KR100799042B1

KR100799042B1 - 인 함유 피복 산화마그네슘 분말, 그 제조방법 및 그분말을 포함하는 수지 조성물

Info

Publication number: KR100799042B1
Application number: KR1020067015533A
Authority: KR
Inventors: 토시오 키요카와; 카오리 야마모토; 마사아키 쿠니시게
Original assignee: 다테호 가가쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2004-12-01
Filing date: 2005-12-01
Publication date: 2008-01-28
Also published as: EP1818311A4; EP1818311A1; JP4315895B2; CN100509630C; KR20070055995A; US7393885B2; WO2006059666A1; US20070184269A1; CN1930084A; TW200621641A; JP2006151778A

Abstract

복산화물로 된 표면 피복층을 가지는 피복 산화마그네슘 분말 표면의 적어도 일부에, 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층을 더 가지며, 또한, 전기 피복 산화마그네슘 분말에 대한 전기 인산마그네슘계 화합물의 함유량이, 인으로 환산하여 전체의 0.1 ~ 10 질량%인 것을 특징으로 하는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말, 및 복산화물의 표면 피복층을 가지는 피복 산화마그네슘 분말을, 인 화합물로 처리한 후, 300℃이상에서 소성하는 것에 의해, 전기 피복 산화마그네슘 분말 표면의 적어도 일부에 인산마그네슘계 화합물을 형성하는 것을 특징으로 하는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말의 제조 방법, 그리고, 그 분말을 함유하는 수지 조성물이다.

복산화물, 피복층, 산화마그네슘, 인산마그네슘, 분말, 인 화합물

Description

인 함유 피복 산화마그네슘 분말, 그 제조방법 및 그 분말을 포함하는 수지 조성물{PHOSPHORUS-CONTAINING COATED MAGNESIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR PRODUCING SAME AND RESIN COMPOSITION CONTAINING SUCH POWDER}

본 발명은, 내수성이 우수한 인 함유 피복 산화마그네슘 분말에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 본 발명은, 방열 부재로서 수지 등에 충진하여 사용할 때에, 매우 높은 내수성을 가지는 인 함유 피복 산화마그네슘 분말, 그 제조 방법 및 그 분말을 포함하는 수지 조성물에 관한 것이다.

전자 디바이스는, 적층체, 프린트 배선판, 다층 배선판 등의 전자 부품에 의해 구성되어 있다. 전자 부품에는, 통상, 수지 조성물이 프리프레그, 스페이서, 봉지제, 접착성 시트 등으로서 사용되고 있고, 수지 조성물에는, 다양한 성능 또는 특성이 요구되고 있다. 예를 들면 최근에는, 전자 디바이스에서의 대용량 파워 소자 탑재, 고밀도 실장의 경향이 있고, 그에 따라 수지 조성물 및 그 적용품에는, 종래보다도 더욱 우수한 방열성, 내수성이 요구되고 있다.

한편으로, 전기, 전자, 자동차, OA 기기 등의 산업 용도로 사용되는 고성능 플라스틱은, 엔지니어링 플라스틱스(엔프라)으로 불려지고, 통상, 내열성이 100℃ 이상에서, 우수한 기계적 특성을 가지는 것이다.

종래는, 광학 부품, 전기·전자 부품, 자동차 부품의 용도에 있어서는, 알루미늄 다이캐스트, 아연 다이캐스트로 대표되는 금속이 사용되었다. 그러나, 소정 형상으로의 가공 비용이 높기 때문에, 최근에는 상기의 엔프라로 대표되는 열가소성 수지로의 이행이 진행되고 있다. 이들 수지에는, 금속과 같은 높은 강성, 치수 안정성이 요구되기 때문에, 수지에 섬유상, 판상, 입상 등의 무기 충진재를 높은 비율로 충진하여, 관련 성능을 향상시킨 성형 재료로서의 수지 조성물이 사용되고 있다. 이 때문에, 수지 조성물에는, 강성, 치수 안정성의 요구에 더하여, 특히 방열 특성의 향상이 요구되고 있다.

반도체 봉지용의 수지 조성물에 사용되는 필러(filler)는, 종래, 이산화규소(이하, 실리카라 함), 산화알루미늄(이하, 알루미나라 함)이 이용되었다. 그러나, 실리카는 열전도성이 낮고, 실리카를 필러로서 사용한 수지 조성물은, 고집적화, 고전력화, 고속화 등에 의한 발열량의 증대에 대응하는 방열이 충분하지 않아서, 반도체의 안정 동작 등에 문제가 생겼다. 한편, 실리카보다도 열 전도성이 높은 알루미나를 필러로서 사용하는 수지 조성물은, 방열성은 개선되지만, 알루미나는 경도가 높기 때문에, 혼련기 또는 성형기 및 금형의 마모가 심해지는 제조상의 문제점이 있었다.

