TWI783662B

TWI783662B - 雷射式固晶設備

Info

Publication number: TWI783662B
Application number: TW110132544A
Authority: TW
Inventors: 石敦智; 黃良印; 劉黃頌凱; 施景翔
Original assignee: 均華精密工業股份有限公司
Priority date: 2021-09-02
Filing date: 2021-09-02
Publication date: 2022-11-11
Also published as: TW202312312A

Abstract

本發明公開一種雷射式固晶設備，包含一固定式雷射發射器、位於所述固定式雷射發射器的出光路徑上的至少一個光罩、一承載台、及呈透光狀的一擷取器。所述承載台用來承載一基板並能相對於所述固定式雷射發射器移動，以使所述基板位於所述出光路徑上。所述擷取器用來擷取一晶片並將其沾附有一膠體，並進一步將所述晶片通過膠體而附著於位在所述出光路徑上的所述基板。當所述晶片以所述膠體附著於位在所述出光路徑上的所述基板時，所述固定式雷射發射器能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑穿過至少一個所述光罩與所述擷取器而投射於所述晶片。

Description

雷射式固晶設備

本發明涉及一種固晶設備，尤其涉及採用固定式雷射發射器的一種雷射式固晶設備。

現有的固晶設備包含有一預接合裝置及位於所述預接合裝置下游的一固晶裝置，並且現有固晶設備的預接合裝置是用來在多個載體上逐一設置膠體與晶片，而現有固晶設備的固晶裝置則是用來通過環境溫度加熱方式（如：烘烤）固化多個所述膠體。然而，現有固晶設備的運作機制或生產效率顯然具有改善的空間存在。

於是，本發明人認為上述缺陷可改善，乃特潛心研究並配合科學原理的運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的本發明。

本發明實施例在於提供一種雷射式固晶設備，其能有效地改善現有生產設備所可能產生的缺陷。

本發明實施例公開一種雷射式固晶設備，其包括：一固定式雷射發射器，位於一預定位置並定義有一出光路徑；至少一個光罩，位於所述固定式雷射發射器的所述出光路徑上；一承載台，用來承載一基板，並且所述承載台能相對於所述固定式雷射發射器移動，以使所述基板位於所述出光路徑上；以及一擷取器，呈透光狀，並且所述擷取器用來擷取一晶片並將其沾附有一膠體；其中，所述擷取器能用來移動沾附有所述膠體的所述晶片，以使所述晶片通過所述膠體而附著於位在所述出光路徑上的所述基板；其中，當所述晶片以所述膠體附著於位在所述出光路徑上的所述基板時，所述固定式雷射發射器能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑穿過至少一個所述光罩與所述擷取器而投射於所述晶片。

本發明實施例也公開一種雷射式固晶設備，其包括：一固定式雷射發射器，位於一預定位置並定義有一出光路徑；至少一個光罩，位於所述固定式雷射發射器的所述出光路徑上；一承載台，用來承載一基板，並且所述承載台能相對於所述固定式雷射發射器移動，以使所述基板位於所述出光路徑上；一循環式工作站，其於一環狀路徑上設有多個站點，所述循環式工作站包含沿著所述環狀路徑移動的多個擷取器，並且任一個所述擷取器呈透光狀且能沿所述環狀路徑逐一經過多個所述站點；其中，多個所述站點包含：一晶片供應站，用以供移動至此的任一個所述擷取器能擷取一晶片；一沾膠站，用以供移動至此的任一個所述擷取器能將其所擷取的所述晶片沾附有一膠體；及一固晶站，位置對應於所述固定式雷射發射器，用以供移動至此的任一個所述擷取器能壓迫其所擷取的所述晶片，並使所述晶片通過所述膠體而附著於位在所述出光路徑上的所述基板；於所述固晶站中，所述固定式雷射發射器能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑穿過至少一個所述光罩與一個所述擷取器而投射於所述晶片。

