CN112670163A - 一种载带自动焊载体去胶方法 - Google Patents

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关亚男
刘庆川
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Abstract

本发明公开了一种载带自动焊载体去胶方法,属于电子产品的封装工艺技术领域。该方法具体包括:(1)去胶液浸泡:将载带自动焊载体放置在去胶液中浸泡,浸泡时间12‑15min,然后取出载体,放入温水中;(2)温水浸泡:将经去胶液浸泡过的载带自动焊载体放置在温水中浸泡,浸泡时间3‑5min,然后取出载体;(3)温水冲洗:将步骤(2)取出的载体采用温水冲洗,先冲洗保护漆面,再冲洗铝面;(4)经步骤(3)温水冲洗后,载带自动焊载体上的光刻胶如已经清洗干净,则结束去胶流程;若未清洗干净,则采用含Cr6+的溶液浸泡,浸泡后用温水冲洗。采用本发明去胶方法,保护漆和光刻胶去除率均能达到90%以上。

Description

一种载带自动焊载体去胶方法
技术领域
本发明涉及电子产品的封装工艺技术领域,具体涉及一种载带自动焊载体去胶方法。
背景技术
载带自动焊(tape automatic bonding,TAB)是芯片引脚框架一种互联工艺,首先在高聚合物上做好元件引脚的导体图样,然后将芯片按其键合区对应放在上面,最后通过键合完成芯片与引脚框架的连接。载体也称引脚框架,是载带的一个单元,载体的结构分为芯片粘接区、引线键合区和测试区。制备载体的工艺步骤主要包括,化学处理、涂光刻胶、曝光、显影、腐蚀聚酰亚胺、涂保护漆、腐蚀铝、切割、去胶和固化。其中,去胶是去除光刻胶和保护漆的简称,把载带上的光刻胶和保护漆去除干净。
微电子行业中,通常的去胶过程就是把原材料放入去胶液中,煮沸,自然冷却,去除后,用冷去离子水直接冲洗,待到去胶液去干净后,再用温水冲洗。这种操作过程中,去除保护漆比较容易,但是光刻胶极不容易冲洗掉。通常,由这种去胶方法操作后,保护漆去除率在90%以上,但光刻胶去除率仅能达到30%。
发明内容
本发明的目的在于提供一种载带自动焊载体去胶方法,采用这种去胶方法,保护漆去除率在90%以上,光刻胶去除率能达到90%以上。
一种载带自动焊载体去胶方法,该方法是对载体制备过程中载体上的光刻胶和保护漆进行去除,具体包括如下步骤::
(1)去胶液浸泡:将载带自动焊载体放置在去胶液中浸泡,浸泡时间12-15min,然后取出载体,放入温水中;
(2)所述温水浸泡:将经去胶液浸泡过的载带自动焊载体放置在温水中浸泡,浸泡时间3-5min,然后取出载体;
(3)温水冲洗:将步骤(2)取出的载体采用温水冲洗,先冲洗保护漆面,再冲洗铝面;
(4)经步骤(3)温水冲洗后,载带自动焊载体上的光刻胶如已经清洗干净,则结束去胶流程;若未清洗干净,则采用重铬酸钾溶液浸泡,浸泡后用温水冲洗。
步骤(1)中,所述去胶液为硫酸与双氧水的混合溶液,该混合溶液是由浓度96wt.%以上的硫酸与浓度30wt.%的双氧水按照5:1的体积比例混合而成;所述去胶液采用加热石英槽加热到115~125℃,浸泡时去胶液温度保持在115~125℃。
步骤(2)中,所述温水浸泡过程为:将去离子水采用加热石英槽加热到45~55℃,载体放入石英槽内的温水中浸泡(浸泡时温度保持45~55℃)3-5min,然后取出载体。