그래서, 실리카에 비해 열 전도성이 1배 높고, 알루미나와 동등의 열 전도율을 가지는 산화마그네슘(MgO)이 반도체 봉지용 수지 필러 재료로서 검토되고 있다. 그란, MgO 분말은, 실리카 분말에 비해, 흡습성이 크다. 이 때문에, 반도체의 봉지용 수지 필러로서 MgO 분말을 이용한 경우, 흡습한 물과 MgO이 수화하여, 필러의 체적 팽창에 의한 수지 조성물의 크랙의 발생, 열 전도성의 저하 등의 문제가 발생하고 있다. 그래서, 반도체 봉지용 수지 필러로서 이용하는 MgO 분말에 내수성을 부여하는 것이, 반도체의 장기적인 안정 동작을 보증하기 위해 큰 과제로 되어 있다.

이 과제를 해결하기 위해, 예를 들면, MgO 분말을, C₄ ~ C₃₀의 알킬기 또는 C₄ ~ C₃₀의 알케닐기를 가지는 산성 인산에스테르(acid phosphate), 예를 들면, C₁₇의 스테아릴애시드포스페이트(stearyl acid phosphate)로 표면처리하고, 산성 인산에스테르 화합물 피막을 형성하는 것에 의해 얻어진 고내산성 및 고내수성 MgO 분말이 제안되고 있다(특허문헌1).

그러나, 상기와 같은 산성 인산에스테르에 의한 표면처리에서는, 내수성의 향상은, 예를 들면, C₁₇의 스테아릴기에 의한 발수성(撥水性)의 부여 효과이며, MgO 분말 자체의 내수성은 어느 정도 개선되어도, 여전히 충분하다고 하기는 어렵다.

MgO 분말의 내수성을 개선시킨 다른 방법으로서, 알루미늄(Al) 염 또는 규소(Si) 화합물과 MgO 분말을 혼합하여, 고체분을 필터링하고, 건조시켜, 소성(calcining)하는 것에 의해, MgO 분말의 표면을, Al 또는 Si과 Mg의 복산화물을 포함하는 피복층으로 피복하는 것을 특징으로 하는 MgO 분말의 제조 방법이 제안되어 있다(특허문헌2,3 참조).

이들 방법은, 간단한 표면처리가 아니며, Al 또는 Si을 MgO 분말 표면에 반응시켜 얻어진 복산화물에 의해 피복하기 때문에, 얻어진 피복 MgO 분말의 내수성 은 꽤 개선된다.

그런데, 표면을 복산화물로 완전히 피복하는 것은 곤란하기 때문에, MgO 분말 표면에는 복산화물에 의한 피복이 완전하지 않은 영역이 잔류하고, 그 부분으로부터 수화 반응이 진행하기 때문에, 요즘 요구되는 내수성 수준을 만족하는 데는 미치지 못한다.

특허문헌1: 일본 공개특허공보 제2001-115057호

특허문헌2: 일본 공개특허공보 제2003-034522호

특허문헌3: 일본 공개특허공보 제2003-034523호

발명이 해결하고자 하는 기술적 과제

본 발명의 목적은, 상기의 과제를 해소하고, 내수성이 우수한 피복 MgO 분말 및 그 제조 방법을 제공하는 것이며, 더하여, 이 피복 MgO 분말을 포함하는 내수성이 우수한 수지 조성물을 제공하는 것이다.

과제 해결을 위한 수단

본 발명자들은, 상기 목적을 달상할 수 있도록, 다양한 검토를 거듭하는 가운데, MgO 분말 표면의 복산화물에 의한 피복의 불완전 영역을 보완하여 내수성을 향상시키기 위해, 복산화물로 된 피복층 위에, 더하여, 인산마그네슘계 화합물에 의한 피복층을 형성하는 것을 착상했다.

즉, 본발명에 의하면, 복산화물로 된 포면 피복층을 가지는 피복 산화마그네슘 분말 표면의 적어도 일부에, 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층을 더 가지며, 또한, 전기 피복 산화마그네슘 분말에 대한 전기 인산마그네슘계 화합물의 함유량이, 인으로 환산하여 전체의 0.1 ~ 10 질량%인 것을 특징으로 하는 인 함유 피복 산화마그네슘 분말이 제공된다.

