KR101789857B1 - 반도체 웨이퍼를 처리하는 프로세스 - Google Patents
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Abstract
반도체 웨이퍼들로부터 포토레지스트를 박리하기 위해 사용된 농축된 황산을 함유하는 혼합물들, 예컨대 SOM 및 SPM 혼합물은 또한 고농도의 황산을 함유하는 다른 액체를 사용하여 웨이퍼 표면으로부터 더 빠르게 제거되는데, 이 제 2 액체는 또한 제어된 적은 양의 플로오르화 이온을 함유한다. 제 2 액체는 웨이퍼 표면을 소수성으로 만들고, 이는 스피닝 및/또는 린싱에 의해 웨이퍼 표면으로부터 황산의 용이한 제거를 가능하게 한다.
Description
본 발명은 디스크형 아티클들, 예컨대 반도체 웨이퍼들 및 글래스 웨이퍼들을 처리하는 프로세스들, 및 특히 반도체 웨이퍼들의 표면들을 세정하는 프로세스들에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼들은 집적 회로들의 제조 동안 다양한 습식 프로세싱 스테이지들, 예컨대 웨이퍼로부터 포토레지스트의 제거를 겪는다. 포토레지스트가 습식 프로세스에 의해 박리되는 경우, 통상적으로 강 무기산 (strong inorganic acid) 이 고 농도로 사용되는데 황산이 가장 일반적이다. 이 박리를 위해 사용된 화학적 조성들 중에는 과산화수소와 혼합된 황산 (SPM) 의 용액들 및 오존과 황산의 혼합물 (SOM) 이 있다. 또한, 과산화수소 및 오존과 황산의 혼합물 (SPOM) 이 가끔 사용되고 있다.
고 농도의 강 무기산을 포함하는 세정 용액 또는 혼합물은 그 후, 웨이퍼 표면으로부터 그 자체가 제거되어야 한다. 그러나, 고 농도의 무기산들, 특히 황산은 고 점성이고, 따라서 그것은 웨이퍼 표면으로부터 산-기반 세정 액체를 제거하기 위해 확장된 기간의 린싱 (rinsing) 을 필요로 한다.
예를 들어, 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈에서 종래의 포토레지스트 박리 프로세스 후에 황산의 제거는 통상적으로 탈이온수 (DI) 다음에 SC-1 혼합물 (NH4OH/H2O2/H2O) 이 사용되고 있는 경우 최소한 150 초를 필요로 하는데, 이 필요한 시간은 대략 산을 린스하기 위해 단지 탈이온수 (DI) 만이 사용되는 경우의 2 배 길이이다. 더 짧은 린스 시간은 기판 표면 상에 시간 의존적인 결정 형성을 초래한다.
또한, SC-1 혼합물을 사용하는 경우, 배출 및 드레인 라인들에서의 결정 형성으로 인해 중요한 장비 문제들이 발생하고, 이들 결정들은 예를 들어 황산암모늄 및 암모늄 중황산염을 형성하기 위해 황산염 잔여물들과 반응하는 암모니아 증기의 산물이다. 이 오래 계속된 제거 단계는 또한, 더 높은 화학적 소비 및 긴 프로세스 시간들로 인해 더 높은 소유 비용 및 더 낮은 스루풋을 초래한다.
유사하게, 반도체 프로세싱은 이미 상당한 볼륨의 탈이온 초순수 (deionized ultrapure water; UPW) 를 소비하고, 이는, 특히 현 세대의 300 nm 웨이퍼가 이전의 200 nm 웨이퍼의 2 배 이상의 표면적을 갖는 경우, 네거티브한 환경적 영향을 가질 수 있다. 곧 450mm 웨이퍼가 반도체 프로세싱을 위한 다음의 새로운 표준이 될 수도 있고, 이는 초순수 (ultra pure water; UPW) 의 사용을 감소시키기 위해 추가의 측정치들을 여전히 필요로 할 것이다. 따라서, 반도체 웨이퍼들의 프로세싱 동안 초순수의 소비를 제한하는 기법들은 다중 이득을 생산한다.
