KR100899421B1 - 칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법 - Google Patents

칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 칩 본딩 툴, 그 칩 본딩 툴을 구비하는 칩 본딩 장치 및 방법을 개시한다. 개시된 칩 본딩 툴은 반도체 칩을 가압하고 레이저 빔이 투과되는 가압 블럭, 및 레이저 빔이 투과되고 상기 반도체 칩이 흡착되며 상기 가압 블럭이 상기 반도체 칩으로부터 이격되도록 상기 가압 블럭 하부에 마련되는 돌출부를 구비한다.
가압 블럭, 칩 본딩, 돌출부

Description

칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법{Chip Bonding Tool, Bonding Apparatus with the Same and Method thereof}
도 1은 종래 레이저 빔을 사용하는 플립 칩 본딩 장치를 보인 종단면도
도 2는 종래 레이저 빔을 사용하는 플립 칩 본딩 장치에 있어서 흡착 블럭의 오염을 설명하는 종단면도
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치를 보인 측면도
도 4 및 도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치에 있어서 플립 칩 본딩을 설명하는 종단면도
도 6은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 툴을 보인 저면 분리 사시도
도 7은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 툴의 변형 예를 보인 종단면도
도 8은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 툴의 다른 변형 예를 보인 종단면도
도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 방법을 설명하는 공정도
도 10은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 방법에 있어서 레이저 빔의 파장과 투과율을 설명하는 그래프
*주요부분에 대한 도면부호
100 : 칩 본딩 장치
101 : 경통
102 : 본체
103 : 클램핑 하우징
103a : 턱
105 : 볼트
120 : 칩 본딩 툴
121 : 가압 블럭
121b,123a : 흡착 홀
123 : 돌출부
G : 간격
D1 : 가압 블럭의 폭
D2 : 반도체 칩의 폭
D3 : 돌출부의 폭
본 발명은 칩 본딩에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 레이저 빔을 이용하여 반도체 칩과 기판을 접합시키는 칩 본딩 공정에서 접착제에 의한 칩 본딩 툴의 오 염을 방지할 수 있는 칩 본딩 툴, 그 칩 본딩 툴을 구비하는 칩 본딩 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 패키지의 여러 가지 실장방법 중에서 최근에는 제품의 소형화, 고 집적도 화에 따라 반도체 칩이 점차 고성능화되어 핀의 수가 더욱더 많아지게 되는데 비해, 핀과 핀 사이의 거리(패드 피치)를 좁히는 기술을 요구하고 있다. 이러한 기술 요구에 부응하고자 개발된 것이 플립칩 본딩(Flip Chip Bonding)이다.
이와 같은 플립 칩 본딩 방식에서 반도체 칩과 기판(서브스트레이트)를 접착시키는 접착제 역할을 하는 동시에 이물질 침투를 방지하는 접착수지로서, 이방성 도전 필름(ACF:Anisotropic Conductive Film)이나 이방성 도전 접착제 (ACA:Anisotropic Conductive Adhesive), 혹은 NCP (Non Conductive Polymer) 등이 많이 사용된다.
이와 같이 ACF, ACP 혹은 NCP를 이용하여 두 매체를 본딩할 경우 본딩 매개물의 특성상 일정한 온도,압력,시간을 주어 가압을 하면서 열 융착을 시키는 방법을 이용한다.
일정한 온도로 매개물을 가열하는 방법에는 히터가 구비된 핫바가 부착된 장치를 이용하는 방법(열 압착방식), 초음파를 이용하여 접촉 부의 마찰열을 이용하는 방법(초음파 방식), 레이저를 이용하는 방법(레이저 방식) 등이 사용될 수 있다.
특히 레이저 빔을 열원으로 하는 장치는 투명창을 사용하여 반도체 칩과 기 판을 일정압력으로 가압하는 동시에 레이저 빔을 투과시키는 구조로 되어 있다.