또한, 본 발명에 의하면, 복산화물의 표면 피복층을 가지는 피복 산화마그네슘 분말을, 인 화합물로 처리한 후, 300℃이상에서 소성하는 것에 의해, 전기 피복 산화마그네슘 분말 표면의 적어도 일부에 인산 마그네슘계 화합물을 형성하는 것을 특징으로 하는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말의 제조 방법도 제공된다.

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말은, 복산화물에 의한 표면 피복층을 가지는 피복 MgO 분말 표면의 적어도 일부에, 인산마그네슘계 화합물에 의한 피복층을 가진다.

본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말의 출발 원료를 이루는 피복 MgO 분말은 그 표면이 복산화물로 피복되어 있다. 이 MgO 분말의 표면을 피복하는 복산화물은, 구체적으로는, 알루미늄, 철, 규소 및 티탄으로 된 군으로부터 선택되는 1이상의 원소와 마그네슘을 포함하는 것인 것이 좋다. 이 복산화물에 의해 표면을 피복하는 것에 의해, MgO 분말의 내수성이 크게 향상한다.

복산화물로서, 구체적으로는, 포스테라이트(Mg₂SiO₄; forsterite), 스피넬(Al₂MgO₄; spinel), 마그네슘페라이트(Fe₂MgO₄; magnesium ferrite), 티탄산마그네슘(MgTiO₃; magnesium titanate) 등을 들 수 있다. 특히, 포스테라이트가 바람직하다.

본 발명에 이용되는 복산화물의 함유량, 즉, 1개의 입자에 대한 표면의 복산화물의 비율은, 5 ~ 50 질량%가 바람직하며, 10 ~ 40 질량%가 보다 바람직하다. 복산화물의 함유량이 상기의 범위에 있으면, MgO 분말의 표면이 복산화물에 의해 피복되어 내수성이 크게 향상하고, 또한, 충진후의 수지 조성물의 열 전달율도 높고, 열 전도성 필러로서, 예를 들면, 방열 부재로 적용한 때, 충분한 효과를 발휘하는 것이 가능하다.

이 피복 MgO 분말의 평균 입자 크기(average particle size)는, 5×10^-6 ~ 500×10^-6m가 바람직하고, 10×10^-6~ 100×10^-6m가 보다 바람직하다. 또한 BET 비표면적은, 5.0×10³m²/kg이하가 바람직하고, 1.0×10³m²/kg이하가 더욱 바람직하다.

본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말은, 상기의 복산화물 피복 MgO 분말 표면의 적어도 일부에, 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층을 더 가지는 것을 특징으로 한다.

이 인산마그네슘계 화합물은, 후술하는 바와 같이, MgO 분말 표면에 표면처리제로서의 인 화합물과 Mg가 반응하여 생성되는 것이며, 구체적으로는, 예를 들면, MgxPyOz(x=1~3,y=2,z=6~8)로 표시되는 것이 바람직하다.

이 경우, 포스테라이트 등의 복산화물에 의한 피복 MgO 분말 표면상에 형성되는 인산마그네슘계 화합물은, MgO 외에, 예를 들면, 규소(Si), 알류미늄(Al), 철(Fe) 또는 티탄(Ti) 등을 1종 또는 2종 이상 포함하고 있을 가능성도 있다.

상기 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층에 의해, 본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말은, 종래의 피복 MgO 분말에 비해, 보다 높은 내수성을 지니는 것이 가능하다. 충분한 내수성을 발현시키기 위해서는, 피복 MgO 분말에 대한 인산마그네슘계 화합물이 점하는 비율은, 인으로 환산하여, 0.1 ~ 10 질량%, 바람직하게는, 0.2 ~ 5 질량%, 더욱 바람직하게는, 0.2 ~ 3 질량%이다.