步骤(3)中,冲洗保护漆面的过程为:采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的保护漆面,在冲洗过程中,使用软毛刷刷洗表面,实时观察光刻胶的脱落情况,直到保护漆面光刻胶完全冲洗干净后,停止冲洗保护漆面;或者,当冲洗时间超过5min后,仍有保护漆面光刻胶残留,也停止冲洗保护漆面。
步骤(3)中,冲洗铝面的过程为:采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的铝面,在冲洗过程中,使用软毛刷刷洗表面,实时观察光刻胶的脱落情况,直到铝面光刻胶完全冲洗干净后,停止冲洗保护漆面;或者,当冲洗时间超过5min后,仍有铝面光刻胶残留,也停止冲洗铝面。
步骤(4)中,所述重铬酸钾溶液的浓度0.5-1wt.%,浸泡时间5-10min。
步骤(4)中所述温水冲洗过程与步骤(3)操作相同。
本发明的优点和有益效果如下:
本发明对载带自动焊载体上的光刻胶和保护漆进行去除的过程中,一方面,用温水取代冷水,并通过温度与浸泡时间的优化,达到最优组合,降低了保护漆和光刻胶的坚膜效果,使其更容易脱落,这样,对于一般的载体,保护漆和光刻胶的去除率均可以达到90%;另一方面,针对常规优化方法仍不能去除的光刻胶,引入了Cr6+溶液,作为一种强氧化剂,与光刻胶发生氧化反应,使其分子结构被破坏,达到使光刻胶与载体分离脱落、得以清除的目的。
附图说明
图1为本发明载带自动焊载体去胶方法流程图。
具体实施方式
为了进一步理解本发明,以下结合实例对本发明进行描述,但实例仅为对本发明的特点和优点做进一步阐述,而不是对本发明权利要求的限制。
实施例1:
本发明载带自动焊载体去胶流程如图1,具体去除过程如下:
将体积比例为5:1的硫酸(浓度98wt.%)和双氧水(浓度30wt.%)混合配置成去胶液,采用加热石英槽加热到120℃,并保持在120±5℃。将载带自动焊载体放置在去胶液中浸泡,浸泡时间13min,然后取出载体。
将去离子水采用加热石英槽加热到50±5℃,并保持在50±5℃,将去胶液浸泡过的载带自动焊载体放置在温水中浸泡,浸泡时间4min,然后取出载体进行温水冲洗,温水冲洗过程先冲洗载体的保护漆面,再冲洗载体的铝面,具体冲洗过程如下:
采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的保护漆面,在冲洗过程中,使用软毛刷刷洗表面,实时观察光刻胶的脱落情况。直到保护漆面光刻胶完全冲洗干净后,停止冲洗保护漆面;当冲洗时间超过5min后,仍有保护漆面光刻胶残留,也停止冲洗保护漆面。
采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的铝面,在冲洗过程中,使用软毛刷刷洗表面,实时观察光刻胶的脱落情况。直到铝面光刻胶完全冲洗干净后,停止冲洗保护漆面;当冲洗时间超过5min后,仍有铝面光刻胶残留,也停止冲洗铝面。
经过上述去胶液浸泡、温水浸泡、温水冲洗后,若载带自动焊载体上的光刻胶已经清洗干净,则去胶流程结束。
若未清洗干净,则继续采用重铬酸钾溶液(浓度0.5-1wt.%)浸泡时间5-10min,然后用温水冲洗,温水冲洗过程同上。
经检测,本实施例处理后的载体上,保护漆和光刻胶的去除率均达到90%以上。

Claims (7)

