TWI644750B - 倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件 - Google Patents

Abstract

本發明的加壓頭在由使雷射光束透射的母材形成的吸附模組的底面經過拋光加工處理形成與吸入孔相連接的吸入管線，通過吸入孔和吸入管線能夠穩定地吸附並加壓倒裝晶片，提高透光率，從而減少倒裝晶片的焊接所需的雷射光束的損失並能夠獲得均勻化的面光源，上部固定架、吸附模組架以及下部固定架通過結合部件以能夠裝拆的方式相結合，僅拆卸結合部件即可依次拆卸下部固定架、吸附模組以及吸附模組架，由此能夠縮短部件的更換時間，減少整體倒裝晶片焊接作業時間並提高倒裝晶片焊接作業量。

Description

倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件

本發明涉及雷射焊接技術，更詳細地涉及能夠穩定地吸附並加壓倒裝晶片，提高透光率來減少雷射光束的損失並獲得均勻化的面光源的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

隨著電子產品的小型化及高功能化，用於從灰塵、濕氣或電性、機械性負荷等各種外部環境保護半導體晶片的半導體封裝方式僅靠以往的引線接合法(wire bonding)方式難以實現輕薄短小化，因此使用倒裝晶片方式。倒裝晶片方式是指將倒裝晶片顛倒後附著於載體基板或電路帶(circuit tape)的電路圖案，並利用雷射進行焊接的方式。

韓國核准公告專利第10-1245356號(以下，稱為「現有文獻」)公開了倒裝晶片焊接器的加壓頭。根據圖1，現有文獻詳細記載了利用真空吸附半導體晶片並將雷射光束照射到半導體晶片的吸附模組45和包括其的加壓頭40結構。

根據圖1，現有文獻的吸附模組45在其底面45a突出形成有吸附面45b，以能夠吸附半導體晶片50。吸附模組45從吸附面45b向上部面貫通形成有吸入孔h。吸附模組45由石英(quartz)材質形成。

參照圖1，現有文獻的加壓頭40包括：頭架43，在側面形成有與真空發生器30相連接的吸入孔42；以及固定架46、47，用於將透明窗44和吸附模組45固定於頭架43。

本申請的發明人在開發倒裝晶片焊接裝置的過程中，對現有文獻的吸附模組45和加壓頭40反復進行檢測的結果，由石英(quartz)材質形成的吸附模組45發生裂縫(crack)或在底面發生燃燒(burning)，從而存在導致焊接品質不良的問題。這種情況下需要更換吸附模組45，但是由於吸附模組45借助頭架43和固定架46、47得到固定，因此頭架43和固定架46、47都需要拆卸，因此存在部件的更換耗時、繁瑣的問題。並且，通過真空吸附力吸附半導體晶片的吸附模組45僅利用吸入孔h對半導體晶片提供吸附力，因此經常發生吸附效果不好的問題。

並且，對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時，存在吸附模組吸附異物(例如，焊膏(Solder Paste)或非導電膏)而被污染的問題。並且，與吸附模組的底面相接的邊角部分在進行加壓時發生碎屑(chipping)的問題。

一方面，加壓頭的加壓步驟中，對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時，為了提高焊接品質，而優選地根據吸附模組的熱上升曲線執行多個步驟。即，在照射雷射光束的焊接初期時間段和達到焊接所需的目標值溫度的時間段對半導體晶片和基板進行加壓的加壓頭的加壓力(Bonding force)應調節成不同。並且，對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時，為了提高焊接品質，而半導體晶片和基板的平坦度應維持±10μm以內。

並且，本申請的發明人發現了在對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓的狀態下進行雷射焊接時發生燻煙(fumes)。推測這種燻煙(fumes)吸附於吸附模組而當雷射光束照射時成為發生燃燒(burning)的原因物質。為了提高焊接品質並提高吸附模組的耐久性，而需要能夠去除雷射焊接時發生的燻煙(fumes)的技術。

本發明是在如上所述的背景下提出的，本發明提供能夠穩定地吸附並加壓倒裝晶片，提高透光率來減少倒裝晶片的焊接所需的雷射光束的損失並獲得均勻化的面光源的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

並且，本發明提供能夠減少倒裝晶片的焊接所需的耐久性、熱損失以及半導體晶片和基板的焊接不良率的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

