KR100553395B1 - 니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법 - Google Patents

니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100553395B1
KR100553395B1 KR1019980036076A KR19980036076A KR100553395B1 KR 100553395 B1 KR100553395 B1 KR 100553395B1 KR 1019980036076 A KR1019980036076 A KR 1019980036076A KR 19980036076 A KR19980036076 A KR 19980036076A KR 100553395 B1 KR100553395 B1 KR 100553395B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nickel
powder
ultrafine
multilayer ceramic
ceramic capacitor
Prior art date
Application number
KR1019980036076A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19990029455A (ko
Inventor
히데시 가타야마
간 사이토
슈에쓰 오가사와라
다카오 하마다
Original Assignee
가와테쓰 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가와테쓰 고교 가부시키가이샤 filed Critical 가와테쓰 고교 가부시키가이샤
Publication of KR19990029455A publication Critical patent/KR19990029455A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100553395B1 publication Critical patent/KR100553395B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • H01G4/0085Fried electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054Nanosized particles
    • B22F1/0553Complex form nanoparticles, e.g. prism, pyramid, octahedron
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/28Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from gaseous metal compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/0433Nickel- or cobalt-based alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49883Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014All metal or with adjacent metals having metal particles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
니켈 초미세 구형분말
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
제조공정에 있어서의 균열이나 박리가 발생하기 어렵고, 내부전극을 박층화할 수가 있으며, 저저항인 예컨대, 적층 세라믹 콘덴서전극재료로서 최적의, 니켈 초미세 구형분말을 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
니켈 초미세 구형분말은, 염화니켈증기의 기상수소환원법에 의해서 제조하고, 평균입자지름이 0.1 ~ 1.0㎛이며, 또한 유황함유율을 0.02 ~ 1.0%로 함으로써 구형상화하며, 뛰어난 특성을 발휘한다.
4. 발명의 중요한 용도
적층 세라믹 콘덴서의 내부전극이나 2차전지, 연료전지 그 밖의 전극등에 이용되는 니켈 초미세 구형분말에 사용됨.

Description

니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법{ULTRAFINE NICKEL POWDER AND METHOD THEREOF}
본 발명은, 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극이나 2차전지, 연료전지 그 밖의 전극등에 이용되는 니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법에 관한 것이다.
니켈 초미세 구형분말은, 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극, 수소니켈 2차전지의 다공성전극, 연료의 산화반응을 전기화학적으로 행하게 함으로써 전기에너지를 취출하는 연료전지의 중공다공질(中空多孔質)전극, 기타 여러가지의 전기부품의 전극 등을 형성하는 재료로서 주목받고 있다.
이하 주로 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극의 예를 들어 설명한다.
적층 세라믹 콘덴서는, 산화티타늄, 티타늄산 바륨, 복합 펠로부스카이트(perovskite)등의 세라믹 유전체와, 금속의 내부전극을 교대로 층형상으로 겹쳐 압착하고, 이것을 소성(燒成)하여 일체화한 것이다. 적층 세라믹 콘덴서는 근년 전자부품으로서 급속히 성장하고 있다. 또한 전자기기의 고성능화에 따라, 적층 세라믹 콘덴서는 소형화, 고용량화가 촉진되어, 내부전극은 박층화되고 있다. 이 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극으로서 종래는 팔라듐이 사용되고 있었으나, 근년 비교적 염가로 신뢰성이 높은 니켈의 사용비율이 증가하고 있다.
일본국 특개평 제 1-136910 호 공보에는, 순도 99%이상, 입자지름 0.1 ~ 0.3 ㎛의 니켈분말을 습식법으로 제조하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 실제로 페이스트를 시험적으로 제작하여 전자부품의 전극에 사용한다는 기재는 없다. 본 발명자등의 조사에서는, 종래의 습식법에 의한 니켈분말을 페이스트적층 세라믹 콘덴서의 전극으로 하는 경우, 소성시에 부피변화가 크고, 디라미네이션(delamination)이나 균열의 발생이 다발하기 쉬운 것이 판명하였다. 이것은 니켈분말의 제조온도가 예컨대 100℃ 미만의 저온이기 때문에, 결정이 크게 성장하지 않고, 미세한 1차 입자의 집합체로 되어 있고, 과소결이 발생하기 쉽고, 혹은 소성시에 부피변화가 큰 것에 기인하는 것으로 생각된다.
또한, 일본국 특개소 제 64-80007 호 공보에는, 평균입자지름 1.0㎛, 순도 99.9%의 니켈분말을 이용한 자기콘덴서용 전극페이스트가 개시되어 있다. 이 전극 페이스트는, 소성시의 균열이나 박리를 방지하는 것을 목적으로 하고, 페이스트에 탄화물분말을 첨가하는 것이 나타내어져 있다. 그렇지만, 균열이나 박리의 발생 등에 미치는 니켈분말자체의 특성의 영향에 있어서는 하등 표시되어 있지 않다.
적층 세라믹 콘덴서의 제조에 있어서는, 소성시에 균열이나 박리가 발생하는 것을 방지하고, 또한 내부전극을 박층화하고, 소형화, 고용량화하는 것이 중요한 기술이다. 그래서, 균열이나 박리가 발생하기 어렵고, 저저항(低抵抗)인 전극재료로서의 니켈분말의 개발이 요청되고 있었다.
본 발명은, 이러한 종래 기술의 문제점을 감안하여, 개선된 니켈 초미세 구형분말 및 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 적층 세라믹 콘덴서제조공정에 있어서의 균열이나 박리가 발생하기 어렵고, 내부전극을 박층화할 수가 있고, 저저항인 전극재료로서의 니켈 초미세 구형분말 및 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
본 발명은, 다음 기술수단을 강구하는 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말이다.
즉, 본 발명은, 평균입자지름이 0.1 ~ 1.0㎛이고, 또한 유황함유율이 0.02~1.0%인 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말이다. 또한, 상기 니켈 초미세 구형분말은 염화니켈증기의 기상수소환원법(氣相水素還元法)에 의해서 제조된 것이 적합하다. 이 니켈 초미세 구형분말은, 니켈수소전지의 다공성전극이나 연료전지의 중공 다공질전극등에도 이용할 수 있지만, 특히 적층 세라믹 콘덴서용전극으로서 균열이나 박리가 발생하기 어렵고, 박층, 저저항인 특성을 이용하는 용도에 적합하다.
본 발명의 수치한정이유에 관해서 설명한다. 니켈 초미세 구형분말의 평균입자지름을 0.1~1.0㎛으로 한 것은, 이것을 페이스트화하여 절연층필름에 인쇄하여 충분히 박층으로 꽉찬 내부전극을 형성하기 위해 필요한 입자지름을 확보하기 위해서이다. 평균입자지름이 0.1㎛ 미만에서는, 적층 세라믹 콘덴서 소성시에 니켈층이 과소결에 의해 수축하고, 내부전극이 포러스(다공형상)인 것이 되어 전기저항이 높아지며, 또는 디라미네이션이나 균열을 발생하기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 1.0㎛를 넘으면, 적층 세라믹 콘덴서의 내부의 전극층의 박층화가 곤란한 뿐만 아니라, 전극층의 표면의 요철이 커져 균열의 원인이 되므로 한정된다. 더욱 바람직하게는 0.2~0.6㎛이다. 또, 평균입자지름은 전자현미경사진을 화상해석하여 구한 개수(個數)기준의 입자도 분포에 있어서 50% 입자지름(d50)이다.
적층 세라믹 콘덴서용의 니켈 초미세 구형분말은, 입자의 크기와 함께, 입자형상이 구형상인 것이 필요하다. 구형상입자는, 적층 세라믹 콘덴서의 제조공정에 있어서, 니켈 초미세 구형분말의 충전밀도가 높은 박층의 내부전극을 용이하게 형성할 수가 있으며, 균열이나 박리를 발생시키지 않는다는 바람직한 특성을 발휘한다. 이 니켈 초미세 구형분말입자가 구형상을 나타내도록 하기 위해서, 본 발명자등이 주의를 기울여 연구를 진행시킨 결과, 유황의 함유율이 결정적인 작용을 미치게 한다고 하는 새로운 발견을 하였다. 유황함유율이 0.02중량% 미만이거나, 1.0중량%을 넘어서 함유하고 있으며, 각형(육면체, 팔면체등)인 형상의 입자가 많아져서 좋지 않다. 유황함유율이 0.02중량%~1.0중량%의 범위내의 니켈 초미세 구형분말은, 우수한 구형상을 나타낸다. 따라서, 유황함유율을 이 범위에 적정화하는 제어에 의해서 구형상인 니켈 초미세 구형분말을 제조할 수가 있다.
또한, 상기 평균입자지름과 유황함유율을 갖는 니켈 초미세 구형분말은, 기상반응에 의해서, 유황성분량을 제어하면서 용이하게 제조할 수가 있어 바람직하다. 이러한 염화니켈증기의 기상수소환원방법은, 증발도가니를 갖는 증발부와, 이 증발부에서 불활성가스로 반송된 염화니켈증기와 공급된 수소가스를 소정의 온도로 접촉시키는 반응부와, 반응부로부터의 발생니켈분말을 포함하는 반응가스를 간접냉각하는 냉각부를, 연속배치한 반응기를 이용하여 실현할 수가 있다.
니켈 초미세 구형분말을 구형상화하는 구체적인 수단은, 유황 및 유황화합물의 한쪽 또는 양쪽을, 염화니켈증기에 수반시키는 방법이나 불활성가스 또는 수소가스에 수반시키는 방법에 의해서 실현할 수가 있다.
이러한 방법에 의해서 제조한 니켈 초미세 구형분말은 구형상화될 뿐만 아니라, 부수하여 니켈 초미세 구형분말의 입자지름이 갖추어져서, 입자지름분포가 날카롭게 된다고 하는 양호한 효과를 가져옴과 동시에, 개개의 니켈 초미세 구형분말은, 다수의 보다 미소한 니켈 초미세 구형분말의 응집체 또는 소결체가 아니라, 단일입자를 형성한다는 양호한 결과를 가져온다.
본 발명자 등이 여러 가지 니켈분말에 관해서 적층 세라믹 콘덴서의 제조실험을 한 결과, 적층 세라믹 콘덴서제조공정에서 균열이나 박리가 발생하기 어렵고, 내부전극을 박층화할 수 있고, 낮은 저항인 전극재료로서 요구되는 특성은 평균입자지름과 입자형상이었다.
우선, 평균입자지름으로서는, 0.1∼1.0㎛의 범위로 한정된다. 평균입자 지름이 0.1㎛ 미만에서는, 적층 세라믹 콘덴서 소성시에 니켈층이 과소결에 의해 수축하고, 내부전극이 다공성인 것이 되어 전기저항이 높아지며, 혹은 디라미네이션이나 균열을 발생하기 때문에 바람직하지 않다. 한편, 1.0㎛을 넘으면, 적층 세라믹콘덴서의 내부의 전극층의 박층화가 곤란할 뿐만 아니라, 전극층의 표면의 요철이 커져 균열의 원인이 된다.
입자형상으로서는, 형상이 구형상일수록 좋은 결과를 가져온다. 그리고, 니켈 초미세 분말의 구형상화는 니켈 초미세 분말에 함유되는 유황함유율로 제어할 수가 있는 것이 분명해졌다. 이것은 유황의 작용에 의해 니켈 초미세 분말의 표면의 형상이 거의 같이 성장하기 때문이다.
이상과 같이, 평균입자지름 0.1∼1.0㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.02∼1.0%로 함으로써, 니켈 초미세 분말을 구형상화할 수가 있다. 이하, 실시예를 들어, 전자현미경사진으로 나타낸다.
(실시예-A)
평균입자지름이 0.1㎛ 근방에서 유황함유율을 여러 가지 변화시켜 현미경으로 관찰한 결과 다음과 같았다.
실시예 1 : 평균입자지름 0.11㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.021wt%로 한 경우, 도 1에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다.
실시예 2 : 평균입자지름 0.10㎛인 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 1.0wt%로 한 경우, 도 2에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다.
비교예 1 : 평균입자지름 0.12㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.012wt%로 한 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 각형(육면체, 팔면체등)의 형상을 나타내는 입자가 증가한다.
비교예 2 : 평균입자지름 0.11㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 1.4wt%로 한 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 각형(육면체, 팔면체 등)의 형상을 나타내는 입자가 증가한다.
(실시예-B)
평균입자지름이 0.4 미크론근방에서 유황함유율을 여러가지 변화시켜, 현미경으로 관찰한 바 다음과 같았다.
실시예 3 : 평균입자 0.40㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.020wt%로 한 경우, 도 5에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다.
실시예 4 : 평균입자지름 0.42㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.99wt%로 한 경우, 도 6에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다.
비교예 3 : 평균입자지름 0.44㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.011wt%로 한 경우, 도 7에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 각형(육면체, 팔면체 등)의 형상을 나타내는 입자가 증가한다.
비교예 4 : 평균입자지름 0.41㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 1.5wt%로 한 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 각형(육면체, 팔면체 등)의 형상을 나타내는 입자가 증가한다.
(실시예-C)
평균입자지름이 1.0 미크론근방에서 유황함유율을 여러 가지 변화시켜, 현미경으로 관찰한 바 다음과 같았다.
실시예 5 : 평균입자지름 1.0㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.019wt%로 한 경우, 도 9에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다.
실시예 6 : 평균입자지름 0.99㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 1.0wt%로 한 경우, 도 10에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다.
비교예 5 : 평균입자지름 0.98㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 0.010wt%로 한 경우, 도 11에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 각형(육면체, 팔면체 등)의 형상을 나타내는 입자가 증가한다.
비교예 6 : 평균입자지름 1.1㎛의 니켈 초미세 분말의 유황함유율을 1.3wt%로 한 경우, 도 12에 나타내는 바와 같이, 니켈 초미세 분말은 각형(육면체, 팔면체 등)의 형상을 나타내는 입자가 증가한다.
이상의 결과를 정리하여 표1에 나타내었다.
이와 같이, 니켈 초미세 분말중의 유황함유율이 0.02∼1.0%의 경우에 니켈 초미세 분말은 양호한 구형상이 된다. 니켈 초미세 분말이 구형상이 되는 것은, 니켈입자의 표면이 거의 균등하게 성장하기 때문이라고 여겨지며, 유황함유율을 알맞은 범위로 제어함으로써 니켈 초미세 분말의 구형상화를 달성할 수가 있다.
실시예 1∼6, 비교예 1∼6로 얻어진 각각의 니켈분의 페이스트를 이용하여 적층 세라믹스 콘덴서를 제작하여, 소성시의 디라미네이션 발생의 유무를 조사하였다. 또, 니켈 초미세 구형분말의 페이스트는, 유전체의 두께가 약 3㎛인 그린시트상에 두께가 2㎛이 되도록 인쇄하였다. 전극과 유전체층을 교대로 200층 겹쳐 쌓아 압착한 뒤 절단하여, 건조, 탈(脫)바인더후, 1200℃인 수소질소 혼합가스속에서 소성하였다. 얻어진 적층 콘덴서의 크기는, 세로 3.2×가로1.6×두께 1.6㎜이었다.
얻어진 적층 세라믹 콘덴서의 균열이나 디라미네이션의 유무를 30개에 대하여 조사한 결과를 표1에 함께 나타내었다. 표1 중, 균열, 디라미네이션 발생율의 표시는 다음과 같다.
◎ : 1% 이하인 것
○ : 1%가 넘고 10% 이하인 것
× : 10%가 넘고 50% 이하인 것
×× : 50%을 넘는 것
실시예에 나타낸 바와 같이 본 발명의 특성을 만족하는 니켈분말을 이용한 경우에는 균열이나 디라미네이션은 낮고, 내부전극을 박층화할 수 있었다. 한편, 비교예에서는 본 발명의 특성중 무엇인가가 만족하지 않기 때문에 균열이나 디라미네이션이 다수 발생하고 있다.
이상의 설명에서는, 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극으로서 이용되는 니켈 초미세 구형분말을 주체로 설명하였지만, 본 발명의 니켈 초미세 구형분말은, 이 용도에 한정되지는 않으며, 2차전지, 연료전지 그 밖의 전극재료로서 이용할 수 있는 것이다.
본 발명에 의하면, 뛰어난 입자형상을 갖는 니켈 초미세 구형분말이 제공되고, 각종 용도로 이용할 수 있으며, 특히 적층 세라믹 콘덴서의 내부전극의 박층화, 저저항화, 및 소성시의 디라미네이션이나 균열의 발생을 저하시킬 수 있다고 하는 현저한 효과를 나타낸다.
도 1 은 배율 40000배인 실시예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 2 는 배율 40000배인 실시예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 3 은 배율 40000배인 비교예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 4 는 배율 40000배인 비교예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 5 는 배율 10000배인 실시예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 6 은 배율 10000배인 실시예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 7 은 배율 10000배인 비교예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 8 은 배율 10000배인 비교예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 9 는 배율 4000배인 실시예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 10 은 배율 4000배인 실시예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 11 은 배율 4000배인 비교예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.
도 12 는 배율 4000배인 비교예의 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 초미세 구형분말의 현미경 사진이다.

Claims (8)

  1. 평균입자지름이 0.1 내지 1.0㎛ 이며, 또한 유황함유율이 0.02 내지 1.0wt% 인 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말.
  2. 제 1 항에 기재의 초미세 분말은 염화니켈증기의 기상수소환원법에 의해서 제조된 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 니켈 초미세 구형분말이 적층 세라믹 콘덴서용에 사용되는 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 니켈 초미세 구형분말이 적층 세라믹 콘덴서용에 사용되는 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말.
  5. 제 1 항에 있어서, 평균입자지름이 0.1 내지 1.0㎛ 대신에 0.2 내지 0.6㎛인 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말.
  6. 제 5 항에 기재의 초미세 분말은 염화니켈증기의 기상수소환원법에 의해서 제조된 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말의 제조방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 니켈 초미세 구형분말이 적층 세라믹 콘덴서용에 사용되는 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말.
  8. 제 6 항에 의해 제조된 상기 니켈 초미세 구형분말이 적층 세라믹 콘덴서용에 사용되는 것을 특징으로 하는 니켈 초미세 구형분말.
KR1019980036076A 1997-09-05 1998-09-02 니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법 KR100553395B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25623497A JP3640511B2 (ja) 1997-09-05 1997-09-05 ニッケル超微粉
JP256234 1997-09-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990029455A KR19990029455A (ko) 1999-04-26
KR100553395B1 true KR100553395B1 (ko) 2006-05-25

Family

ID=17289803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980036076A KR100553395B1 (ko) 1997-09-05 1998-09-02 니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (3) US6402803B1 (ko)
EP (1) EP0900611B1 (ko)
JP (1) JP3640511B2 (ko)
KR (1) KR100553395B1 (ko)
CA (1) CA2246574C (ko)
DE (1) DE69802758T2 (ko)
TW (1) TW527242B (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3640511B2 (ja) * 1997-09-05 2005-04-20 Jfeミネラル株式会社 ニッケル超微粉
WO2000003823A1 (fr) * 1998-07-15 2000-01-27 Toho Titanium Co., