CN111370307A - 一种半导体的腐蚀方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体的腐蚀方法，所述方法包括以下步骤：(1)将半导体放入到腐蚀液中腐蚀处理，腐蚀液包含硝酸、冰乙酸、氢氟酸和水，腐蚀处理的温度为10‑20℃；(2)在温度为15‑25℃下，用去离子水、异丙醇依次清洗半导体表面；(3)用去离子水冲洗掉半导体表面的异丙醇，然后在45‑55℃下，用氨水、双氧水和去离子水的混合液浸泡半导体；(4)用去离子水洗净半导体表面后烘干。本发明的半导体的腐蚀方法结合酸液腐蚀，清洗后进行碱液浸泡，能够去除磨片产生的损伤层，从而消除半导体的内应力，提高半导体的使用性；对本发明的半导体的腐蚀方法的工艺条件进行了优选，使得本发明的半导体的腐蚀方法取得了更好的消除内应力的效果。
Description
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体的腐蚀方法。
背景技术
长期以来，半导体芯片在背面蒸发前只采用单一的磨片工艺，随着近年来市场竞争的白热化，产品质量和可靠性已经成为各个芯片厂家产品竞争力的核心。为了提高芯片的质量，在芯片减薄到背面蒸发之间增加硅腐蚀工序，即在芯片背面进行酸腐蚀，去除磨片产生的损伤层，从而消除芯片的内应力，提高芯片的柔性程度，提高芯片的抗大电流冲击能力。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体的腐蚀方法。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体的腐蚀方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体放入到腐蚀液中腐蚀处理，腐蚀液包含硝酸、冰乙酸、氢氟酸和水，且硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为8-15:5-10:1-2:1，腐蚀处理的温度为10-20℃；
(2)在温度为15-25℃下，用去离子水、异丙醇依次清洗半导体表面；
(3)用去离子水冲洗掉半导体表面的异丙醇，然后在45-55℃下，用氨水、双氧水和去离子水的混合液浸泡半导体，所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:0.5-2:3-8；
(4)用去离子水洗净半导体表面后烘干。
本发明的半导体的腐蚀方法结合酸液腐蚀，清洗后进行碱液浸泡，能够去除磨片产生的损伤层，从而消除半导体的内应力，提高半导体的使用性。
优选地，所述腐蚀液中硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为10-13:7-8:1-2:1。
优选地，所述腐蚀液中硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为12.5:7.5:1.5:1。
优选地，步骤(1)中腐蚀处理的时间为45-90s。
更优选地，步骤(1)中腐蚀处理的时间为60s。
优选地，步骤(1)中腐蚀处理的温度为15℃。
优选地，所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:0.8-1.5:4-6。
优选地，所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:1:5。
优选地，步骤(1)中氨水、双氧水和去离子水的混合液浸泡半导体的温度为50℃。
优选地，步骤(2)中用去离子水、异丙醇溶剂依次清洗半导体表面的方法为：用去离子水冲洗半导体表面，然后在20℃下，将半导体在异丙醇中清洗30分钟。
对本发明的半导体的腐蚀方法的工艺条件进行了优选，使得本发明的半导体的腐蚀方法取得了更好的消除内应力的效果。
本发明的有益效果在于：本发明提供了一种半导体的腐蚀方法，本发明的半导体的腐蚀方法结合酸液腐蚀，清洗后进行碱液浸泡，能够去除磨片产生的损伤层，从而消除半导体的内应力，提高半导体的使用性；对本发明的半导体的腐蚀方法的工艺条件进行了优选，使得本发明的半导体的腐蚀方法取得了更好的消除内应力的效果。
具体实施方式
为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体放入到腐蚀液中腐蚀处理，腐蚀液为硝酸、冰乙酸、氢氟酸和水，且硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为12.5:7.5:1.5:1，腐蚀处理的温度为15℃，腐蚀处理的时间为60s；
(2)用去离子水冲洗半导体表面，然后在20℃下，将半导体在异丙醇中清洗30分钟；
(3)用去离子水冲洗掉半导体表面的异丙醇，然后在50℃下，用氨水、双氧水和去离子水的混合液浸泡半导体，所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:1:5；
(4)用去离子水冲洗半导体表面后，在120℃烘干30小时，去离子水的流量为100psi。
实施例2
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为：8:5:1:1。
实施例3
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为：10:7:1:1。
实施例4
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为：13:8:1.5:1。
实施例5
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为：15:10:2:1。
实施例6
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：步骤(1)中腐蚀处理的温度为10℃。
实施例7
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：步骤(1)中腐蚀处理的温度为12℃。
实施例8
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：步骤(1)中腐蚀处理的温度为18℃。
实施例9
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：步骤(1)中腐蚀处理的温度为20℃。
实施例10
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：氨水、双氧水和去离子水的体积比为：1:0.5:3。
实施例11
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：氨水、双氧水和去离子水的体积比为：1:0.8:4。
实施例12
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：氨水、双氧水和去离子水的体积比为：1:1.5:6。
实施例13
作为本发明实施例的一种半导体的腐蚀方法，本实施例与实施例1的唯一区别为：氨水、双氧水和去离子水的体积比为：1:2:8。
最后所应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将半导体放入到腐蚀液中腐蚀处理，腐蚀液包含硝酸、冰乙酸、氢氟酸和水，且硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为8-15:5-10:1-2:1，腐蚀处理的温度为10-20℃；
(2)在温度为15-25℃下，用去离子水、异丙醇依次清洗半导体表面；
(3)用去离子水冲洗掉半导体表面的异丙醇，然后在45-55℃下，用氨水、双氧水和去离子水的混合液浸泡半导体，所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:0.5-2:3-8；
(4)用去离子水洗净半导体表面后烘干。
2.根据权利要求1所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀液中硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为10-13:7-8:1-2:1。
3.根据权利要求1所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述腐蚀液中硝酸、冰乙酸、氢氟酸、水的体积比为12.5:7.5:1.5:1。
4.根据权利要求1-3任一所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，步骤(1)中腐蚀处理的时间为45-90s。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤(1)中腐蚀处理的时间为60s。
6.根据权利要求1-3任一项所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，步骤(1)中腐蚀处理的温度为15℃。
7.根据权利要求1所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述步骤(3)中氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:0.8-1.5:4-6。
8.根据权利要求7所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述步骤(3)中氨水、双氧水和去离子水的体积比为1:1:5。
9.根据权利要求1所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，所述步骤(3)中氨水、双氧水和去离子水的混合液浸泡半导体的温度为50℃。
10.根据权利要求1所述半导体的腐蚀方法，其特征在于，步骤(2)中用去离子水、异丙醇依次清洗半导体表面的方法为：用去离子水冲洗半导体表面，然后在20℃下，将半导体在异丙醇中清洗30分钟。
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