CN100566859C - 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法 - Google Patents

一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100566859C
CN100566859C CNB2005101262695A CN200510126269A CN100566859C CN 100566859 C CN100566859 C CN 100566859C CN B2005101262695 A CNB2005101262695 A CN B2005101262695A CN 200510126269 A CN200510126269 A CN 200510126269A CN 100566859 C CN100566859 C CN 100566859C
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
wiping
water
anodised aluminium
polymer film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CNB2005101262695A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1850360A (zh
Inventor
陶林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing North Microelectronics Co Ltd filed Critical Beijing North Microelectronics Co Ltd
Priority to CNB2005101262695A priority Critical patent/CN100566859C/zh
Publication of CN1850360A publication Critical patent/CN1850360A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100566859C publication Critical patent/CN100566859C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明提供了一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法,它包括下列步骤:浸泡、粗洗和精洗。本发明所述的清洗方法操作简单,耗时少,清洗效果理想,对阳极氧化铝零件损伤小。

Description

一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法
技术领域
本发明涉及多晶硅刻蚀工艺,具体地涉及一种去除附着于阳极氧化铝零 件表面聚合物薄膜的清洗方法。
背景技术
在传统的半导体多晶硅栅极干法刻蚀工艺中,随着反应的进行,会产生 很多副产物。这些副产物在反应室的工艺环境下会发生一系列的分裂聚合反 应,生成结构复杂的聚合物。这些聚合物的一部分可以随反应室的气流被分 子泵和干泵排出反应室,另一部分会附着在反应室内壁上。附着在内壁上的 聚合物膜会随着工艺的继续而不断累积,这层薄膜稳定性不强,随时可能从 内壁上脱落下来而污染硅片,所以需要对反应室内裸露于工艺环境中的零件 进行定期清洗。
一般多晶硅刻蚀工艺中使用的主要刻蚀剂包括Cl2、 HBr、 02和一些含氟 气体,在经过与Si的反应后,产生的聚合物薄膜的主要成分是含C1、 Si、 O、 Br等元素的混合物,结构复杂。通,的清洗手段是先用H2S04浸泡,然后用 HF溶液和去离子水擦洗。由于阳极氧化铝零件本身'的特性与其他金属零件不 同,这种方法在清除聚合物的同时,容易损伤喷涂表面,而且清除过程耗时 耗力,清洗效果也不理想。
发明内容
(一) 要解决的技术问题
本发明的目的是提供一种有效去除附着于阳极氧化铝零件表面的聚合物 薄膜的清洗方法。
(二) 技术方案
本发明所述的清洗方法包括浸泡、粗洗和精洗三步。清洗时,将阳极氧 化铝零件同其他金属零件分开清洗。
把阳极氧化铝零件从刻蚀设备取下后,先用漬水冲洗,然后用异丙醇(IPA)冲洗,再用清水冲洗,最后用丙酮擦拭去除油脂。
接着,用70-90 °C去离子水浸泡,再用双氧水/氨水混合溶液
