KR100873884B1

KR100873884B1 - 반도체 장치

Info

Publication number: KR100873884B1
Application number: KR1020070035366A
Authority: KR
Inventors: 도시키 기시오카
Original assignee: 가부시키가이샤 리코
Priority date: 2006-04-14
Filing date: 2007-04-11
Publication date: 2008-12-15
Also published as: US8013348B2; KR20070102405A; JP2007287842A; US20070241349A1

Abstract

본 발명은 복수개의 LED 드라이브용 트랜지스터를 구비한 반도체 장치에서 LED 드라이브용 트랜지스터에 접속되는 LED의 휘도 불균일을 감소시키는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 반도체 장치는 복수개의 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)와, LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)에 전력을 공급하기 위한 전원 패드(31, 32)를 구비한다. 전원 패드(31)에는 LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 소스가 배선(11a~14a)을 통하여 접속되고, 전원 패드(32)에는 LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)의 소스가 배선(15a, 16a)을 통하여 접속된다. 배선(11a~16a)의 저항값은 동일한 값으로 설정된다.

반도체 장치, N채널형 MOS 트랜지스터, LED 드라이브용 트랜지스터, 배선, LED 접속용 패드

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 패드와 LED 드라이브용 트랜지스터의 배선을 나타내는 평면도.

도 2는 본 발명이 적용되는 LED 드라이브 회로의 일례를 나타내는 회로도.

도 3은 종래의 반도체 장치 상의 전원 패드와 LED 드라이브용 트랜지스터의 배선의 일례를 나타내는 평면도.

도 4는 종래의 반도체 장치 상의 전원 패드와 LED 드라이브용 트랜지스터의 배선의 다른 예를 나타내는 평면도.

도 5는 본 발명이 적용되는 LED 드라이브 회로의 다른 예를 나타내는 회로도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1　　 반도체 장치

10　　 N채널형 MOS 트랜지스터

11~16　　 LED 드라이브용 트랜지스터

11a~16a　　 배선

21~26　　 LED 접속용 패드

31, 32　　 GND측 전원 패드

33　　 넓은 배선

R11~R26　　 배선 저항

30　　 전류원

본 발명은 반도체 장치에 관한 것이고, 특히, 복수개의 LED(Light Emitting Diode) 드라이브용 트랜지스터와, 이들 LED 드라이브용 트랜지스터에 전력을 공급하기 위한 전원 패드를 구비한 반도체 장치에 관한 것이다.

근래, LED의 고휘도화가 진척되어 LCD 등 백 라이트용 광원이나, 자동차의 스톱 라이트 등에 LED가 이용되고 있다. 또, 고휘도의 청색 LED가 개발되어 RGB색 LED에 의한 풀 컬러 표시도 가능하게 되었다. 이들 복수개의 LED로 이루어지는 조명이나 표시기 등을 구동시킬 때에 중요한 것은 각 LED의 휘도 불균일이 적어야 한다는 것이다.

복수개의 백색 LED를 이용한 LCD 백 라이트 광원에서 휘도 불균일이 발생하면, LCD 표시 품질을 저하시키게 된다. RGB 풀 컬러인 경우에는, 정확한 색 재현을 할 수 없게 되는 등의 문제가 발생한다. 휘도 불균일을 감소시키기 위해서는, 모든 LED에 정확하게 동일한 전류를 공급하는 것이 중요하다.

도 3은 종래의 반도체 장치 상의 전원 패드와 LED 드라이브용 트랜지스터의 배선의 일례를 나타내는 평면도이다.

반도체 장치(1)의 한 변의 근처에는 4개의 LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)가 배치되어 있고, LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)에는 각각 LED 접속용 패드(21~24)가 마련되어 있다. 또, 반도체 장치(1)의 상기 한 변과는 다른 변의 근처에도 LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)가 배치되어 있고, LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)에는 각각 LED 접속용 패드(25, 26)가 마련되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)는 예컨대 N채널형이다. LED 접속용 패드(21~26)는 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 드레인에 접속된다.

LED 드라이브용 트랜지스터(14)와 LED 드라이브용 트랜지스터(15)의 사이에는 2개의 GND측 전원 패드(31, 32)가 배치되어 있다. 양 패드(31, 32)는 넓은 배선(33)으로 접속된다.

LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 배열에 따라 전원 패드(31)에 접속된 넓은 배선(34)이 형성되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 소스는 각각 짧은 배선(11b~14b)을 통하여 배선(34)에 접속되고, 짧은 배선(11b~14b) 및 배선(34)을 통하여 전원 패드(31)에 접속된다.

LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)의 배열에 따라 전원 패드(32)에 접속된 넓은 배선(35)이 형성되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)의 소스는 각각 짧은 배선(15b, 16b)을 통하여 배선(35)에 접속되고, 짧은 배선(15b, 16b) 및 배선(35)을 통하여 전원 패드(31)에 접속된다.

도 4는 종래의 반도체 장치 상의 전원 패드와 LED 드라이브용 트랜지스터의 배선의 다른 예를 나타내는 평면도이다. 도 3과 동일한 기능을 수행하는 부분에는 동일한 부호를 첨부한다.

LED 드라이브용 트랜지스터(11~16), LED 접속용 패드(21~26) 및 전원 패드(31, 32)의 배치는 도 3과 동일하다.

LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 소스는 선폭이 동일한 배선(11c~14c)을 통하여 각각 전원 패드(31)에 접속된다. 마찬가지로, 트랜지스터(15) 및 트랜지스터(16)의 소스는 선폭이 동일한 배선(15c, 16c)을 통하여 각각 전원 패드(32)에 접속된다. 배선(11c~16c)의 선 폭은 동일하다.

도 5는 LED 드라이브 회로의 예를 나타내는 회로도이다. 도 3 및 도 4와 동일한 회로 요소에 대해서는 동일한 부호를 첨부한다.

부호 LED1~LED6은 LED를 나타내고, 부호 R11~R26은 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 소스와 전원 패드(31) 및 전원 패드(32)의 배선 저항을 나타낸다. Vb는 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 게이트 바이어스 전압이다. LED1~LED6의 양극은 전원(Vdd)에 접속되고, 음극은 LED 접속용 패드(21~26)에 접속된다.

LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)는 N채널형 MOS 트랜지스터로 구성되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 게이트는 모두 공통 접속되고, 바이어스 전압(Vb)이 인가되어 있으므로, 바이어스 전압(Vb)에 따른 드레인 전류가 LED1~ LED6에 공급된다.

LED1에 흐르는 전류는 NMOS 트랜지스터(11)와 저항(R11), 나아가 저항(R21~R24)을 통하여 전원 패드(31)에 흐른다. 마찬가지로, LED2에 흐르는 전류는 NMOS 트랜지스터(12)와 저항(R12, R22~R24)을 통하여 전원 패드(31)에 흐른다. 이 와 같이, LED1~LED4의 전류는 저항(R11~R14)의 어느 한 저항과 저항(R21~R24)의 적어도 1개 이상의 저항을 통하여 전원 패드(31)에 흐른다. 즉, 전원 패드로부터 멀리 떨어져 있는 LED 드라이버용 트랜지스터로 구동되는 LED 전류일수록 많은 저항을 통과하게 된다. LED5, LED6에 대해서도 마찬가지로 전원 패드(32)보다 멀수록 많은 저항을 통과하게 된다.

배선 저항(R11~R26)은 금속으로 형성되어 있으므로 그다지 큰 저항은 아니지만, LED 전류가 수백 mA의 큰 전류가 되면 그 배선 저항에 의해 발생하는 전압 강하는 무시할 수 없게 된다. 특히, 도 5와 같은 정전류 회로에서는 배선 저항의 전압 강하 차이에 의해 LED 드라이브용 트랜지스터의 게이트-소스 간 전압이 변동하게 된다. 주지하는 바와 같이, MOS 트랜지스터의 게이트-소스 간 전압 변동은 드레인 전류에 크게 영향을 주기 때문에, 배선 저항의 차이에 의해 드레인 전류, 바꾸어 말하면 LED 구동 전류는 크게 변화하게 된다. 이것은 결과적으로 휘도 불균일로 나타난다.

다시 도 3을 참조하면, 넓은 배선(34, 35)에 각 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 소스로부터 짧은 배선(11b~16b)으로 접속된 구성으로 되어 있다. 도 5의 저항(R11~R14)은 LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 소스와 넓은 배선(34)을 접속하고 있는 배선(11b~14b)의 배선 저항이다. 도 5의 저항(R15, R16)은 LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)의 소스와 넓은 배선(35)을 접속하고 있는 배선(15b, 16b)의 배선 저항이다. 배선(11b~16b)의 배선 길이는 극도로 짧으며 거의 동일한 길이이므로 그 저항은 작고, 저항값도 대략 동일하다. 또한 저항(R11~R16)에는 LED 1개 분의 전류 밖에 흐르지 않기 때문에, 그 전압 강하도 대략 동일하여 LED 드라이브용 트랜지스터의 게이트-소스 간 전압에 주는 영향은 동일하게 되므로, 드레인 전류(LED 전류)의 불균일에는 거의 영향을 주지 않는다.