綜上所述，本發明實施例所公開的雷射式固晶設備，其通過所述擷取器將所述晶片壓抵於所述基板上，並且通過所述固定式雷射發射器來固化位於所述晶片與所述基板之間的所述膠體，據以改善加熱環境溫度的固化方式，進而有效地提升所述雷射式固晶設備的運作與生產效率。

進一步地說，本發明實施例所供開的雷射式固晶設備，其是採用不會移動的所述固定式雷射發射器，因而能夠降低所述膠體固化過程中的對位難度，並能有助於使用體積較大且功率較高的雷射發射器，據以進一步地提升所述雷射式固晶設備的運作與生產效率。

為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。

以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“雷射式固晶設備”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。

應當可以理解的是，雖然本文中可能會使用到“第一”、“第二”、“第三”等術語來描述各種元件或者信號，但這些元件或者信號不應受這些術語的限制。這些術語主要是用以區分一元件與另一元件，或者一信號與另一信號。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[實施例一]

請參閱圖1至圖4D所示，其為本發明的實施例一。如圖1所示，本實施例公開一種雷射式固晶設備1000，其包含有一循環式工作站S及位置對應於所述循環式工作站S的多個裝置D。其中，所述循環式工作站S於一環狀路徑上設有多個站點S’，並且所述循環式工作站S包含沿著所述環狀路徑移動的多個擷取器S1，任一個所述擷取器S1呈透光狀且能沿所述環狀路徑逐一經過多個所述站點S’。

於本實施例中，所述環狀路徑呈圓環狀，多個所述擷取器S1的數量不小於（如：等於）多個所述站點S’的數量，並且多個所述擷取器S1能分別於多個所述站點S’同步運作，據以提升所述雷射式固晶設備1000的整體運作效能，但本發明不受限於此。

更詳細地說，每個所述站點S’例如是一個作業區域，並且多個所述站點S’具有不同但相關聯的作用、及彼此相異的區域面積。其中，本實施例所述及的多個所述站點S’於所述環狀路徑上依序包含有一晶片供應站S100、一沾膠站S200、一晶片校正站S300、及一固晶站S400（也就是說，所述晶片校正站S300位於所述沾膠站S200與所述固晶站S400之間），但本發明不以此為限。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，多個所述站點S’的數量與排序可以依據需求而加以增減。

再者，多個所述裝置D於本實施例中是包含位置對應於所述晶片供應站S100的一晶片供應裝置100、位置對應於所述沾膠站S200的一膠水供應器200、位置對應於所述晶片校正站S300的一晶片校正器300、及位置對應於所述固晶站S400的一固晶裝置400，但本發明不受限於此。

舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，多個所述站點S’的其中部分（如：所述晶片校正站S300）及其相對應的所述裝置D（如：所述晶片校正器300）可以依據設計需求而縮減；或者，所述雷射式固晶設備1000也可以依據設計需求而增設新的站點與其相對應的裝置。

為便於理解本實施例中的所述雷射式固晶設備1000的具體運作，以下說明每個所述裝置D及其相對應的所述站點S’的功能與用途，並且多個所述擷取器S1的運作流程皆相同，所以本實施例的圖式僅以一個所述擷取器S1的運作來說明，但本發明不受限於此。

如圖1所示，所述晶片供應裝置100能持續性地供應晶片C，用以供任一個所述擷取器S1擷取；也就是說，所述晶片供應裝置100通過其位置對應於所述晶片供應站S100，用以供移動至所述晶片供應站S100的任一個所述擷取器S1擷取一個所述晶片C。

再者，如圖2A至圖2C所示，所述膠水供應器200位於所述晶片供應站S100的下游，並且所述膠水供應器200通過其位置對應於所述沾膠站S200，用以供移動至所述沾膠站S200的任一個所述擷取器S1能將其所擷取的所述晶片C沾附有一膠體G（也就是說，所述擷取器S1用來擷取一個所述晶片C並將其沾附有膠體G）。更詳細地說，所述膠水供應器200於本實施例中可以是盛裝有膠水的容器，並且所述擷取器S1能將其所擷取的所述晶片C朝向所述膠水供應器200移動而沾附有所述膠體G。

