KR100706705B1 - 섬광 결정과 이를 제조하는 방법과 이를 사용하는 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반 조성 M1-X CeXBr3의 무기 섬광체 물질에 관한 것으로, 이 화학식에서 M은 La, Gd, Y로 이루어진 그룹의 란탄족 원소 또는 란탄족 원소 혼합물, 특히 La, Gd로 이루어진 그룹의 란탄족 원소 또는 란탄족 원소 혼합물로부터 선택되고, X는 세륨과 M의 몰 치환 속도이며, X는 0.01 mol% 이상이고 엄밀하게는 100 mol% 미만이다. 본 발명은 또한 이러한 단일 결정성 섬광체 물질을 성장시키는 방법과, 산업, 의학 목적, 그리고 석유 산업에서 섬광 검출기의 하나의 구성요소로 상기 섬광 물질을 사용하는 것에 관한 것이다.

Description

섬광 결정과 이를 제조하는 방법과 이를 사용하는 방법 {SCINTILLATOR CRYSTALS, METHOD FOR MAKING SAME, USE THEREOF}
본 발명은 섬광 결정과, 섬광 결정이 얻어질 수 있도록 하는 제조 방법과, 특히 감마선 및/또는 X선 검출기에서 상기 결정을 사용하는 방법에 관한 것이다.
섬광 결정은 감마선, X선, 우주선(宇宙線) 및 에너지가 약 1 keV 이상인 입자를 위한 검출기에 널리 사용된다.
섬광 결정은 섬광 파장 범위에서 투명한 결정으로, 이는 광펄스(light pulse)를 방출해서 입사선에 반응한다.
이러한 결정, 일반적으로 단일 결정으로부터, 검출기가 포함하는 결정에 의해 방출되는 광(light)이 광 검출 수단에 결합되고, 수신된 광 펄스의 수와 광펄스의 세기에 비례하는 전기 신호를 만드는 검출기를 제조하는 것이 가능하다. 이러한 검출기는 특히 두께 또는 중량 측정을 위한 산업, 핵의학(nuclear medicine), 물리학, 화학 및 석유 시추 분야에 사용된다.
널리 사용되는 알려진 섬광체 결정의 종류(family)는 탈륨 도핑 요오드화 나트륨(Tl:NaI) 유형이다. 1948년 로버트 호프스태드터(Robert Hofstadter)에 의해 발견되고 현대 섬광체의 토대를 형성한 이 섬광 물질은 다른 물질에 대한 거의 50년의 연구에도 불구하고 이 분야에서 주요한 물질로 남아 있다. 하지만, 이러한 결정은 매우 빠르지 않는 섬광 붕괴를 가지고 있다.
또 사용된 물질은 CsI으로, 이는 용도에 따라 순수하게 사용되거나 탈륨(Ti) 또는 나트륨(Na)과 함께 사용될 수 있다.
상당한 발전을 거친 섬광체 결정의 한 가지 종류는 비스무트 게르마늄산염(BGO) 유형이다. BGO 종류의 결정은 높은 붕괴 시간 상수를 갖고, 이는 이러한 결정의 사용을 계수 비율(count rate)로 국한시킨다.
보다 최근의 섬광체 결정의 종류는 1990년대에 개발되고, 세륨 활성화 루테튬 옥시오르쏘실리케이트(lutetium oxyorthosilicate)(Ce:LSO) 유형이다. 하지만, 이러한 결정은 매우 이질적이고 매우 높은 녹는점(약 2200℃)을 갖는다.
개선된 성능을 위한 새로운 섬광 물질의 개발은 많은 연구의 주제이다.
개선하고자 하는 매개변수(parameter) 중 하나는 에너지 분해능(energy resolution)이다.
이는 대부분의 핵검출기 용도에서 우수한 에너지 분해능이 요망되기 때문이다. 핵방사선 검출기의 에너지 분해능은 매우 근접한 복사 에너지를 분리하는 능력을 실질적으로 결정한다. 이 능력은 일반적으로, 피크 중심에서 에너지에 대해, 이 검출기로부터 얻어진 에너지 스펙트럼의 해당 피크의 중간 높이에서 폭과 같은, 주어진 에너지에서 주어진 검출기에 대해 결정된다 {특히, G. F. Knoll의 "방사선 검출과 측정", John Wiley and Sons 사, 제 2판, 114 페이지 참조}. 나머지 상세한 설명에서, 수행된 모든 측정에 대해, 분해능은 137Cs의 주 감마 방출 에너지인 662keV에서 결정된다.
에너지 분해능의 값이 작을수록, 검출기의 품질은 더 좋아진다. 약 7%의 에너지 분해능은 좋은 결과가 얻어질 수 있도록 하는 것으로 간주된다. 그럼에도, 분해능의 더 작은 값은 상당히 유익하다.
예를 들어, 여러 방사성 동위원소를 분석하는데 사용되는 검출기의 경우에, 개선된 에너지 분해능은 이러한 동위원소의 개선된 식별을 가능하게 한다.
에너지 분해능의 증가는, 예를 들어 앙거(Anger) 감마 카메라 또는 양전자 방출 X선 단층 촬영기(PET)의 의학 영상 장치에서 특히 유리한데, 이는 에너지 분해능의 증가가 영상의 콘트라스트(contrast)와 품질이 크게 개선되도록 해서 보다 정확하고 더 빠른 종양 검출이 가능하기 때문이다.
매우 중요한 다른 매개변수는 섬광 붕괴 시간 상수이다. 이 매개 변수는 일반적으로 "스타트 스톱(Start Stop)" 또는 "멀티 히트(Multi-Hit)" 방법에 의해 측정된다 {W. W. Moses에 의해 기술 (Nucl. Instr and Meth. A336 (1993년) 253}.