1.一种载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:该方法是对载体制备过程中载体上的光刻胶和保护漆进行去除,该方法具体包括如下步骤::
(1)去胶液浸泡:将载带自动焊载体放置在去胶液中浸泡,浸泡时间12-15min,然后取出载体,放入温水中;
(2)温水浸泡:将经去胶液浸泡过的载带自动焊载体放置在温水中浸泡,浸泡时间3-5min,然后取出载体;
(3)温水冲洗:将步骤(2)取出的载体采用温水冲洗,先冲洗保护漆面,再冲洗铝面;
(4)经步骤(3)温水冲洗后,载带自动焊载体上的光刻胶如已经清洗干净,则结束去胶流程;若未清洗干净,则采用重铬酸钾溶液浸泡,浸泡后用温水冲洗。
2.根据权利要求1所述的载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:步骤(1)中,所述去胶液为硫酸与双氧水的混合溶液,该混合溶液是由浓度96wt.%以上的硫酸与浓度30wt.%的双氧水按照5:1的体积比例混合而成;所述去胶液采用加热石英槽加热到115~125℃,浸泡时去胶液温度保持在115~125℃。
3.根据权利要求1所述的载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:步骤(2)中,所述温水浸泡过程为:将去离子水采用加热石英槽加热到45~55℃,载体放入石英槽内的温水中浸泡(浸泡时温度保持45~55℃)3-5min,然后取出载体。
4.根据权利要求1所述的载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:步骤(3)中,冲洗保护漆面的过程为:采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的保护漆面,在冲洗过程中,使用软毛刷刷洗表面,实时观察光刻胶的脱落情况,直到保护漆面光刻胶完全冲洗干净后,停止冲洗保护漆面;或者,当冲洗时间超过5min后,仍有保护漆面光刻胶残留,也停止冲洗保护漆面。
5.根据权利要求1所述的载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:步骤(3)中,冲洗铝面的过程为:采用37℃去离子水冲洗载带自动焊载体的铝面,在冲洗过程中,使用软毛刷刷洗表面,实时观察光刻胶的脱落情况,直到铝面光刻胶完全冲洗干净后,停止冲洗保护漆面;或者,当冲洗时间超过5min后,仍有铝面光刻胶残留,也停止冲洗铝面。
6.根据权利要求1所述的载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:步骤(4)中,所述重铬酸钾溶液的浓度0.5-1wt.%,浸泡时间5-10min。
7.根据权利要求1所述的载带自动焊载体去胶方法,其特征在于:步骤(4)中所述温水冲洗过程与步骤(3)操作相同。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5671245A (en) * 1979-11-15 1981-06-13 Nec Corp Forming method of fluorescent screen
US20060086372A1 (en) * 2002-06-22 2006-04-27 Raimund Mellies Composition for the removing of sidewall residues
KR100801299B1 (ko) * 2007-02-12 2008-02-05 세메스 주식회사 웨이퍼상의 포토레지스트 제거 장치 및 방법
CN102714157A (zh) * 2009-12-21 2012-10-03 国际商业机器公司 旋涂配制剂以及剥离经离子注入的光致抗蚀剂的方法
TW201407709A (zh) * 2012-07-27 2014-02-16 Applied Materials Inc 加強清潔腔室的電漿噴塗塗層而不損傷塗層之方法
CN103809395A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 孙庆东 一种去除残留光刻胶的方法
CN106935685A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 无锡华润华晶微电子有限公司 一种led芯片的去胶方法
CN107015445A (zh) * 2017-03-27 2017-08-04 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体结构表面处理方法
CN110727182A (zh) * 2019-10-31 2020-01-24 湖北兴福电子材料有限公司 一种剥离光刻胶的方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5671245A (en) * 1979-11-15 1981-06-13 Nec Corp Forming method of fluorescent screen
US20060086372A1 (en) * 2002-06-22 2006-04-27 Raimund Mellies Composition for the removing of sidewall residues
KR100801299B1 (ko) * 2007-02-12 2008-02-05 세메스 주식회사 웨이퍼상의 포토레지스트 제거 장치 및 방법
CN102714157A (zh) * 2009-12-21 2012-10-03 国际商业机器公司 旋涂配制剂以及剥离经离子注入的光致抗蚀剂的方法
TW201407709A (zh) * 2012-07-27 2014-02-16 Applied Materials Inc 加強清潔腔室的電漿噴塗塗層而不損傷塗層之方法
CN103809395A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 孙庆东 一种去除残留光刻胶的方法
CN106935685A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 无锡华润华晶微电子有限公司 一种led芯片的去胶方法
CN107015445A (zh) * 2017-03-27 2017-08-04 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体结构表面处理方法
CN110727182A (zh) * 2019-10-31 2020-01-24 湖北兴福电子材料有限公司 一种剥离光刻胶的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
关亚男,金娜,姚秀华: "《TAB 载体工艺技术研究》", 《微处理机》, no. 1, 28 February 2001 (2001-02-28), pages 22 - 24 *

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