如圖3所示，所述晶片校正器300位於所述膠水供應器200的下游，並且所述晶片校正器300通過其位置對應於所述晶片校正站S300，用以校正移動至所述晶片校正站S300的任一個所述擷取器S1上的所述晶片C的位置。其中，所述晶片校正器300能用以校正沾附有所述膠體G的所述晶片C（如：圖2C）的位置，據以利於精準地實施後續的固晶作業。

如圖4A至圖4D所示，所述固晶裝置400包含有一固定式雷射發射器1、一承載台2、一基板攝像器3、及一光罩單元4。其中，所述固定式雷射發射器1例如是一種雷射輔助結合（laser assistant bonder，LAB）系統，並且所述固定式雷射發射器1位於所述晶片校正器300的下游（也就是，所述晶片校正器300位於所述固定式雷射發射器1的上游）。進一步地說，所述固定式雷射發射器1位於一預定位置並定義有一出光路徑P。也就是說，所述固定式雷射發射器1於本實施例中不會移動離開所述預定位置、並排除任何會移動的雷射發射器。

所述承載台2用來承載至少一個基板B，並且所述承載台2於本實施例的圖式中是用來承載多個所述基板B，而為便於說明，以下僅介紹所述承載台2承載一個所述基板B的情況。其中，所述承載台2能相對於所述固定式雷射發射器1移動，以使一個所述基板B位於所述固定式雷射發射器1的所述出光路徑上。再者，所述基板攝像器3的位置對應於所述固晶站S400，用以擷取位在所述承載台2上的所述基板B的位置。

所述光罩單元4包含有位於所述出光路徑P上的至少一個光罩41，並且所述光罩單元4所包含的所述光罩41數量於本實施例中是以多個來說明，但本發明不受限於此。其中，多個所述光罩41具有不同的圖案，多個所述光罩41能選擇性地移動其中一個所述光罩41至所述固定式雷射發射器1的所述出光路徑P上。

以上所載的所述固定式雷射發射器1、所述承載台2、所述基板攝像器3、及所述光罩單元4的位置皆對應於所述固晶站S400，以使得所述固晶站S400能通過其位置對應於所述固定式雷射發射器1，用以供移動至此的任一個所述擷取器S1能壓迫其所擷取的所述晶片C，並使所述晶片C通過所述膠體G而附著於位在所述出光路徑P上的所述基板B（也就是，所述擷取器S1能用來移動沾附有所述膠體G的所述晶片C，以使所述膠體G附著於位在所述出光路徑上的所述基板B）。

於所述固晶站S400中，所述固定式雷射發射器1能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑P穿過至少一個所述光罩41與一個所述擷取器S1而投射於所述晶片C。換個角度來說，當所述晶片C以所述膠體G附著於位在所述出光路徑P上的所述基板B時，所述擷取器S1使所述晶片C壓抵於所述基板B，並且所述固定式雷射發射器1能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑P穿過至少一個所述光罩41與所述擷取器S1而投射於所述晶片C。

據此，本實施例所公開的所述雷射式固晶設備1000，其通過所述擷取器S1將所述晶片C壓抵於所述基板B上，並且通過所述固定式雷射發射器1搭配至少一個所述光罩41來固化位於所述晶片C與所述基板B之間的所述膠體G，據以取代加熱環境溫度的固化方式，進而有效地提升所述雷射式固晶設備1000的運作與生產效率。

進一步地說，本實施例所供開的所述雷射式固晶設備1000，其是採用不會移動的所述固定式雷射發射器1，因而能夠降低於所述膠體G固化過程中的對位難度，並能有助於使用體積較大且功率較高的雷射發射器，據以進一步地提升所述雷射式固晶設備1000的運作與生產效率。

此外，於所述固晶站S400中，多個所述光罩41能依序移動至所述出光路徑P上，以使自所述固定式雷射發射器1發出的所述雷射光束能於不同時間點穿過至少兩個所述光罩41，而分別以不同光形穿過所述擷取器S1並投射於所述晶片C。換個角度來說，當所述晶片C以所述膠體G附著於位在所述出光路徑P上的所述基板B時，多個所述光罩41能依序移動至所述出光路徑P上，以使自所述固定式雷射發射器1發出的所述雷射光束能於不同時間點穿過至少兩個所述光罩41，而分別以不同光形（如：至少兩種光形）穿過所述擷取器S1並投射於所述晶片C。