검출기의 작동 주파수를 증가시킬 수 있도록 하기 위해서 가능한 가장 작은 붕괴 시간 상수가 요망된다. 핵의학 영상 분야에서, 이는 예를 들어 검사 길이를 크게 줄이는 것을 가능하게 한다. 그다지 높지 않은 붕괴 시간 상수는 또한 일시적인 일치를 갖는 이벤트를 검출하는 장치의 일시적인 분해가 개선될 수 있도록 한다. 이는 양전자 방출 X선 단층 촬영기(PET)에 대한 경우로, 여기서 섬광체 붕괴 시간 상수의 감소는 보다 정확성을 갖는 불일치 이벤트(noncoincident event)를 거부해서 영상이 크게 개선될 수 있도록 한다.
일반적으로, 시간 함수로 섬광 붕괴의 스펙트럼은 지수의 합으로 분해될 수 있고, 각각은 붕괴 시간 상수를 특징으로 한다.
섬광체의 품질은 기본적으로 가장 빠른 방출 성분으로부터의 기여 특성에 의해 결정된다.
표준 섬광 물질은 우수한 에너지 분해능과 빠른 붕괴 시간 상수 모두가 얻어지는 것을 허용하지 않는다.
이는 Tl:NaI과 같은 물질이 감마 여기(gamma excitation) 하에서 약 7%의 우수한 에너지 분해능을 갖지만, 약 230 ns의 높은 붕괴 시간 상수를 갖기 때문이다. 이와 유사하게, Tl:CsI와 Na:CsI는 특히 500 ns보다 큰 높은 붕괴 시간 상수를 갖는다.
매우 높지 않은 붕괴 시간 상수, 특히 약 40 ns의 값은 Ce:LSO로 얻을 수 있지만, 이 물질의 662keV에서 감마 여기 하의 에너지 분해능은 일반적으로 10%보다 크다.
최근에, 섬광 물질은 O. Guillot-Noёl 등에 의해 기재되었다 {Journal of Luminescence 85 (1999년) 21 내지 35 페이지의 "세륨 도핑된 LaCl3, LuBr3 및 LuCl3의 광학 및 섬광 특성"}. 이 논문은 0.57 mol%의 Ce이 도핑된 LaCl3; 0.021 mol%, 0.46 mol% 및 0.76 mol%의 Ce이 도핑된 LuBr3; 0.45 mol%의 Ce이 도핑된 LuCl3과 같은, 세륨 도핑 화합물의 섬광 특성을 설명한다. 이 섬광 물질은 7% 정도의 상당히 유용한 에너지 분해능과 특히 25 내지 50 ns의 상당히 낮은 빠른 섬광 성분의 붕괴 시간 상수를 갖는다. 하지만, 이 물질의 빠른 성분의 강도는 특히 MeV당 약 1000 내지 2000개의 양전자로 낮은데, 이는 이 성분이 고성능 검출기의 성분으로 사용될 수 없다는 것을 의미한다.
본 출원의 목적은, 낮은 붕괴 시간 상수, 특히 적어도 Ce:LSO의 붕괴 시간 상수와 동등한 낮은 붕괴 시간 상수 {여기서 빠른 섬광 성분의 강도는 고성능 검출기를 생산하는데 적합하고, 특히 강도는 4000 ph/MeV (MeV당 양성자수)보다 크고, 또는 심지어 8000 ph/MeV (MeV당 양성자수)보다 크다}와, 바람직한 방식으로, 우수한 에너지 분해능, 특히 적어도 Tl:NaI와 같이 큰 에너지 분해능을 가질 수 있는 물질에 관한 것이다.
본 발명에 따라, 이러한 목적은 일반 조성 M1-X CeXBr3의 무기 섬광 물질에 의해 이루어지고,
이 식에서 M은 La, Gd, Y 그룹의 란탄족 원소 또는 란탄족 원소의 혼합물, 특히 La, Gd 그룹의 란탄족 원소 또는 란탄족 원소 혼합물로부터 선택되고,
X는 세륨에 의한 M의 몰 치환도(molar level of substitution)(이후, "세륨 함량"이라 불림)이고, 이 식에서 x는 0.01 mol% 이상이고 엄밀하게는 100 mol% 미만이다.
"란탄족 원소"라는 용어는 본 발명의 기술 분야에서 표준인, 원자 번호 57번에서 71번까지의 전이 원소와, 이트륨(Y)을 나타낸다.
본 발명에 따른 무기 섬광 물질은 실질적으로 M1-X CeXBr3로 구성되고 또한 본 발명의 기술 분야에서 일반적인 불순물도 포함할 수 있다. 일반적으로, 일반적인 불순물은 원료로부터 나오고 그 함량이 특히 0.1% 미만, 또는 심지어 0.01% 미만인 불순물 및/또는 부피%가 특히 1% 미만인 원치 않는 상(想)이다.
사실, 발명자는 앞에서 정의된 M1-X CeXBr3 화합물이 두드러진 특성을 갖는다는 것을 설명하는 방법을 알았다. 이러한 물질의 섬광 방출은 강하고 빠른 성분(적어도 10000 ph/MeV의)을 갖고, 약 20 내지 40 ns의 낮은 붕괴 시간 상수를 갖는다.
본 발명에 따른 바람직한 물질은 화학식 La1-xCexBr3을 갖고, 사실상 이 물질은 662 keV에서 우수한 에너지 분해능, 특히 5% 미만, 그리고 심지어 4% 미만의 우수한 에너지 분해능을 갖는다.
