내지 500mg/kg의 양으로 포함하는 조성물을 포함한다.
실험은 상응하는 조성물이 금속 도체 트랙상의 드라이 에칭 후의 잔류 중합체의 제거에 특히 적합함을 보여준다.
이들 수성 조성물은 금속을 공격하지 않고 알루미늄으로부터 잔류 중합체를 제거하는데 특히 적합하다.
공정이 연속적으로 수행되는 경우, 첨가제로서 순수한 HF를 갖는 지금까지 사용된 스트리퍼로서 DSP 혼합물을 사용하는 경우, HF 함량이 본 발명에 따른 조성물과 비해 연속적으로 떨어져서 세정 작용에 부정적인 효과를 미치는 반면, 소비된 HF는 평형 반응에서 효과적인 첨가제로서 H2SiF6 또는 HBF4에 의해 연속적으로 보충되어 바람직한 농도가 연장된 기간동안 일정하게 유지되는 것으로 보인다. 이런 방식으로 안정화되는 용액은 먼저 공정 안전성을 상당히 개선시키고, 두 번째로 기술적으로 복잡한 온-라인 모니터링 및 계량 시스템이 필요없기 때문에 비용을 절감시킨다. 또한, 본 발명에 따른 불화 이온 공급제는 사용되는 저장 용기 및 생산 공장 둘 모두에 대해 순수한 HF 용액보다 상당히 덜 부식성이어서, 본 발명에 따른 불화 이온 공급제는 또한 이런 측면에서 공정 안전성에 상당한 기여를 한다.
실시예는 본 발명을 더 잘 이해하도록 예시 목적으로 하기에 주어져 있다. 본 발명의 실시예가 일반적으로 한정된 수치로 서술되어 있지만, 이들 실시예에 주어진 값으로 본 발명을 제한하고자 함이 아니다.
실시예 1
상기 개시된 층 구조를 갖는 에칭된 웨이퍼를 SEZ 스핀 에칭기에서 가공하였다. 이 기술은 가공 챔버에서 수평으로 누워있는 웨이퍼가 회전되게 설정되어 있고, 노즐을 통해 에칭 액체를 충돌시키는 단일-웨이퍼 가공법이다. 이 방법에서는, 노즐 암(arm)이 웨이퍼 표면상에서 앞뒤로 수평 이동한다. 에칭 공정 후에는 동일한 원칙에 따라 매우 순수한 물을 이용한 세정 과정이 따른다. 건조를 위해서, 최종적으로 웨이퍼를 높은 회전 속도의 N2를 이용하여 송풍 건조시킨다.
단계 1: 스트리핑
혼합물의 조성
황산: 12.0중량%
과산화수소: 2.4중량%
H2SiF6: 500mg/kg
600rpm, 1ℓ/분의 통과 유속, 25℃, 30초
단계 2: 매우 순수한 물을 이용한 세정
600rpm, 1ℓ/분의 통과 유속, 25℃, 30초
단계 3: N2를 송풍하는 스핀 건조
2000rpm, 150ℓ/분
도 3은 금속화의 공격 없이 완전히 세정된 표면을 나타낸다. 500mg/kg 초과 의 H2SiF6의 농도에서는 금속화가 표면 에칭되고, 1000mg/kg의 경우에는 도 3의 그림 4를 참조할 수 있다.
실시예 2
실시예 1과 동일한 웨이퍼를 매트슨 AWP200 탱크 유니트에서 가공하였다.
단계 1: 스트리핑
혼합물의 조성
황산: 12.0중량%
과산화수소: 2.4중량%
H2SiF6: 100mg/kg
15ℓ/분, 재순환, 25℃, 45초
단계 2: 매우 순수한 물을 이용한 세정
35ℓ/분의 통과 유속, 25℃, 10분
단계 3: 마란고니 건조기
도 3은 금속화에 대한 공격이 없는 매우 깨끗한 표면을 보여준다.
실시예 3
실시예 1과 동일한 웨이퍼를 비이커에서 가공하였다. 스트리핑 공정을 더 잘 특징화하기 위해서, 매우 두꺼운 중합체 층을 갖는 웨이퍼를 이용하였다.
