CN114999898B - 具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法和半导体封装方法 - Google Patents

具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法和半导体封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法和半导体封装方法，包括以下步骤：提供具有钝化膜的晶圆，利用含氟气体对预设位置上的钝化膜进行刻蚀至露出晶圆的铝层，制备待清洗晶圆；对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，制备第一次清洗晶圆；对第一次清洗晶圆进行循环次数至少为两次的循环清洗，每次循环清洗包括清洗液清洗，清洗液的组成包括硫酸、过氧化氢以及氢氟酸，制备第二次清洗晶圆；对第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理。依次通过氧等离子体处理、清洗液循环清洗以及再次氧等离子体处理，结合化学清洗以及物理清洗实现对于具有钝化膜的晶圆刻蚀后表面聚合物和表面颗粒的有效清除，钝化膜刻蚀表面的含氟量在10%以下。

Description

具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法和半导体封装方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法和半导体封装方法。
背景技术
对于高性能高可靠性集成电路来说，其芯片表面的钝化已成为不可缺少的工艺流程之一。钝化层用以器件之间以及布线之间的电气隔离，以及把器件与周围环境气氛隔离开来，以增强器件对外来离子的阻挡能力，保护器件内部的互联和防止受到机械和化学损伤。
钝化膜刻蚀(Passivation Etch )是集成电路晶圆制造中的一个工艺流程，钝化膜刻蚀为芯片刻出裸露的铝窗口，后续的芯片封装工艺中，会通过这些窗口连接引脚。在钝化膜结构中，外层结构是硅-氮、硅-氧物质，下方是铝，通常使用含氟气体作为主刻蚀气体进行刻蚀钝化膜。由于含氟气体刻蚀在刻蚀中与铝反应生成的聚合物很难去除干净，会沉积在硅片和刻蚀腔体各处，这会影响刻蚀的效果，并对腔体状况造成不良影响。对于早期工艺中关键尺寸较大，工艺难度较低，但随着关键尺寸的不断减小，芯片设计越发复杂，刻蚀过程中快速生成的聚合物会对工艺精度产生严重影响，同时由于残留的含氟聚合物是含氟气体刻蚀中产生的，这类聚合物会在一定的湿度和温度环境下发生扩散，从而对晶圆表面造成严重的影响。
目前业界对钝化膜刻蚀表面的含氟量需要控制在10%以下算是安全的范围，如图1所示为传统对具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，首先在铝膜上生长一层钝化膜，通过干法刻蚀的方法将铝窗口打开，在EKC溶液（NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液）的浸泡下清洗残留的聚合物。但是EKC 溶液的价格较高，并且清洗过程中仍需要较长的时间约30分钟。
发明内容
基于此，本申请提供了一种清洗快速且清洗效果好的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法。
本申请提供的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，包括以下步骤：
提供具有钝化膜的晶圆，所述晶圆中的铝层与所述钝化膜接触，利用含氟气体对预设位置上的钝化膜进行刻蚀至露出所述晶圆中的铝层，制备待清洗晶圆；
对所述待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，制备第一次清洗晶圆；
对所述第一次清洗晶圆进行多次循环清洗，每次所述循环清洗包括清洗液清洗的步骤，所述清洗液的组成包括硫酸、过氧化氢以及氢氟酸，制备第二次清洗晶圆；
对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理。
在其中一个实施例中，在制备待清洗晶圆之后以及制备第一次清洗晶圆之前还包括对所述待清洗晶圆进行灰化处理的步骤。
在其中一个实施例中，所述灰化处理的条件包括：在氧气流量为4500sccm~5000sccm以及氮气流量为600sccm~900sccm的混合气氛中，射频功率为4400W~4800W，处理时间为40s~50s。
