CN112934829A - 半导体夹具的清洗方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims abstract description 7
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LZXXNPOYQCLXRS-UHFFFAOYSA-N methyl 4-aminobenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=C(N)C=C1 LZXXNPOYQCLXRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 8
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 8
- -1 polyoxypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/66—Non-ionic compounds
- C11D1/72—Ethers of polyoxyalkylene glycols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2072—Aldehydes-ketones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2096—Heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/33—Amino carboxylic acids
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B3/00—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat
- F26B3/02—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by convection, i.e. heat being conveyed from a heat source to the materials or objects to be dried by a gas or vapour, e.g. air
- F26B3/04—Drying solid materials or objects by processes involving the application of heat by convection, i.e. heat being conveyed from a heat source to the materials or objects to be dried by a gas or vapour, e.g. air the gas or vapour circulating over or surrounding the materials or objects to be dried
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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Abstract
本发明公开了一种半导体夹具的清洗方法，包括以下步骤：(1)将待清洗的半导体夹具置于60～80℃的光刻胶清洗剂中，浸泡1～3h，刷洗；(2)置于去离子水中，用超声波清洗，干燥；(3)置于乙醇中用超声波清洗，干燥，即得清洗后的半导体夹具。本发明半导体夹具的清洗方法先采用将其置于光刻胶清洗剂中，使光刻胶失去一定的附着力，通过刷洗可以轻易洗去夹具上的光刻胶，然后置于去离子水中漂洗，进一步除去表面的光刻胶清洗剂、光刻胶残留和颗粒杂质，干燥后，最后置于乙醇中，更进一步去除其表面的光刻胶残留和颗粒杂质，采用本发明所述清洗方法可清除半导体夹具上99％以上的光刻胶和杂质颗粒。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体夹具的清洗方法。
背景技术
通常，半导体的粘接过程是离不开光刻胶的，这些都需要粘接在半导体夹具上，粘上光刻胶来完成。因而，工序完成后，将半导体取下，夹具上布满了光刻胶和硅的杂质，需要进行清洗，以满足半导体夹具的循环再利用。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体夹具的清洗方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体夹具的清洗方法，包括以下步骤：
(1)将待清洗的半导体夹具置于60～80℃的光刻胶清洗剂中，浸泡1～3h，刷洗；
(2)置于去离子水中，用超声波清洗，干燥；
(3)置于乙醇中用超声波清洗，干燥，即得清洗后的半导体夹具。
本发明所述半导体夹具的清洗方法先采用将其置于光刻胶清洗剂中，使光刻胶失去一定的附着力，通过刷洗可以轻易洗去夹具上的光刻胶，然后置于去离子水中漂洗，进一步除去表面的光刻胶清洗剂、光刻胶残留和颗粒杂质，干燥后，最后置于乙醇中，更进一步去除其表面的光刻胶残留和颗粒杂质，采用上述方法可清除半导体夹具上99％以上的光刻胶和杂质颗粒。
优选地，所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.3～0.8％、脂肪醇聚氧乙烯醚5～8％、环己酮12～18％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚2～4％，以及余量的水。采用上述配方的清洗剂清洗能力强，在60～80℃下浸泡1～3h，加上刷洗操作能清洗效果较为彻底，且对半导体夹具本身无损害。
优选地，所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.5％、脂肪醇聚氧乙烯醚6％、环己酮15％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3％，以及余量的水。上述配方的光刻胶清洗剂的清洗能力最强。
优选地，所述刷洗的时间为5～10min。经过5～10min的刷洗即可高效率地使光刻胶从夹具上脱落。
优选地，步骤(2)中，所述超声波清洗的功率为15～30kHz，温度为25～40℃，清洗时间为15～40min。
优选地，步骤(3)中，所述超声波清洗的功率为10～15kHz，温度为15～25℃，清洗时间为10～30min。
优选地，步骤(2)和步骤(3)中，所述干燥为采用45～55℃的热风干燥1～30min。
本发明的有益效果在于：本发明提供了一种半导体夹具的清洗方法。本发明半导体夹具的清洗方法先采用将其置于光刻胶清洗剂中，使光刻胶失去一定的附着力，通过刷洗可以轻易洗去夹具上的光刻胶，然后置于去离子水中漂洗，进一步除去表面的光刻胶清洗剂、光刻胶残留和颗粒杂质，干燥后，最后置于乙醇中，更进一步去除其表面的光刻胶残留和颗粒杂质，采用本发明所述清洗方法可清除半导体夹具上99％以上的光刻胶和杂质颗粒。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