進一步地說，多個所述光罩41於本實施例中是依據設計需求而構成提供所述雷射光束穿過以形成具備不同功用的多種光形。舉例來說，在穿過所述擷取器S1並投射於所述晶片C的至少兩種所述光形之中，第一種所述光形是用於聚焦且固化所述膠體G的外側部位，而第二種所述光形則是用於聚焦且固化所述膠體G的內側部位，據以使得所述膠體G能夠由外而內逐步且穩定地被固化。

需額外說明的是，所述雷射式固晶設備1000於本實施例中是以所述循環式工作站S搭配相對應的多個所述裝置D來說明，但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，所述雷射式固晶設備1000也可以是包含有所述固定式雷射發射器1、至少一個所述光罩41、所述承載台2、及所述擷取器S1；也就是說，所述雷射式固晶設備1000可以是通過至少一個所述擷取器S1來運作、但不具備有所述循環式工作站S。

[實施例二]

請參閱圖5所示，其為本發明的實施例二。由於本實施例類似於上述實施例一，所以兩個實施例的相同處不再加以贅述，而本實施例相較於上述實施例一的差異大致說明如下：

於本實施例中，所述固晶裝置400未包含有任何所述光罩41，而所述循環式工作站S較佳是包含有數量等同於多個所述擷取器S1的多個所述光罩S2。其中，每個所述擷取器S1具有用來擷取所述晶片C的一頭部S11，並且每個所述擷取器S1形成有鄰近於所述頭部S11的一插槽S12，任一個所述光罩S2可分離地插設於一個所述擷取器S1的所述插槽S12內。

[實施例三]

請參閱圖6所示，其為本發明的實施例三。由於本實施例類似於上述實施例一，所以兩個實施例的相同處不再加以贅述，而本實施例相較於上述實施例一的差異大致說明如下：

於本實施例中，所述固晶裝置400未包含有任何所述光罩41，而所述循環式工作站S較佳是包含有數量等同於多個所述擷取器S1的多個所述光罩S2。其中，每個所述擷取器S1具有用來擷取所述晶片C的一頭部S11，並且每個所述光罩S2內建於一個所述擷取器S1內且鄰近於所述頭部S11。

[實施例四]

請參閱圖7所示，其為本發明的實施例四。由於本實施例類似於上述實施例一至三，所以該些實施例的相同處不再加以贅述，而本實施例相較於上述實施例的差異大致說明如下：

於本實施例中，任一個所述擷取器S1進一步包含有鄰近所述頭部S11的一晶片加熱器S13，並且所述晶片加熱器S13呈環狀配置於所述出光路徑P的外側，用以在所述擷取器S1將所述晶片C壓抵至（或附著於）所述基板2之前，所述擷取器S1能通過所述晶片加熱器S13來對所述晶片C加熱。

再者，所述承載台2也可以設有一基板加熱器21，用以在所述擷取器S1將所述晶片C壓抵至（或附著於）所述基板2之前，所述承載台2能通過所述基板加熱器21來對所述基板B加熱。

據此，所述晶片C與所述基板B可以分別通過所述晶片加熱器S13與所述基板加熱器21可以先被加熱至預設溫度，而後所述擷取器S1將所述晶片C壓抵至所述基板2，以使所述晶片C與所述基板2能在所述預設溫度下進行連接，進而提升連接的效率、穩定度、與精準度。

此外，所述雷射式固晶設備1000於本實施例中是以同時設置有所述晶片加熱器S13與所述基板加熱器21來說明，但本發明不受限於此。舉例來說，在本發明未繪示的其他實施例中，所述雷射式固晶設備1000也可以僅設置有所述晶片加熱器S13與所述基板加熱器21的其中之一。此外，所述晶片加熱器S13也可以是配置在實施例一或實施例二所記載的任一個所述擷取器S1之中。