그러나, 넓은 배선(34)에는 저항(R21~R24)으로 나타내는 저항이 존재하고, 넓은 배선(35)에는 저항(R25, R26)으로 나타내는 저항이 존재한다.

넓은 배선(34)의 폭은 충분히 넓게 되어 있지만 배선 길이가 길기 때문에, 저항(R11~R14)에 비하여 저항값은 수배로부터 수십배 크다. 게다가 저항(R21)에 흐르는 전류는 LED1 전류 뿐이지만, 저항(R22)에는 LED1과 LED2의 합계 전류가 흐르고, 저항(R23)에는 LED1~LED3의 합계 전류, 저항(R24)에는 LED1~LED4의 합계 전류가 흐르므로, 동일한 저항값이어도 전원 패드(31)에 가까워질 수록 그 저항에 따른 전압 강하는 커진다. 그 결과, LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 게이트-소스 간 전압에는 큰 차이가 생겨 LED1의 공급 전류와 LED4의 공급 전류에서는 큰 차이가 나게 된다. 즉, LED의 휘도에 차이가 발생하여 휘도 불균일을 초래한다. 이러한 현상은 구동하는 LED가 많아지고 LED 드라이브용 트랜지스터가 증가할수록 현저하게 나타난다. LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)에서도 마찬가지라고 할 수 있다.

LED 드라이브 회로는 아니지만, 일본 특허 공개 공보 평 2－224370호에는 신호원으로부터 많은 회로로 클록 신호를 공급하는 배선에 있어서, 신호 발생원으로부터 가까운 위치의 배선 폭을 넓게 하는 내용의 발명이 개시되어 있다.

이와 같이, 배선(34)을 전원 패드(31)에 근접할수록 배선 폭을 넓게 하면, 저항(R21) 내지 저항(R24)에서 저항 번호가 증가할수록 저항값이 작기 때문에 상기 문제를 경감할 수는 있지만, 저항값 문제가 남게 되므로 완전히 문제를 해결할 수 없다.

따라서, 각 LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 게이트-소스 간 전압을 균일하게 하기 위해서는, 저항(R11~R14)의 저항값을 동일하게 하고, 저항(R21~R24)의 저항값을 0Ω으로 하면 바람직하다는 것을 알 수 있다.

도 4의 배선 방법에서는 도 5의 저항(R21~R24)의 저항값을 0Ω,으로 하거나, 또는 매우 작게 할 수 있다. 그러나, LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)와 전원 패드(31) 사이의 거리가 LED 드라이브용 트랜지스터마다 상이하기 때문에, 배선(11c~14c)의 배선 길이도 이에 따라 상이하게 된다. 즉, 배선(11c~14c)의 길이가 길어짐에 따라 배선 저항이 증가하게 된다. 그 결과, LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 게이트-소스 간 전압에 차이가 발생하여 완전히 휘도 불균일을 해소할 수는 없다.

일본 특허 공개 공보 2004－14798호에는 LCD(liquid crystal display) 표시 패널 내의 단자군 간의 배선에 있어서, 지연 시간을 조정하기 위하여, 스루홀을 포함하여 배선 저항이 동일하게 되도록 배치하는 취지가 기술되어 있다. 그러나, 복수개의 LED 드라이브용 트랜지스터에 있어서 배선 저항의 차이에 의해 구동 전류가 불균일하고, 또한 LED의 휘도 불균일이 발생하는 것에 대해서는 아무것도 기재된 것이 없다.

본 발명은 상술한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 복수개의 LED 드라 이브용 트랜지스터를 구비한 반도체 장치에 있어서, LED 드라이브용 트랜지스터에 접속되는 LED의 휘도 불균일을 감소시키는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 복수개의 LED 드라이브용 트랜지스터와, 이들 LED 드라이브용 트랜지스터에 전력을 공급하기 위한 전원 패드를 구비한 반도체 장치로서, 상기 전원 패드에는 복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터의 소스가 접속되고, 상기 전원 패드로부터 상기 소스까지의 배선이 상기 LED 드라이브용 트랜지스터마다 개별적으로 마련되며, 이들 배선 저항값이 동일한 값으로 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 반도체 장치에 있어서, 상기 배선은 배선 폭과 배선 길이를 설정함으로써 각각 동일한 저항값으로 설정되도록 할 수 있다.