일 실시예에 따라, 본 발명에 따른 섬광 물질은 662 keV에서 5% 미만의 에너지 분해능을 갖는다.
다른 실시예에 따라, 본 발명에 따른 섬광 물질은 40 ns 미만, 또는 심지어 30 ns 미만의 빠른 붕괴 시간 상수를 갖는다.
바람직한 실시예에 따라, 본 발명에 따른 섬광 물질은 662 keV에서 5% 미만의 에너지 분해능과 40 ns 미만, 또는 심지어 30 ns 미만의 빠른 붕괴 시간 상수를 모두 갖는다.
바람직한 방식으로, 세륨 함량 X는 적어도 1 mol%이고 특히 1 내지 90 mol%이고, 심지어 특히 2 mol% 이상이거나, 또는 심지어 4 mol% 이상 및/또는 바람직하게는 50 mol% 이하, 또는 심지어 30 mol% 이하이다.
다른 실시예에 따라서, 세륨 함량 X는 0.01 mol% 내지 1 mol%, 특히 적어도 0.1 mol%, 심지어 적어도 0.2 mol%이다. 바람직한 방식으로, 세륨 함량은 실질적으로 0.5 mol%이다.
일 실시예에 따라, 본 발명에 따른 섬광 물질은 높은 투명성을 가진 성분을 얻을 수 있도록 하는 단일 결정으로, 이 치수는 고 에너지를 포함해서 검출될 방사선을 효과적으로 정지(stop)시키고 검출하기에 충분하다. 이러한 단일 결정의 부피는 특히 약 10mm3, 또는 심지어 1cm3보다 크고 심지어 10cm3보다 크다.
다른 실시예에 따라, 본 발명에 따른 섬광 물질은, 예를 들어 접합제와 혼합된 분말 형태이거나 이와 달리 졸-겔(sol-gel) 형태인, 분말 또는 다결정(polycrystal)이다.
본 발명은 또한 예를 들어 진공 밀봉된 석영 앰플(evacuated sealed quartz ampoule), 특히 상업용 MBr3와 CeBr3 분말의 혼합물로부터 브리지맨 성장 방법(Bridgman growth method)에 의해 단일 결정 형태로, 앞에서 정의된 섬광 물질 M1-X CeXCl3을 얻는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 또한 특히 감마선 및/또는 X선에 의하여 방사선을 검출하기 위한 검출기의 성분으로 상기 섬광 물질을 사용하는 것에 관한 것이다.
이러한 검출기는 섬광체에 의해 발생된 광펄스의 방출에 반응하여 전기 신호를 발생하기 위하여 섬광체에 선택적으로 결합된 광검출기(photodetector)를 특히 포함한다.
검출기의 광검출기는 특히 광배율기(photomultiplier), 또는 이와 달리 광다이오드, 또는 이와 달리 CCD 센서일 수 있다.
이러한 유형의 검출기의 바람직한 사용은 감마선 또는 X선의 측정에 관한 것이다. 또한, 이러한 시스템은 알파 및 베타선과 전자를 검출할 수도 있다. 또한, 본 발명은 핵의학 장치, 특히 앙거(ANGER) 유형의 감마 카메라와 양전자 방출 단층 촬영기 스캐너에 상기 검출기를 사용하는 것에 관한 것이다 [예를 들어, C.W.E. Van Eijk의 "의학 영상을 위한 무기 섬광체", "새로운 유형의 검출기에 대한 국제 세미나 (1995, 5월 15~19일, Archamp, 프랑스) 참조. 1996년 6월 "Physica Medica" (12권, 부록 1)에 발표].
다른 변형예에 따라, 본 발명은 석유 시추를 위한 검출 장치에 상기 검출기를 사용하는 방법에 관한 것이다 {예를 들어, "광배율기 튜브, 원리 및 용도" (제 7장, 필립스)에서 "섬광 계산(count)과 분석의 적용" 참조}.
다른 상세 내용과 특징은 바람직한 비제한적인 실시예와 본 발명에 따른 단일 결정을 이루는 샘플에서 얻어진 아래 데이터로부터 나타날 것이다.
표 1은 본 발명에 따른 예(예 1 내지 5)와 비교예(예 A 내지 G)에 대한 특징적인 섬광 결과를 보여준다.
X는 원자 M으로 치환된 세륨 함량(mol% 단위)이다.
측정은 662 keV에서 감마선 여기 하에서 수행된다. 측정 조건은 앞에서 인용된 O. Guillot-Noёl에 의한 출판물에서 명시된다.
방사 강도는 MeV당 양성자로 표현된다.
방사 강도는 0.5; 3 및 10 마이크로초까지의 적분 시간의 함수로 기록된다.
빠른 섬광 성분은 나노초 단위의 붕괴 시간 상수(τ)와 섬광 강도(양성자/MeV 단위)를 특징으로 하고, 이는 섬광체에 의해 방출된 총 양성자 수에 대한 이 성분의 기여를 나타낸다.
예의 측정에서 사용된 샘플은 약 10 mm3의 작은 단일 결정이다.
표 1에서, 세륨을 포함하는 M1-xCexBr3 유형의 본 발명에 따른 화합물(예 1 내지 5)은 모두 20 내지 40 ns의 빠른 형광 성분의 매우 유리한 붕괴 시간 상수를 갖고, 이 빠른 성분의 섬광 강도는 현저하고 10000 ph/MeV보다 훨씬 더 크고, 실제, 약 40000 ph/MeV에 달한다.