한국 공개특허 제 2005-0123395호에는 레이저 빔을 사용하는 플립 칩 본딩 장치가 개시되어 있으며, 이에 대하여 간략하게 설명하면 다음과 같다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 스테이지(2) 상에 접착제(3a)가 도포된 기판(3)이 놓여지고, 반도체 칩 흡착 부(4)에 의해 흡착 블럭(5)의 하면에 반도체 칩(6)이 흡착된다.
이 상태에서 흡착 블럭(5)을 반도체 칩(6) 하방으로 이동시켜서, 반도체 칩(6)의 접속단자(7)와 기판(3)의 접속단자(8)를 접촉시킨 상태에서, 반도체 칩(6)을 하방으로 가압시킴과 아울러 투명재질의 흡착 블럭(5)을 투과하여 레이저 빔(9)을 투과한다.
이 경우, 기판(3)에 도포되어 있던 접착제(3a)는 레이저 빔(9)의 열로 인하여 반도체 칩(6) 주위로 퍼지게 되고 경화에 의하여 고화(固化)된다.
그러나, 이와 같이 구성된 종래 레이저 빔을 사용하는 플립 칩 본딩 장치에 있어서는, 플립 칩 본딩 공정 중에 접착제(3a)의 일부가 레이저 빔(9)의 열로 인하여 반도체 칩(6) 주위로 퍼지지 못하고 곧바로 경화되어 반도체 칩(6)의 높이 보다 더 높게 돌출될 수 있다.
이러한 현상은 ACF나 ACP 혹은 NCP를 적절히 조절하지 못할 경우에 발생하게 되는 데, 이때 접착제에 의해 칩 본딩 툴이 오염된다.
이와 같은 오염은 본딩이 진행되면서 접착제가 경화되어 반도체 칩이나 가압 구조물에 치명적인 손상을 발생시킨다. 특히 레이저 빔을 사용하는 플립 칩 본딩 장치에 있어서는 레이저 빔을 투과시킬 수 있는 투명한 재질로 흡착 블럭이 제조되는 데, 오염이 발생할 경우 연속적인 본딩 공정을 실시하지 못하게 된다. 이러한 현상은 흡착 블럭의 폭(D1)이 반도체 칩의 직경(D2) 보다 크기 때문에 더 쉽게 발생한다.
즉, 종래 레이저 빔을 사용하는 플립 칩 본딩 장치에 있어서는, 레이저 빔(9)이 반도체 칩(6)의 중심부분은 물론 그 가장자리에도 균일하게 조사되도록 필연적으로 흡착 블럭의 폭(D1)이 반도체 칩의 폭(D2) 보다 크고 투명재질로 된 흡착 블럭이 사용되고 있다.
그러나, 가압 블럭의 폭(D1)이 반도체 칩의 폭(D2) 보다 클 경우, 플립 칩 본딩 공정에서 접착제(3a)가 흡착 블럭(5)을 오염(汚染)시키게 되는 것이다. 이와 같이 흡착 블럭(5)이 오염될 경우 레이저 빔(9)의 투과율이 급격히 떨어져 플립 칩 본딩 공정 지연은 물론 중단사고를 유발하는 것이다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 고안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 과제는 칩 본딩 공정 중에 가압 블럭의 오염을 효과적으로 방지할 수 있는 칩 본딩 툴, 그 칩 본딩 툴을 구비하는 칩 본딩 장치 및 방법을 제공하는데에 있다.
이와 같은 기술적 과제를 구현하기 위하여 본 발명에 따른 칩 본딩 장치는 반도체 칩을 가압하고 레이저 빔이 투과되는 몸체로 이루어지고, 상기 몸체의 외주에는 상기 외주의 상단에서 하단을 따라 폭이 좁아지도록 단턱을 갖는 가압 블럭과; 원통형으로 이루어지고, 상기 가압 블럭의 외주를 에워싸며 그 내주와 상기 가압 블럭의 상기 단턱과의 사이에 일정 공간을 이루는 클램프 하우징; 및 레이저 빔이 투과되고 상기 가압 블럭의 저면의 복수 위치에 마련되며 상기 복수 위치에서 상기 반도체 칩의 상면을 독립적으로 흡착하는 흡착력을 외부로부터 제공받는 흡착홀을 각각 갖는 복수의 돌출부들을 포함한다.
상기 가압 블럭의 폭은 상기 반도체 칩의 폭보다 크며, 상기 돌출부의 폭은 상기 반도체 칩의 폭보다 작게 형성됨으로써 상기 반도체 칩과 접촉되는 상기 돌출부의 하면이 상기 반도체 칩의 상면 안에 위치된다.
상기 돌출부는 상기 가압 블럭과 별개로 설치될 수도 있고, 일체로 형성될 수도 있다.
또, 상기 돌출부는 서로 일정 간격을 두고 복수 개의 돌출부로 이루어질 수도 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩장치는 기판을 지지하는 스테이지; 반도체 칩을 가압하고 레이저 빔이 투과되는 가압 블럭; 및 레이저 빔이 투과되고 상기 반도체 칩이 흡착되며, 상기 가압 블럭이 상기 반도체와 이격되도록 상기 가압 블럭 하부에 마련되는 돌출부를 구비한다.
상기 가압 블럭과 돌출부에는 상기 반도체 칩을 흡착하기 위한 흡착 홀(Vacuum Hole)이 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 방법은 기판 위에 접착제를 도포 및 가압 블럭이 반도체 칩과 이격되도록 흡착 모듈을 이용하여 상기 반도체 칩이 돌출부의 하면에 흡착되도록 하고, 상기 가압 블럭을 하방으로 이동시키고, 상기 반도체 칩을 상기 기판에 대해 정렬하고, 레이저 빔을 조사하여, 상기 기판에 도포된 접착제를 경화시킨다.
상기 반도체 칩을 상기 기판에 대해 정렬할 때에는, 비젼 카메라를 이용하여 상기 반도체 칩과 상기 기판의 위치를 감지한 후, 상기 반도체 칩의 단자와 상기 기판의 단자를 접촉시키고, 상기 반도체 칩을 하방으로 눌러 가압할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치를 보인 측면도이고, 도 4 및 도 5는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치에 있어서 칩 본딩 툴을 설명하기 위한 종단면도이며, 도 6은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 툴을 보인 저면 분리 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치(100)는 기판을 지지하는 스테이지(110)와, 반도체 칩(6)을 가압하고 레이저 빔이 투과되는 가압 블럭(121)과, 레이저 빔이 투과되고 상기 반도체 칩(6)이 흡착되며 상기 가압 블럭(121)이 상기 반도체 칩(6)과 이격되도록 상기 가압 블럭(121) 하부에 마련되는 돌출부(123)를 구비한다.
칩 본딩 장치(100)의 본체(102) 전면에는 레이저 빔이 안내되는 경통(101)이 설치된다.
도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 툴에 대하여 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 툴(120)은 레이저 빔(9)의 투과를 위해 투명재질로 형성되고 반도체 칩(6)을 가압하는 가압 블럭(121)과, 칩 본딩 공정 시, 상기 가압 블럭(121)이 반도체 칩(6)으로부터 소정 간격(G)으로 이격되도록 상기 가압 블럭(121) 하부에 마련되는 돌출부(123)를 구비한다.
가압 블럭(121)의 중간에는 반도체 칩(6)을 흡착하기 위한 흡착 홀(121b)이 형성된다. 투명재질의 가압 블럭(121)에는 경통(101) 상부에 구비된 레이저 빔 발생장치(미도시)에 의해 조사된 레이저 빔(9)이 투과된다. 흡착 홀(121b)에는 도시하지 않은 공기를 흡입하는 흡착모듈이 연결되어 있다.
상기 돌출부(123)에도 가압 블럭(121)의 흡착 홀(121b)과 연결되는 흡착 홀(123a)이 형성된다. 상기 흡착모듈의 작동으로 흡착 홀(121b)(123a)을 통해 공기가 흡입되는 것에 의해, 반도체 칩(6)은 돌출부(123)의 하면에 흡착된다.
상기 가압 블럭(121)의 폭(D1)은 상기 반도체 칩(6)의 폭(D2)보다 크거나 또는 같으며, 상기 돌출부(123)의 폭(D3)은 상기 반도체 칩(6)의 폭(D2)보다 작게 형성된다.
이와 같이 상기 가압 블럭(121)의 폭(D1)이 상기 반도체 칩(6)의 폭(D2)보다 크거나 같아야 하는 이유는 칩 본딩 공정 시, 레이저 빔(9)이 반도체 칩(6)의 중심부는 물론 가장자리까지 조사되도록 하여 접착제(3a)를 신속하게 경화시키기 위해서이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치에서 사용되는 접착제는 비 도전 접착제(NCP:Non Conductive Polymer)는 물론 이방성 도전 접착제(ACA:Anisotropic Conductive Adhesive), 이방성 도전 필름(ACF:Anisotropic Conductive Film)도 사용될 수 있음은 물론이다. 이러한 접착제는 반도체 칩과 기 판을 접착시키는 역할뿐만 아니라 이물질이 침투하지 않도록 하는 역할을 한다.
상기 돌출부(123)는 상기 가압 블럭(121)과 별개로 형성된 후 상기 가압 블럭(121)의 하면에 접착될 수 있다.
상기 돌출부(123)를 상기 가압 블럭(121)과 별개로 형성하는 이유는 가공의 용이성 및 비용 측면에서 좀더 유리하기 때문이다.
상기 돌출부(123)는 상기 가압 블럭(121)의 하면에 단(段)지게 형성된다. 이 경우 상기 돌출부(123)의 폭(D3)이 상기 가압 블럭(121)의 폭(D1)보다 작게 형성되어야 칩 본딩 공정 시, 상기 가압 블럭(121)이 반도체 칩(6)으로부터 일정한 간격(G)으로 이격된다.
다시 말해, 상기 돌출부(123)의 폭(D3)이 상기 가압 블럭(121)의 폭(D1)보다 작게 형성되지 않을 경우, 즉 상기 반도체 칩(6)과 접촉되는 상기 돌출부(123)의 면이 상기 반도체 칩(6)의 상면 안에 위치되지 않을 경우에는 칩 본딩 공정 시, 접착제가 돌출부(123)를 오염시킬 수 있기 때문에, 상기 반도체 칩(6)과 접촉되는 상기 돌출부(123)의 면은 상기 반도체 칩(6)의 상면 안에 위치되어야 한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본딩 툴(120)의 원활한 교체를 위해, 클램핑 하우징(103)의 내부에 상기 가압 블럭(121)이 끼워질 수 있고, 상기 가압 블럭(121)이 끼워진 클램핑 하우징(103)이 경통(101)의 하부에 볼트(105) 체결될 수 있다.
사용자가 가압 블럭(121)을 새것으로 교체하고자 할 경우에는 우선 볼트(105)를 풀고, 상기 클램핑 하우징(103)를 분리한 후, 상기 클램핑 하우징(103)에서 본딩 툴(120)을 빼낸다.
그 다음, 새로운 본딩 툴(미도시)을 위에서 설명한 동일한 방식으로 상기 클램핑 하우징(103) 내부에 끼운 후, 볼트(105)를 이용하여 상기 새로운 본딩 툴(미도시)이 끼워진 클램핑 하우징(103)를 경통(101)에 체결한다.
또, 상기 가압 블럭(121)의 상면에 대응하도록 상기 클램핑 하우징(103)의 내면에는 턱(103a)이 형성되어 있다.
상기 가압 블럭(121)의 상면이 턱(103a)에 지지됨으로써, 상기 가압 블럭(121)이 클램핑 하우징(103)의 내부에 견고하게 고정된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치(100) 및 칩 본딩 툴(120)에 있어서는, 스테이지(110) 상에 놓여진 기판(3) 위에 접착제(3a)가 도포된다.
이와 동시에 흡착모듈이 작동하여 흡착 홀(121b)(123a)을 통해 공기를 흡입함으로써, 돌출부(123)의 하면에 반도체 칩(6)이 흡착된다.