단계 1: 스트리핑
혼합물의 조성
황산: 12중량%
과산화수소: 2.4중량%
H2SiF6: 100mg/kg
오에난트산: 80mg/kg
1000rpm, 25℃, 60초
단계 2: 비이커중에서 매우 순수한 물을 이용한 세정
25℃, 5분
단계 3: 질소 오븐중에서의 건조
100℃, 10분
중합체가 얇은 잔류물 층과는 별개로 제거됨을 도 12로부터 볼 수 있다.
실시예 3에 대한 비교예
참고로, 추가의 계면활성제가 없다는 점을 제외하면 동일한 조성물을 이용하여 동일한 웨이퍼를 상기와 같이 가공하였다.
도 13에서는 상당히 더 두꺼운 중합체 층이 명확하다.
따라서 첨가된 계면활성제는 표면을 더 잘 적시고, 이는 스트리핑 작용에 긍정적인 효과를 미친다.
도면의 SEM 사진들은 본 발명에 따른 조성물을 이용하여 잔류 중합체를 제거한 결과를 보여준다. 결과는 다양한 H2SiF6 농도를 이용하여 SEZ 스핀 에칭기에서 스트리핑함으로써 수득되었다.
도 3은 처리 전 알루미늄 도체 트랙을 갖는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 4는 100ppm의 H2SiF6를 포함하는 조성물을 이용하여 스트리핑한 후의 상응하는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 5는 500ppm의 H2SiF6를 포함하는 조성물을 이용하여 스트리핑한 후의 상응하는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 6은 1000ppm의 H2SiF6를 포함하는 조성물을 이용하여 스트리핑한 후의 상응하는 웨이퍼 부분을 보여준다.
도 4 내지 6은 잔류 중합체가 없는 도체 트랙을 보여준다.
이와는 대조적으로 도 7 내지 9는 동일한 조건하에서 다양한 HF 농도를 이용하여 수득된 결과를 보여준다. 도 7: 100ppm의 HF. 도 8: 200ppm의 HF. 도 9: 500ppm의 HF. 100ppm의 HF를 사용할 경우, 중합체 잔류물과 표면 에칭은 여전히 명확하다. 비록 200ppm의 HF가 본질적으로 잔류 중합체를 완전히 제거하지만, 이는 또한 100ppm의 HF를 이용한 경우와 비교했을 때 표면 에칭을 증가시킨다. 500ppm의 HF를 포함하는 조성물을 이용하는 경우, 금속 도체 트랙의 매우 강한 표면 에칭이 발견된다.
도 10 및 도 11은 매트슨 AWP 탱크 가공기중에서 잔류 중합체를 제거하여 얻은 결과를 보여준다. 도 10은 100ppm의 H2SiF6을 이용하고, 도 11은 600ppm의 H2SiF6을 이용한다. 이들 경우 역시, 잔류 중합체가 매우 우수하게 제거되는 것으로 관찰되고, 심지어 600ppm에서도 표면 에칭은 허용가능한 수준으로 남아있다.
도 10 및 도 11은 매트슨 AWP 탱크 가공기중에서 잔류 중합체를 제거하여 얻은 결과를 보여준다. 도 10은 100ppm의 H2SiF6을 이용하고, 도 11은 600ppm의 H2SiF6을 이용한다. 이들 경우 역시, 잔류 중합체가 매우 우수하게 제거되는 것으로 관찰되고, 심지어 600ppm에서도 표면 에칭은 허용가능한 수준으로 남아있다.
도 12는 12중량%의 H2SO4, 2.4중량%의 H2O2, 100ppm의 H2
SiF6 및 추가의 계면활성제를 포함하는 스트리퍼 용액으로 처리한 후의 도체 트랙을 보여준다. 이와는 대조적으로, 도 13은 추가의 계면활성제가 없는 도 12에 상응하는 스트리퍼 용액을 이용한 처리 후의 도체 트랙을 보여준다.
Claims (13)
- 수용액 중에서, 10 내지 500mg/kg의 총 량의 H2SiF6 및/또는 HBF4, 1 내지 17중량%의 H2SO4, 1 내지 12중량%의 H2O2를 포함하는, 알루미늄 또는 구리/알루미늄 합금으로부터 잔류 중합체를 제거하기 위한 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,HF, NH4F, TMAF(테트라메틸 암모늄 플루오라이드) 및 H2PO3F로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 첨가제를 포함하는 조성물.