본 발명자들은 반도체 웨이퍼들의 프로세싱 동안 박리 동작에서 사용된 고농도 무기산들은 비교적 농도의 강 무기산 용액 그 자체이고 제어된 양의 플로오르화 이온을 함유하는 액체로 린스함으로써 웨이퍼 표면으로부터 더 신속하게 그리고 효율적으로 제거될 수 있음을 발견하였다.
본 발명에 따른 방법은 일반적으로, 반도체 웨이퍼들 뿐만 아니라 예를 들어 글래스 디스크들을 포함하는 디스크형 아티클들에 적용 가능하다. 방법은 디스크형 아티클의 표면 위에 제 1 액체를 디스펜싱하는 단계로서, 제 1 액체는 적어도 90 중량% 의 농도로 적어도 하나의 무기산을 함유하고, 제 1 액체는 10 ppm 미만의 플로오르화 이온 농도를 갖는, 상기 제 1 액체를 디스펜싱하는 단계; 및 제 1 액체의 적어도 일부를, 50 중량% 초과의 농도로 적어도 하나의 무기산을 함유하는 제 2 액체로 제거하는 단계로서, 제 2 액체는 1 ppm 초과의 플로오르화 이온 농도를 갖는, 상기 제거하는 단계를 포함한다. 제 2 액체의 플로오르화 이온 농도는 제 1 액체의 농도의 적어도 2 배이다.
본 발명의 일 양태에서, 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스는 웨이퍼 표면 위에 제 1 액체를 디스펜싱하는 것을 포함하고, 제 1 액체는 하나 이상의 강 무기산들, 바람직하게는 황산을 90 중량% 초과의 농도로 함유하며, 제 1 액체는 10 ppm 미만의 플로오르화 이온 농도를 갖는다. 제 1 액체는 그 후, 하나 이상의 강 무기산, 바람직하게는 황산을 50 중량% 초과의 농도로 함유하는 제 2 액체로 제거되며, 제 2 액체는 10 ppm 초과의 플로오르화 이온 농도를 갖는다.
본 발명의 다른 양태에서, 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스는 웨이퍼 표면 위에 제 1 액체를 디스펜싱하는 것을 포함하고, 제 1 액체는 하나 이상의 강 무기산들, 바람직하게는 황산을 90 중량% 초과의 농도로 함유하고 제 1 액체는 추가된 플로오르화 이온은 없다. 제 1 액체는 그 후, 하나 이상의 강 무기산들, 바람직하게는 황산을 50 중량% 초과의 농도로 함유하는 제 2 액체로 제거되며, 제 2 액체는 1-1000 ppm, 바람직하게는 4-500 ppm, 더 바람직하게는 15-200 ppm 의 플로오르화 이온 농도를 갖는다.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시형태들의 다음의 상세한 설명을 판독한 후에 본 발명의 다른 오브젝트들, 피처들 및 이점들이 더욱 명백해질 것이다.
도 1 은 일련의 상이한 온도들에서 황산 수용액 및 올레움에 대한 점성과 농도 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2 는 일련의 상이한 농도들에서 황산 수용액들에 대한 점성과 온도 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3 은 황산의 혼합물들 및 40 ppm 플루오르화 수소에의 노출 후에 황산에 대해 반발되는, 본원에 설명된 바와 같은 샘플들에 대한 시간과 온도 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 1 은 일련의 상이한 온도들에서 황산 수용액 및 올레움에 대한 점성과 농도 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2 는 일련의 상이한 농도들에서 황산 수용액들에 대한 점성과 온도 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3 은 황산의 혼합물들 및 40 ppm 플루오르화 수소에의 노출 후에 황산에 대해 반발되는, 본원에 설명된 바와 같은 샘플들에 대한 시간과 온도 간의 관계를 나타내는 그래프이다.
일반적으로 농축된 무기산들의 용액들은 고 점성이다. 도 1 에는, 황산의 특성들이 도시되며, 세로 좌표의 단위는 cP 단위의 점성이고 가로 좌표의 단위는 % 농도이다. 도면의 좌측은 황산의 수용액들의 증가하는 농도들을 나타내는 반면에, 우측은 올레움 (oleum) 의 증가하는 농도, 즉, 황산이 100% 에 도달하였고 삼산화황이 증가하는 농도로 존재하는 조성들을 나타낸다.