並且，本發明提供當對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時能夠防止吸附模組吸附異物(例如，焊膏或非導電膏)而被污染的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

並且，本發明提供當對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時能夠根據來自測壓元件的檢測信號準確控制加壓的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

並且，本發明提供去除雷射焊接時所發生的燻煙(fumes)來防止燻煙(fumes)吸附於吸附模組而在雷射光束照射時發生燃燒(burning)的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

並且，本發明提供能夠調節吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板的平坦度和高度的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓組件。

可通過對以下的實施例進行的說明來容易理解本發明的其他目的。

為了達成上述技術問題，本發明的一態樣的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭為在通過基於真空發生器的真空吸附力吸附半導體晶片的狀態下，將上述半導體晶片加壓到固定於工作臺的基板，使對上述半導體晶片和基板的焊接凸點進行焊接的雷射光束透射，其中，包括：上部固定架，依次設置有用於維持上下貫通的內部空間的氣密的第一墊圈、用於使雷射光束透射的透明窗、用於保護透明窗的窗罩；吸附模組架，通過結合部件以能夠裝拆的方式與上述上部固定架相結合，側壁包括用於連接上下貫通的內部空間和外部空間的第一貫通部；吸附模組，設置於上述吸附模組架的內部，由使上述雷射光束透射的母材構成，形成有從通過上述第一貫通部與真空發生器相連接的上部面貫通至與上述半導體晶片相接觸的底面的吸入孔，在上述底面形成有吸入管線，上述吸入管線具有與上述吸入孔相連接的空間部；下部固定架，通過上述結合部件與上述吸附模 組架和上部固定架依次結合；第二墊圈，設置於上述吸附模組和下部固定架之間，用於維持上述吸附模組架的內部的氣密。

本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭的特徵在於，對上述吸附模組的吸入孔和吸入管線進行拋光(Polishing)加工處理，以使上述雷射光束透射。

本發明的另一態樣的倒裝晶片焊接裝置的加壓元件包括：鏡筒，設置於上述加壓頭的上部，對將從雷射發生器發生並通過光纖傳遞的高斯形態的雷射光束轉換為面光源的雷射光束成型部和光學系統進行保護；第一驅動部，用於使上述加壓頭上升或下降；測壓元件，根據上述第一驅動部的工作而使上述加壓頭將上述半導體晶片加壓到固定於工作臺的基板時，檢測上述加壓頭對上述半導體晶片產生的壓力；控制部，從上述測壓元件接收檢測信號，向上述第一驅動部輸出控制信號，以使壓力達到目標值。

本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭及包括其的加壓元件提供如下效果。

第一，本發明的加壓頭在由使雷射光束投射的母材形成的吸附模組的底面進行拋光(Polishing)加工處理來形成與吸入孔相連接的吸入管線，從而通過吸入孔和吸入管線來能夠穩定地吸附並加壓倒裝晶片，提高透光率來減少倒裝晶片的焊接所需的雷射光束的損失並獲得均勻化的面光源。

第二，本發明的加壓頭的上部固定架、吸附模組架及下部固定架通過結合部件依次以能夠拆裝的方式相結合，因此僅拆 卸結合部件即可依次拆卸下部固定架、吸附模組及吸附模組架，由此能夠縮短部件的更換時間，減少整體倒裝晶片焊接作業時間並提高倒裝晶片焊接作業量。

第三，本發明的加壓頭的吸附模組的母材由藍寶石(sapphire)形成而能夠提高耐久性。在由藍寶石(sapphire)形成的吸附模組的側面形成有散熱板，因此散熱板阻隔基於向藍寶石(sapphire)照射的雷射光束而生成的熱向外部發散，由此能夠減少倒裝晶片的焊接所需的熱損失以及半導體晶片和基板的焊接不良率。

第四，本發明的加壓頭對從上述吸附模組的底面達到規定高度的部分以及從外周面達到規定深度的部分進行臺階加工處理，將與上述吸附模組的底面相接的經臺階加工處理的邊角部分加工處理成圓弧形，由此當對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時，能夠防止在吸附模組吸附異物(例如，焊膏或非導電膏)而被污染。並且，能夠防止在與吸附模組的底面相接的邊角部分發生進行加壓時易於發生的碎屑(chipping)的問題。

第五，本發明的加壓頭形成有與用於吸入當進行雷射焊接時發生的燻煙(fumes)的燻煙(fumes)吸入裝置相連接的貫通部，並且，對吸入孔和吸入管線進行拋光(Polishing)加工處理，由此能夠防止大量的燻煙(fumes)吸附於吸附模組而基於照射的雷射光束生成的熱與燻煙(fumes)反應來發生燃燒(burning)。

第六，本發明的加壓元件形成有測壓元件，從而能夠根據來自測壓元件的檢測信號準確控制使加壓頭上升或下降的第一驅動部。

第七，本發明的加壓組件形成有用於測定基於固定於工作臺的基板的位置的變位值的非接觸式變位感測器，因此能夠調節吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板的平坦度及高度，從而能夠減少半導體晶片和基板的焊接不良率。

第八，本發明的加壓元件形成有用於使保護雷射光束成型部和光學系統的鏡筒上升或下降的第二驅動部，從而能夠調節倒裝晶片焊接時所需的雷射光束的大小。

本發明的效果不局限於如上所述的效果，並應理解為，包括可從本發明的詳細說明或申請專利範圍中所記載之發明的結構推論得到的所有效果。

30‧‧‧真空發生器

40‧‧‧加壓頭

42‧‧‧吸入孔

43‧‧‧頭架

44‧‧‧透明窗

45‧‧‧吸附模組

45a‧‧‧底面

45b‧‧‧吸附面

46‧‧‧固定架

47‧‧‧固定架

50‧‧‧半導體晶片

80‧‧‧雷射發生器

200‧‧‧倒裝晶片焊接裝置的加壓元件

210‧‧‧第一驅動部

215‧‧‧鏡筒

220‧‧‧第二驅動部

240‧‧‧測壓元件

250‧‧‧非接觸式變位感測器

300‧‧‧加壓頭

310‧‧‧上部固定架

311‧‧‧固定夾

320‧‧‧第一墊圈

330‧‧‧透明窗

340‧‧‧窗罩

350‧‧‧吸附模組架

351‧‧‧第一貫通部

352‧‧‧第二貫通部

360‧‧‧吸附模組

361‧‧‧上部面

362‧‧‧底面

363‧‧‧側面(外周面)

364‧‧‧吸入孔

365‧‧‧吸入管線

366‧‧‧散熱板

370‧‧‧第二墊圈

380‧‧‧下部固定架

h‧‧‧吸入孔

D‧‧‧規定深度

H‧‧‧規定高度

圖1為示出以往公開的倒裝晶片焊接器的加壓頭結構的剖視圖。

圖2為用於說明本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓元件的例示圖。

圖3為用於說明本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭的結構的例示圖。

圖4為用於說明本發明的吸附模組的結構的例示圖。

圖5為用於說明本發明的吸附模組的吸入管線的例示圖。

圖6為用於說明本發明的吸附模組的吸入管線的例示圖。

圖7為用於說明本發明的另一實施例的吸附模組的結構的例示圖。

圖8為用於說明本發明的另一實施例的吸附模組的結構的例示圖。

以下，參照附圖說明本發明。但是，本發明能夠以多種不同形式來實現，因此，不限定於在這裡說明的實施例。而且，為了明確說明本發明，在附圖中省略了與說明無關的部分，在整個說明書中，對類似的部分使用了類似的元件符號。

在整個說明書中，當某個部分與其他部分「連接(接續、接觸、結合)」時，其不僅包括「直接連接」的情況，也包括在此中間留有其他部件而「間接連接」的情況。並且，當某個部分「包括」某個結構要素時，除非有特別相反的記載，其意味著還可具有其他結構要素，而不是意味著其他結構要素除外。

本說明書中所使用的術語僅為了說明特定的實施例而被使用，並非意圖限定本發明。若在文脈上沒有明顯不同的意思，則單數形式表述包括複數形式表述。在本說明書中，「包括」或「具有」等術語是指在說明書中所記載的特徵、數目、步驟、動作、結構要素、部件或它們的組合的存在，而應理解為不預先排除一個或一個以上的其他特徵、數目、步驟、動作、結構要素、部件或它們的組合的存在或附加功能性。

如圖2、圖3所示，本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓元件包括：第一驅動部210，用於使加壓頭300上升或下降；第二驅動部220，用於使設置於加壓頭300的上部的鏡筒215上升或下降；控制部，用於控制測壓元件240、第一驅動部210及第二驅動部220的工作。