또한, 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층은, 복산화물 피복 MgO 분말 표면의 적어도 일부, 즉, 복산화물의 피복층이 형성되어 있지 않거나, 또는 복산화물의 피복층이 비교적 소(疎)한 영역에 형성되어 있는 것이 필요하지만, 실제로는, 복산화물 피복 MgO 분말의 전표면을 덮어 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명의 수지 조성물은, 상기의 인 함유 피복 MgO 분말을 수지에 함유시키는 것이다. 사용되는 수지는, 특별히 한정되지 않으며, 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin), 폴리에스테르 수지(polyester resin), 실리콘 수지(silicone resin), 요소 수지(urea resin), 멜라민 수지(melamine resin), 알키드 수지(alkyd resin), 디알릴프탈레이트 수지(diallyl phthalate resin), 폴리우레탄 수지(polyurethane resin) 등의 열경화성 수지 또는, 폴리카보네이트 수지(polycarbonate resin), 폴리페닐렌설파이드 수지(polyphenylene sulfide resin), 불소 수지(fluoro resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리아세탈 수지(polyacetal resin), 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(polybutylene terephthalate resin), 폴리설폰 수지(polysulfone resin), 폴리아미드이미드 수지(polyamideimide resin), 폴리에테르이미드 수지(polyether imide resin), 폴리아릴레이트 수지(polyarylate resin), 폴리에테르에테르케톤 수지(polyether ether ketone resin), 액정 폴리머(liquid crystalline polymer) 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다. 이들 중, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지가 바람직하다. 또한, 이들의 수지에는, 필요에 따라, 경화제, 경화 촉진제 등을 배합하는 것이 가능하다.

에폭시 수지로서는 비스페놀A 에폭시 수지(bisphenol A epoxy resin), 노볼락형 에폭시 수지(novolak epoxy resin), 비소페놀 F 에폭시 수지(bisphenol F epoxy resin), 브로미네이티드 에폭시 수지(brominated epoxy resin), 오쏘-크레졸 노볼락형 에폭시 수지(ortho-cresol novolak epoxy resin), 글리시딜에스테르계 수지(glycidyl ester resin), 글리시딜아민계 수지(glycidyl amine resin), 복소환식 에폭시 수지(heterocyclic epoxy resin) 등을 들 수 있다.

페놀 수지로서는, 노볼락형 페놀 수지(novolak phenolic resin), 레졸형 페놀 수지(resol phenolic resin) 등을 들 수 있다.

실리콘 수지로서는, 밀러블형 실리콘 고무(millable silicone rubber), 축합형 액상 실리콘 고무(condensed liquid silicone rubber), 부가형 액상 실리콘 고무(additional liquid silicone rubber), UV 경화형 실리콘 고무(UV curing silicone rubber) 등을 들 수 있으며, 부가형 액상 실리콘 고무가 바람직하다. 또한, 1액형 및 2액형의 실리콘 고무의 어느 것도 좋지만, 2액형의 실리콘 고무가 바람직하다.

이들의 수지 조성물로는, 상기 인 함유 피복 MgO 분말 외에, 더하여 충진재를 배합하는 것이 가능하다. 충진재로서는, 특별히 한정되는 것은 없지만, 예를 들면, 용융 실리카, 결정 실리카, 등을 들 수 있다. 또한 필요에 따라서 이형제, 난연제, 착색제, 저응력 부여제 등을 적당히 배합하는 것이 가능하다.

본 발명의 수지 조성물은, 전기·전자 용도, 자동차 용도를 시작으로 광범위한 분야에 사용하는 것이 가능하다. 전기·전자 분야에 있어서는, PC, 휴대전화용 커넥터, 광 픽업(optical pickup), 파워 모듈을 위한 부품 등에 사용하는 것이 가능하며, 또한, 파워 모듈 등과 같은 전기·전자 분야에서 개발된 기술은, 자동차 용도에 있어서도 사용하는 것이 가능하다.

구체적으로는, 수지 조성물을 이용한 방열 부재로서, 예를 들면 방열 시트, 방열 스페이서 또는 방열 그리스 등을 들 수 있다. 방열 시트는, 발열성 전자 부품, 전자 디바이스로부터 발생한 열을 제거하기 위한 전기 절열성의 열 전도성 시트이며, 실리콘 고무에 열전도성 필러를 충진하여 제조되고, 주로 방열 핀 또는 금속판에 부착되어 이용된다. 방열 그리스는, 실리콘 고무 대신에 실리콘 오일을 이용하는 이외는 방열 시트와 마찬가지다. 방열 스페이서는, 발열성 전자 부품, 전자 디바이스로부터 발생한 열을 전자 기기의 케이스 등으로 직접 전열하기 위한, 발명성 전자 부품, 전자 디바이스와 케이스 사이의 스페이스를 매우는 두께를 가진 실리콘 고무 고화물(固化物)이다.