일반적으로, 이러한 용액들의 점성은 무기산의 강도가 증가함에 따라 현저하게 증가하는데, 이 효과는 더 낮은 온도들에서 더욱 표명된다.
도 2 에서, 황산 용액들이 다시 도시되는데, 세로 좌표는 cP 단위의 점성이지만 이제 가로 좌표의 단위는 ℃ 단위의 온도이며 커브들은 다양한 농도들을 나타낸다.
본 발명자들은, 이러한 액체들이, 그 자체가 농축된 무기산이지만 제어된 양들의 플로오르화 이온을 함유하는 제 2 액체를 이용함으로써 웨이퍼 표면들로부터 대단히 빠르게 제거될 수 있음을 발견하였다. 특히, 발명자들은, 제 2 액체에서의 플로오르화 이온의 존재가 웨이퍼 표면으로 하여금 강 무기산에 반발하게 하는 반면에, 제 2 액체로 처리하기 전에 무기산은 웨이퍼 표면에 완강하게 달라붙을 (cling) 것임을 발견하였다.
따라서, 제 1 액체의 제거의 메커니즘은 제 2 액체에 의한 그것의 체적 변위, 또는 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈에서 척에 의해 유지될 때 웨이퍼의 스피닝 (spining), 또는 이들 효과들의 조합에 의한 기계적 변위일 수 있다. 다른 접근은, 경계층 씨닝 (boundary layer thinning) 을 통해 제 1 액체의 제거를 위한 속도를 증가시키기 위해서, 린싱 프로세스에 음향 동요 (예를 들어, 울트라소닉) 또는 고 점성 유체 스프레이를 추가하는 것일 수 있다. 웨이퍼 표면이 여전히 소수성으로 유지되는 동안 제 2 액체는 웨이퍼 표면으로부터 쉽게 변위되기 때문에, 제 2 액체의 가능한 잔여물들은 웨이퍼의 스피닝에 의해 웨이퍼 표면으로부터 쉽게 제거된다.
놀랍게도, 본 발명자들은 또한, 웨이퍼 표면으로 전해진 소수성 효과가 소정 타입들의 층 재료들에 대해 일시적이고, 플로오르화 이온 농도의 함수로서 변하는 지속기간임을 발견하였다. 더욱이, 제 2 액체의 의해 웨이퍼 표면으로 전해진 소수성 특징은 탈이온수와 웨이퍼 표면을 접촉시켜, 이에 의해 웨이퍼 표면으로 하여금 그 통상의 소수성 컨디션들로 되돌아가게 함으로써 언제라도 없어질 수 있다. 이것은, 웨이퍼 표면으로부터 산의 제거를 위해 프로세스 윈도우를 튜닝하는 것을 허용한다.
제 2 액체는 그 자체가 농축된 무기산이다. 제 1 및 제 2 액체들 양자 용으로, 황산이 바람직한 산이다; 그러나, 질산 및 염산과 같은 다른 무기산들이 제 1 및/또는 제 2 액체, 뿐만 아니라 이러한 무기산들의 조합용으로 사용될 수도 있다.
특히, 제 1 및 제 2 액체들의 산이 동일한 경우, 제 2 액체의 화학적, 물리적 및 물리화학적 특성들이 제거될 제 1 액체의 특성들과 유사할 것이기 때문에 제 2 액체 용으로, 농축된 무기산, 및 바람직하게는 농축된 황산의 사용이 고려된다. 이들 특성들은, 제 1 액체를 제거하기 위해 제 2 액체에 충분한 기계적 힘을 제공하는 유사한 점성, 및 상이한 농도들을 갖는 액체들의 혼합으로 인해 갑작스러운 국부적 발열과 같은 네거티브 효과들을 초래할 수도 있는 강한 화학적 변화도 (chemical gradient) 를 방지하는 2 개의 액체들에서의 유사한 산의 농도를 포함한다.