加壓頭300通過基於真空發生器的真空吸附力來吸 附半導體晶片的狀態下，將半導體晶片加壓到固定於工作臺的基板，使對上述半導體晶片和基板的焊接凸點進行焊接的雷射光束透射。

第一驅動部210、第二驅動部220可包括：電機；驅動部，用於驅動電機；機械物，與驅動部和電機機械連接來使加壓頭300上升或下降。

鏡筒215對將從雷射發生器發生並通過光纖傳遞的高斯形態的雷射光束轉換為面光源的雷射光束成型部和光學系統進行保護。作為一例，雷射光束成型部可以形成為用於形成均勻化的四邊形束的光引導部。光引導部以與光纖隔開0.2mm上且0.5mm下的隔開距離的方式設置，長度可以為1.0m以上且1.5m以下。若光引導部的長度未滿1.0m，則在光引導部的內部散射後輸出的雷射的光均勻度下降，導致被附著物P的照射區域的溫度分佈不均勻。一方面，若光引導部的長度為1.5m以上，則雷射的光均勻度非常好但光均勻化模組的整體長度變長而製造成本上升，因此光均勻化模組的保管及移送不便。光引導部和光纖之間不需用於使雷射光束均勻的任何光學鏡。光纖的數值孔徑(NA)設置為0.2以上且0.3以下，從光纖輸出的全部雷射光束均向各光管(Light pipe)的內部輸入。

光引導部使用具有高透光率的母材作為使雷射通過的介質，以剖面呈四邊形的長方體形成，在與雷射經過的光軸水準的側面形成有全反射塗敷膜，在與上述光軸垂直的上部面和下部面形成有抗反射塗敷膜。因此，能夠防止通過光引導部的雷射光束向外部損失。

作為一例，光學系統可包括：集光透鏡，對經過光引導部出來而發散的均勻化的四邊形束進行集光；發散透鏡，將所集光的均勻化的四邊形束以維持規定作業距離的方式發散。可通過集光透鏡和發散透鏡的曲率半徑的組合，來調節均勻化的四邊形束大小和作業距離。

控制部對用於使保護雷射光束成型部和光學系統的鏡筒上升或下降的第二驅動部進行控制，由此能夠調節倒裝晶片焊接時所需的雷射光束大小。

測壓元件240根據第一驅動部210的工作而使加壓頭300半導體晶片加壓到固定於工作臺的基板時，檢測加壓頭300對半導體晶片產生的壓力。加壓頭的加壓步驟中，對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時，為了提高焊接品質，而優選地根據吸附模組的熱上升曲線執行多個步驟。即，在照射雷射光束的焊接初期時間段和達到焊接所需的目標值溫度的時間段對半導體晶片和基板進行加壓的加壓頭的加壓力(Bonding force)應調節成不同。

控制部從測壓元件240接收檢測信號，向第一驅動部210輸出控制信號，當加壓頭300在固定於工作臺的基板對半導體晶片進行加壓時的壓力達到目標值。

參照圖3，本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓元件200可包括測定基於固定於工作臺的基板的位置的變位值的非接觸式變位感測器250。控制部可利用由非接觸式變位感測器250輸入的基於固定於工作臺的基板的位置的變位值來調節工作臺的位置。由此，可調節吸附於吸附模組360的半導體晶片和固定於工作 臺的基板的平坦度及高度，從而能夠減少半導體晶片和基板的焊接不良率。

如圖3所示，本發明的倒裝晶片焊接裝置的加壓頭300中，上部固定架310、吸附模組架350及下部固定架380通過結合部件(例如螺栓和螺母)可依次以能夠拆裝的方式相結合。進而，上部固定架310、吸附模組架350及下部固定架380可通過固定夾311得到固定。

上部固定架310依次設置有用於維持上下貫通的內部空間的氣密的第一墊圈320、用於使雷射光束透射的透明窗330、用於保護透明窗330的窗罩340。

吸附模組架350可通過結合部件(例如螺栓和螺母)以能夠拆裝的方式與上部固定架310相結合。吸附模組架350可在側壁包括用於連接上下貫通的內部空間和外部空間的第一貫通部351。第一貫通部351與真空發生器相連接。