다음으로, 본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 제조 방법은, 먼저, 표면에 복산화물의 피복층을 가지는 피복 MgO 분말을 제조하는 것에 의해 실시된다. MgO 분말의 표면에 복산화물을 형성하는 화합물을 존재시킨 상태에서, 고온에서 용융하는 것에 의해, 피복 MgO 분말을 구상화하고, 표면에 복산화물의 피복층을 가지는 피복 MgO 분말을 제조한다. MgO 분말 표면에 복산화물을 형성하는 화합물을 존재시키는 것으로는, 예를 들면, 이들의 화합물을 MgO 분말에 습식 첨가한 후, 교반 혼합하는 방법이 있다. 또한, MgO 분말의 표면에, 복산화물을 형성하는 화합물을 존재시킨 상태에서, 피복재의 융점이하의 온도에서 소성하는 것에 의해, 피복 MgO 분말을 제조하는 것도 가능하다.

복산화물을 형성하기 위해 사용되는 화합물은, 알루미늄 화합물, 철 화합물, 규소 화합물 및 티탄 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1이상의 화합물인 것이 좋다. 화합물의 형태는 한정되지 않지만, 초산염(nitrate), 유산염(sulfate), 염화물(chloride), 옥시초산염(oxynitate), 옥시유산염(oxysulfate), 옥시염화물(oxychloride), 수산화물, 산화물이 이용된다. 이 화합물의 구체예로서는, 퓸드 실리카(fumed silica), 초산알루미늄(aluminum nitrate), 초산철(iron nitrate) 등을 들 수 있다.

MgO 분말에 대한 이들의 화합물 배합량은, 최종적으로 얻어지는 피복 MgO 분말의 복산화물의 함유량이 MgO에 대하여, 5 ~ 50 질량%로 되도록 결정하는 것이 바람직하며, 10 ~ 20 질량%가 보다 바람직하다.

MgO 분말의 순도는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 용도에 대응하여 결정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 전자 부품의 절연 특성을 만족하기 위해서는, 순도 90 질량%이상인 것이 바람직하며, 순도 95 질량%이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명의 특성을 가지는 MgO 분말은, 공지의 방법, 예를 들면, 전융법, 소결법 등을 이용하여 제조하는 것이 가능하다.

다음으로, 이와 같이 하여 얻어진 복산화물 피복 MgO 분말에 대하여, 인 화합물에 의한 표면처리를 행하고, 그 표면에 인산마그네슘계 화합물에 의한 피복층을 형성한다.

이 표면처리에 사용하는 인 화합물로서는, 인산(phosphoric acid), 인산염(posphoric acid salt), 산성 인산에스테르(acid phosphate) 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용하여도, 2종 이상을 동시에 사용하여도 좋다. 인산염으로서는, 인산나트륨(sodium phosphate), 인산칼륨(potassium phosphate), 인산암모늄(ammonium phosphate) 등을 들 수 있다. 또한 산성 인산에스테르로서는, 예를 들면, 이소프로필애시드포스페이트(isopropyl acid phosphate; PAP), 메틸애시드포스페이트(methyl acid phosphate), 에틸애시드포스페이트(ethyl acid phosphate), 프로필애시드포스페이트(propyl acid phosphate), 부틸애시스포스페이트(butyl acid phosphate), 라우릴애시드포스페이트(lauryl acid phosphate), 스테아릴애시드포스페이트(stearyl acid phosphate), 2-에틸헥실애시드포스페이트(2-ethylhexyl acid phosphate), 올레일애시드포스페이트(oleyl acid phosphate) 등을 들 수 있다. 이 중에서도, PAP는 후술하는 표면처리 공정에 있어서 열처리시에, MgO와 반응하여 인산마그네슘계 화합물을 이루는 내수성이 우수한 피복층을 용이하게 형성하는 점, 그리고, 탄소수가 적기 때문에 소성시에 유기분의 잔류가 적다는 점에서 바람직하다.

상기의 표면처리 공정에 있어서 인 화합물의 첨가량은, 피복 MgO 분말의 표면에 생성하는 인산 마그네슘계 화합물 피복층의 내수성을 향상시킨다는 관점에서, 피복 MgO 분말에 대한 인산마그네슘계 화합물의 함유량이, 인으로 환산하여 전체의 0.1 ~ 10 질량%의 범위로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 0.2 ~ 5 질량%, 더 바람직하게는, 0.2 ~ 3 질량%이다.

