CN101969031A - 一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，包括：步骤一.将二极管晶粒与引线通过焊锡膏进行熔接；步骤二.将所述二极管晶粒进行酸腐蚀；步骤三.使用去离子水清洗二极管晶粒表面残留化学成分；步骤四.将二极管晶粒边缘包裹绝缘胶、并进行烘烤固化；步骤五.将环氧树脂加热融化后包裹于所述引线及二极管晶粒外部，保证产品具备必要的机械强度；所述去离子水为带有热量的去离子水，该热量通过空气源热泵空调将步骤四或和步骤五的环境热量，转移至所述去离子水中。本发明充分利用生产流程中的热量清洗二极管晶粒，不仅清洗效果更优，而且环保低耗。

Description

一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法
技术领域
本发明涉及一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，属于半导体封装领域。
背景技术
整流器是利用二极管的单向导电特性对交流电进行整流，故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。半导二极管生产工艺：
由于划片后的二极管晶粒边缘产生机械损伤层，从而导致无法形成正常的PN结特征，表现为电性短路，因此必须通过酸洗去除边缘的毛刺及损伤层(约5～10μm)以得到二极管单向导电特性。酸洗采用双氧水、盐酸等混合酸溶液，每道工序间需清洗干净方可流入下工序。
现有工艺存在的主要问题为不能充分去除酸洗后的表面异物，表面异物主要沾污杂质成分为Sn、Pb焊料碎屑、微量F、Cl、碳氢化合物、氢氟酸、盐酸等残留，因此很容易形成漏电通。同时二极管晶粒表面残留有微量的盐酸、磷酸、氢氟酸等酸洗液的残留，会导致有杂质离子沾附在二极管晶粒周围，形成漏电通道，尤其是酸性物质在芯片表面残留，是高压器件反向特性的大敌，也正是一般二极管生产企业夏天和冬天的产品良率波动大的重要原因，如需保证相同温度进行清洗，需投入大量能源，综合成本无法接收。
发明内容
本发明目的是提供一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，该方法充分利用生产流程中的热量清洗二极管晶粒，不仅清洗效果更优，而且环保低耗。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，包括：
步骤一.将二极管晶粒与引线通过焊锡膏进行熔接；
步骤二.将所述二极管晶粒进行酸腐蚀；
步骤三.使用去离子水清洗二极管晶粒表面残留化学成分；
步骤四.将二极管晶粒边缘包裹绝缘胶、并进行烘烤固化；
步骤五.将环氧树脂加热融化后包裹于所述引线及二极管晶粒外部，保证产品具备必要的机械强度；
所述去离子水为带有热量的去离子水，该热量通过空气源热泵空调将步骤四或和步骤五的环境热量，转移至所述去离子水中。
上述技术方案中的有关内容解释如下：
1、上述方案中，所述去离子水清洗方式为流动式的去离子水清洗。
2、上述方案中，所述去离子水流速恒定。
3、上述方案中，所述带有热量的去离子水水温为50±10℃。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：
本发明提供一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，该清洗方法通过高温恒速流动的去离子水可以有效去除二极管晶粒结表面残留的酸洗时盐酸和氢氟酸等残留物质，实际生产表面提升产品4％以上的电性良率；其次，高温去离子水的热量通过热能循环系统利用了自身半导体工艺流程中的热量，即利用空气源热泵空调系统将热源工序的能量转移至清洗工艺，既满足了热源工序有降温要求，又在不增加额外能源的前提下源源不断产生高温去离子水来满足清洗工艺的要求。
附图说明
附图1为本发明结构原理示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例：一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，包括：
步骤一.将二极管晶粒与引线通过焊锡膏进行熔接。
步骤二.将所述二极管晶粒进行酸腐蚀，具体为腐蚀二极管晶粒边缘缺陷并清洗残留物质。
步骤三.使用去离子水清洗二极管晶粒表面残留化学成分，即腐蚀晶粒边缘缺陷并清洗残留物质；具体包括：
1.清洗1(清洗酸腐后表面残留化学成分)；
2.中和反应，用于进一步溶解金属杂质离子；
3.清洗2(清洗表面残留化学成分及金属杂质离子)；
4.超声波清洗Sn、Pb焊料碎屑。
步骤四.将二极管晶粒边缘包裹绝缘胶、并进行烘烤固化。
步骤五.将环氧树脂加热融化后包裹于所述引线及二极管晶粒外部，保证产品具备必要的机械强度。
步骤六.电镀——去除露出环氧的引脚表面氧化层，通过化学方式表面涂覆纯锡。
步骤七.测试——通过专用测试分选产品并印字包装。
所述去离子水为带有热量的去离子水，该热量通过空气源热泵空调将步骤四或和步骤五的环境热量，转移至所述去离子水中。
所述去离子水清洗方式为流动式的去离子水清洗。
所述去离子水流速恒定。
所述带有热量的去离子水水温为50±10℃。
热源的环境温度为30～35℃，为所述空气源热泵空调提供了足够的能量来源。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种用于二极管晶粒封装流程的清洗方法，包括：
步骤一.将二极管晶粒与引线通过焊锡膏进行熔接；
步骤二.将所述二极管晶粒进行酸腐蚀；
步骤三.使用去离子水清洗二极管晶粒表面残留化学成分；
步骤四.将二极管晶粒边缘包裹绝缘胶、并进行烘烤固化；
步骤五.将环氧树脂加热融化后包裹于所述引线及二极管晶粒外部，保证产品具备必要的机械强度；
其特征在于：所述去离子水为带有热量的去离子水，该热量通过空气源热泵空调将步骤四或和步骤五的环境热量，转移至所述去离子水中。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于：所述去离子水清洗方式为流动式的去离子水清洗。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于：所述去离子水流速恒定。
4.根据权利要求1-3任一项所述的清洗方法，其特征在于：所述带有热量的去离子水水温为50±10℃。
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