KR100588252B1 - 초음파 세척 모듈 - Google Patents

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KR100588252B1
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유밍 청
착통앨버트 스제
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에이에스엠 어쌤블리 오토메이션 리미티드
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Abstract

본 발명은 초음파 세척 모듈 및 단일화된 전자 패키지(singulated electronic package) 세척 방법을 제공한다. 본 발명의 모듈은, 다수의 절단 리세스들(cutting recesses)이 형성된 표면을 갖는 절단 척(cutting chuck)으로서, 절단 장치로 하여금 다수의 전자 패키지를 갖는 상기 절단 척의 표면상에 장착된 기판으로부터 개개의 전자 패키지들을 분리할 수 있게 하는, 상기 절단 척을 포함한다. 맥동기 노즐이 패키지를 향해 유체를 방출할 수 있도록 맥동기 노즐은 척 및 분리된 전자 패키지 위에 지지되어 있다. 초음파 생성기는 노즐과 연계되어, 패키지들의 세척을 향상시키기 위해 노즐을 통해 지나가는 유체를 초음파로 활성(energizing)시키도록 적응된다.
초음파, 반도체, 척(chuck), 맥동기(pulsator), 기판.

Description

초음파 세척 모듈{Ultrasonic cleaning module}
도 1은 기판을 유지시키기 위한 진공 절단 척의 평면도.
도 2는 3개의 패널을 포함하는 기판이 진공 절단 척 위에 장착된 진공 절단 척을 도시하는 평면도.
도 3은 단일화된 기판의 가압수 노즐(pressurised water nozzle) 세척 및 공기-건조를 사용하는 종래 기술의 세척 장치의 단면도.
도 4는 기판이 세척 유체의 용기 내에 잠겨있는 종래 기술의 세척 장치의 단면도.
도 5는 진공 척 상에 유지된 단일화된 기판을 세척하기 위해 원심 세척을 사용하는 종래 기술의 세척 장치의 등각도.
도 6은 본 발명의 양호한 실시예에 따라 단일화된 기판을 세척하기 위한 초음파 세척 모듈을 예시하는 개략도.
도 7은 사용시의 단일화된 기판을 세척하기 위한 초음파 세척 모듈의 등각도.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※
1: 단일화된 기판 2: 수용 트레이(nesting tray)
3: 다공성 재료 4: 상부 에어 노즐
5: 하부 에어 노즐 6: 상부 물 세정 노즐
7: 하부 물 세정 노즐 8: 커버
9: 캐리어(carrier) 10: 초음파 변환기(ultrasonic transducer)
본 발명은 패키지 상에 분출되는 세척 유체(cleaning fluid)를 사용하여 단일화된(singulated) 반도체 또는 전자 패키지를 세척하는 것에 관한 것이다.
대부분의 반도체 제조 기술에서, 반도체 칩 스케일 패키지(CSP; Chip Scale Package)와 같은 다수의 개개의 전자 패키지가 단일 기판 상에 형성된다. 이들 개개의 패키지는 사용전에 단일화 또는 분리되어야 한다. 기판 단일화의 한 가지 방법은 기판이 절단 척 상에 장착되어 있을 때 절단 톱(dicing saw)을 사용하여 기판을 자르는 것이다. 각각의 기판은 전형적으로 집적 회로 소자들의 어레이이거나 또는 패널이라 불리는 다중 어레이의 섹션(section)들 중의 어느 하나로 구성된다. 이들 패널은 기판의 길이를 따라 균등하게 이격된 3개 내지 5개의 그룹으로 배치될 수 있다. 절단 공정은 다른 세척, 세정(rinsing) 및 건조 공정을 수행할 필요가 있는, 절단된 어레이들 또는 단일화된 전자 패키지를 만든다. 상기 공정은 이들 단일화된 패키지의 상대 위치 및 방향을 유지해야 하고, 조립 라인에 따른 이후의 처리 중에 취급상의 곤란을 겪지 않도록 패키지들이 기울어져 겹쳐지지 않게 해야 한다.
단일화된 기판의 세척 및 건조의 한 가지 방법은 가압수 노즐과 공기 송풍기(air blower)를 사용하는 것이며, 이 때 단일화된 기판은 유지 네스트(holding nest) 상에 장착되고 다공성 재료로 커버된다. 그러나, 이러한 가압-세정 노즐에 의한 세척은 습도 제어에 문제가 있어, 단일화된 기판의 건조 시간을 길어지게 하고, 장치의 회로에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 세정을 실시하기 위해 가압된 챔버 내의 제 위치에 기판을 유지하기 위한 공구의 제조 및 복잡한 디자인을 필요로 한다. 다른 방법은 초음파 탱크를 사용하는 것이며, 여기서 단일화된 기판이 수용 구조물 상에 장착되고 초음파 세척액으로 커버되고 세척액 내에 잠긴다. 그러나, 상기 초음파 탱크의 설정이 복잡하고, 통상적으로 보다 긴 처리 시간과 더 긴 건조 시간이 걸리고, 초음파 세척액의 오염도 관리에 어려움을 겪는다. 또한, 이러한 종래의 초음파 탱크의 구동 주파수가 와이어-본딩된 전자 장치를 세정하는데는 적절하지 않을 수 있다. 제 3의 방법은 원심 세척을 사용하는 것이다. 단일화된 기판은 진공에 의해 캐리어 상에 유지된다. 그 다음에, 캐리어가 빠르게 회전하고, 기판은 가압수 노즐에 의해 세정된 다음에, 회전 운동에 의해 건조된다. 그러나, 물과 잔존물(debris)이 단일화된 기판의 갭을 통해 확산되어 캐리어의 진공 작용력으로 인해 기판 아래에 포집될 수 있다. 결국에 단일화된 기판의 표면들 상에 물자국과 오염부가 형성된다.
세척 공정 전체에 대해 사이클 시간을 단축하고 단일화된 기판을 미크론 이하의 레벨로 세척하는 개선된 공정이 필요하다.
본 발명의 목적은 종래기술의 문제점들을 해소하기 위해 다수의 전자 패키지를 세척하는 방법 및 개선된 모듈을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 제 1 특징에 따르면, 다수의 절단 리세스들(cutting recesses)이 형성된 표면을 갖는 절단 척으로서, 절단 장치로 하여금 다수의 전자 패키지를 갖는 상기 절단 척의 표면상에 장착된 기판으로부터 개개의 전자 패키지들을 분리할 수 있게 하는, 상기 절단 척과; 상기 절단 척과 상기 분리된 전자 패키지들 위에 지지되어 있는 맥동기 노즐로서, 유체를 상기 분리된 전자 패키지들을 향해 방출할 수 있도록 하는, 상기 맥동기 노즐과; 상기 노즐을 통해 지나가는 유체를 초음파로 활성하도록(energize) 적응된, 노즐과 연계되어 있는 초음파 생성기를 포함하는 초음파 세척 모듈이 제공된다.
본 발명의 제 2 특징에 따르면, 척의 표면 상에 전자 패키지들의 기판을 배치하는 단계와; 상기 기판을 상기 척의 표면에 유지하는 단계와; 상기 기판과 상기 패키지들을 상기 척에 유지하면서 상기 기판을 개개의 전자 패키지들로 분리하는 단계와; 이후에 맥동기 노즐을 통해 상기 분리된 전자 패키지들상으로 유체 스트림을 보내고, 노즐을 통해 지나가는 유체에 초음파 에너지를 공급하기 위해 초음파 생성기를 작동시키는 단계를 포함하는, 다수의 전자 패키지를 갖는 공통 기판으로부터 전자 패키지들을 형성하고 상기 전자 패키지들을 세척하는 방법이 제공된다.
본 발명의 일 실시예를 예시하는 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 하기에 설명한다. 도면 및 이에 관련한 설명의 세부 사항은 청구범위에 의해 제한된 본 발명을 넓게 인식하는 일반성을 대체하는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1을 참조하면, 기판을 유지하기 위한 진공 절단 척(13)의 평면도가 도시되어 있다. 절단 척(13)은, 절단 톱(도시되지 않음)으로 하여금 다수의 전자 패키지를 갖는 기판을 단일화하도록 하는 패터닝된 절단 리세스(22)의 열과 행들을 포함한다. 이들 절단 리세스(22)의 배치는 단일화되지 않은 기판(28) 내의 전자 패키지들의 배치에 따라 설계된다. 절단 척(13)에는, 분리 후에 개개의 패키지(1)들을 척(13) 상에 유지하도록 분리될 각각의 전자 패키지의 위치들에 위치된 진공 구멍(27; vacuum hole)들이 형성되어 있다.
도 2는 3개의 패널을 포함하는 기판이 진공 절단 척 위에 장착된 진공 절단 척을 도시하는 평면도를 도시한다.
도 3은 전자 패키지의 단일화된 기판(1)의 가압수 노즐 세척 및 공기-건조를 사용하는 종래 기술의 세척 장치의 단면도를 도시한다. 단일화된 기판(1)은 수용 트레이(2) 상에 장착되어 있고 다공성 재료(3)로 커버되어 있다. 상부 물 세정 노즐(6)과 하부 물 세정 노즐(7)은 단일화된 기판(1) 상에 가압수를 분무하고, 이후에 상부 에어 노즐(4)과 하부 에어 노즐(5)이 기판에 송풍하여 건조한다. 그러나, 송풍-건조 공정은 안개(mist)를 형성하여, 결국에 주위의 습도를 증가시키고 단일화된 기판(1)의 건조 시간에 영향을 미친다. 수용 트레이(2)는 단일화된 기판(1)을 유지하기 위해 격벽(partition)들을 사용하는 수용 디자인(nesting design)을 갖는다. 3개의 격벽이 기판(1)을 유지(holding)하지만, 물을 분무하는 것을 방해할 수 있어, 기판(1)이 격벽들에 의해 부분적으로 커버되어 세정이 잘 이루어지지 않게 된다.
도 4는 단일화된 기판(1)이 세척액을 담고 있는 초음파 세척 탱크(11) 내에 잠겨있는 종래 기술의 세척 장치의 단면도를 도시한다. 단일화된 기판(1)은 캐리어(9) 상에 장착되어 있고 커버(8)로 덮혀 있고, 초음파 세척액(12)을 갖는 초음파 탱크(11) 내측의 초음파 변환기(10) 상에 배치된다. 이렇게 탱크 내에 잠기게 하는 것은 불충분하며, 취급 절차 및 탱크 내측의 잔여물 또는 오염물 미립자들 때문에 작업 및 유지보수에 많은 시간이 걸리며, 깨끗한 탈이온화 수(deionized water)의 양호한 순환이 필요하다. 이러한 기술은 이러한 탱크를 위한 대부분의 구동 초음파 주파수들이 전자 장치의 본딩 와이어의 공진 주파수에 근접한 레벨인 약 40 kHz이기 때문에 적절하지 않을 수도 있으며, 기판(1) 내의 와이어-본딩된 전자 장치에 영향을 미칠 수 있다.
도 5는 진공 척 상에 유지된 단일화된 기판(1)을 세척하기 위해 원심 세척을 사용하는 종래 기술의 세척 장치의 등각도를 도시한다. 단일화된 기판(1)은 원심 테이블(30; centrifugal table) 상에 장착되는 캐리어(29) 상에 장착된다. 가압수 노즐(6)은 캐리어(29) 상에 진공에 의해 유지되어 있는 단일화된 기판(1)을 세정하기 위해 물 분사(water jet)를 만든다. 이후에, 원심 테이블(30)이 기판(1)을 건조시키기 위해 특정한 방향(31)으로 회전한다. 그러나, 상기 세정 및 회전 단계는 단일화된 기판(1)에 오염부 및 물자국을 만든다. 원심 회전(31)과 진공에 의해 단일화된 기판(1)을 유지하는 것이 조합된 결과, 물과 잔여물이 단일화된 기판(1)의 갭(22)들을 통해 확산하기 위한 구동력이 제공되며, 이는 표면 오염을 일으킨다.
도 6은 본 발명에 따른 단일화된 기판(1)을 세척하기 위한 초음파 세척 모듈을 예시하는 개략도이며, 도 7은 사용시의 단일화된 기판을 세척하기 위한 초음파 세척 모듈의 등각도이다. 기판(28, 1)은 다수의 전자 패키지를 갖는다. 절단 척(13)은 전자 패키지의 분리 전후에 기판(28, 1)을 잡아준다. 절단 척(13)은 절단 톱과 같은 절단 장치가 척(13)의 표면 상의 기판(28)으로부터 개개의 전자 장치를 분리할 수 있도록 형성된 다수의 절단 리세스를 갖는다. 척(13)의 표면은 바람직하게는 항정전기(anti-static) 고무 재료와 같은 탄성 재료로 만들어지며, 이는 기판(28)이 척의 표면에 순응(conformation)하고 척(13)에 대한 기판(28)의 유지 효율을 향상시킨다. 또한, 이러한 탄성체 재료는 단일화된 기판(1)이 척(13)으로부터 이동됨에 따라 기판이 척(13)의 표면을 따라 슬라이딩할 때, 척(13)의 표면과 전자 패키지들 간의 마찰(rubbing) 운동에 의해 전자 패키지의 마찰 세척을 촉진한다.
기판으로부터 전자 패키지를 분리한 이후, 단일화된 기판(1)의 개개의 전자 패키지는 진공 수단을 통한 진공에 의한 흡입(suction)에 의해 절단 척(13) 상에 계속 유지된다. 진공 수단은 기판(28)으로부터 전자 패키지들을 분리하기 전에 전자 패키지들의 전체 기판을 잡아주고, 기판(28)의 개개의 전자 패키지로의 분리 이후에 척(13)의 개개의 패키지들을 잡아주도록 사용되는 절단 척(13) 내에 위치되는 진공 구멍을 포함할 수 있다.
맥동기 노즐(14)은, 이 맥동기 노즐(14)이 패키지들을 향해 활성된 유체(energized fluid)를 방출할 수 있도록, 척 및 단일화된 기판(1)의 분리된 전자 패키지들 위에 지지되어 있다. 초음파 생성기(17)는 맥동기 노즐(14)과 연계되어, 맥동기 노즐(14)을 통과하는 유체 흐름(fluid flow)이 초음파 생성기(17)에 의해 활성되도록(energized) 한다. 컴퓨터(21)에 접속된 초음파 생성기(17)는 유체가 노즐을 통해 지나갈 때 유체 스트림을 활성시킬 수 있는 초음파 주파수에서 작동한다. 유체는 탈이온화수(24,25)일 수 있다. 탈이온화수 밸브(20)에 전원이 들어오고 탈이온화수(24,25)가 맥동기 노즐(14)(예를 들어 혼다 일렉트로닉스 사의 W-357P-50 맥동기 노즐)을 통해 지나가며, 상기 노즐은 절단 척(13) 위에서 전후 방향으로 이동하면서 단일화된 기판(1)에 탈이온화수를 보낸다.
노즐은 소정의 각도, 바람직하게는 수직에 대해 30도 이하의 각도로 경사지고, 단일화된 기판(1) 위에 바람직하게는 5 내지 20 mm 높이(16)에서 유지된다. 유량 센서(19; flow sensor) 및 디지털 유량계(18; digital flow transmitter)는 유체 흐름의 속도를 검출하는 작용을 한다. 유체 흐름의 속도는 바람직하게는 3.5 L/min 이상이다. 그러므로, 유량 센서(19)와 디지털 유량계(18)는, 초음파 생성기(17)를 트리거하기 위한 신호를 개시하기 전에, 바람직하게는 3.5 L/min의 최소 유량을 검출하도록 프로그래밍된다. 탈이온화수(24,25)는 수백 kHz 정도의 주파수를 발생하는 초음파 생성기(17)에 의해 맥동기 노즐(14)을 통해 흐른다. 바람직하게는, 생성된 초음파 에너지의 주파수는 약 400 kHz이고, 이는 전자 장치의 본딩 와이어의 전형적인 공진 주파수와는 거리가 있다. 초음파 에너지는 맥동기 노즐(14)로부터 나오는 탈이온화수(24,25)의 층류 스트림(laminar stream) 내의 물 분자들에 전달되며, 이들은 초음파 에너지를 갖게 된다. 단일화된 기판(1)이 흐르는 매체의 경로 아래에 놓이게 되면, 미크론 이하 내지 미크론 사이즈의 입자들의 제거에 대한 높은 수준의 세척이 이루어지게 되어, 기판 단일화 단계 중에 형성된 먼지 입자들을 제거하게 된다.
세척 공정 이후에, 탈이온화수 공급부가 정지된다. 에어 나이프(air knife) 또는 에어 노즐 형태일 수 있는 공기 건조기(15)가 절단 척(13)과 단일화된 기판(1) 바로 위의 소정의 위치에서 전후로 이동하여 기판(1)의 표면 상에 남아 있는 물을 불어내거나 또는 배수하기 위해 단일화된 기판(1)에 공기를 보낸다.
본원에 설명된 본 발명은 특정하게 설명된 것 이외의 것으로 변형, 수정 및/또는 부가할 수 있고, 본 발명은 상술한 상세한 설명의 진의 및 범위 내에 있는 이러한 모든 변형, 수정 및/또는 부가를 포함한다.
본 발명에 의해 세척 공정 전체에 대해 사이클 시간을 단축하고 단일화된 기판을 미크론 이하의 레벨로 세척하는 개선된 공정이 제공된다.

Claims (25)

  1. 다수의 절단 리세스들(cutting recesses)이 형성된 표면을 갖는 절단 척으로서, 절단 장치로 하여금 상기 절단 척의 표면상에 장착되어 다수의 전자 패키지를 갖는 기판으로부터 개개의 전자 패키지들을 분리할 수 있게 하는, 상기 절단 척과;
    상기 절단 척과 상기 분리된 전자 패키지들 위에 지지되어 있는 맥동기 노즐로서, 유체를 상기 분리된 전자 패키지들상으로 보내도록 하는, 상기 맥동기 노즐과;
    상기 노즐과 연계되어 상기 노즐을 통해 지나가는 유체를 초음파로 활성하도록(energize) 적응된 초음파 생성기를 포함하고, 그에 따라 상기 개개의 전자 패키지들이 상기 절단 척상에 장착된 상태로 분리된 후, 상기 초음파로 활성된 유체가 상기 전자 패키지들상으로 보내져 상기 전자 패키지들을 세척하는, 초음파 세척 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 절단 척 바로 위에서 앞뒤로 이동하도록 지지되며, 전자 패키지들 상에 남아 있는 유체를 배출하도록 상기 분리된 전자 패키지들에 공기를 보내도록 적응된 공기 건조기를 더 포함하는, 초음파 세척 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 공기 건조기는 에어 나이프(air knife)와 에어 노즐로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 초음파 세척 모듈.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 맥동기 노즐은 수직에 대해 30도(degree) 보다 작은 각도로 경사진, 초음파 세척 모듈.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 맥동기 노즐은 상기 분리된 전자 패키지들 위에 5 내지 20 mm의 높이에서 지지되어 있는, 초음파 세척 모듈.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 맥동기 노즐을 통과하는 유속은 적어도 3.5 L/min 의 속도로 생성되는, 초음파 세척 모듈.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 유체는 탈이온화수인, 초음파 세척 모듈.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 초음파 생성기에 의해 생성되는 초음파 에너지의 주파수는 수백 kHz 인, 초음파 세척 모듈.
  9. 제 8 항에 있어서, 생성되는 초음파 에너지의 주파수는 약 400 kHz인, 초음파 세척 모듈.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 절단 척의 표면은 상기 기판의 유지(holding) 및 세척을 향상시키기 위해 탄성 재료로 이루어지는, 초음파 세척 모듈.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 절단 척과 연계하여 진공 흡입(vacuum suction)에 의해 상기 전자 패키지들을 상기 절단 척에 유지하기 위한 진공 수단을 더 포함하는, 초음파 세척 모듈.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 진공 수단은, 상기 전자 패키지들의 분리 전에 전자 패키지의 전체 기판을 유지하고, 이후 상기 기판을 개개의 전자 패키지들로 분리한 후 상기 절단 척 상의 개개의 패키지들 유지하도록 적응된 상기 절단 척에 위치하는 진공 구멍들을 포함하는, 초음파 세척 모듈.
  13. 다수의 전자 패키지를 갖는 공통 기판으로부터 전자 패키지들을 형성하고 상기 전자 패키지들을 세척하는 방법에 있어서:
    척의 표면 상에 전자 패키지들의 기판을 배치하는 단계와;
    상기 기판을 상기 척의 표면에 유지하는 단계와;
    상기 기판과 상기 패키지들을 상기 척에 유지하면서 상기 기판을 개개의 전자 패키지들로 분리하는 단계와;
    이후에 상기 분리된 전자 패키지들상으로 맥동기 노즐을 통해 유체 스트림을 보내고, 노즐을 통해 지나가는 유체에 초음파 에너지를 공급하기 위해 초음파 생성기를 작동시키는 단계를 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 전자 패키지들 상에 남아있는 유체를 배출하기 위해 상기 척과 상기 전자 패키지들 상에 공기를 흐르게 하는 단계를 더 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 척과 상기 전자 패키지 상에 공기를 흐르게 하는 상기 단계는 에어 나이프와 에어 노즐로 이루어진 그룹으로부터 선택된 장치에 의한 것인, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 맥동기 노즐을 수직에 대해 30도 이하의 각도로 설정하는 단계를 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  17. 제 13 항에 있어서, 상기 분리된 전자 패키지들 위의 5 내지 20mm의 높이에서 상기 맥동기 노즐을 지지하는 단계를 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 맥동기 노즐을 통과하는 유체 흐름을 적어도 3.5 L/min 의 속도로 생성하는 단계를 더 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 유체는 탈이온화수인, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  20. 제 13 항에 있어서, 상기 초음파 에너지의 주파수를 수백 kHz 로 생성하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 생성되는 초음파 에너지의 주파수는 약 400 kHz인, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  22. 제 13 항에 있어서, 상기 기판 분리 단계는 개개의 절단 패키지들을 형성하기 위해 상기 척 상에 유지된 상기 기판을 절단하는 단계를 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 기판과 상기 개개의 전자 패키지들의 진공 흡착(vacuum holding)에 의해 상기 기판과 상기 분리된 전자 패키지들을 상기 척에 유지하는 단계를 더 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  24. 제 13 항에 있어서, 상기 기판을 마찰 세척(frictionally clean)하도록 상기 기판을 상기 척으로부터 제거하는 동안 상기 척의 표면을 따라 상기 기판을 슬라이딩시키는 단계를 더 포함하는, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 척 표면은 탄성 재료로 이루어진, 전자 패키지 형성 및 세척 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004069435A2 (en) * 2003-02-04 2004-08-19 Forward Technology A Crest Group Company Ultrasonic cleaning tank
US8978673B2 (en) * 2007-08-09 2015-03-17 Asm Assembly Automation Ltd Megasonic cleaning system
KR100873333B1 (ko) * 2007-11-21 2008-12-10 세메스 주식회사 처리 유체 공급 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2013169474A (ja) * 2012-02-17 2013-09-02 Mitsubishi Electric Corp 異物除去方法、異物除去装置
JP6321912B2 (ja) * 2013-03-29 2018-05-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法
CN103456605B (zh) * 2013-09-24 2016-02-10 深圳市凯尔迪光电科技有限公司 全自动半导体封装微尘清洗设备
CN106733906B (zh) * 2016-11-30 2024-04-09 武汉大学深圳研究院 一种用于清洗太阳能电池板污垢的超声波清洗装置
US20190363018A1 (en) * 2018-05-24 2019-11-28 Semiconductor Components Industries, Llc Die cleaning systems and related methods
JP2020134289A (ja) * 2019-02-19 2020-08-31 キオクシア株式会社 半導体装置の検査方法及び検査装置
CN111889446A (zh) * 2020-06-29 2020-11-06 中国电子科技集团公司第十三研究所 元器件水溶胶清洗机

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3369418B2 (ja) * 1996-11-25 2003-01-20 大日本スクリーン製造株式会社 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
US5803797A (en) * 1996-11-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck
JPH1154471A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP2944598B2 (ja) * 1997-11-21 1999-09-06 株式会社プレテック 洗浄装置および精密基板を洗浄する方法
JP4388640B2 (ja) 1999-09-10 2009-12-24 株式会社ディスコ Ｃｓｐ基板保持部材及び該ｃｓｐ基板保持部材が載置されるｃｓｐ基板用テーブル
US6730176B2 (en) * 2001-07-09 2004-05-04 Birol Kuyel Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus
US6746022B2 (en) * 2001-12-26 2004-06-08 Asm Assembly Automation Ltd. Chuck for holding a workpiece

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