모집단 X: mol% Ce3+ 방사 강도 (양성자수/MeV) 분해능 (R%) 빠른 성분
0.5μs 3μs 10μs τ(ns) 강도(양성자수/MeV)
예 1 LaBr3 0.5 63000 63000 63000 3 35 56700
예 2 LaBr3 2 48000 48000 48000 4 23 43700
예 3 LaBr3 4 48000 48000 48000 3.7 21 44200
예 4 LaBr3 10 45000 45000 45000 3.9 24 41400
예 5 GdBr3 2 28000 38000 44000 > 20 20 11400
A LaBr3 0 13000 17000 17000 15 365 11200
B LuBr3 0.46 9000 14000 18000 7.8 32 1800
C LuBr3 0.76 10000 17000 24000 6.5 32 2400
D LaF3 1 ≒440 ≒440 440 > 20 3 >100
E LaF3 10 ≒2200 ≒2200 2200 > 20 3 >300
F LaF3 50 ≒1900 ≒1900 1900 > 20 3 >200
G CeF3 100 ≒4400 ≒4400 4400 > 20 3 >200
또한, 본 발명에 따른 예(예 1 내지 4)(여기서, M = La)의 분해능, 즉 R%는 뛰어나고 3 내지 4%의 값을 가진 예기치 않은 성질을 갖는데, 이는 Tl:NaI에 대해 상당한 개선이다.
이는 알려진 브롬화 란탄족 화합물(예 A, B 및 C)이 일련의 현저한 섬광 특징을 갖지 않기 때문이다. 예를 들어, 세륨 도핑 브롬화 루테튬(lutetium bromide)(예 B 및 C)은 우수한 분해능 R%를 갖지만, 빠른 성분의 강도는 낮고, 매우 실질적으로 4000 ph/MeV 미만이다. 알려진 란탄족 플루오르화물(lanthanide fluoride)(예 D, E, F,G)에 대해, 이들은 매우 낮은 방사 강도를 갖는다.
특히 놀라운 방식에서, 발명자는 세륨을 포함한 La와 Gd 브롬화물에 대해 빠른 방사 성분 강도의 상당한 증가를 관찰했다.
본 발명에 따른 섬광 물질, 특히 일반 조성 La1-xCexBr3의 물질은, 에너지 분해능, 일시적 분해능 및 계수 비율(count rate) 모든 면에서, 검출기의 성능을 증가시키는데 특히 적합한 성능을 갖는다.
상술한 바와 같이, 본 발명은, 섬광 결정과, 섬광 결정이 얻어질 수 있도록 하는 제조 방법과, 특히 감마선 및/또는 X선 검출기에서 상기 결정을 사용하는 방법에 관한 것으로, 이러한 결정, 일반적으로 단일 결정으로부터, 검출기가 포함하는 결정에 의해 방출되는 광(light)이 광 검출 수단에 결합되고, 수신된 광 펄스의 수와 광펄스의 세기에 비례하는 전기 신호를 만드는 검출기를 제조하는 것이 가능해서, 이러한 검출기는 특히 두께 또는 중량 측정을 위한 산업, 핵의학(nuclear medicine), 물리학, 화학 및 석유 시추 분야에 사용된다.

Claims (24)

  1. 일반 조성 M1-xCexBr3의 무기 섬광 물질(inorganic scintillating material)로서,
    이 식에서 M은 La, Gd, Y 그룹의 란탄족 원소 또는 란탄족 원소의 혼합물로부터 선택되고,
    X는 세륨에 의한 M의 몰 치환도(molar level of substitution)이고, X는 0.01 mol% 이상이고 엄밀하게는 100 mol% 미만인, 섬광 물질.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 M은 란탄(La)인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  3. 제 2항에 있어서, X는 1 mol%보다 크고/크거나 90 mol% 이하인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  4. 제 3항에 있어서, X는 2 mol% ≤ X ≤ 30 mol%인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, X는 0.01 mol% ≤ X ≤ 1 mol%인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 섬광 물질은 단일 결정인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 섬광 물질은 분말 또는 다결정(polycrystal)인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  8. 제 6항에 기재된 단일 결정 섬광 물질을 성장시키는 방법으로서,
    상기 단일 결정은 예를 들어 MBr3와 CeBr3 분말의 혼합물로부터, 브리지맨 성장 방법(Bridgman growth method)에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는, 단일 결정 섬광 물질을 성장시키는 방법.
  9. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 섬광 물질을 섬광 검출기의 하나의 구성요소로 사용하는 방법.
  10. 제 9항에 기재된 섬광 검출기를 양전자 방출 단층 촬영 스캐너(positron emission tomography scanner) 또는 앙거(Anger) 유형의 감마 카메라의 구성요소로 사용하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서, M은 La, Gd 그룹의 란탄족 원소 또는 란탄족 원소의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  12. 제 3항에 있어서, X는 50 mol% 이하인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  13. 제 3항에 있어서, X는 30 mol% 이하인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  14. 제 5항에 있어서, X는 0.1 mol% 이하인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  15. 제 5항에 있어서, X는 실질적으로 0.5 mol%인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  16. 제 6항에 있어서, 상기 단일 결정은 10 mm3보다 큰 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  17. 제 6항에 있어서, 상기 단일 결정은 1 cm3보다 큰 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
  18. 제 8항에 있어서, 상기 단일 결정은 예를 들어 MCl3와 CeCl3 분말의 혼합물로부터, 진공 밀봉된 석영 앰플(evacuated sealed quartz ampoule)에서, 브리지맨 성장 방법에 의해 얻어지는 것을 특징으로 하는, 단일 결정 섬광 물질을 성장시키는 방법.