- 알루미늄 또는 구리/알루미늄 합금을 갖는 반도체 표면을 제 1 항 또는 제 8 항에 따른 조성물에 접촉시키는 것을 포함하는, 알루미늄 또는 구리/알루미늄 합금으로부터 잔류 중합체를 제거하는 방법.
- Al 또는 Al-함유 도체 트랙으로부터 잔류 중합체를 제거하는 방법으로서, 잔류 중합체가 제 1 항 또는 제 8 항에 따른 조성물을 사용하여 제거되는 방법.
- 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,반도체 표면 상의 Al 또는 Al-함유 도체 트랙으로부터 잔류 중합체를 제거하기 위한 조성물.
- 제 1 항 또는 제 8 항에 있어서,반도체 표면 상의 금속 도체 트랙 및 접점 구멍을 드라이 에칭한 후에 잔류 중합체를 제거하기 위한 조성물.
- 스핀 에칭기 또는 탱크 유니트 내에서 반도체 표면을 제 1 항 또는 제 8 항에 따른 조성물에 접촉시키는 것을 포함하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10227867A DE10227867A1 (de) | 2002-06-22 | 2002-06-22 | Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues |
| DE10227867.9 | 2002-06-22 | ||
| PCT/EP2003/005549 WO2004001834A1 (de) | 2002-06-22 | 2003-05-27 | Zusammensetzung zum entfernen von 'sidewall-residues' |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050023324A KR20050023324A (ko) | 2005-03-09 |
| KR101044525B1 true KR101044525B1 (ko) | 2011-06-27 |
Family
ID=29719360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020047020845A KR101044525B1 (ko) | 2002-06-22 | 2003-05-27 | 사이드월 잔사 제거용 조성물 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7417016B2 (ko) |
| EP (1) | EP1490899B1 (ko) |
| JP (1) | JP4690725B2 (ko) |
| KR (1) | KR101044525B1 (ko) |
| CN (1) | CN100375250C (ko) |
| AU (1) | AU2003242580A1 (ko) |
| DE (1) | DE10227867A1 (ko) |
| IL (1) | IL165879A (ko) |
| RU (1) | RU2313155C2 (ko) |
| TW (1) | TWI249087B (ko) |
| WO (1) | WO2004001834A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10227867A1 (de) * | 2002-06-22 | 2004-01-08 | Merck Patent Gmbh | Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues |
| JP4839968B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2011-12-21 | 東ソー株式会社 | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 |
| JP5017985B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2012-09-05 | 東ソー株式会社 | レジスト除去用組成物及びレジストの除去方法 |
| US8143206B2 (en) | 2008-02-21 | 2012-03-27 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Cleaning composition having high self-adhesion and providing residual benefits |
| US9410111B2 (en) | 2008-02-21 | 2016-08-09 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Cleaning composition that provides residual benefits |
| WO2013074330A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Etching agent for type ii inas/galnsb superlattice epitaxial materials |
| US8658588B2 (en) | 2012-01-09 | 2014-02-25 | S.C. Johnson & Son, Inc. | Self-adhesive high viscosity cleaning composition |
| CN106206289A (zh) * | 2015-05-07 | 2016-12-07 | 北大方正集团有限公司 | 一种铝刻蚀方法及装置 |
| TWI804224B (zh) | 2016-08-12 | 2023-06-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 減少邊緣珠區域中來自含金屬光阻劑之金屬殘留物的方法 |
| CN108672686A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-19 | 安徽相邦复合材料有限公司 | 一种清除熔模铸造砂型残留物清理液的制备方法 |
| CN114999898B (zh) * | 2022-08-03 | 2022-11-08 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法和半导体封装方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980028052A (ko) * | 1996-10-19 | 1998-07-15 | 김광호 | 세정 용액 및 이를 이용한 세정방법 |
| JP2001144044A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4502925A (en) * | 1984-06-11 | 1985-03-05 | American Hoechst Corporation | Process for aluminum surface preparation |
| JP2787788B2 (ja) * | 1990-09-26 | 1998-08-20 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 残留物除去方法 |
| US5486266A (en) * | 1994-09-01 | 1996-01-23 | Taiwan Semiconductor Manuf. Company | Method for improving the adhesion of a deposited metal layer |
