CN105301919A - 一种光刻胶清洗组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光刻胶清洗组合物。包括以下组分:甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇,聚氧化丙烯三醇,壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯、儿茶酚和渗透剂JFC-2。本发明对光刻胶的清洗能力强,同时,不会腐蚀芯片基材,非常适合工业化生产,大规模的推广应用。
Description
技术领域
本申请属于半导体制造技术领域,具体涉及一种光刻胶清洗组合物。
背景技术
基因芯片(genechip)的原型是80年代中期提出的。基因芯片的测序原理是杂交测序方法,即通过与一组已知序列的核酸探针杂交进行核酸序列测定的方法。光刻工艺是用于制造集成电路、液晶显示屏和基因芯片等都需要使用的常规工艺,而光刻胶是光刻工艺中所必须使用的材料。光刻胶又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
光刻胶可以分为三种类型。第一种为光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。第二种为光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。第三种为光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。采用感光胶通过曝光、显影和刻蚀等方式在每一层结构面上形成所需要的图案。在进行后一层处理时,需要将前一次使用后的光刻胶完全清洗干净。
改善光刻胶的清洗方法主要使用延长浸泡时间、提高浸泡温度和采用腐蚀性强的溶液,非常容易造成芯片的腐蚀及损坏。同时,需要频繁更换清洗液。另外,现有技术中使用的浓硫酸,只能去除光刻胶表层,不能彻底去除光刻胶。
发明内容
本发明的一个目的是一种光刻胶清洗组合物,包括以下组分:
甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇,聚氧化丙烯三醇,壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。
所述组合物还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
所述组合物还包括渗透剂JFC-2。
所述组合物按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%,聚氧化丙烯三醇0.1-0.3%,壬基聚氧乙烯醚5-6%,对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3%,JFC-21%,余量为有机溶剂。
所述对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚的重量比为4:1。
所述有机溶剂为N-N二甲基甲酰胺和乙二醇单甲醚中的一种或两种。
本发明针对现有清洗剂存在的问题进行改进,采用的有机溶剂和渗透剂,使得到的光刻胶清洗剂对光刻胶的清洗能力强,能够彻底清洗光刻胶残留,避免在基因测序时芯片上各种杂质和金属离子对检测结果的干扰。同时,清洗剂中含有腐蚀抑制剂,不会腐蚀芯片基材,能够有保护芯片,非常适合工业化生产,大规模的推广应用。
具体实施方式
实施例1
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇1%,聚氧化丙烯三醇0.3%,壬基聚氧乙烯醚5%,对氨基苯甲酸甲酯2.4%,儿茶酚0.6%,JFC-21%,N-N二甲基甲酰胺10%和乙二醇单甲醚79.7%。
实施例2
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇2%,聚氧化丙烯三醇0.1%,壬基聚氧乙烯醚6%,对氨基苯甲酸甲酯2.4%,儿茶酚0.6%,JFC-21%,N-N二甲基甲酰胺15%和乙二醇单甲醚72.9%。
实施例3
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇1.5%,聚氧化丙烯三醇0.2%,壬基聚氧乙烯醚6%,对氨基苯甲酸甲酯2%,儿茶酚1%,JFC-21%,N-N二甲基甲酰胺18%和乙二醇单甲醚70.3%。
实施例4
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇1.6%,聚氧化丙烯三醇0.15%,壬基聚氧乙烯醚5.5%,对氨基苯甲酸甲酯1.2%,儿茶酚1.8%,JFC-21%,N-N二甲基甲酰胺43%和乙二醇单甲醚45.75%。
实施例5
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇1.2%,聚氧化丙烯三醇0.2%,壬基聚氧乙烯醚5.9%,对氨基苯甲酸甲酯2.8%,儿茶酚0.2%,JFC-21%,乙二醇单甲醚88.7%。
实施例6
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇1.8%,聚氧化丙烯三醇0.15%,壬基聚氧乙烯醚5.5%,对氨基苯甲酸甲酯2.4%,儿茶酚0.6%,JFC-21%,N-N二甲基甲酰胺88.55%。
实施例7
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇2%,聚氧化丙烯三醇0.25%,壬基聚氧乙烯醚5.4%,对氨基苯甲酸甲酯1.1%,儿茶酚1.9%,JFC-21%,N-N二甲基甲酰胺88.35%。
实施例8
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇1%,聚氧化丙烯三醇0.15%,壬基聚氧乙烯醚5.5%,对氨基苯甲酸甲酯1%,儿茶酚2%,JFC-21%,乙二醇单甲醚89.35%。
对比例1
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇0.5%,壬基聚氧乙烯醚1.5%,乙二醇单甲醚98%。
对比例2
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:对氨基苯甲酸甲酯0.2%,儿茶酚0.2%,JFC-20.1%,N-N二甲基甲酰胺99.5%。
对本发明实施例1、实施例8、对比例1和对比例2进行芯片光刻胶清洗效果的评价,结果如下:
表1
由表1可知,本发明中的实施例1和实施例8中,光刻胶的去除效果显著优于对比例1和对比例2,在腐蚀检测中,实施例1和实施例8无腐蚀,而对比例1和对比例2则有轻微腐蚀迹象。
上述详细说明是针对本发明其中之一可行实施例的具体说明,该实施例并非用以限制本发明的专利范围,凡未脱离本发明所为的等效实施或变更,均应包含于本发明技术方案的范围内。
Claims (6)
1.一种光刻胶清洗组合物,其特征在于,包括以下组分:
甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇,聚氧化丙烯三醇,壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。
2.如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物,其特征在于,所述组合物还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
3.如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物,其特征在于,所述组合物还包括渗透剂JFC-2。
4.如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物,其特征在于,所述组合物按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%,聚氧化丙烯三醇0.1-0.3%,壬基聚氧乙烯醚5-6%,对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3%,JFC-21%,余量为有机溶剂。
5.如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物,其特征在于,所述对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚的重量比为4:1。
6.如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物,其特征在于,所述有机溶剂为N-N二甲基甲酰胺和乙二醇单甲醚中的一种或两种。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109143800A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-01-04 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种通用型光刻胶剥离液及其应用 |
CN111235906A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 浙江稽山印染有限公司 | 一种麂皮绒的染色工艺 |
CN112934829A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体夹具的清洗方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101251722A (zh) * | 2008-03-19 | 2008-08-27 | 曹学增 | 一种正性光刻胶剥离液及其制备方法 |
CN101295143A (zh) * | 2008-06-19 | 2008-10-29 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 光刻胶残留物清洗剂 |
CN101373339A (zh) * | 2007-08-23 | 2009-02-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种厚膜光刻胶的清洗剂 |
CN101520612A (zh) * | 2009-04-01 | 2009-09-02 | 苏州瑞晶化学有限公司 | 彩色光刻胶的清洗剂 |
CN104155854A (zh) * | 2014-08-07 | 2014-11-19 | 苏州晶瑞化学有限公司 | 一种低温光刻胶重工剥离液及其应用 |
JP2015200830A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 東京応化工業株式会社 | フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法 |
CN105301920A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-03 | 北京中科紫鑫科技有限责任公司 | 一种光刻胶清洗剂及清洗方法 |
-
2015
- 2015-11-16 CN CN201510781928.2A patent/CN105301919A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101373339A (zh) * | 2007-08-23 | 2009-02-25 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种厚膜光刻胶的清洗剂 |
CN101251722A (zh) * | 2008-03-19 | 2008-08-27 | 曹学增 | 一种正性光刻胶剥离液及其制备方法 |
CN101295143A (zh) * | 2008-06-19 | 2008-10-29 | 大连三达奥克化学股份有限公司 | 光刻胶残留物清洗剂 |
CN101520612A (zh) * | 2009-04-01 | 2009-09-02 | 苏州瑞晶化学有限公司 | 彩色光刻胶的清洗剂 |
JP2015200830A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 東京応化工業株式会社 | フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法 |
CN104155854A (zh) * | 2014-08-07 | 2014-11-19 | 苏州晶瑞化学有限公司 | 一种低温光刻胶重工剥离液及其应用 |
CN105301920A (zh) * | 2015-11-16 | 2016-02-03 | 北京中科紫鑫科技有限责任公司 | 一种光刻胶清洗剂及清洗方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109143800A (zh) * | 2018-11-02 | 2019-01-04 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种通用型光刻胶剥离液及其应用 |
CN109143800B (zh) * | 2018-11-02 | 2022-01-28 | 江阴江化微电子材料股份有限公司 | 一种通用型光刻胶剥离液及其应用 |
CN112934829A (zh) * | 2019-11-26 | 2021-06-11 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体夹具的清洗方法 |
CN111235906A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-06-05 | 浙江稽山印染有限公司 | 一种麂皮绒的染色工艺 |
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