본 발명의 제조 방법에 있어서 인 화합물에 의한 표면처리는, 피복 MgO 분말에 소정량의 인 화합물을 첨가하고, 예를 들면, 5 ~ 60 분간 교반후, 300℃이상의 온도에서, 0.5 ~ 5 시간 소성하는 것에 의해 실시된다. 소성 온도가 낮으면, 예를 들면 인 화합물로서 PAP를 사용한 경우에는, 유기분이 잔류하여, 인산마그네슘계 화합물에 의한 피복층이 생성하기 어렵게 된다. 또한, 소성 온도가 높으면, 얻어진 피복층의 내수성이 저하한다. 바람직하게는, 소성 온도는, 300 ~ 900℃이며, 더 바람직하게는 소성 온도는, 500 ~ 700℃이다.

이 표면처리에 있어서 소성 공정에 의해, 피복 MgO 분말의 표면에 부착한 인 화합물이, MgO 분말 표면의, 특히 복산화물 피복층이 형성되지 있지 않거나, 또는 복산화물 피복층이 매우 드물게 있는 영역의 MgO와 반응하여, 내수성이 우수한 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층으로 된다.

이 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층은, 피복 MgO 분말의 복산화물로 된 피복층의 내수성과 상승적으로 작용하여, 복산화물 피복층 단독으로 형성되는 것에 비해, MgO 분말의 내수성을 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 더욱이, 이 인 함유 피복 MgO 분말을 충진한 수지 조성물의 내수성도 비약적으로 향상하는 것이 가능하기 때문에, 각종 방열 부재를 형성하는데 있어서 비상히 유용하다.

본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

1. 인 함유 피복 MgO 분말

합성예1

결정크기(crystallite size)가 58.3×10^-9m의 단결정의 집합체인 MgO 분말(다테호 화학공업 주식회사제 KMAO-H)를, 충격식 분쇄기를 이용하여, 입자 크기 100×10^-6m이하로 분쇄했다. 퓸드 실리카(순도 99.9 질량%이상, 비표면적 200±20m²/g)을, MgO에 대하여 혼합비가 10 질량%가 되도록 습식 첨가하여, 400 ~ 500rpm으로 10분간 교반 혼합했다. 교반 혼합후, 필터링, 탈수하여 얻어진 케이크(cake)를, 건조기를 이용하여, 130℃에서 하루밤 건조했다. 건조한 케이크를 샘플 밀(sample mill)로 밀링하여, 원료인 MgO 분말과 같은 정도의 입자 크기로 조정(調整)하고, 실리카를 표면에 존재시킨 MgO 분말을 얻었다. 이 분말을, LPG와 산소의 연소에 의해 형성된 고온 화염 속에 공급하고, 용융·구상화 처리를 행하여, 포스테라이트(Mg₂SiO₄; forsterite)로 피복된 구상 피복 MgO 분말을 얻었다.

합성예2

합성예1에 있어서, 용융·구상화 처리 대신에, 공기중, 1400℃에서 1시간 소성한 후, 다시 샘플 밀로 밀링하여 원료인 MgO 분말과 같은 정도의 입자 크기로 조 정하고, 포스테라이트(Mg₂SiO₄; forsterite)로 피복한 구상 피복 MgO 분말을 얻었다.

실시예1

합성예2에서 조제한 분말을 헨셀 믹서(henschel mixer)에 넣고, PAP를 분말에 대하여 5 질량% 첨가하여, 10분간 교반 처리한 후, 500℃에서 1시간 소성하고, PAP 처리한 피복 MgO 분말을 얻었다. 이 분말의 X선 회석 패턴을 분말 X선 회절법에 의해 측정했더니, 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층의 조성은, Mg₂P₂O₇이었다. 또한, 하기에 나타낸 방법으로 내수성 시험을 실시하고, 결과를 표1에 나타냈다.

내수성 시험

먼저, 시료의 Ig-loss(A)를 측정한다. 다음으로, 시료 5g과 물 100ml를 넣은 밀폐 용기를, 소정 온도의 건조기에 소정 시간 가만히 둔(靜置) 후, 시료의 Ig-loss(B)를 측정한다. Ig-loss의 증가분(△Ig-loss = B - A)을 산출한다. 또한, 온도 및 정치 시간은, 95℃에서 120시간으로 했다.

실시예2 ~ 4

PAP의 첨가량을 다양하게 변경한 것을 제외하고는, 실시예1과 마찬가지로 하여 인 함유 피복 MgO 분말을 조제하고, 마찬가지의 내수성 시험을 실시하여 결과를 표1에 나타냈다.

실시예5 ~ 8, 비교예1

PAP 첨가후의 소성 온도를 다양하게 변경한 것을 제외하고는, 상기 실시예1 과 마찬가지로 하여 인 함유 피복 MgO 분말을 조제하고, 마찬가지의 내수성 시험을 실시하여 결과를 표1에 나타냈다.