이때, 돌출부(123)에 의해 반도체 칩(6)이 가압 블럭(121)으로부터 일정 간격(G)으로 이격된다.
여기서, 기판(3)에 접착제(3a)를 도포하는 공정과, 돌출부(123)의 하면에 반도체 칩(6)이 흡착되는 공정은 별개의 공정으로 수행되는바, 이러한 공정은 동시에 또는 순서가 서로 바뀌어 실행되어도 무방하다.
그 다음, 가압 블럭(120)이 반도체 칩(6)을 하방으로 이동시키고, 반도체 칩(6)을 기판(3)에 대해 정렬(Alignment)한다.
이때, 가압 블럭의 폭(D1)이 반도체 칩의 폭(D2) 보다 크기 때문에, 레이저 빔(9)은 반도체 칩(6)의 중심부분은 물론 그 가장자리에도 균일하게 조사된다.
이 상태에서 기판(3)에 도포되어 있던 접착제(3a)가 레이저 빔(9)의 열로 인하여 경화될 때에, ACF나 ACP 혹은 NCP를 적절히 조절하지 못하여 접착제(3a)의 일부가 반도체 칩(6)보다 높게 위치되더라도 가압 블럭(121)의 오염이 효과적으로 방지될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플립 칩 본딩 장치(100) 및 본딩 툴(120)에 있어서는, 전술한 일정한 간격(G)을 형성하기 위해, 돌출부를 여러 가지 형상으로 구성될 수 있다.
이하, 도 7 및 도 8을 참조하여, 칩 본딩 툴의 변형 예를 설명하기로 한다.
우선, 도 7은 본 발명에 따른 칩 본딩 툴의 변형 예를 보인 종단면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 본딩 툴의 변형 예(220)에서는, 돌출부(230)가 가압 블럭(221)과 일체로 형성될 수도 있다. 이 경우 돌출부(223)에 의해 반도체 칩(6)과 가압 블럭(221) 사이에는 일정 간격(G)이 유지된다. 이 상태에서 기판(3)에 도포되어 있던 접착제(3a)가 레이저 빔의 열로 인하여 고화될 때에 접착제(3a)의 일부가 반도체 칩(6)보다 높게 위치되더라도 가압 블럭(221)의 오염이 효과적으로 방지될 수 있다. 이 경우 가공 측면에서는 다소 불리하지만, 강도 측면에서는 매우 유리하다.
도 8은 칩 본딩 툴의 다른 변형 예를 보인 종단면도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 칩 본딩 툴의 다른 변형 예(320)에 있어서는, 돌출부(323)(323)가 가압 블럭(321)의 가장자리부에 서로 일정 간격을 두고 복수 개로 이루어질 수도 있다. 여기서 각 돌출부(323)에는 가압 블럭(321)의 흡착 홀(321b)과 연통되는 다른 흡착 홀(323a)이 형성되어야 한다. 이 경우에도 돌출부(323)에 의해 반도체 칩(6)과 가압 블럭(321) 사이에는 일정 간격(G)이 유지된다.
이 상태에서 기판(3)에 도포되어 있던 접착제(3a)가 레이저 빔의 열로 인하여 고화될 때에 접착제(3a)의 일부가 반도체 칩(6)보다 높게 위치되더라도 가압 블럭(321)의 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.
이 경우 반도체 칩(6)을 하방으로 균일하게 가압할 수 있기 때문에 반도체 칩(6)이 기판(3)에 보다 안전하고 견고하게 접합될 수 있다.
도 8에서의 미설명 부호 'P'는 가압 블럭(321) 외주에 형성되는 단턱(P)을 가리키고, 'A'는 클램핑 하우징(103)내주와 상기 단턱(P)의 사이 공간을 가리킨다.
한편, 도 9는 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플립 칩 본딩 방법을 설명하는 공정도이다. 도 4, 5 및 도 9를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플립 칩 본딩 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 스테이지(110) 상에 순차적으로 놓여진 기판(3) 위에 도시하지 않은 접착제 공급유닛에 의해 접착제(3a)를 도포한다.