또한, 복수개의 상기 배선 중, 상기 전원 패드와 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선 길이가 가장 긴 배선의 배선 폭이 가장 넓게 되어 있는 것을 예로 들 수 있다.

또, 복수개의 상기 배선 중, 상기 전원 패드와 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선 길이가 가장 짧은 배선의 배선 폭이 가장 좁게 되어 있는 것을 예로 들 수 있다.

또, 어느 한 상기 배선은 우회시킴으로써 배선 길이가 길어지도록 하여도 좋다.

또, 복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터는 동일한 사이즈와 동일한 특성의 트랜지스터인 것을 예로 들 수 있다.

또, 복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터는 게이트가 공통 접속되고, 상기 게이트에 소정의 바이어스 전압이 인가됨으로써 정전류 회로를 구성하는 것을 예로 들 수 있다.

또한, 상기 LED 드라이브용 트랜지스터와 동일한 전도형으로 사이즈가 작은 트랜지스터를 구비하고, 그 트랜지스터의 게이트-드레인 간을 접속하며, 그 드레인에 정전류를 공급한 회로의 게이트-소스 간 전압을 상기 바이어스 전압으로서 이용하도록 하여도 좋다.

실시예

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전원 패드와 LED 드라이브용 트랜지스터의 배선을 나타내는 평면도이다.

반도체 장치(1)의 한 변의 근처에 4개의 LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)가 배치되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)에는 각각 LED 접속용 패드(21~24)가 마련되어 있다. 또, 반도체 장치(1)의 상기 한 변과는 다른 변의 근처에 LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)가 배치되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)에는 각각 LED 접속용 패드(25, 26)가 마련되어 있다. LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)는 예컨대 N채널형이다. LED 접속용 패드(21~26)는 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 드레인에 접속된다.

LED 드라이브용 트랜지스터(14)와 LED 드라이브용 트랜지스터(15)의 사이에 는 2개의 GND측 전원 패드(31, 32)가 배치되어 있다. 양 패드(31, 32)는 넓은 배선(33)으로 접속된다.

LED 드라이브용 트랜지스터(11~14)의 소스는 각각 배선(11a~14a)을 통하여 전원 패드(31)에 접속된다. LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)의 소스는 각각 배선(15a, 16a)을 통하여 전원 패드(32)에 접속된다.

배선(11a~14a) 중, 전원 패드(31)와 LED 드라이브용 트랜지스터(11~14) 간의 배선 길이가 가장 긴 배선(11a)의 배선 폭이 가장 넓게 되어 있다. 배선 길이가 2번째로 긴 배선(12a)은 배선 폭이 배선(11a)보다 약간 좁게 되어 있다. 배선 길이가 제일 짧은 배선(13a)의 배선 폭은 가장 좁게 되어 있다.

또, LED 드라이브용 트랜지스터(11~14) 중, 전원 패드(31)에 가장 가까운 LED 드라이브용 트랜지스터(14)의 소스에 접속되어 있는 배선(14a)은 배선을 우회시켜 길게 하고, 예컨대 배선(12a)과 동일한 길이로 되어 있다. 또한, 배선(12a) 및 배선(14a)의 폭은 동일하다. 다만, 우회시키는 배선을 반드시 다른 배선과 동일한 길이 및 배선 폭으로 설정하지 않아도 된다. 또, 반드시 배선을 우회시키지 않아도 된다.

배선의 최소한의 폭은 LED 접속용 패드(21~26)에 접속되는 LED에 공급하는 최대 전류값이나 집적 회로의 설계 규정에 따라 제한되므로, 너무 좁은 폭으로는 할 수 없다. 그 때문에, LED 드라이브용 트랜지스터(14)가 전원 패드(31)에 너무 가까운 경우에 최단 거리로 접속하면 최소 배선 폭의 패턴을 이용하여도 배선 저항이 너무 작으므로, 배선(11a~14a)을 동일한 저항값으로 하고자 하는 경우 멀리 떨 어져 있는 LED 드라이브용 트랜지스터(11)에 접속된 배선(11a)의 배선 폭이 실용 한계를 초과하는 너비로 되는 것이다.