특히 소수성 산의 형태의 플로오르화 이온은 일반적으로, 그것이 실리콘 산화물 층들을 웨이퍼로부터 에칭, 즉 제거하는 경향이 있기 때문에 제 1 액체에서 회피된다. 이러한 실리콘 산화물 층들은 열 산화물들 (약칭 TOX 또는 ThOx) 을 포함한다. 열 산화물들은 산소 또는 물, 예를 들어, 공기 내에 존재하는 산소 또는 습기의 존재에서 실리콘 표면을 가열함으로써 생성된다. 제 1 액체가 또한 오존과 같은 강 산화제를 함유하면, HF 의 존재는 웨이퍼의 실리콘을 어택할 수 있기 때문에 더 유해할 수 있다.
전술된 바와 같이, 제 1 액체, 예를 들어 농축된 황산 및 오존의 혼합물을 이용한 처리 다음에, 웨이퍼 표면은 강하게 소수성이고 황산은 제거하기가 대단히 어렵다. 그러나, 웨이퍼가 그 후 본 발명에 따른 제 2 액체로 처리되는 경우, 제 1 액체 및 제 2 액체는 쉽게 제거된다. 따라서, 제 2 액체 내에 존재하는 HF 는 웨이퍼 표면으로 하여금 소수성이 되게 하고, 이에 의해 황산으로 하여금 표면으로부터 흘러넘치게 (run off) 하므로, 제 2 액체의 디스펜싱이 중단되고 황산이 스핀 오프 (spin off) 될 때 표면 상에 남아 있는 황산이 거의 존재하지 않는다.
제 2 액체는 1-1000 ppm, 바람직하게는 4-500 ppm, 더 바람직하게는 10-400 ppm, 더욱 더 바람직하게는 15-200 ppm, 및 가장 바람직하게는 20-100 ppm 의 플로오르화 이온 농도를 갖는다. 후속하여 설명된 소정 테스트들에서, 제 2 액체의 플루오르화 이온 농도는 약 40 ppm 이었다.
그 결과, 뒤이은 탈이온수 린스는, 웨이퍼 표면을 일단 다시 소수성으로 만들면서 웨이퍼 표면 상에 남아 있을 수도 있는 잔여물들을 금방이라도 대체할 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명에 따른 프로세스들에서, 무기산, 바람직하게는 황산의 농도가 제 2 액체에서의 산의 농도의 10 분의 1 보다 작은 제 3 액체를 사용하여 제 2 액체의 잔여물들을 제거하는 것이 가능하다. 바람직하게, 제 3 액체는 물이다. 물인 제 3 액체 대신에, 또한 SC-1 혼합물을 사용하는 것이 가능하고, 이는 전체 프로세스 시간을 감소시키기 위해 유익할 수 있다.
대안으로, SC-1 처리는 물인 제 3 액체로 제 3 액체 처리 후에 수행될 수 있다. 그러나, 이러한 SC-1 처리는 통상적으로 DI 수를 이용한 추가의 처리 단계를 필요로 한다.
순 황산을 디스펜싱한 후에 제 2 제거 액체로서 HF 를 갖는 황산을 또는 제 1 액체로서 과산화수소 또는 오존과 혼합된 황산을 사용하는 대신에, HF 는 황산의 디스펜싱의 마지막 순간들 동안 제 1 농축된 황산 액체 안에 섞일 수 있다. 이는, 웨이퍼 표면을 벗어난 황산의 즉각적인 반발을 초래한다.
더욱이, 제 1 액체는 웨이퍼 표면 상에 제 1 액체의 일부 잔여물들을 남기면서 웨이퍼 표면에서 스핀 오프될 수 있고, 제 1 액체의 이들 잔여물들은 그 후 후속적으로 디스펜싱된 제 2 액체에 의해 제거된다.
말할 필요도 없이, 제 1 액체가 디스펜싱되기 전에 사전에 디스펜싱된 임의의 수의 추가의 액체들이 존재할 수도 있다. 따라서, 본원에 설명된 액체들에 관련하여 사용되는 용어들 "제 1" 및 "제 2" 는 이들 액체들의 디스펜싱의 상대적인 연대순을 함축하도록 의도되고, "제 1 액체" 가 반드시 임의의 다른 프로세싱 액체들 전에 디스펜싱된다는 것을 의미하도록 고려되지 않는다.
