CN111739789B - 一种二极管的返工清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体封装制造领域，具体涉及一种二极管的返工清洗工艺，筛选出需返工半导体二极管材料，进行清洗、晾干、一次酸洗、清洗、点玻、电镀、烘烤和包装，本发明将现有的二极管返工过程中的一般要经过第1道和第2道酸洗工艺改为只进行第2道酸洗，操作简单，减少成本的同时提高了返工效率和产品良率。
Description
技术领域
本发明属于半导体封装制造领域，具体涉及一种二极管的返工清洗工艺。
背景技术
一般的二极管在生产过程中，遇到不合格返工产品的返工工艺中需要进行酸洗，其中酸洗工艺流程中一般采用两道酸洗程序，第一道酸洗程序为酸腐蚀，第二道酸洗程序为酸钝化，工艺较复杂，浪费原物料和劳动力，且第1道酸洗会伴有腐蚀芯片和引线尺寸过多的影响，塑封时会有引线残胶问题，影响产品良率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种二极管的返工清洗工艺，减少了现有的二极管返工过程中的酸洗流程，操作简单，减少成本的同时提高了返工效率和产品良率。
本发明所采取的技术方案是：一种二极管的返工清洗工艺，该工艺包括以下步骤：
（1）筛选二极管中的不合格产品，挑选出来后等待返工；
（2）将待返工的半导体二极管材料通过清洗去除玻璃粉，然后将半导体二极管材料用去离子水浸泡，浸泡后对半导体二极管材料用清水进行冲洗；
（3）将冲洗后的半导体二极管材料放入超声波清洗机中超声清洗，超声清洗完后再次用清水进行冲洗；
（4）将经过二次冲洗后的半导体二极管材料放入异丙醇溶液，然后取出半导体二极管材料进行晾干；
（5）使用酸洗溶液，对晾干后的半导体二极管材料进行酸洗；
（6）将酸洗后的半导体二极管材料用清水进行冲洗，再放入超声波清洗机中超声清洗；
（7）将清洗后的半导体二极管材料进行点玻操作，梳料后涂抹玻璃，使二极管管芯钼柱处形成一球形的玻璃料附着层；
（8）将点玻后的半导体二极管材料的引线表面电镀一层金属保护膜；
（9）将电镀后的半导体二极管材料放到烤箱中在100～140度的环境下烘烤2.5～3小时；
（10）将烘烤后的半导体二极管材料从烤箱拿出，进行分类成品包装。
进一步地，所述步骤（2）中的待返工的半导体二极管材料处于50～85℃的温度条件下在去离子水浸泡。
进一步地，所述步骤（3）中超声波清洗机中超声清洗采用的清洗剂为去离子水。
进一步地，所述步骤（4）中半导体二极管材料晾干放置在无尘室中进行。
进一步地，所述步骤（5）中酸洗溶液为磷酸、双氧水、去离子水按体积比1：1：4～5混合而成，所使用磷酸浓度为65％～75％，所使用双氧水浓度为25％～30％，在70～80度温度下，将半导体二极管材料酸洗45～65秒。
进一步地，所述半导体二极管材料酸洗为将酸洗溶液放入酸洗机中对半导体二极管材料进行酸钝化。
进一步地，所述步骤（8）中电镀的金属保护膜为一层锡。
本发明的有益效果是：将半导体二极管返工工艺中的两道酸洗过程更改为只进行第2道酸洗，提高产品良率和避免塑封时引线残胶问题，提高返工效率,使用酸量大大减少，减少了对环境的污染，降低了生产成本，同时也减少了废酸净化处理的费用。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的具体实施方式进行详细说明。
实施例1
一种二极管的返工清洗工艺，包括。该工艺包括以下步骤：
（1）筛选二极管中的不合格产品，挑选出来后等待返工；
（2）将待返工的半导体二极管材料通过清洗去除玻璃粉，然后将半导体二极管材料用去离子水浸泡，浸泡后对半导体二极管材料用清水进行冲洗；
（3）将冲洗后的半导体二极管材料放入超声波清洗机中超声清洗，超声清洗完后再次用清水进行冲洗；
（4）将经过二次冲洗后的半导体二极管材料放入异丙醇溶液，然后取出半导体二极管材料进行晾干；
（5）使用酸洗溶液，对晾干后的半导体二极管材料进行酸洗；
（6）将酸洗后的半导体二极管材料用清水进行冲洗，再放入超声波清洗机中超声清洗；
（7）将清洗后的半导体二极管材料进行点玻操作，梳料后涂抹玻璃，使二极管管芯钼柱处形成一球形的玻璃料附着层；
（8）将点玻后的半导体二极管材料的引线表面电镀一层金属保护膜；
（9）将电镀后的半导体二极管材料放到烤箱中在120度的环境下烘烤2.7小时；
（10）将烘烤后的半导体二极管材料从烤箱拿出，进行分类成品包装。
所述步骤（2）中的待返工的半导体二极管材料处于50～85℃的温度条件下在去离子水浸泡。
