JP2015200830A - フォトリソグラフィ用剥離液及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(D)有機溶剤が下記一般式(d−1)で表されるN,N−ジアルキル脂肪酸アミドを含む、フォトリソグラフィ用剥離液。
本発明に係るフォトリソグラフィ用剥離液(以下、単に「剥離液」という。)は、(A)フッ化水素酸と、特定の構造の(B)塩基性化合物と、(C)水と、特定の構造のN,N−ジアルキル脂肪酸アミドを含む(D)有機溶剤とを含有する。以下、本発明に係る剥離液に含有される各成分について詳細に説明する。
本発明に係る剥離液は、フッ化水素酸を必須に含有する。
フッ化水素酸の含有量は、剥離液中、0.05〜0.5質量%が好ましく、0.08〜0.32質量%がより好ましい。このような範囲とすることにより、フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物の剥離除去性と金属に対する防食性とのバランスをより効果的にとることができる。
本発明に係る剥離液は、下記一般式(b−1)で表される塩基性化合物を必須に含有する。
このアルキル基は、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、又はホスホン酸基を有していてもよい。そのような具体例としては、2−ヒドロキシエチル基、2−カルボキシエチル基、2−アミノエチル基、2−ホスホン酸エチル基等が挙げられる。
これらの塩基性化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明に係る剥離液は、水を必須に含有する。
水の含有量は、剥離液中、1.0〜80質量%が好ましく、15〜40質量%がより好ましい。
本発明に係る剥離液は、下記一般式(d−1)で表されるN,N−ジアルキル脂肪酸アミドを含む(D)有機溶剤を必須に含有する。剥離液に、かかる(D)有機溶剤を配合することにより、継続使用によってもエッチングレートが変化しにくい剥離液を得やすい。
本発明に係る剥離液は、さらに、防食剤を含有していてもよい。
この防食剤としては、特に限定されず、従来公知の防食剤を用いることができるが、ベンゾトリアゾール系化合物やメルカプト基含有化合物が好ましい。
これらの中でも、1−(2,3−ジヒドロキシプロピル)−ベンゾトリアゾール、2,2’−{[(4−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタノール、2,2’−{[(5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ}ビスエタノール等が好ましい。
これらのベンゾトリアゾール化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのメルカプト基含有化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
この界面活性剤としては、特に限定されず、従来公知の界面活性剤を用いることができるが、アセチレンアルコール系界面活性剤が好ましい。
また、本発明に係る剥離液は、長時間継続使用した場合であっても組成変化及び性能変化が生じにくいため、剥離液を循環使用する場合に好適である。
本発明に係るパターン形成方法は、基板上に設けたフォトレジストパターンをマスクとして該基板をエッチングし、次いで上記フォトレジストパターンをアッシングした後、本発明に係る剥離液を用いて上記フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去するものである。以下、本発明に係るパターン形成方法の一例について詳細に説明する。
その後、必要に応じて加熱処理(PEB)を施す。
その後、必要に応じて加熱処理(ポストベーク)を施す。
なお、アッシング後の基板には、エッチング残渣物や、変質したフォトレジストパターンの残渣物が残ることが多々ある。
その後、純水や低級アルコール等を用いたリンス処理、及び乾燥処理を施してもよい。
以上の工程により、基板に金属配線パターンを形成することができる。
下記表1〜6に示す組成及び配合量に基づき剥離液を調製した。なお、各試薬については、特に記載の無いものに関しては、一般に市販されている試薬を用いた。また、表中の括弧内の数値は、特に断りの無い限り、質量%の単位で示されるものである。なお、実施例29〜32では、DMIBと、NMPとを質量比1:1で混合した混合溶剤を、水溶性有機溶剤として用いた。
DETA:ジエチレントリアミン
TETA:トリエチレンテトラミン
MEA:モノエタノールアミン
TEtA:トリエタノールアミン
DBU:1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7
PMDETA:ペンタメチルジエチレントリアミン
DMIB:N,N−ジメチルイソブチルアミド
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
PG:プロピレングリコール
DMSO:ジメチルスルホキシド
約0.3μmのAl−Si−Cu膜を蒸着したシリコンウェハを、25℃又は35℃に加温した剥離液中に10分間浸漬し、浸漬前後の膜厚変化量を求めた。結果を表7〜9に示す。
約0.3μmのAl−Si−Cu膜を蒸着したシリコンウェハ上にTFT用フォトレジスト組成物であるTFR−H(東京応化工業社製)をスピンナー塗布し、90℃にて90秒間のプレベークを施し、膜厚2.0μmのフォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜に縮小投影露光装置NSR−2005i10D(ニコン社製)を用いてマスクパターンを介して紫外線を照射し、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、150℃にて90秒間のポストベークを施すことにより、ライン・アンド・スペース0.6μmのフォトレジストパターンを得た。
約0.2μmのAl2O3膜を蒸着したシリコンウェハを、35℃に加温した剥離液中に10分間浸漬し、浸漬前後の膜厚変化からエッチングレート(Å/min)を算出した。また、35℃で48時間加温し続けた剥離液を用いて、上記と同様にエッチングレート(Å/min)を算出した。そして、エッチングレートの変化量が5Å/min未満であるものを○、5Å/min以上10Å/min未満であるものを△、10Å/min以上であるものを×として評価した。結果を表7〜9に示す。
剥離液を35℃で48時間加温し、加温前後における塩基性化合物の濃度変化を求めた。そして、濃度変化が0.15%未満であるものを○、0.15%以上であるものを×として評価した。結果を表6〜8に示す。
また、塩基性化合物を含有しない比較例1,18〜20の剥離液や、フッ化水素酸のカウンターアミンとしてアンモニア以外の塩基性化合物を含有する比較例4〜17の剥離液は、Al−Si−Cuに対する防食性が劣っていた。
さらに、所定の構造のN,N−ジアルキルアミドを有機溶剤として含有しない比較例21〜24の剥離液は、Al−Si−Cuに対する防食性に優れ、35℃で長時間加温する場合に組成変化が生じにくいものであったが、35℃で長時間加温する場合にエッチングレート変化を起こしやすいものであった。
Claims (5)
- (A)フッ化水素酸、(B)下記一般式(b−1)で表される塩基性化合物、(C)水、及び(D)有機溶剤を含有し、
前記(D)有機溶剤が下記一般式(d−1)で表されるN,N−ジアルキル脂肪酸アミドを含む、フォトリソグラフィ用剥離液。
- 前記一般式(d−1)で表されるN,N−ジアルキル脂肪酸アミドが、N,N−ジメチルイソブチルアミド及び2−ヒドロキシ−N,N,2−トリメチルプロパンアミドから選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載のフォトリソグラフィ用剥離液。
- 前記フッ化水素酸の規定度に対する前記塩基性化合物の規定度の比が0.1〜3.0である請求項1又は2に記載のフォトリソグラフィ用剥離液。
- Al又はAl合金からなる金属配線パターンの形成に用いられる請求項1から3のいずれか1項に記載のフォトリソグラフィ用剥離液。
- 基板上に設けたフォトレジストパターンをマスクとして該基板をエッチングし、次いで前記フォトレジストパターンをアッシングした後、請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトリソグラフィ用剥離液を用いて前記フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を剥離除去するパターン形成方法。
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