적은 양의 HF (1-1000 ppm) 을 함유하는 황산과 같은 강 무기산으로 기판을 린스하는 것은 황산으로 하여금 매우 짧은 시간에 기판으로부터 제거되게 한다. 특히, 황산은 수초 간에 스핀 오프에 의해 기판으로부터 제거될 수 있고, 이는 총 린스 시간의 상당한 감축 및 화학적 비용의 감축을 초래한다.
제 2 액체의 온도는 바람직하게, 웨이퍼의 표면 상에 남아 있는 제 1 액체의 온도와 대략 동일하다. 제 2 액체의 온도는 바람직하게는 60℃ 위이다.
상이한 에피택셜 또는 열 산화물 층들을 갖는 웨이퍼 샘플들이 지정된 프로세스 시간들 (10-600 초) 동안 각종 온도에서 농축된 황산으로 처리되었다. 그 뒤에, 샘플들은 각종 온도에서 황산/HF 혼합물 (HF 농도 4-500 ppm) 로 처리되었다. 샘플로부터 황산이 완전히 제거될 때까지 경과된 시간이 측정되었다. 층 재료, 온도 및 HF 농도에 따라, 황산이 기판 표면으로부터 제거될 때까지 1 초 미만에서 600 초까지의 처리 시간이 관측되었다. 이는 기판 "디-웨팅 (de-wetting)", 또는 소수성 특징 띠기에 대응한다.
예를 들어, 10 초 미만의 처리 시간은 40 ppm HF 및 약 90℃ 의 온도로 달성될 수 있었다. 샘플들은 탈이온수와 샘플들을 접촉시킴으로써 순간적으로 재습윤 (re-wetted) 될 수 있다.
산화물 샘플들 (예를 들어, 100 nm 층의 열 산화물을 갖는 샘플들) 은 H2S04/HF 혼합물을 이용한 처리 시간에 독립적인 디-웨팅의 상태에 남아 있는 반면에, 질화물 샘플들 (예를 들어, 300 nm 층의 실리콘 질화물을 갖는 샘플들) 은 황산/HF 혼합물에 의해서만 일시적으로 디-웨팅된다. 질화물 샘플이 황산으로 다시 재습윤될 때까지의 시간은 혼합물에서의 HF 농도에 크게 의존한다. 더 많은 양의 HF 는 황산을 이용한 질화물 샘플들의 더 빠른 재습윤을 야기한다 (예를 들어, 질화물은 40 ppm HF 에서 300 초 동안 디-웨팅 상태에 머무르지만, 황산 혼합물을 함유하는 500 ppm HF 에서는 단지 30 초 머무른다).
100 nm 층의 열 산화물을 갖는 테스트 피스들은 ~40 ppm HF 을 함유하는 H2S04 (96 중량%) 를 갖는 브레이커에서 처리되었다. 피스들이 H2S04 에 반발하게 될때까지 경과된 시간이 측정되었고, 여러 이러한 측정치들은 도 3 의 그래프로 그려진다.
다음의 표에서, dHF 는 희석 HF (플루오르화 수소산; 통상적으로 < 10 중량% HF 바람직하게는 1-10000 ppm) 를 가리킨다. 테스트 결과들은 일련의 상이한 샘플들에 관한 프로세스 파라미터들의 변화들에 대해 도시된다.
테스트 3 및 4 가 나타내는 바와 같이, 소수성 특성은 또한, 제 1 액체로 웨이퍼를 처리하기 전에 dHF 로 프리-웨팅 (또는, 더 정확하게는 "프리-디웨팅 (pre-dewetting)") 함으로써 그것이 열 산화물의 형태로 있든 또는 베어 실리콘의 형태로 있든, 웨이퍼 표면으로 전해질 수 있다.
SiN 피스들 (저 압력 화학적 기상 증착 (LPCVD) 에 의해 형성된 300 nm 층들) 은 5 분 동안 110℃ 에서 H2S04 로 처리되었다. 이 피스들은 110℃ 에서 H2SO4 (96 중량%) + HF (40 ppm) 혼합물에 배치되었다. 피스들이 H2S04 에 반발하게 될때까지 경과된 시간이 측정되었다.