在其中一个实施例中，所述钝化膜包括氮化硅膜以及氧化硅膜中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述含氟气体包括三氟甲烷以及四氟化碳中的一种或多种。
在其中一个实施例中，所述第一次氧等离子体处理以及所述第二次氧等离子体处理的条件各自独立地包括：在氧气流量为7000sccm~13000sccm以及氮气流量为400 sccm~1100sccm的混合气氛中，功率为4200W~5200W，温度为240℃~310℃，处理时间为240s~360s。
在其中一个实施例中，所述清洗液包括硫酸、过氧化氢、氢氟酸以及水，其中，氢氟酸在所述清洗液中的质量分数为70 ppm ~280ppm，硫酸、过氧化氢以及水的质量比为（7~15）:（5~12）:50。
在其中一个实施例中，每次所述循环清洗还包括在清洗液清洗后依次进行的旋转处理、二氧化碳水溶液清洗以及氮气吹扫处理的步骤。
在其中一个实施例中，所述旋转处理的条件包括转速为1200rpm~1500rpm，处理时间为3s~8s。
在其中一个实施例中，所述二氧化碳水溶液清洗的条件包括所述二氧化碳水溶液的电阻值为100千欧~140千欧，清洗时间为7s~12s。
在其中一个实施例中，所述氮气吹扫处理的条件包括氮气流量为8000 sccm~12000sccm，处理时间为5~15s。
进一步地，本发明还提供一种半导体器件的封装方法，包括对晶圆按照上述的清洗方法清洗后，在所述预设位置的铝层连接引脚进行封装。
上述清洗方法依次通过氧等离子体处理、清洗液循环清洗以及再次氧等离子体处理，利用化学清洗方法以及物理清洗方法相结合实现对于具有钝化膜的晶圆刻蚀后表面聚合物和表面颗粒的有效清除，使最终钝化膜刻蚀表面的含氟量在10%以下，可以提高刻蚀效果以及减少对工艺腔内的污染。
附图说明
图1为传统清洗方法；
图2为本申请提供的清洗方法；
图3为实施例1~对比例4的清洗方式清洗后的晶圆铝层表面的透射电镜图以及EDS图；
图4为实施例1~对比例4的清洗方式清洗后的晶圆铝层表面的含氟量；
图5为一次循环清洗以及实施例1中采用三次循环清洗的清洗方式后的晶圆铝层表面颗粒分布图；
图6为一次循环清洗以及实施例1中采用的三次循环清洗的四次平行实验后的晶圆表面颗粒统计图；
附图说明： Al：铝，CHF3/CF4 Etch：三氟甲烷/四氟化碳 刻蚀，Asher：灰化，EKCsolvent clean：EKC水剂清洗，O2 Treatment：氧等离子体处理，DSP+ clean：DSP+ 清洗。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关实施例对本申请进行更全面的描述。实施例中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本申请的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
本申请中的词语“优选地”、“更优选地”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本申请实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本申请的范围之外。
当本文中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
除非另外指明，所有百分比、分数和比率都是按本申请组合物的总质量计算的。除非另外指明，有关所列成分的所有质量均给予活性物质的含量，因此它们不包括在可商购获得的材料中可能包含的溶剂或副产物。本文术语“质量百分比含量”可用符号“%”表示。除非另外指明，在本文中所有的分子量都是以道尔顿为单位表示的重均分子量。除非另外指明，在本文中所有配制和测试发生在25℃的环境。本文中“包括”、“包含”、“含”、“含有”、“具有”或其它变体意在涵盖非封闭式包括，这些术语之间不作区分。术语“包含”是指可加入不影响最终结果的其它步骤和成分。本申请的组合物和方法/工艺包含、由其组成和基本上由本文描述的必要元素和限制项以及本文描述的任一的附加的或任选的成分、组份、步骤或限制项组成。本文中术语“效能”、“性能”、“效果”、“功效”之间不作区分。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图2所示，本申请提供一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，包括以下步骤：
提供具有钝化膜的晶圆，晶圆中的铝层与钝化膜接触，利用含氟气体对预设位置上的钝化膜进行刻蚀至露出晶圆中的铝层，制备待清洗晶圆；
对待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，制备第一次清洗晶圆；
对第一次清洗晶圆进行多次循环清洗，每次循环清洗包括清洗液清洗的步骤，清洗液的组成包括硫酸、过氧化氢以及氢氟酸，制备第二次清洗晶圆；
对第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理。
在一个具体示例中，在制备待清洗晶圆之后以及制备第一次清洗晶圆之前还包括对待清洗晶圆进行灰化处理的步骤。
在一个具体示例中，灰化处理的条件包括：在氧气流量为4200sccm~5200sccm以及氮气流量为600sccm~900sccm的混合气氛中，射频功率为4400W~4800W，处理时间为40s~50s。
可以理解地，灰化处理的目的是清除其表面的光阻，进一步地，射频功率为4500W~4800W，氧气流量为4500sccm~5000sccm，优选地氮气流量可以但不限于是600sccm、700sccm、800sccm或900sccm。
在一个具体示例中，钝化膜包括氮化硅膜以及氧化硅膜中的一种或多种。
在一个具体示例中，含氟气体包括三氟甲烷以及四氟化碳中的一种或多种。
在一个具体示例中，第一次氧等离子体处理以及第二次氧等离子体处理的条件包括：在氧气流量为7000sccm~13000sccm以及氮气流量为400 sccm~1100sccm的气氛中，功率为4200W~5200W，温度为240℃~310℃，处理时间为240s~360s。
优选地，第一次氧等离子体处理以及第二次氧等离子体处理的条件各自独立地包括：在氧气流量为8000sccm~12000sccm以及氮气流量为500 sccm~1000sccm的气氛中，功率为4500W~5000W，温度为250℃~300℃，处理时间为250s~350s。
在一个具体示例中，第二次氧等离子体处理是在循环清洗完成的1小时内进行的。
在一个具体示例中，清洗液包括硫酸、过氧化氢、氢氟酸以及水，其中，氢氟酸在清洗液中的质量分数为70 ppm ~280ppm，硫酸、过氧化氢以及水的质量比为（7~15）:（5~12）:50。
上述清洗液为DSP+（Dilute Sulfuric Peroxide plus），DSP+在反应过程中硫酸和双氧水会发生可逆反应生成过氧硫酸，也称为卡罗酸（Caroic Acid），该酸在反应的过程中双氧水主要将含有碳的有机物转化为二氧化碳，硫酸主要将有机物中的氢转化为水。
进一步地，上述清洗液中是利用质量百分数为96%的硫酸溶液、质量百分数为31%的过氧化氢溶液以及水以（4~8）: （5~10）: 50的体积比进行混合。
更进一步地，上述清洗液在清洗过程中的流量为1L/min~1.5 L/min，具体地，清洗液的流量可以但不限于是1L/min、1.1L/min、1.2 L/min、1.3 L/min、1.4 L/min或1.5 L/min。
在一个具体示例中，每次循环清洗还包括清洗液清洗后依次进行的旋转处理、二氧化碳水溶液清洗以及氮气吹扫的步骤。
优选地，循环清洗的次数为3次。
在一个具体示例中，旋转处理的条件包括转速为1200rpm~1500rpm，处理时间为3s~8s。
在一个具体示例中，二氧化碳水溶液清洗的条件包括二氧化碳水溶液的电阻值为100千欧~140千欧，清洗时间为7s~12s。
优选地，二氧化碳水溶液的电阻值为120千欧，清洗时间可以但不限于是7s、8 s、9s、10 s、11 s或12 s。
在一个具体示例中，氮气吹扫处理的条件包括氮气流量为8000 sccm ~12000sccm，处理时间为5s~15s。
进一步地，氮气吹扫处理中氮气流量可以但不限于是8000 sccm、9000 sccm、10000 sccm、11000 sccm或12000 sccm，处理时间可以但不限于是5s、7 s、9 s、10 s、11 s、13 s或15 s。
上述清洗方法依次通过氧等离子体处理、清洗液循环清洗以及再次氧等离子体处理，利用化学清洗方法以及物理清洗方法相结合实现对于具有钝化膜的晶圆刻蚀后表面聚合物和表面颗粒的有效清除，使最终钝化膜刻蚀表面的含氟量在10%以下，可以提高刻蚀效果以及减少对工艺腔内的污染。
进一步地，本申请还提供上述半导体的封装方法，包括对晶圆按照上述的清洗方法清洗后，在预设位置的铝层连接引脚进行封装。
以下提供具体的实施例对本申请的具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法作进一步详细地说明。以下具体实施方式所涉及到的原料，若无特殊说明，均可来源于市售。
实施例1
本实施例提供表面具有14kÅ厚度的晶圆，在金属铝层上一次形成厚度为4kÅ的氧化硅膜和5kÅ的氮化硅作为钝化膜，对预设位置的钝化膜利用CHF3/CF4作为离子源气体进行干法刻蚀，至露出预设位置的金属铝层，制备待清洗晶圆；
对上述待清洗晶圆进行灰化处理，处理掉晶圆表面的光刻胶，灰化处理条件为氧气流量为4500sccm~5000sccm，氮气流量为800sccm，射频功率（RF）为4500W~4700W，时间为40s~50s，再对上述晶圆进行氧等离子体处理，处理条件为O2流量为8000sccm~12000sccm，N2流量为500sccm~1000sccm，通过控制功率为4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持250s~350s，温度为250℃~300℃，制备第一次清洗晶圆；
循环清洗：利用1.2L/min流量的组成为H2SO4（质量分数96%）/H2O2（31%质量分数）/H2O（4-8:5-10:50）以及HF(85-200ppm)的DSP+溶液对上述晶圆进行清洗20秒，旋转（spinoff）转速为1200rpm~1500rpm，处理时间5s，再利用120千欧的二氧化碳水溶液清洗10秒，利用氮气吹扫处理，处理条件为氮气的流量为10000sccm处理时间为10s，循环清洗3次，制备第二次清洗晶圆；
再对上述第二次清洗晶圆在一个小时内进行第二次氧等离子体处理，处理条件为O2流量：8000sccm~12000sccm，N2流量：500sccm~1000sccm，通过功率控制：4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持250s~350s，温度：250℃~300℃。
对比例1
本对比例提供的清洗方法与实施例1的区别在于，没有氧等离子体处理且在循环清洗中只进行一次循环清洗：
本对比例提供表面具有14kÅ厚度的晶圆，在金属铝层上一次形成厚度为4kÅ的氧化硅膜和5kÅ的氮化硅作为钝化膜，对预设位置的钝化膜利用CHF3/CF4作为离子源气体进行干法刻蚀，至露出预设位置的金属铝层，制备待清洗晶圆；
循环清洗：利用1.2L/min流量的组成为H2SO4（质量分数96%）/H2O2（31%质量分数）/H2O（4-8:5-10:50）以及HF(85-200ppm)的DSP+溶液对上述晶圆进行清洗20秒，旋转（spinoff）转速为1200rpm~1500rpm，处理时间5s，再利用120千欧的二氧化碳水溶液清洗10秒，利用氮气吹扫处理，处理条件为氮气的流量为10000sccm处理时间为10s，循环清洗1次。
对比例2
本对比例提供的清洗方法与实施例1的区别在于，没有第一次氧等离子体处理且在循环清洗中只进行一次循环清洗：
本对比例提供表面具有14kÅ厚度的晶圆，在金属铝层上一次形成厚度为4kÅ的氧化硅膜和5kÅ的氮化硅作为钝化膜，对预设位置的钝化膜利用CHF3/CF4作为离子源气体进行干法刻蚀，至露出预设位置的金属铝层，制备待清洗晶圆；
对上述待清洗晶圆进行灰化处理，处理掉晶圆表面的光刻胶，灰化处理条件为氧气流量为4500sccm~5000sccm，氮气流量为800sccm，射频功率（RF）为4500W~4700W，时间为40s~50s，再对上述晶圆进行氧等离子体处理，处理条件为O2流量为8000sccm~12000sccm，N2流量为500sccm~1000sccm，通过功率控制为4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持250s~350s，温度为250℃~300℃，制备第一次清洗晶圆；
循环清洗：利用1.2L/min流量的组成为H2SO4（质量分数96%）/H2O2（31%质量分数）/H2O（4-8:5-10:50）以及HF(85-200ppm)的DSP+溶液对上述晶圆进行清洗20秒，旋转（spinoff）转速为1200rpm~1500rpm，处理时间5s，再利用120千欧的二氧化碳水溶液清洗10秒，利用氮气吹扫处理，处理条件为氮气的流量为10000sccm处理时间为10s，循环清洗1次。
对比例3
本对比例提供的清洗方法与实施例1的区别在于，在循环清洗中只进行一次循环清洗：
本对比例提供表面具有14kÅ厚度的晶圆，在金属铝层上一次形成厚度为4kÅ的氧化硅膜和5kÅ的氮化硅作为钝化膜，对预设位置的钝化膜利用CHF3/CF4作为离子源气体进行干法刻蚀，至露出预设位置的金属铝层，制备待清洗晶圆；
对上述待清洗晶圆进行灰化处理，处理掉晶圆表面的光刻胶，灰化处理条件为氧气流量为4500sccm~5000sccm，氮气流量为800sccm，射频功率（RF）为4500W~4700W，时间为40s~50s，再对上述晶圆进行氧等离子体处理，处理条件为O2流量为8000sccm~12000sccm，N2流量为500sccm~1000sccm，通过功率控制为4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持250s~350s，温度为250℃~300℃，制备第一次清洗晶圆；
循环清洗：利用1.2L/min流量的组成为H2SO4（质量分数96%）/H2O2（31%质量分数）/H2O（4-8:5-10:50）以及HF(85-200ppm)的DSP+溶液对上述晶圆进行清洗20秒，旋转（spinoff）转速为1200rpm~1500rpm，处理时间5s，再利用120千欧的二氧化碳水溶液清洗10秒，利用氮气吹扫处理，处理条件为氮气的流量为10000sccm处理时间为10s，循环清洗1次，制备第二次清洗晶圆；
再对上述第二次清洗晶圆在一个小时内进行第二次氧等离子体处理，处理条件为O2流量：8000sccm~12000sccm，N2流量：500sccm~1000sccm，通过功率控制：4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持250s~350s，温度：250℃~300℃。
对比例4
本对比例提供的清洗方法与实施例1的区别在于，在循环清洗中只进行一次循环清洗，其中清洗过程每一次清洗时间均为实施例1中对应清洗步骤的清洗时间的130%：
本对比例提供表面具有14kÅ厚度的晶圆，在金属铝层上一次形成厚度为4kÅ的氧化硅膜和5kÅ的氮化硅作为钝化膜，对预设位置的钝化膜利用CHF3/CF4作为离子源气体进行干法刻蚀，至露出预设位置的金属铝层，制备待清洗晶圆；
对上述待清洗晶圆进行灰化处理，处理掉晶圆表面的光刻胶，灰化处理条件为氧气流量为4500sccm~5000sccm，氮气流量为800sccm，射频功率（RF）为4500W~4700W，时间为52s~65s，再对上述晶圆进行氧等离子体处理，处理条件为O2流量为8000sccm~12000sccm，N2流量为500sccm~1000sccm，通过功率控制为4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持325s~455s，温度为250℃~300℃，制备第一次清洗晶圆；
循环清洗：利用1.2L/min流量的组成为H2SO4（质量分数96%）/H2O2（31%质量分数）/H2O（4-8:5-10:50）以及HF(85-200ppm)的DSP+溶液对上述晶圆进行清洗26秒，旋转（spinoff）转速为1200rpm~1500rpm，处理时间6.5s，再利用120千欧的二氧化碳水溶液清洗13秒，利用氮气吹扫处理，处理条件为氮气的流量为10000sccm处理时间为13s，循环清洗1次，制备第二次清洗晶圆；
再对上述第二次清洗晶圆在一个小时内进行第二次氧等离子体处理，处理条件为O2流量：8000sccm~12000sccm，N2流量：500sccm~1000sccm，通过功率控制：4500W~5000W，晶圆表面进行吹洗，时间维持325s~455s，温度：250℃~300℃。
上述实施例~对比例清洗方式清洗后的晶圆铝层表面的透射电镜图以及EDS图如图3所示实施例1~对比例4依次对应图3（a）~（f），含氟量如图4所示，其中实施例1~对比例4的铝层表面的含氟量分别为9.42%、31.04%、23.61%、20.56%以及11.34%。
通过上述对比例1、对比例2以及对比例3可以得知，在通过氧等离子体处理后铝层表面的含氟量会明显降低，由原来的31.04%可以降低到20.56%。通过比较对比例3、对比例4以及实施例1可以得知，经过过量刻蚀，即增加清洗的时间会导致铝膜层的表面均匀性不佳，而通过多次清洗的方法可以有效的降低表面的含氟量，并且具有很好的均匀性。并且通过实施例1的清洗方式对晶圆清洗后，将晶圆放置于制造（fab）环境中一周时间，可以发现晶圆表面没有任何缺陷和肉眼可见的影响。
进一步地，本申请还进一步将实施例1中将三次循环清洗的清洗液仅进行一次循环清洗使用（即通过增加清洗液流量至3.6L/min），与本申请实施例1的清洗方式清洗后的晶圆，对清洗后的晶圆铝层表面的颗粒数进行比较，如图5所示，（a）为通过增加清洗液流量但是仅进行一次循环清洗，（b）为本申请实施例1的清洗方式得到的清洗效果，可见将减少清洗液流量改为多次清洗可以实现对晶圆表面颗粒的有效清除。图6为上述实施例1的三次循环清洗以及一次循环清洗的四次平行实验后的晶圆表面颗粒统计图。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的多种实施方式，便于具体和详细地理解本申请的技术方案，但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。应当理解，本领域技术人员在本申请提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑的分析、推理或者有限的试验得到的技术方案，均在本申请所附权利要求的保护范围内。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书可以用于解释权利要求的内容。

Claims (11)

1.一种具有钝化膜的晶圆刻蚀后的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有钝化膜的晶圆，所述晶圆中的铝层与所述钝化膜接触，利用含氟气体对预设位置上的钝化膜进行刻蚀至露出所述晶圆中的铝层，制备待清洗晶圆；
对所述待清洗晶圆进行第一次氧等离子体处理，制备第一次清洗晶圆；
对所述第一次清洗晶圆进行多次循环清洗，每次所述循环清洗包括清洗液清洗的步骤，所述清洗液的组成包括硫酸、过氧化氢以及氢氟酸，制备第二次清洗晶圆，其中清洗液在清洗过程中的流量为1L/min~1.5 L/min；
对所述第二次清洗晶圆进行第二次氧等离子体处理；
所述第一次氧等离子体处理以及所述第二次氧等离子体处理的条件各自独立地为：在氧气流量为7000sccm~13000sccm以及氮气流量为400 sccm~1100sccm的混合气氛中，功率为4200W~5200W，温度为240℃~310℃，处理时间为240s~360s。
2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在制备待清洗晶圆之后以及制备第一次清洗晶圆之前还包括对所述待清洗晶圆进行灰化处理的步骤。
3.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述灰化处理的条件包括：在氧气流量为4500sccm~5000sccm以及氮气流量为600sccm~900sccm的混合气氛中，射频功率为4400W~4800W，处理时间为40s~50s。
4.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述钝化膜包括氮化硅膜以及氧化硅膜中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述含氟气体包括三氟甲烷以及四氟化碳中的一种或多种。
6. 如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗液包括硫酸、过氧化氢、氢氟酸以及水，其中，氢氟酸在所述清洗液中的质量分数为70 ppm ~280ppm，硫酸、过氧化氢以及水的质量比为（7~15）:（5~12）:50。
7.如权利要求1~6任一项所述的清洗方法，其特征在于，每次所述循环清洗还包括在清洗液清洗后依次进行的旋转处理、二氧化碳水溶液清洗以及氮气吹扫处理的步骤。
8.如权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述旋转处理的条件包括转速为1200rpm~1500rpm，处理时间为3s~8s。
9.如权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述二氧化碳水溶液清洗的条件包括所述二氧化碳水溶液的电阻值为100千欧~140千欧，清洗时间为7s~12s。
10.如权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述氮气吹扫处理的条件包括氮气流量为8000 sccm~12000sccm，处理时间为5~15s。
11.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括对晶圆按照权利要求 1~10任一项所述的清洗方法清洗后，在所述预设位置的铝层连接引脚进行封装。
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