(NH4OH:H2O2:H20-l:l:2~3 )浸泡。浸泡完成后,'用1500-2000规格的金刚
砂纸打磨在清洗时暴露的铝表面(视实际情况而定)。
然后,将零件放入25kHz超声槽中进行粗洗,清洗液为超纯水。 再把零件放入40kHz超声槽中进行精洗,清洗液为去离子水。 若仍有残留物,可用溶液(HNO3:HF:H2O=l:l:10~30)擦拭,每擦拭一
圈马上用水冲洗并擦拭。擦拭次数不宜过多,以免损害涂层。 再用水冲洗并擦拭,N2吹干。
最后,将零件置于110~ 12(TC烘箱中烘1.5~2.5小时。 (三)有益效果
本发明所述的清洗方法搡作简单,耗时少,清洗效果理想,对阳极氧化 铝零件损伤小。
具体实施方式
以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
将阳极氧化铝零件从刻蚀设备取下后,立即用水冲洗20分钟,擦拭直至 无尘布没有颜色。接着用IPA反复擦拭10分钟,直至无尘布没有颜色。再用 丙酮擦拭直至无尘布没有颜色。然后用水冲洗并N2吹干。
接着,将阳极氧化铝零件放入8(TC去离子水中浸泡1小时,并用无尘布 擦拭。再放入溶液(NH4OH:H2O2:H20=l:l:2)中浸泡30分钟,然后用水冲洗 并擦拭。
浸泡完成后,用1500规格的金刚砂纸打磨在清洗时暴露的铝表面。 然后,将零件放入25kHz超声欉中进行粗洗,超声20分钟,超纯水水温
为50。C,超声能量密度为30瓦/加仑,零件与托板之间垫有无尘布以防止水印。
粗洗完成后,将零件放入40kHz超声槽中进行精洗,超声20分钟,ig兆去离子水水温为5(TC,超声能量密度为30瓦/加仑,零件与托板之间垫有 无尘布以防止水印。
若仍有残留物,可用溶液(HN03:HF:H201:1:10)擦拭,每擦拭一圈马 上用水冲洗并擦拭。
再用水冲洗并擦拭,N2吹干。
最后,将零件置于115'C烘箱中烘2小时。
清洗后,阳极氧化铝零件表面恢复清洁,使用表面颗粒检测仪检测,零 件表面颗粒情况符合质量要求;使用表面粗糙度测量仪测试,零件表面粗糙
度清洗前后变化不大,表明清洗损侮较小。 实施倒2
将阳极氧化铝零件从刻蚀设备取下后,立即用水冲洗30分钟,擦拭直至 无尘布没有颜色。接着用IPA反复擦拭5分钟,直至无尘布没有颜色。再用 丙酮擦拭直至无尘布没有颜色。然后用水冲洗并N2吹干。
接着,将阳极氧化铝零件放入70'C去离子水中浸泡1小时,并用无尘布 擦拭。再放入溶液(NH4OH:H2O2:H20=l:k3)中浸泡35分钟,然后用水冲洗 并擦拭。
然后,将零件放入25kHz超声槽中进行粗洗,超声30分钟,超纯水水温 为5(TC,超声能量密度为25瓦/加仑,零件与托板之间垫有无尘布以防止水 印。
粗洗完成后,将零件放入40kHz超声槽中进行精洗,超声30分钟,18 兆去离子水水温为50'C,超声能量密度为25瓦/加仑,零件与托板之间垫有 无尘布以防止水印。
若仍有残留物,可用溶液(HNO3:HF:H2O=l:l:30)擦拭,每擦拭一圈马 上用水冲洗并擦拭。。
再用水冲洗并擦拭,N2吹干。
最后将零件置于12(TC烘箱中烘1.5小时。
清洗后,阳极氧化铝零件表面恢复清洁,使用表面颗粒检测仪检测,零 件表面颗粒情况符合质量要求;使用表面粗糙度测量仪测试,零件表面粗糙度清洗前后变化不大,表明清洗损伤较小。
寞施飼3
将阳极氧化铝零件从刻蚀设备取下后,立即用水冲洗25分钟,擦拭直至 无尘布没有颜色。接着用IPA反复擦拭8分钟,直至无尘布没有颜色。再用 丙酮擦拭直至无尘布没有颜色。然后用水冲洗并N2吹干。
接着,将阳极氧化铝零件放入9(TC去离子水中浸泡1小时,并用无尘布 擦拭。再放入溶液(NH4OH:H2O2:H20=l:l:3)中浸泡40分钟,然后用水冲洗 并擦拭。
浸泡完成后,用2000规格的金刚砂纸打磨在清洗时暴露的铝表面。 然后,将零件放入25kHz超声槽中进行粗洗,超声25分钟,超纯水水温
为50。C,超声能量密度为35瓦/加仑,零件与托衩之间垫有无尘布以防止水印。
粗洗完成后,将零件放入40kHz超声槽中进行精洗,超声25分钟,18 兆去离子水水温为50°C,超声能量密度为35瓦/加仑,零件与托板之间垫有 无尘布以防止水印。
若仍有残留物,可用溶液(HNO3:HF:H2O=l:l:20)擦拭,每擦拭一圈马 上用水冲洗并擦拭。
再用水冲洗并擦拭,N2吹干。
最后将零件置于11(TC烘箱中烘2.5小时。
清洗后,阳极氧化铝零件表面恢复清洁,使用表面颗粒检测仪检测,零 件表面颗粒情况符合质量要求;使用表面粗糙度测量仪测试,零件表面粗糙 度清洗前后变化不大,表明清洗损伤较小。 。

Claims (1)