150℃ 에서 H2SO4 의 4 ppm HF 의 혼합물은 샘플로 하여금 75 초에서 H2S04 에 반발하게 되게 하였다. 이 피스들은 DI 린스 후에 친수성이 된다.
어느 이론에 결부되기를 원하지 않고, 제 2 액체는 SiN 상의 실리콘 산화물 또는 산화질화물 층을 완전히 제거하고, 친수성인 베어 SiN 층을 노출시키는 것으로 여겨진다. 그러나, 가볍게 어택된 산화물은 H2S04 에 반발하는 것 같다. 이는, 황산에서 낮은 HF-함량을 유지하고/하거나 처리 시간을 낮게 유지하는 이유이다.
본 발명은 그 다양한 바람직한 실시형태들과 관련되어 설명하였으나, 이들 실시형태들은 단지 본 발명을 예시하기 위해 제공되며 첨부된 청구범위의 사실적 범위 및 사상에 의해 부여된 보호 범위를 한정하기 위한 구실로서 사용되지 않는 것으로 이해되어야 한다.
Claims (20)
- 디스크형 아티클을 처리하는 방법으로서,
상기 디스크형 아티클의 표면 상에 제 1 액체를 디스펜싱 (dispensing) 하는 단계로서, 상기 제 1 액체는 적어도 90 중량% 의 농도로 황산을 함유하고, 상기 제 1 액체는 10 ppm 미만의 플로오르화 이온 농도를 갖는, 상기 제 1 액체를 디스펜싱하는 단계; 및
상기 제 1 액체의 적어도 일부를, 50 중량% 초과의 농도로 적어도 하나의 무기산을 함유하는 제 2 액체로 제거하는 단계로서, 상기 제 2 액체는 1 ppm 초과의 플로오르화 이온 농도를 갖는, 상기 제거하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 액체의 상기 플로오르화 이온 농도는 상기 제 1 액체의 농도의 적어도 2 배인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체는 10 ppm 초과의 플로오르화 이온 농도를 갖는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액체 및 상기 제 2 액체 각각은 황산을 함유하는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 액체의 상기 황산은 오존의 존재 하에서 디스펜싱되는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체는 스핀-오프 (spin-off) 또는 제 3 액체에 의해 제거되고,
상기 제 3 액체의 무기산의 농도는 상기 제 2 액체에서의 무기산의 농도의 1/10 미만인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 5 항에 있어서,
상기 제 3 액체는 물인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 디스크형 아티클은 상기 디스크형 아티클의 표면 상에 상기 제 1 액체 및 상기 제 2 액체의 디스펜싱 동안 회전되는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체는 60℃ 초과의 온도에서 상기 디스크형 아티클 상에 디스펜싱되는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체에서의 플로오르화 이온들의 농도는 1000 ppm 미만인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액체는 추가된 플로오르화 이온이 없는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체의 상기 플로오르화 이온 농도는 4 내지 500 ppm 인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 2 액체의 상기 플로오르화 이온 농도는 10 ppm 초과인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 디스크형 아티클로부터 상기 제 1 액체의 일부를 제거하도록, 상기 제 1 액체를 디스펜싱한 후 및 상기 제 2 액체를 디스펜싱하기 전에 상기 디스크형 아티클을 스피닝 (spinning) 하는 단계를 더 포함하는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 디스크형 아티클은 단일 웨이퍼 습식 프로세싱을 위한 프로세스 모듈에서 반도체 웨이퍼인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 디스크형 아티클은 글래스 디스크인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체의 상기 플로오르화 이온 농도는 15 내지 200 ppm인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체의 상기 플로오르화 이온 농도는 20 내지 100 ppm인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 액체의 상기 플로오르화 이온 농도는 40 ppm인, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 디스크형 아티클 상에 형성된 실리콘 산화물층과 접촉하도록 상기 제 2 액체가 디스펜싱되는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법. - 제 19 항에 있어서,
상기 디스크형 아티클은 상기 실리콘 산화물층 아래에 실리콘 질화물층을 포함하는, 디스크형 아티클을 처리하는 방법.
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