이와 동시에 도시하지 않은 칩 이송 로봇이 하나의 반도체 칩(6)을 집어 가압 블럭(121)으로 이동시키면, 흡착모듈이 가압 블럭(121)과 돌출부(123)에 형성된 흡착 홀(121a)(123a)을 통해 공기를 흡착하여 반도체 칩(6)을 돌출부(123)의 하면에 흡착한다(S110).
이때, 상기 가압 블럭(121)의 하면에 마련된 돌출부(123)에 의해, 상기 가압 블럭(121)과 상기 반도체 칩(6)이 일정 간격(G)으로 유지된다.
그 다음 상기 가압 블럭(121)을 하방으로 이동시킨다(S120). 그 다음, 반도 체 칩(6)을 상기 기판(3)에 대해 정렬한다(S130).
이 상태에서, 상기 가압 블럭(121)이 오염되지 않도록 상기 반도체 칩(6)의 상면에 레이저 빔(9)을 조사하여, 상기 기판(3)에 도포된 접착제(3a)를 경화시킨다(S140).
반도체 칩(6)을 상기 기판(3)에 대해 정렬할 때(S130)에는, 반도체 칩(6)의 접속단자(7)와 상기 기판(3)의 접속단자(8)를 접촉시키고, 상기 반도체 칩(6)을 하방으로 가압한다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플립 칩 본딩 방법에 있어서 레이저 빔의 파장과 투과율을 설명하는 그래프이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 플립 칩 본딩 방법에 있어서는, 800 ㎚-900 ㎚ 파장의 레이저 빔을 사용하며, 이때 가압 블럭을 통과하는 투과율을 80-100% 투과시키는 것이 바람직하다.
이 경우 반도체 칩을 적정한 온도로 가열할 수 있고, 이로 인하여 접착제를 반도체 칩 주변으로 흘러내리도록 함과 동시에 경화시켜서 가압 블럭의 오염을 효과적으로 방지할 수 있는 것이다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형 가능함은 물론이다.
예를 들어, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 칩 본딩 장치에서는 플립 칩 본딩에 대해서만 설명하고 있으나, 다이를 리드 프레임, PCB 또는 회로 테이프 위에 붙이는 다이접착(Die Bonding) 등에도 적용됨은 물론이다.
또, 반도체 칩의 접속단자와 기판의 접속단자의 접속구조는 BGA 등 여러 가지 접속구조에 적용됨은 물론이다.
따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라, 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 플립 칩 본딩 공정 시에 돌출부에 의해 반도체 칩과 가압 블럭 사이에 일정 간격이 유지되기 때문에, 레이저 빔이 투과하는 투명의 가압 블럭을 사용함으로써 발생하는 가압 블럭의 오염이 전혀 발생하지 않는 현저한 효과가 있다. 가압 블럭의 오염을 효과적으로 방지하여 칩 본딩 공정을 중단없이 원활하게 수행하고, 가압 툴의 사용수명을 연장할 수 있다.

Claims (9)

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  8. 기판 위에 접착제를 도포 및 가압 블럭이 반도체 칩과 이격되도록 흡착모듈을 이용하여 상기 반도체 칩이 돌출부의 하면에 흡착되도록 하고,
    상기 가압 블럭을 하방으로 이동시키고,
    상기 반도체 칩을 상기 기판에 대해 정렬하고,
    레이저 빔을 조사하여, 상기 기판에 도포된 접착제를 경화시키는 것을 포함하되,
    상기 반도체 칩을 상기 기판에 대해 정렬할 때에는,
    비젼 카메라를 이용하여 상기 반도체 칩과 상기 기판의 위치를 감지한 후,
    상기 반도체 칩의 단자와 상기 기판의 단자를 접촉시키고,
    상기 반도체 칩을 하방으로 눌러 가압하는 것을 특징으로 하는 칩 본딩방법.
  9. 삭제
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