  19. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 섬광 물질을 하나의 구성요소로 포함하는 섬광 검출기.
  20. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 섬광 물질을 하나의 구성요소로 포함하는 양전자 방출 단층 촬영 스캐너(positron emission tomography scanner).
  21. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 섬광 물질을 하나의 구성요소로 포함하는 앙거(Anger) 유형의 감마 카메라.
  22. 제 19항에 있어서, 산업, 의학 분야 및/또는 석유 시추를 위한 검출에 사용하기 위한, 섬광 검출기.
  23. 제 9항에 있어서, 산업, 의학 분야 및/또는 석유 시추를 위한 검출에 사용하기 위해, 상기 섬광 물질을 섬광 검출기의 하나의 구성요소로 사용하는 방법.
  24. 제 5항에 있어서, 상기 섬광 물질은 분말 또는 다결정(polycrystal)인 것을 특징으로 하는, 섬광 물질.
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Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1014401C2 (nl) 2000-02-17 2001-09-04 Stichting Tech Wetenschapp Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal.
JP3812938B2 (ja) * 2001-03-30 2006-08-23 独立行政法人産業技術総合研究所 紫外線励起希土類付活塩化物蛍光体
TW200813014A (en) * 2002-03-28 2008-03-16 Astrazeneca Ab Quinazoline derivatives
FR2840926B1 (fr) 2002-06-12 2005-03-04 Saint Gobain Cristaux Detecteu Utilisation d'un creuset comprenant du carbone pour la croissance de cristaux comprenant un halogenure de terre rare
US7381958B2 (en) * 2002-11-12 2008-06-03 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Lanthanum halide scintillators for time-of-flight 3-D pet
FR2847594B1 (fr) 2002-11-27 2004-12-24 Saint Gobain Cristaux Detecteu Preparation de blocs d'halogenure de terre rare
FR2855830B1 (fr) * 2003-06-05 2005-07-08 Stichting Tech Wetenschapp Cristaux scintillateurs du type iodure de terre rare
US7238946B2 (en) * 2003-06-27 2007-07-03 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Nuclear imaging system using scintillation bar detectors and method for event position calculation using the same
US7129494B2 (en) 2003-09-24 2006-10-31 Radiation Monitoring Devices, Inc. Very fast doped LaBr3 scintillators and time-of-flight PET
US7329874B2 (en) 2003-09-24 2008-02-12 Radiation Monitoring Devices, Inc. Lu1-xI3:Cex-a scintillator for gamma-ray spectroscopy and time-of-flight pet
US7060982B2 (en) * 2003-09-24 2006-06-13 Hokushin Corporation Fluoride single crystal for detecting radiation, scintillator and radiation detector using the single crystal, and method for detecting radiation
US7576329B2 (en) * 2003-10-17 2009-08-18 General Electric Company Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture
US7084403B2 (en) 2003-10-17 2006-08-01 General Electric Company Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture
FR2869115B1 (fr) * 2004-04-14 2006-05-26 Saint Gobain Cristaux Detecteu Materiau scintillateur a base de terre rare a bruit de fond nucleaire reduit
US7282713B2 (en) * 2004-06-10 2007-10-16 General Electric Company Compositions and methods for scintillator arrays
JP4389689B2 (ja) * 2004-06-18 2009-12-24 日立化成工業株式会社 無機シンチレータ及びその製造方法
US7141794B2 (en) * 2004-06-28 2006-11-28 General Electric Company Scintillator compositions, related processes, and articles of manufacture
US7405404B1 (en) * 2004-09-23 2008-07-29 Radiation Monitoring Devices, Inc. CeBr3 scintillator
US7202477B2 (en) * 2005-03-04 2007-04-10 General Electric Company Scintillator compositions of cerium halides, and related articles and processes
US7700003B2 (en) 2005-03-30 2010-04-20 General Electric Company Composition, article, and method
CN1327043C (zh) * 2005-04-12 2007-07-18 北京工物科技有限责任公司 掺铈氯化镧闪烁晶体的制备方法
US7608174B1 (en) 2005-04-22 2009-10-27 Sandia Corporation Apparatus and method for electroforming high aspect ratio micro-parts
US7335891B2 (en) 2005-06-27 2008-02-26 General Electric Company Gamma and neutron radiation detector
EP1764631A1 (en) * 2005-09-16 2007-03-21 Stichting Voor De Technische Wetenschappen High light yield fast scintillator
EA012938B1 (ru) * 2005-09-16 2010-02-26 Стихтинг Вор Де Технише Ветенсхаппен Быстрый сцинтиллятор с высоким световым выходом
US7365333B1 (en) * 2006-05-26 2008-04-29 Radiation Monitoring Devices, Inc. LuxY(1−x)Xa3 scintillators
US7541589B2 (en) 2006-06-30 2009-06-02 General Electric Company Scintillator compositions based on lanthanide halides, and related methods and articles
US20080011953A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 General Electric Company Scintillator composition, article, and associated method
JP5103879B2 (ja) * 2006-09-20 2012-12-19 日立化成工業株式会社 シンチレータ用結晶及び放射線検出器
CN100422111C (zh) * 2006-11-29 2008-10-01 中国原子能科学研究院 Gd2O2S:Pr,Ce,F陶瓷闪烁体制备方法
US20080131348A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 General Electric Company Scintillation compositions and method of manufacture thereof
US20080131347A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-05 General Electric Company Scintillation compositions and method of manufacture thereof
US7442938B2 (en) * 2007-01-16 2008-10-28 General Electric Company X-ray detector fabrication methods and apparatus therefrom
US7625502B2 (en) 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7863572B1 (en) 2007-07-17 2011-01-04 Sandia Corporation Fracture-resistant lanthanide scintillators
JP2009025308A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Siemens Ag 放射線検出器モジュール、放射線検出器および画像化用断層撮影装置