所述步骤（3）中超声波清洗机中超声清洗采用的清洗剂为去离子水。
所述步骤（4）中半导体二极管材料晾干放置在无尘室中进行。
所述步骤（5）中酸洗溶液为磷酸、双氧水、去离子水按体积比1：1：4混合而成，所使用磷酸浓度为65％，所使用双氧水浓度为25％，将酸洗溶液放入酸洗机中对半导体二极管材料进行酸钝化，在70度温度下，将半导体二极管材料酸洗65秒。
所述步骤（8）中电镀的金属保护膜为一层锡。
实施例2
一种二极管的返工清洗工艺，包括。该工艺包括以下步骤：
（1）筛选二极管中的不合格产品，挑选出来后等待返工；
（2）将待返工的半导体二极管材料通过清洗去除玻璃粉，然后将半导体二极管材料用去离子水浸泡，浸泡后对半导体二极管材料用清水进行冲洗；
（3）将冲洗后的半导体二极管材料放入超声波清洗机中超声清洗，超声清洗完后再次用清水进行冲洗；
（4）将经过二次冲洗后的半导体二极管材料放入异丙醇溶液，然后取出半导体二极管材料进行晾干；
（5）使用酸洗溶液，对晾干后的半导体二极管材料进行酸洗；
（6）将酸洗后的半导体二极管材料用清水进行冲洗，再放入超声波清洗机中超声清洗；
（7）将清洗后的半导体二极管材料进行点玻操作，梳料后涂抹玻璃，使二极管管芯钼柱处形成一球形的玻璃料附着层；
（8）将点玻后的半导体二极管材料的引线表面电镀一层金属保护膜；
（9）将电镀后的半导体二极管材料放到烤箱中在140度的环境下烘烤2.5小时；
（10）将烘烤后的半导体二极管材料从烤箱拿出，进行分类成品包装。
所述步骤（2）中的待返工的半导体二极管材料处于85℃的温度条件下在去离子水浸泡。
所述步骤（3）中超声波清洗机中超声清洗采用的清洗剂为去离子水。
所述步骤（4）中半导体二极管材料晾干放置在无尘室中进行。
所述步骤（5）中酸洗溶液为磷酸、双氧水、去离子水按体积比1：1：5混合而成，所使用磷酸浓度为75％，所使用双氧水浓度为30％，将酸洗溶液放入酸洗机中对半导体二极管材料进行酸钝化，在80度温度下，将半导体二极管材料酸洗45秒。
所述步骤（8）中电镀的金属保护膜为一层锡。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (6)
1.一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：
（1）筛选二极管中的不合格产品，挑选出来后等待返工；
（2）将待返工的半导体二极管材料除玻璃粉，将半导体二极管材料用去离子水浸泡，浸泡后对半导体二极管材料用清水进行冲洗；
（3）将冲洗后的半导体二极管材料放入超声波清洗机中超声清洗，超声清洗完后再次用清水进行冲洗；
（4）将经过二次冲洗后的半导体二极管材料放入异丙醇溶液，然后取出半导体二极管材料进行晾干；
（5）将酸洗溶液放入酸洗机中，对晾干后的半导体二极管材料进行酸洗钝化；
（6）将酸洗钝化后的半导体二极管材料用清水进行冲洗，再放入超声波清洗机中超声清洗；
（7）将清洗后的半导体二极管材料进行点玻操作，梳料后涂抹玻璃，使二极管管芯钼柱处形成一球形的玻璃料附着层；
（8）将点玻后的半导体二极管材料的引线表面电镀一层金属保护膜；
（9）将电镀后的半导体二极管材料放到烤箱中在100～140度的环境下烘烤2 .5～3小时；
（10）将烘烤后的半导体二极管材料从烤箱拿出，进行分类成品包装。
2.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（2）中的待返工的半导体二极管材料处于50～85℃的温度条件下在去离子水浸泡。
3.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（3）中超声波清洗机中超声清洗采用的清洗剂为去离子水。
4.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（4）中半导体二极管材料晾干放置在无尘室中进行。
5.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（5）中酸洗溶液为磷酸、双氧水、去离子水按体积比1：1：4～5混合而成，所使用磷酸浓度为65％～75％，所使用双氧水浓度为25％～30％，在70～80度温度下，将半导体二极管材料酸洗钝化45～65秒。
6.如权利要求1所述的一种二极管的返工清洗工艺，其特征在于，所述步骤（8）中电镀的金属保护膜为一层锡。
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