이에 따라, 가장 긴 배선(11a)에 적용하고자 하는 폭을 설정하고, 그 배선 저항을 구한 후, 적어도 그 저항값을 확보할 수 있는 길이까지 배선(14a)을 우회시킨다.

LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)와 전원 패드(32) 간의 배선도 상기와 같이, LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16)와 전원 패드(32) 간의 배선 저항이 동일하게 되도록 하고 있다.

배선(15a, 16a) 중, 전원 패드(32)와 LED 드라이브용 트랜지스터(15, 16) 간의 배선 길이가 긴 배선(16a)은 배선 폭이 배선(15a)보다 넓게 되어 있다.

배선(11a~16a)은 배선 폭 및 배선 길이를 설정함으로써 동일한 저항값으로 설정되어 있다.

배선에 이용되는 금속의 단위 면적 당의 저항값을 Rs, LED 드라이브용 트랜지스터의 소스로부터 전원 패드(31) 또는 전원 패드(32)까지의 배선 거리를 L, 배선 폭을 W로 하면, 배선 저항 R은

R = Rs·L/W (1)

로 된다.

즉, LED 드라이브용 트랜지스터의 소스와 전원 패드 간을 접속하는 모든 배선을 동일한 저항값으로 하려면, 상기 수학식 (1)에 나타낸 바와 같이, 배선 거리(L)가 상대적으로 긴 경우에는 배선 폭(W)을 넓게 하면 되고, 배선 거리(L)가 상 대적으로 짧은 경우에는 배선 폭(W)을 좁게 하면 된다. 또, 배선 폭(W)을 최소 배선 폭까지 좁게 하여도 배선 저항이 작은 경우에는, 배선 길이(L)를 필요한 만큼 길게 하면 된다.

본 발명의 반도체 장치는 예컨대 도 5에 나타낸 LED 드라이브 회로에 적용할 수 있다. 이와 같이, LED 드라이브용 트랜지스터와 전원 패드 간의 배선 저항을 동일하게 하는 것은 도 5에 나타낸 바와 같은 정전류 회로 구성에 적용한 경우에 특히 유효하다.

도 2는 본 발명이 적용되는 LED 드라이브 회로의 다른 예를 나타내는 회로도이다. 도 1 및 도 5와 동일한 회로 요소에 대해서는 동일한 부호를 첨부한다.

이 회로가 도 5에 나타낸 회로와 다른 점은 바이어스 전압(Vb)을 정전류원(30)과 N채널형 MOS 트랜지스터(10)로 구성하고 있는 점이다.

MOS 트랜지스터(10)는 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)와 동일한 프로세스로 제작되지만, 소자 사이즈가 수십분의 1 내지 수천 분의 1로 작게 되어 있다. 트랜지스터(10)의 소스는 접지되고, 드레인은 전류원(30)을 통하여 전원(Vdd)에 접속된다. 게이트는 드레인에 접속됨과 동시에, LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 모든 게이트와 공통 접속된다.

이에 따라 LED1~LED6에 공급되는 전류는 전류원(30)의 전류값에 대하여 LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)와 NMOS 트랜지스터(10)의 소자 사이즈 비의 역수를 곱한 전류(수십 내지 수천배)가 공급되게 된다.

또, 도 1을 참조하여 설명한 실시예의 배선(11a~16a)에 의해 저항(R11~R16) 의 저항값은 거의 동일하고, 저항(R21~R26)의 저항값은 거의 0으로 되므로, LED 드라이브용 트랜지스터(11~16)의 게이트-소스 간 전압은 LED 전류에 관계없이 거의 일정하게 되어 휘도 불균일을 없앨 수 있다.

이상, 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니고, 형상, 배치 등은 일례이며, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위 내에서 각종 변경이 가능하다.

예컨대, 도 2에서는 LED 드라이브 회로를 N채널형 MOS 트랜지스터로 구성한 회로를 나타냈지만, 캐소드 공통(cathode common)의 LED 어레이를 구동하는 경우 등에, N채널형 MOS 트랜지스터 대신에 P채널형 MOS 트랜지스터를 이용할 수 있다. 이 경우, 배선 저항이 전원(Vdd) 측으로 이동할 뿐, 완전히 동일하게 구성할 수 있다.

종래, 복수개의 LED 드라이브용 트랜지스터로부터 하나의 전원 패드에 접속할 때의 배선을 모두 동일한 저항값으로 하는 것은 수행되지 않았다.