US7767975B2 (en) * 2007-12-04 2010-08-03 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Ionizing radiation detector
FR2929296B1 (fr) 2008-03-31 2011-01-21 Saint Gobain Cristaux Detecteurs Recuit de monocristaux
US7999220B2 (en) * 2008-05-30 2011-08-16 Precision Energy Services, Inc. Borehole measurements using a fast and high energy resolution gamma ray detector assembly
JP5759374B2 (ja) * 2008-08-07 2015-08-05 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光物質及びそれを用いた放射線検出方法
US9638807B2 (en) 2008-08-07 2017-05-02 Koninklijke Philips N.V. Scintillating material and related spectral filter
US20100224798A1 (en) * 2008-09-11 2010-09-09 Stichting Voor De Technische Wetenschappen Scintillator based on lanthanum iodide and lanthanum bromide
US20100092363A1 (en) * 2008-09-15 2010-04-15 Graeve Olivia A Combustion synthesis method and materials produced therefrom
US8987670B2 (en) 2008-10-09 2015-03-24 Schlumberger Technology Corporation Thermally-protected scintillation detector
CN101723433B (zh) * 2008-10-16 2011-05-18 郝佳 溴化镧铈闪烁晶体
US8173953B2 (en) * 2008-11-10 2012-05-08 Schlumberger Technology Corporation Gain stabilization of gamma-ray scintillation detector
US8546749B2 (en) * 2008-11-10 2013-10-01 Schlumberger Technology Corporation Intrinsic radioactivity in a scintillator as count rate reference
US8536517B2 (en) * 2008-11-10 2013-09-17 Schlumberger Technology Corporation Scintillator based radiation detection
WO2010132489A2 (en) * 2009-05-15 2010-11-18 Schlumberger Canada Limited Scintillator crystal materials, scintillators and radiation detectors
US8431885B2 (en) 2010-05-19 2013-04-30 Schlumberger Technology Corporation Gamma-ray detectors for downhole applications
DE102009028842A1 (de) * 2009-08-24 2011-03-31 Schott Ag Szintillationsmaterial in einkristalliner, polykristalliner oder keramischer Form
DE102009048859A1 (de) * 2009-10-09 2011-04-14 Schott Ag Verfahren zur Herstellung von besonders festem kristallinem Szintillationsmaterial, ein mit diesem Verfahren erhaltener Kristall, sowie dessen Verwendung
US20110084233A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Johann-Christoph Von Saldern Scintillation materials in single crystal or polycrystalline form with improved properties, especially light yield and strain birefringence
US20110085957A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Johann-Christoph Von Saldern Process for producing scintillation materials of low strain birefringence and high refractive index uniformity
US8673179B2 (en) * 2009-10-09 2014-03-18 Hellma Materials Gmbh Scintillation materials of low oxygen content and process for producing same
DE102009045518A1 (de) * 2009-10-09 2011-04-14 Schott Ag Szintillationsmaterialien mit verbesserten Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung derselben
CN101701154B (zh) * 2009-11-03 2012-11-28 上海新漫传感技术研究发展有限公司 溴化稀土闪烁材料及溴化稀土闪烁晶体的制备方法
US8884233B2 (en) * 2009-11-05 2014-11-11 Lawrence Livermore National Security, Llc. Gamma ray spectroscopy employing divalent europium-doped alkaline earth halides and digital readout for accurate histogramming
FR2954760B1 (fr) 2009-12-28 2013-12-27 Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillateur en halogenure de terre rare cristallin a face sensible polie
RU2426694C1 (ru) * 2010-02-15 2011-08-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Сцинтилляционные Технологии Радиационного Контроля" Неорганический сцинтилляционный материал, кристаллический сцинтиллятор и детектор излучения
KR101276732B1 (ko) * 2010-07-20 2013-06-20 경북대학교 산학협력단 방사선 센서용 섬광체, 및 그 제조 및 응용 방법
WO2012021519A2 (en) * 2010-08-10 2012-02-16 Northwestern University Methods and compositions for the detection of x-ray and gamma-ray radiation
WO2012066425A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
EP2718398A4 (en) * 2011-06-06 2014-12-03 Saint Gobain Ceramics SCINTILLATION CRYSTAL COMPRISING RARE EARTH HALIDE AND RADIATION DETECTION SYSTEM COMPRISING SCINTILLATION CRYSTAL
FR2978251B1 (fr) 2011-07-19 2014-04-18 Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs Detecteur a scintillateur conique
EP3623450B1 (en) * 2011-09-22 2023-04-26 Saint-Gobain Cristaux & Detecteurs Apparatus comprising a scintillator
CN102501446A (zh) * 2011-10-31 2012-06-20 清华大学 一种掺钕溴化镧单晶闪烁体及其制备方法
US20140117242A1 (en) 2012-10-28 2014-05-01 Pieter Dorenbos Scintillation crystal including a rare earth halide, and a radiation detection apparatus including the scintillation crystal
US11098248B2 (en) * 2013-01-21 2021-08-24 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Passivation of metal halide scintillators
US10087367B2 (en) * 2013-01-21 2018-10-02 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Passivation of metal halide scintillators
US11597877B2 (en) 2013-01-21 2023-03-07 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Passivation of metal halide scintillators
US9334444B1 (en) 2014-02-11 2016-05-10 Sandia Corporation Sorohalide scintillators, phosphors, and uses thereof
FR3022555B1 (fr) 2014-06-23 2017-12-22 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Materiau luminescent a couche photonique texturee