| US6605230B1 (en) * | 1996-03-22 | 2003-08-12 | Merck Patent Gmbh | Solutions and processes for removal of sidewall residue after dry etching |
| US5993686A (en) * | 1996-06-06 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same |
| WO1998001897A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de nettoyage de dispositif a semi-conducteurs |
| JPH10125462A (ja) | 1996-10-17 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分散型エレクトロルミネセンス素子およびそれを用いた照光式スイッチユニット |
| US6043206A (en) | 1996-10-19 | 2000-03-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solutions for cleaning integrated circuit substrates |
| US6383723B1 (en) * | 1998-08-28 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Method to clean substrate and improve photoresist profile |
| KR100319881B1 (ko) * | 1999-02-03 | 2002-01-10 | 윤종용 | 집적 회로 기판 표면의 불순물을 제거하기 위한 세정 수용액 및 이를 이용한 세정 방법 |
| US6569537B1 (en) * | 1999-04-28 | 2003-05-27 | Suzuki Motor Corporation | Surface treatment method sliding member and piston |
| US6656852B2 (en) * | 2001-12-06 | 2003-12-02 | Texas Instruments Incorporated | Method for the selective removal of high-k dielectrics |
| US6773959B2 (en) * | 2002-03-01 | 2004-08-10 | Sampson Taiwan Ltd. | Method for stacking semiconductor package units and stacked package |
| DE10227867A1 (de) * | 2002-06-22 | 2004-01-08 | Merck Patent Gmbh | Zusammensetzung zum Entfernen von Sidewall-Residues |
| US6953533B2 (en) * | 2003-06-16 | 2005-10-11 | General Electric Company | Process for removing chromide coatings from metal substrates, and related compositions |
-
2002
- 2002-06-22 DE DE10227867A patent/DE10227867A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-05-27 WO PCT/EP2003/005549 patent/WO2004001834A1/de active Application Filing
- 2003-05-27 RU RU2005101613/28A patent/RU2313155C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-05-27 AU AU2003242580A patent/AU2003242580A1/en not_active Abandoned
- 2003-05-27 US US10/518,463 patent/US7417016B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-27 JP JP2004514652A patent/JP4690725B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-27 EP EP03760590.4A patent/EP1490899B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-27 KR KR1020047020845A patent/KR101044525B1/ko active IP Right Grant
- 2003-05-27 CN CNB03814610XA patent/CN100375250C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-16 TW TW092116289A patent/TWI249087B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-20 IL IL165879A patent/IL165879A/en active IP Right Grant
-
2008
- 2008-06-05 US US12/133,532 patent/US7531492B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980028052A (ko) * | 1996-10-19 | 1998-07-15 | 김광호 | 세정 용액 및 이를 이용한 세정방법 |
| JP2001144044A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1490899B1 (de) | 2017-09-13 |
| US20080280803A1 (en) | 2008-11-13 |
| CN1663032A (zh) | 2005-08-31 |
| DE10227867A1 (de) | 2004-01-08 |
| JP4690725B2 (ja) | 2011-06-01 |
| US7417016B2 (en) | 2008-08-26 |
| JP2005531139A (ja) | 2005-10-13 |
| TWI249087B (en) | 2006-02-11 |
| CN100375250C (zh) | 2008-03-12 |
| US7531492B2 (en) | 2009-05-12 |
| EP1490899A1 (de) | 2004-12-29 |
| IL165879A (en) | 2010-11-30 |
| RU2005101613A (ru) | 2005-07-10 |
| AU2003242580A1 (en) | 2004-01-06 |
| KR20050023324A (ko) | 2005-03-09 |
| RU2313155C2 (ru) | 2007-12-20 |
| WO2004001834A1 (de) | 2003-12-31 |
| IL165879A0 (en) | 2006-01-15 |
| US20060086372A1 (en) | 2006-04-27 |
| TW200401960A (en) | 2004-02-01 |
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