1、一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法,它包括下列步骤: a.浸泡:依次用70-90℃去离子水、NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶2~3的双氧水/氨水混合溶液浸泡; b.粗洗:以超纯水为清洗液,在能量密度25-35瓦/加仑下超声; c.精洗:以去离子水为清洗液,且超声能量密度为25-35瓦/加仑。
CNB2005101262695A 2005-12-02 2005-12-02 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法 Active CN100566859C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101262695A CN100566859C (zh) 2005-12-02 2005-12-02 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB2005101262695A CN100566859C (zh) 2005-12-02 2005-12-02 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1850360A CN1850360A (zh) 2006-10-25
CN100566859C true CN100566859C (zh) 2009-12-09

Family

ID=37131871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005101262695A Active CN100566859C (zh) 2005-12-02 2005-12-02 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN100566859C (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101214485B (zh) * 2007-01-04 2010-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
CN102886367B (zh) * 2012-10-22 2015-03-11 哈尔滨工业大学 一种精密铝合金零件的清洗方法
CN104148328A (zh) * 2013-08-27 2014-11-19 奥星衡迅生命科技(上海)有限公司 一种制药片剂模具的清洗方法
CN105732117A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541401A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541404A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541403A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105732112A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105732114A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541399A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541398A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105601339A (zh) * 2016-01-29 2016-05-25 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541400A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105601334A (zh) * 2016-01-29 2016-05-25 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541397A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105601336A (zh) * 2016-01-29 2016-05-25 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105732116A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105541402A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN105732113A (zh) * 2016-01-29 2016-07-06 孙英 一种氧化铝陶瓷片处理工艺
CN108672375A (zh) * 2018-04-08 2018-10-19 苏州珮凯科技有限公司 一种半导体8寸晶圆制程etch8500工艺石英屏蔽环的再生方法
CN108682609A (zh) * 2018-04-08 2018-10-19 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶圆制程金属dps工艺陶瓷聚焦环的再生方法
CN108655086A (zh) * 2018-04-08 2018-10-16 苏州珮凯科技有限公司 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1850360A (zh) 2006-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100566859C (zh) 一种去除附着于阳极氧化铝零件表面聚合物薄膜的清洗方法
CN101152651B (zh) 一种陶瓷零件表面的清洗方法
US6277753B1 (en) Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
CN101381877B (zh) 精密零件的清洗方法
CN101372748A (zh) 清洗铝合金零件的方法
CN101214485B (zh) 一种多晶硅刻蚀腔室中阳极氧化零件表面的清洗方法
CN100571900C (zh) 一种阳极氧化零件表面的清洗方法
KR101555735B1 (ko) 멀티-컴포넌트 전극을 재컨디셔닝하는 프로세스
CN101062503A (zh) 化学机械研磨后的晶片清洗方法
WO2020006795A1 (zh) 利用臭氧实现碱性体系对硅片刻蚀抛光的方法及设备
CN100509186C (zh) 一种去除附着于石英零件表面聚合物薄膜的清洗方法
CN101205621B (zh) 一种铝材料零件的清洗方法
CN101204706A (zh) 一种石英材料零件的清洗方法
CN103897862A (zh) 一种光伏硅片清洁剂及其清洁方法
KR102175737B1 (ko) 알루미늄 챔버 부분들을 습식 세정하는 방법
CN100509187C (zh) 一种去除附着于氧化钇零件表面聚合物薄膜的清洗方法
CN104393094B (zh) 一种用于hit电池的n型硅片清洗制绒方法
CN102486994B (zh) 一种硅片清洗工艺
CN111211042A (zh) 一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺
JP2007214412A (ja) 半導体基板洗浄方法
CN102085517A (zh) 栅氧控片清洗方法及装置
CN104252103A (zh) 光刻返工后残留光刻胶的去除方法
KR100823714B1 (ko) 폴리머 제거용 세정액 및 이를 이용한 폴리머 제거방법
CN105185741A (zh) 一种coms像素电路基板回收工艺
CN107731962B (zh) 一种太阳能电池印刷返工品处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: No. 8, Wenchang Avenue, Beijing economic and Technological Development Zone, 100176

Patentee after: Beijing North China microelectronics equipment Co Ltd

Address before: 100016 Jiuxianqiao East Road, Chaoyang District, Chaoyang District, Beijing

Patentee before: Beifang Microelectronic Base Equipment Proces Research Center Co., Ltd., Beijing