CN104158529A (zh) * 2014-08-08 2014-11-19 孙宗远 一种通过感应x光进而控制电路工作状态的装置及其控制方法
CN104157320B (zh) * 2014-08-22 2016-09-21 平生医疗科技(昆山)有限公司 一种闪烁体面板及其制造方法
WO2017030624A1 (en) 2015-06-03 2017-02-23 Northwestern University Chalco-phosphate-based hard radiation detectors
KR101733025B1 (ko) 2015-06-16 2017-05-08 경북대학교 산학협력단 섬광체 및 이의 제조 방법
KR20180107216A (ko) 2016-03-04 2018-10-01 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 모터사이클의 롤 각도를 결정하는 방법
US10479934B1 (en) 2016-08-17 2019-11-19 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Stabilized scintillator
RU2646407C1 (ru) 2017-06-02 2018-03-05 Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков и способ его получения
US11940577B1 (en) 2017-10-19 2024-03-26 Radiation Monitoring Devices, Inc. Wide bandgap semiconductor radiation detectors
CN109988577B (zh) * 2017-12-27 2020-12-25 有研稀土新材料股份有限公司 稀土卤化物闪烁材料及其应用
EP3737732B1 (fr) 2018-01-11 2022-06-01 Stichting voor de Technische Wetenschappen Matériau scintillateur comprenant un halogémure d'alcalino-terreuxcristallin dopé par un activateur et co-dopé par sm2+
US11242484B2 (en) 2018-06-29 2022-02-08 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Luminescent material including a rare earth halide and an apparatus including such material
CN110644047A (zh) * 2019-09-16 2020-01-03 中国科学院福建物质结构研究所 一种掺杂卤化铈磁光晶体、生长方法及其应用
CN110982527B (zh) 2019-11-01 2021-12-14 有研稀土新材料股份有限公司 稀土卤化物闪烁材料
FR3114104A1 (fr) 2020-09-15 2022-03-18 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Matériau scintillateur comprenant une pérovskite d’halogénure dopée
CN116875309A (zh) * 2023-06-28 2023-10-13 上海应用技术大学 一种高能射线探测用闪烁发光材料及其制备方法与用途

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4761347A (en) 1984-07-09 1988-08-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
US5015860A (en) 1990-04-03 1991-05-14 University Of California Scintillator materials containing lanthanum fluorides

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1014401B (de) 1953-12-09 1957-08-22 Jean Mercier Auslassventil fuer einen Druckspeicher
US4839090A (en) * 1971-09-13 1989-06-13 Harshaw/Filtrol Extrusion of macrocrystal scientillation phosphors
US3959442A (en) * 1974-03-07 1976-05-25 Hughes Aircraft Company Preparing single crystals of Li(Ho,Y,Er,Tm,Dy)F4 in HF atmosphere
US3978337A (en) * 1975-01-29 1976-08-31 Wisconsin Alumni Research Foundation Three-dimensional time-of-flight gamma camera system
US4251315A (en) * 1976-11-19 1981-02-17 Hughes Aircraft Company Method of growing metal halide and chalcogenide crystals for use as infrared windows
FR2447558A1 (fr) * 1979-01-26 1980-08-22 Commissariat Energie Atomique Dispositif de visualisation d'un corps par detection du rayonnement d'un traceur contenu dans ce corps
FR2508179B1 (fr) 1981-06-23 1985-11-15 Commissariat Energie Atomique Materiau pour scintillateurs, application a la realisation de detecteurs tres rapides de photons de grande energie et a la realisation de tomographes
US4559597A (en) 1982-07-07 1985-12-17 Clayton Foundation For Research Three-dimensional time-of-flight positron emission camera system
US4563582A (en) 1984-05-24 1986-01-07 Clayton Foundation For Research Positron emission tomography camera
JPS6121183A (ja) * 1984-07-09 1986-01-29 Fuji Photo Film Co Ltd 螢光体およびその製造法
JPS6121180A (ja) * 1984-07-09 1986-01-29 Fuji Photo Film Co Ltd 放射線像変換方法およびその方法に用いられる放射線像変換パネル
SU1273779A1 (ru) * 1984-08-09 1986-11-30 Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им.А.Н.Севченко Эталон дл определени квантового выхода и поверки чувствительности люминесцентных приборов
US4647779A (en) * 1985-05-13 1987-03-03 Clayton Foundation For Research Multiple layer positron emission tomography camera
US4768156A (en) * 1986-05-06 1988-08-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Imaging system
US4833327A (en) * 1987-04-29 1989-05-23 Hiram Hart High-resolution radioisotopic imaging system
US4864140A (en) 1987-08-31 1989-09-05 The University Of Michigan Coincidence detection system for positron emission tomography
US5159195A (en) 1987-11-09 1992-10-27 The University Of Michigan Position microscopy
US5134293A (en) * 1988-07-12 1992-07-28 Universities Research Association, Inc. Scintillator material
US5025151A (en) * 1988-10-06 1991-06-18 Schlumberger Technology Corporation Lutetium orthosilicate single crystal scintillator detector
US4980552A (en) 1989-06-20 1990-12-25 The Regents Of The University Of California High resolution PET scanner using rotating ring array of enlarged detectors having successively offset collimation apertures
US5015880A (en) * 1989-10-10 1991-05-14 International Business Machines Corporation CMOS driver circuit
FI84941C (fi) 1989-12-20 1992-02-10 Rautaruukki Oy AVSTAONDSMAETNINGSFOERFARANDE OCH -ANORDNING. SIIRRETTY PAEIVAEMAEAERAE-FOERSKJUTET DATUM PL 14 ç 16.01.90
US5039858A (en) * 1990-01-31 1991-08-13 Anderson David F Divalent fluoride doped cerium fluoride scintillator
FR2659453B1 (fr) * 1990-03-12 1992-05-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif pour la visualisation de desintegrations de positons.