실시예9

합성예1에서 제작한 분말을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예1과 마찬가지로 하여 PAP 처리한 구상 피복 MgO 분말을 얻고, 마찬가지로 내수성 시험을 실시하여 결과를 표1에 나타냈다.

실시예10 ~ 12

첨가한 인 화합물을, 2-에틸헥실애시트포스페이트(2-ethylhexyl acid phosphate; 성북(城北) 화학공업 주식회사제, JP508), 올레일애시드포스페이트(oleyl acid phosphate; 성북(城北) 화학공업 주식회사제, JP5180) 및 인산으로 변경한 것을 제외하고는, 실시예1과 마찬가지로 하여 피복 MgO 분말을 얻고, 마찬가지로 내수성 시험을 실시하여 결과를 표1에 나타냈다.

비교예2

합성예1에서 제작한 피복 구상 MgO 분말을, 인 화합물 처리를 하지 않고 그대로 사용하고, 실시예1과 마찬가지의 내수성 시험을 행하여, 결과를 표1에 나타냈다.

비교예3

합성예2에서 제작한 피복 구상 MgO 분말을, 인 화합물 처리를 하지 않고 그대로 사용하고, 실시예1과 마찬가지의 내수성 시험을 행하여, 결과를 표1에 나타냈다.

비교예4

결정크기(crystallite size)가 58.3×10^-9m인 단결정의 집합체인 MgO 분말(다테호 화학공업 주식회사제 KMAO-H)를, 충격식 분쇄기를 이용하여, 입자 크기 100×10^-6m이하로 분쇄했다. 이 MgO 분말을 헨셀 믹서(henschel mixer)에 넣어, PAP를 5 질량% 첨가하고, 10분간 교반 처리한 후, 500℃에서 1시간 소성하여 PAP 처리한 MgO 분말을 얻었다. 상기 실시예1과 마찬가지로 이 분말의 내수성을 평가하여, 결과를 표1에 나타냈다.

비교예5

결정크기(crystallite size)가 58.3×10^-9m인 단결정의 집합체인 MgO 분말(다테호 화학공업 주식회사제 KMAO-H)를, 충격식 분쇄기를 이용하여, 입자 크기 100×10^-6m이하로 분쇄했다. 이 MgO 분말을 헨셀 믹서(henschel mixer)에 넣어, 올레일애시드포스페이트(oleyl acid phosphate; 성북(城北) 화학공업 주식회사제, JP5180)을 1 질량% 첨가하고, 10분간 교반 혼합한 후, 120℃에서 건조하여, 올레일애시드포스페이트(oleyl acid phosphate) 처리한 MgO 분말을 얻었다. 상기 실시예1과 마찬가지로 이 분말의 내수성을 평가하여, 결과를 표1에 나타냈다.

표1

상기의 결과로부터 이하의 것이 명확하게 되었다.

1) 본 발명의 인산마그네슘계 화합물로 피복된 복산화물 MgO 분말(실시예1 ~ 12)는, 인산마그네슘계 화합물로 피복되지 않은 복산화물 MgO 분말(비교예2,3)에 비해, 내수성이 우수하며, 95℃×120 시간의 가혹한 조건에서의 내수성도 크게 향상한다.

2) PAP 처리후의 소성 온도가 300℃를 하회하면(비교예1), 내수성이 우수한 피복층이 형성되지 않고, MgO 분말의 내수성이 저하한다.

3) 복산화물층이 형성되지 않은 MgO 분말을 인 화합물로 처리한 후, 300℃이상으로 소성하여 얻어진 것(비교예4)은, 표면에 인산마그네슘계 화합물의 피복층이 형성되지만, 그 내수성은 현저히 낮다. 또한, 마찬가지로 복산화물이 형성되지 않은 MgO 분말을 인 화합물로 처리한 후, 120℃와 같은 낮은 온도에서 소성하여 얻어진 것(비교예5)은, 표면에 인산마그네슘계 화합물은 생성시키지 않고, 내수성도 낮다. 이들의 결과로부터, 피복 MgO 분말의 복산화물층과 인산마그네슘계 화합물 피복층의 상승 효과에 의해, 본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말의 좋은 내수성이 얻어지는 것이 확인되었다.

4) 표1에 나타난 본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말의 내수성 평가 시험에서의 Ig-loss 증가량의 양호한 범위는, 10 질량% 이하이며, 바람직하게는, 5 질량% 이하이다.