本发明所述半导体夹具的清洗方法的一种实施例，本实施例所述半导体夹具的清洗方法包括以下步骤：
(1)将待清洗的半导体夹具置于70℃的光刻胶清洗剂中，浸泡2h，刷洗8min；
(2)置于25℃的去离子水中，用超声波清洗20min，所述超声波清洗的功率为20kHz，采用50℃的热风进行烘干10分钟；
(3)置于20℃的乙醇中用超声波清洗，所述超声波清洗的功率为10kHz，清洗时间为20min，采用50℃的热风进行烘干2min，即得清洗后的半导体夹具；
所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.5％、脂肪醇聚氧乙烯醚6％、环己酮15％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3％，以及余量的水。
采用该清洗方法能清除半导体夹具表面99％以上的光刻胶和颗粒杂质。
实施例2
本发明所述半导体夹具的清洗方法的一种实施例，本实施例所述半导体夹具的清洗方法包括以下步骤：
(1)将待清洗的半导体夹具置于60℃的光刻胶清洗剂中，浸泡3h，刷洗10min；
(2)置于25℃的去离子水中，用超声波清洗40min，所述超声波清洗的功率为30kHz，采用50℃的热风进行烘干10分钟；
(3)置于15℃的乙醇中用超声波清洗，所述超声波清洗的功率为15kHz，清洗时间为30min，采用50℃的热风进行烘干2min，即得清洗后的半导体夹具。
所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.3％、脂肪醇聚氧乙烯醚8％、环己酮12％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚4％，以及余量的水。
采用该清洗方法能清除半导体夹具表面98％以上的光刻胶和颗粒杂质。
实施例3
本发明所述半导体夹具的清洗方法的一种实施例，本实施例所述半导体夹具的清洗方法包括以下步骤：
(1)将待清洗的半导体夹具置于80℃的光刻胶清洗剂中，浸泡1h，刷洗5min；
(2)置于40℃的去离子水中，用超声波清洗15min，所述超声波清洗的功率为15kHz，采用50℃的热风进行烘干10分钟；
(3)置于20℃的乙醇中用超声波清洗，所述超声波清洗的功率为10kHz，清洗时间为25min，采用50℃的热风进行烘干2min，即得清洗后的半导体夹具；
所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.8％、脂肪醇聚氧乙烯醚5％、环己酮18％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚2％，以及余量的水。
采用该清洗方法能清除半导体夹具表面98％以上的光刻胶和颗粒杂质。
实施例4
本发明所述半导体夹具的清洗方法的一种实施例，本实施例所述半导体夹具的清洗方法包括以下步骤：
(1)将待清洗的半导体夹具置于60～80℃的光刻胶清洗剂中，浸泡1～3h，刷洗5～10min；
(2)置于35℃的去离子水中，用超声波清洗20min，所述超声波清洗的功率为20kHz，采用50℃的热风进行烘干10分钟；
(3)置于25℃的乙醇中用超声波清洗，所述超声波清洗的功率为15kHz，清洗时间为20min，采用50℃的热风进行烘干2min，即得清洗后的半导体夹具；
所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.8％、脂肪醇聚氧乙烯醚7％、环己酮18％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3％，以及余量的水。
采用该清洗方法能清除半导体夹具表面98％以上的光刻胶和颗粒杂质。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (7)
1.一种半导体夹具的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将待清洗的半导体夹具置于60～80℃的光刻胶清洗剂中，浸泡1～3h，刷洗；
(2)置于去离子水中，用超声波清洗，干燥；
(3)置于乙醇中用超声波清洗，干燥，即得清洗后的半导体夹具。
2.如权利要求1所述半导体夹具的清洗方法，其特征在于，所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.3～0.8％、脂肪醇聚氧乙烯醚5～8％、环己酮12～18％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚2～4％，以及余量的水。
3.如权利要求1所述半导体夹具的清洗方法，其特征在于，所述光刻胶清洗剂包含以下重量百分含量的组分：聚氧化丙烯三醇0.5％、脂肪醇聚氧乙烯醚6％、环己酮15％、对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3％，以及余量的水。
4.如权利要求1所述半导体夹具的清洗方法，其特征在于，所述刷洗的时间为5～10min。
5.如权利要求1所述半导体夹具的清洗方法，其特征在于，步骤(2)中，所述超声波清洗的功率为15～30kHz，温度为25～40℃，清洗时间为15～40min。
6.如权利要求1所述半导体夹具的清洗方法，其特征在于，步骤(3)中，所述超声波清洗的功率为10～15kHz，温度为15～25℃，清洗时间为10～30min。
7.如权利要求1所述半导体夹具的清洗方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(3)中，所述干燥为采用45～55℃的热风干燥1～30min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911170028.9A CN112934829A (zh) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | 半导体夹具的清洗方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911170028.9A CN112934829A (zh) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | 半导体夹具的清洗方法 |
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|---|---|
| CN112934829A true CN112934829A (zh) | 2021-06-11 |
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ID=76224930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911170028.9A Pending CN112934829A (zh) | 2019-11-26 | 2019-11-26 | 半导体夹具的清洗方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210611 |