吸附模組架350還可包括第二貫通部352，第二貫通部352形成在與第一貫通部351隔開的位置，並與燻煙(fumes)吸入裝置相連接，上述燻煙(fumes)吸入裝置用於吸入進行雷射焊接時發生的燻煙(fumes)。在吸附模組架350的內部設置有吸附模組360、第二墊圈370。

吸附模組360由使雷射光束透射的母材形成。作為一例，吸附模組360的母材可由石英(Quarts)或藍寶石(sapphire)形成。分別由石英(Quarts)或藍寶石(sapphire)形成的吸附模組360的物理特性互不相同。例如，照射980nm雷射的情況下，由石英(Quarts)或藍寶石(sapphire)形成的吸附模組360的透光率分別為93%和 89%，吸附於吸附模組360的半導體晶片中所測定的溫度分別為100℃和60℃。

即，在透光率和倒裝晶片的焊接所需的熱損失方面，石英(Quarts)比藍寶石(sapphire)具有優秀的性能。然而，本申請的發明入在開發倒裝晶片焊接裝置的過程中，發現了對吸附模組360反復進行檢測的結果，由石英(quartz)材質形成的吸附模組360發生裂縫(crack)或在底面發生燃燒(burning)，從而導致焊接品質不良問題。

為了防止由石英(quartz)材質形成的吸附模組360受損並提高耐久性，在由石英(quartz)材質形成的吸附模組360的底面可形成薄膜塗敷層。形成於吸附模組360的底面的薄膜塗敷層可由SiC或金屬物質形成。金屬物質被用於焊接而照射的雷射加熱，用於對吸附於吸附模組的半導體晶片和固定於工作臺的基板進行焊接。

參照圖4，在吸附模組360形成有從上部面361貫通至與半導體晶片相接的底面362的吸入孔364，在底面362形成有具有與吸入孔364相連接的空間部的吸入管線365。通過真空吸附力吸附半導體晶片的吸附模組360通過吸入孔364和吸入管線365向半導體晶片提供吸附力，從而能夠進行更穩定的作業。

使用藍寶石(sapphire)作為吸附模組360的母材的情況下，為了防止倒裝晶片的焊接所需的熱損失，在吸附模組360的側面還可形成散熱板366。即，本發明的吸附模組360即使使用藍寶石(sapphire)作為母材，在吸附模組360的上部面或下部面抗反射塗覆層並在側面形成散熱板366，由此也可提高透光率並減少倒裝 晶片的焊接所需的雷射光束的損失。

重新參照圖3，下部固定架380通過結合部件(例如螺栓和螺母)與吸附模組架350和上部固定架310依次相結合。在吸附模組360和下部固定架380之間還可包括用於維持吸附模組架350的內部的氣密的第二墊圈370。

圖5及圖6為用於說明本發明的吸附模組的吸入管線的例示圖，圖7及圖8為用於說明本發明的另一實施例的吸附模組的結構的例示圖。

本發明的吸附模組360的吸入孔364和吸入管線365經過拋光(Polishing)加工處理，以使雷射光束透射。參照圖5，未經過研磨的吸入管線365的情況下發生雷射光束的損失，但參照圖6，經過研磨的吸入管線365的情況下雷射光束的損失較少。雷射光束被損失的情況下，導致焊接品質下降的問題。因此，對吸附模組360的吸入孔364和吸入管線365進行拋光(Polishing)加工處理，來可防止雷射光束的損失並維持恒定的焊接品質。

參照圖7、圖8，對從本發明的吸附模組360的底面362達到規定高度H的部分以及從外周面363達到規定深度D的部分進行形成高度差的加工處理，將與吸附模組360的底面362相接的經臺階加工處理的邊角部分加工處理成圓弧形。

具有如上所述的結構的吸附模組360能夠防止當對半導體晶片和固定於工作臺的基板進行加壓時在吸附模組360附著異物(例如，焊膏或非導電膏)而被污染。並且，可防止與吸附模組360的底面362相接的邊角部分在進行加壓時發生碎屑(chipping)。

以上，舉例對本發明進行了說明，本發明所屬技術領 域的普通技術人員可理解在不變更本發明的技術思想或必要特徵的情況下，容易地可將發明變形為其他具體形式。因此，應理解為以上所記述的實施例在所有方面上僅用於舉例，而不用於限定本發明。例如，能夠以分散的方式實施以單一形式說明的各結構要素，同樣也能夠以結合的形式實施以分散的方式說明的結構要素。

如前所述，以發明的最佳具體實施方式說明了發明的具體實施方式。

(產業上之可利用性)

本說明書的技術可利用於雷射焊接裝置。

Claims (9)

1. 一種倒裝晶片焊接裝置的加壓頭，在通過基於真空發生器的真空吸附力吸附半導體晶片的狀態下，將上述半導體晶片加壓到固定於工作臺的基板，使對上述半導體晶片和基板的焊接凸點進行焊接的雷射光束透射，其中，包括：上部固定架，依次設置有用於維持上下貫通的內部空間的氣密的第一墊圈、用於使雷射光束透射的透明窗、用於保護透明窗的窗罩；吸附模組架，通過結合部件以能夠裝拆的方式與上述上部固定架相結合，側壁包括用於連接上下貫通的內部空間和外部空間的第一貫通部；吸附模組，設置於上述吸附模組架的內部，由使上述雷射光束透射的母材構成，形成有從通過上述第一貫通部與真空發生器相連接的上部面貫通至與上述半導體晶片相接觸的底面的吸入孔，在上述底面形成有吸入管線，上述吸入管線具有與上述吸入孔相連接的空間部；下部固定架，通過上述結合部件與上述吸附模組架和上部固定架依次結合；第二墊圈，設置於上述吸附模組和下部固定架之間，用於維持上述吸附模組架的內部的氣密，對上述吸附模組的吸入孔和吸入管線進行拋光加工處理，以使上述雷射光束透射。
2. 如請求項1之倒裝晶片焊接裝置的加壓頭，其中，上述吸附模組的母材為藍寶石(sapphire)， 在上述吸附模組的側面形成有散熱板。
3. 如請求項1之倒裝晶片焊接裝置的加壓頭，其中，上述吸附模組的母材為石英(Quarts)，在由上述石英材質形成的吸附模組的底面形成有薄膜塗敷層。
4. 如請求項1之倒裝晶片焊接裝置的加壓頭，其中，對從上述吸附模組的底面達到規定高度的部分以及從外周面達到規定深度的部分進行臺階加工處理，將與上述吸附模組的底面相接的經臺階加工處理的邊角部分加工處理成圓弧形。
5. 如請求項1之倒裝晶片焊接裝置的加壓頭，其中，上述吸附模組架還包括第二貫通部，上述第二貫通部形成在與上述第一貫通部隔開的位置，並與燻煙(fumes)吸入裝置相連接，上述燻煙吸入裝置用於吸入進行雷射焊接時發生的燻煙。
6. 一種倒裝晶片焊接裝置的加壓元件，包括請求項1至5中任一項之倒裝晶片焊接裝置的加壓頭，其中，還包括：鏡筒，設置於上述加壓頭的上部，對將從雷射發生器發生並通過光纖傳遞的高斯形態的雷射光束轉換為面光源的雷射光束成型部和光學系統進行保護；第一驅動部，用於使上述加壓頭上升或下降；測壓元件，根據上述第一驅動部的工作而使上述加壓頭將上述半導體晶片加壓到固定於工作臺的基板時，檢測上述加壓頭對上述半導體晶片產生的壓力；控制部，從上述測壓元件接收檢測信號，向上述第一驅動部輸出控制信號，以使壓力達到目標值。
7. 如請求項6之倒裝晶片焊接裝置的加壓元件，其中，上述倒裝晶片焊接裝置的加壓元件還包括用於測定基於上述固定於工作臺的基板的位置的變位值的非接觸式變位感測器。
8. 如請求項6之倒裝晶片焊接裝置的加壓元件，其中，還包括用於使上述鏡筒上升或下降的第二驅動部。
9. 如請求項6之倒裝晶片焊接裝置的加壓元件，其中，就上述雷射光束成型部而言，使用具有高透射率的母材作為使雷射通過的介質，以剖面呈四邊形的長方體形成，與上述光纖隔開0.2mm以上且0.5mm以下的隔開距離，在與雷射經過的光軸水準的側面形成有全反射塗敷膜，在與上述光軸垂直的上部面和下部面形成有抗反射塗敷膜。