이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 인 함유 피복 MgO 분말은, 피복 MgO 분말을 인 화합물에 의해 표면처리한 후, 300℃이상에서 소성하는 것에 의해, 표면에 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층이 형성되기 때문에, 매우 우수한 내수 성을 가진다. 또한, 이 인 함유 피복층 MgO 분말을 수지로 충진하여 얻어지는 수지 조성물 및 그 성형체로 된 방열 부재도, 우수한 내수성을 가지고, 근년의 엄격한 내수성 조건을 극복하는 것이 가능하기 때문에, 각종 엔지니어링 플라스틱 분야 등에 있어서, 그 공업적 가치는 매우 높다.

Claims

복산화물로 된 표면 피복층을 가지는 피복 산화마그네슘 분말 표면의 적어도 일부에, 인산마그네슘계 화합물로 된 피복층을 더 가지며, 또한, 전기 피복 산화마그네슘 분말에 대한 전기 인산마그네슘계 화합물의 함유량이, 인으로 환산하여 전체의 0.1 ~ 10 질량%인 것을 특징으로 하는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말.
제 1 항에 있어서, 전기 인산마그네슘계 화합물이, MgxPyOz(x=1~3, y=2, z=6~8)로 표시되는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 전기 복산화물이, 알루미늄, 철, 규소 및 티탄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1이상의 원소와 마그네슘을 포함하는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말.
제 1 항에 기재된 인 함유 피복 산화마그네슘 분말을 수지에 함유시켜서 된 수지 조성물.
제 4 항에 있어서, 전기 수지가 열경화성 수지인, 수지 조성물.
제 5 항에 있어서, 전기 열경화성 수지가, 페놀 수지(phenolic resin), 요소 수지(urea resin), 멜라민 수지(melamine resin), 알키드 수지(alkyd resin), 폴리에스테르 수지(polyester resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 디알릴프탈레이트 수지(diallyl phthalate resin), 폴리우레탄 수지(polyurethane resin), 또는 실리콘 수지(silicone resin)인, 수지 조성물.
제 4 항에 있어서, 전기 수지가 열가소성 수지인, 수지 조성물.
제 7 항에 있어서, 전기 열가소성성 수지가, 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리아세탈 수지(polyacetal resin), 폴리카보네이트 수지(polycarbonate resin), 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지(polybutylene terephthalate resin), 폴리설폰 수지(polysulfone resin), 폴리아미드이미드 수지(polyamideimide resin), 폴리에테르이미드 수지(polyether imide resin), 폴리아릴레이트 수지(polyarylate resin), 폴리페닐렌설파이드 수지(polyphenylene sulfide resin), 폴리에테르에테르케톤 수지(polyether ether ketone resin), 불소 수지(fluoro resin), 또는 액정 폴리머(liquid crystalline polymer)인, 수지 조성물.
제 4 항 내지 제 8 항 중의 어느 한 항 기재의 수지 조성물을 이용한 방열 부재.
복산화물의 표면 피복층을 가지는 피복 산화마그네슘 분말을, 인 화합물로 처리한 후, 300℃이상에서 소성하는 것에 의해, 전기 피복 산화마그네슘 분말 표면의 적어도 일부에 인산마그네슘계 화합물을 형성하는 것을 특징으로 하는, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말의 제조 방법.
제 10 항에 있어서, 전기 인 화합물이, 인산(phosphoric acid), 인산염(phosphoric acid salt) 및 산성 인산에스테르(acid phosphate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물인, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말의 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 전기 산성 인산에스테르가, 이소프로필애시드포스페이트(isopropyl acid phosphate; PAP), 2-에틸헥실애시드포스페이트(2-ethylhexyl acid phosphate), 올레일애시드포스페이트(oleyl acid phosphate), 메틸애시드포스페이트(methyl acid phosphate), 에틸애시드포스페이트(ethyl acid phosphate), 프로필애시드포스페이트(propyl acid phosphate), 부틸애시스포스페이트(butyl acid phosphate), 라우릴애시드포스페이트(lauryl acid phosphate), 및 스테아릴애시드포스페이트(stearyl acid phosphate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1이상의 에스테르인, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말의 제조 방법.
제 10 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서, 전기 인 화합물을, 전기 피복 산화마그네슘 분말에 대한 전기 인산마그네슘계 화합물의 함유량이 인으로 환 산하여 전체의 0.1 ~ 10 질량%로 되도록 첨가한, 인 함유 피복 산화마그네슘 분말의 제조 방법.