본 발명의 반도체 장치에서는 전원 패드에 복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터의 소스가 접속되고, 상기 전원 패드로부터 상기 소스까지의 배선이 상기 LED 드라이브용 트랜지스터마다 개별적으로 마련되며, 이들 배선의 저항값이 동일한 값으로 설정되도록 하므로, 이들 LED 드라이브용 트랜지스터의 게이트-소스 간 전압을 동일하게 할 수 있으며, LED 구동 전류 차이도 작게 할 수 있어 LED의 휘도 불균일을 감소시킬 수 있다.

본 발명의 반도체 장치에 있어서, 배선 폭과 배선 길이를 설정함으로써 상기 배선을 각각 동일한 저항값으로 설정되도록 하면, 배선 폭과 배선 길이 중 어느 하나에 의해 배선 저항을 설계하는 경우에 비하여 설계 자유도가 높다.

복수개의 상기 배선 중, 상기 전원 패드와 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선 길이가 가장 긴 배선의 배선 폭이 가장 넓게 되도록 하면, 배선 길이를 변경하지 않고 긴 배선의 배선 저항을 작게 하여 다른 배선의 저항값에 맞출 수 있다.

복수개의 상기 배선 중, 상기 전원 패드와 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선 길이가 가장 짧은 배선의 배선 폭이 가장 좁게 되도록 하면, 배선 길이를 변경하지 않고 짧은 배선의 배선 저항을 작게 하여 다른 배선의 저항값에 맞출 수 있다.

어느 한 상기 배선을 우회시킴으로써 배선 길이가 길어지도록 하면, 배선 폭을 변경하지 않고 다른 배선의 저항값에 맞출 수 있다. 또, 전원 패드와 전원 패드에 가까운 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선을 길게 하여 배선 저항을 크게 함으로써, 다른 배선을 필요 이상으로 넓게 하여 저항값을 하강시킬 필요가 없어진다.

복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터는 동일한 사이즈와 동일한 특성의 트랜지스터이도록 하면, 이들 LED 드라이브용 트랜지스터의 LED 구동 전류가 동일할 수 있다.

복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터는 게이트가 공통 접속되고, 상기 게이트에 소정의 바이어스 전압이 인가됨으로써 정전류 회로를 구성하도록 하면, 이들 LED 드라이브용 트랜지스터에 동일한 바이어스 전압을 인가할 수 있다.

상기 LED 드라이브용 트랜지스터와 동일한 전도형으로 사이즈가 작은 트랜지스터를 구비하고, 그 트랜지스터의 게이트-드레인 간을 접속하며, 그 드레인에 정전류를 공급한 회로의 게이트-소스 간 전압을 상기 바이어스 전압으로서 이용하도록 하면, 간단한 구성으로 LED 드라이브용 트랜지스터에 바이어스 전압을 공급할 수 있다.

Claims

복수개의 LED 드라이브용 트랜지스터와, 이들 LED 드라이브용 트랜지스터에 전력을 공급하기 위한 전원 패드를 구비한 반도체 장치에 있어서,

상기 전원 패드에는 복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터의 소스가 접속되고, 상기 전원 패드로부터 상기 소스까지의 배선이 상기 LED 드라이브용 트랜지스터마다 개별적으로 마련되며, 이들 배선의 저항값이 동일한 값으로 설정되어 있고,

복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터는 게이트가 공통 접속되고, 상기 게이트에 소정의 바이어스 전압이 인가됨으로써 정전류 회로를 구성하며,

상기 LED 드라이브용 트랜지스터와 동일한 전도형으로, 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 보다 사이즈가 작은 트랜지스터를 구비하고, 그 트랜지스터의 게이트-드레인 간을 접속하며, 그 드레인에 정전류를 공급한 회로의 게이트-소스 간 전압을 상기 바이어스 전압으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제1항에 있어서,

상기 배선은 각각 동일한 저항값으로 설정되도록 배선 폭과 배선 길이가 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제2항에 있어서,

복수개의 상기 배선 중, 상기 전원 패드와 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선 길이가 가장 긴 배선의 배선 폭이 가장 넓게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제2항에 있어서,

복수개의 상기 배선 중, 상기 전원 패드와 상기 LED 드라이브용 트랜지스터 간의 배선 길이가 가장 짧은 배선의 배선 폭이 가장 좁게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제1항에 있어서,

상기 배선 중 어느 한 배선은 우회시킴으로써 배선 길이가 길게 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제1항에 있어서,

복수개의 상기 LED 드라이브용 트랜지스터는 동일한 사이즈와 동일한 특성의 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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