[本發明實施例的技術效果]

此外，本發明實施例所供開的雷射式固晶設備，其用來搭配於所述固定式雷射發射器的至少一個所述光罩可以依據設計需求而採用相應的構造（如：多個所述光罩選擇性地移動其中一個所述光罩至所述出光路徑上；或者，至少一個所述光罩可分離地插設於所述擷取器的所述插槽內；或者，至少一個所述光罩內建於所述擷取器內），據以使得所述雷射式固晶設備能夠有更廣泛的運用範圍。

以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的專利範圍內。

1000:雷射式固晶設備 D:裝置 100:晶片供應裝置 200:膠水供應器 300:晶片校正器 400:固晶裝置 1:固定式雷射發射器 2:承載台 21:基板加熱器 3:基板攝像器 4:光罩單元 41:光罩 S:循環式工作站 S1:擷取器 S11:頭部 S12:插槽 S13:晶片加熱器 S2:光罩 S’:站點 S100:晶片供應站 S200:沾膠站 S300:晶片校正站 S400:固晶站 C:晶片 G:膠體 B:基板 P:出光路徑

圖1為本發明實施例二的雷射式固晶設備的俯視示意圖。

圖2A為圖1的後續作動示意圖。

圖2B為所述雷射式固晶設備的沾膠站的側視示意圖。

圖2C為圖2B的後續作動示意圖。

圖3為圖2A的後續作動示意圖。

圖4A為圖3的後續作動示意圖。

圖4B為所述雷射式固晶設備的固晶站的側視示意圖。

圖4C為圖4B的後續作動示意圖。

圖4D為圖4C的後續作動示意圖。

圖5為本發明實施例二的雷射式固晶設備的固晶站的側視示意圖。

圖6為本發明實施例三的雷射式固晶設備的固晶站的側視示意圖。

圖7本發明實施例四的雷射式固晶設備的固晶站的側視示意圖。

1000:雷射式固晶設備

D:裝置

100:晶片供應裝置

200:膠水供應器

300:晶片校正器

400:固晶裝置

1:固定式雷射發射器

2:承載台

3:基板攝像器

4:光罩單元

41:光罩

S:循環式工作站

S1:擷取器

S’:站點

S100:晶片供應站

S200:沾膠站

S300:晶片校正站

S400:固晶站

C:晶片

B:基板

Claims

一種雷射式固晶設備，其包括：一固定式雷射發射器，位於一預定位置並定義有一出光路徑；至少一個光罩，位於所述固定式雷射發射器的所述出光路徑上；一承載台，用來承載一基板，並且所述承載台能相對於所述固定式雷射發射器移動，以使所述基板位於所述出光路徑上；以及一擷取器，呈透光狀，並且所述擷取器用來擷取一晶片並將其沾附有一膠體；其中，所述擷取器能用來移動沾附有所述膠體的所述晶片，以使所述晶片通過所述膠體而附著於位在所述出光路徑上的所述基板；其中，當所述晶片以所述膠體附著於位在所述出光路徑上的所述基板時，所述固定式雷射發射器能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑穿過至少一個所述光罩與所述擷取器而投射於所述晶片。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，至少一個所述光罩的數量為多個，並且多個所述光罩具有不同的圖案，多個所述光罩選擇性地移動其中一個所述光罩至所述固定式雷射發射器的所述出光路徑上。
如請求項2所述的雷射式固晶設備，其中，當所述晶片以所述膠體附著於位在所述出光路徑上的所述基板時，多個所述光罩能依序移動至所述出光路徑上，以使自所述固定式雷射發射器發出的所述雷射光束能於不同時間點穿過至少兩個所述光罩，而分別以不同光形穿過所述擷取器並投射於所述晶片。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，所述擷取器具有用來擷取所述晶片的一頭部，並且至少一個所述光罩內建於所述擷取器內且鄰近於所述頭部。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，所述擷取器具有用來擷取所述晶片的一頭部，並且所述擷取器形成有鄰近於所述頭部的一插槽，至少一個所述光罩可分離地插設於所述擷取器的所述插槽內。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，所述雷射式固晶設備包含有鄰近於所述固定式雷射發射器的一基板攝像器，用以擷取位在所述承載台上的所述基板的位置。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，所述雷射式固晶設備包含有位在所述固定式雷射發射器上游的一晶片校正器，用以校正沾附有所述膠體的所述晶片的位置。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，所述擷取器包含有一晶片加熱器，用以在所述擷取器將所述晶片附著於所述基板之前，所述擷取器能通過所述晶片加熱器來對所述晶片加熱。