JPH03285898A (ja) 1990-04-02 1991-12-17 Nikko Kyodo Co Ltd フッ化イットリウムリチウム系単結晶の製造方法
US5168540A (en) * 1990-09-12 1992-12-01 Advanced Technology Materials Inc. Scintillating articles and method of making the same
US5213712A (en) 1992-02-10 1993-05-25 General Electric Company Lanthanum lutetium oxide phosphor with cerium luminescence
US5453623A (en) * 1992-05-13 1995-09-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Positron emission tomography camera with quadrant-sharing photomultipliers and cross-coupled scintillating crystals
US5272343A (en) 1992-07-27 1993-12-21 General Electric Company Sorter for coincidence timing calibration in a PET scanner
JPH06135715A (ja) 1992-10-28 1994-05-17 Mitsubishi Materials Corp 高純度希土類ハロゲン化物の製造方法
US5272344A (en) * 1992-11-10 1993-12-21 General Electric Company Automated coincidence timing calibration for a pet scanner
US5665971A (en) 1993-04-12 1997-09-09 Massachusetts Institute Of Technology Radiation detection and tomography
JPH06347555A (ja) 1993-06-10 1994-12-22 Hamamatsu Photonics Kk ポジトロンイメージング装置
US5478498A (en) 1993-12-03 1995-12-26 Tosoh Corporation Disordered fluorite-type photochemical hole burning crystal containing SM2+ as active ions
US5892227A (en) * 1994-09-29 1999-04-06 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Radiation detection system and processes for preparing the same
US5786600A (en) * 1995-12-19 1998-07-28 Eastman Kodak Company (Barium hafnate:Ti, Ce, Pb) phosphors phosphor screens and phosphor preparation methods
US6236050B1 (en) 1996-02-02 2001-05-22 TüMER TüMAY O. Method and apparatus for radiation detection
US6448560B1 (en) 1996-02-02 2002-09-10 Tumay O. Tumer Method and apparatus for gamma ray detection
US5821541A (en) 1996-02-02 1998-10-13 Tuemer; Tuemay O. Method and apparatus for radiation detection
US5882547A (en) * 1996-08-16 1999-03-16 General Electric Company X-ray scintillators and devices incorporating them
US5869836A (en) * 1996-09-20 1999-02-09 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Scintillation detector with sleeved crystal boot
US5911824A (en) * 1997-12-16 1999-06-15 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Method for growing crystal
US5841140A (en) 1997-01-08 1998-11-24 Smv America, Inc. Gamma camera for pet and spect studies
US6278832B1 (en) * 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6362479B1 (en) * 1998-03-25 2002-03-26 Cti Pet Systems, Inc. Scintillation detector array for encoding the energy, position, and time coordinates of gamma ray interactions
US6624420B1 (en) * 1999-02-18 2003-09-23 University Of Central Florida Lutetium yttrium orthosilicate single crystal scintillator detector
US6699406B2 (en) * 1999-03-19 2004-03-02 Rutgers, The State University Rare earth doped host materials
US6323489B1 (en) 1999-06-04 2001-11-27 Regents Of The University Of California Single crystal scinitillator
FR2799194B1 (fr) 1999-10-05 2001-12-14 Corning Sa Billes d'un fluorure d'alcalin ou d'alcalino-terreux polycristallin, leur preparation et leur utilisation pour preparer des monocristaux
NL1014401C2 (nl) 2000-02-17 2001-09-04 Stichting Tech Wetenschapp Ceriumhoudend anorganisch scintillatormateriaal.
US6437336B1 (en) 2000-08-15 2002-08-20 Crismatec Scintillator crystals and their applications and manufacturing process
US6828397B2 (en) 2000-11-07 2004-12-07 Symyx Technologies, Inc. Methods of copolymerizing ethylene and isobutylene and polymers made thereby
US6585913B2 (en) 2001-07-30 2003-07-01 General Electric Company Scintillator compositions of alkali and rare-earth tungstates
US6624422B2 (en) * 2001-09-25 2003-09-23 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Method for dynamic stabilization of PET detector gains
AU2003294205A1 (en) * 2002-05-10 2004-04-23 Eastern Virginia Medical School Prostate cancer biomarkers
US7022303B2 (en) 2002-05-13 2006-04-04 Rutgers, The State University Single-crystal-like materials
FR2840926B1 (fr) * 2002-06-12 2005-03-04 Saint Gobain Cristaux Detecteu Utilisation d'un creuset comprenant du carbone pour la croissance de cristaux comprenant un halogenure de terre rare
FR2847594B1 (fr) * 2002-11-27 2004-12-24 Saint Gobain Cristaux Detecteu Preparation de blocs d'halogenure de terre rare
US7129494B2 (en) * 2003-09-24 2006-10-31 Radiation Monitoring Devices, Inc. Very fast doped LaBr3 scintillators and time-of-flight PET
US7084403B2 (en) * 2003-10-17 2006-08-01 General Electric Company Scintillator compositions, and related processes and articles of manufacture
AU2005242724A1 (en) * 2004-05-11 2005-11-24 Baylor College Of Medicine Method to predict prostate cancer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4761347A (en) 1984-07-09 1988-08-02 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
US5015860A (en) 1990-04-03 1991-05-14 University Of California Scintillator materials containing lanthanum fluorides

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