如請求項1所述的雷射式固晶設備，其中，所述承載台包含有一基板加熱器，用以在所述擷取器將所述晶片附著於所述基板之前，所述承載台能通過所述基板加熱器來對所述基板加熱。
一種雷射式固晶設備，其包括：一固定式雷射發射器，位於一預定位置並定義有一出光路徑；至少一個光罩，位於所述固定式雷射發射器的所述出光路徑上；一承載台，用來承載一基板，並且所述承載台能相對於所述固定式雷射發射器移動，以使所述基板位於所述出光路徑上；一循環式工作站，其於一環狀路徑上設有多個站點，所述循環式工作站包含沿著所述環狀路徑移動的多個擷取器，並且任一個所述擷取器呈透光狀且能沿所述環狀路徑逐一經過多個所述站點；其中，多個所述站點包含：一晶片供應站，用以供移動至此的任一個所述擷取器能擷取一晶片；一沾膠站，用以供移動至此的任一個所述擷取器能將其所擷取的所述晶片沾附有一膠體；及一固晶站，位置對應於所述固定式雷射發射器，用以供移動至此的任一個所述擷取器能壓迫其所擷取的所述晶片，並使所述晶片通過所述膠體而附著於位在所述出光路徑上的所述基板；於所述固晶站中，所述固定式雷射發射器能發出一雷射光束，其沿所述出光路徑穿過至少一個所述光罩與一個所述擷取器而投射於所述晶片。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，多個所述站點包含有位於所述沾膠站與所述固晶站之間的一晶片校正站，並且所述雷射式固晶設備包含有位置對應於所述晶片校正站的一晶片校正器，用以校正移動至所述晶片校正站的任一個所述擷取器上的所述晶片的位置。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，至少一個所述光罩的數量為多個，並且多個所述光罩具有不同的圖案，多個所述光罩選擇性地移動其中一個所述光罩至所述固定式雷射發射器的所述出光路徑上。
如請求項12所述的雷射式固晶設備，其中，於所述固晶站中，多個所述光罩能依序移動至所述出光路徑上，以使自所述固定式雷射發射器發出的所述雷射光束能於不同時間點穿過至少兩個所述光罩，而分別以不同光形穿過所述擷取器並投射於所述晶片。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，所述雷射式固晶設備包含有位置對應於所述固晶站的一基板攝像器，用以擷取位在所述承載台上的所述基板的位置。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，所述雷射式固晶設備包含有位置對應於所述晶片供應站的一晶片供應裝置，用以供移動至所述晶片供應站的任一個所述擷取器擷取一個所述晶片。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，多個所述擷取器能分別於多個所述站點同步運作。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，至少一個所述光罩的數量等同於多個所述擷取器的數量，每個所述擷取器具有用來擷取所述晶片的一頭部，並且每個所述光罩內建於一個所述擷取器內且鄰近於所述頭部。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，每個所述擷取器具有用來擷取所述晶片的一頭部，並且每個所述擷取器形成有鄰近於所述頭部的一插槽，至少一個所述光罩可分離地插設於任一個所述擷取器的所述插槽內。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，所述擷取器包含有一晶片加熱器，用以在所述擷取器將所述晶片附著於所述基板之前，所述擷取器能通過所述晶片加熱器來對所述晶片加熱。
如請求項10所述的雷射式固晶設備，其中，所述承載台包含有一基板加熱器，用以在所述擷取器將所述晶片附著於所述基板之前，所述承載台能通過所述基板加熱器來對所述基板加熱。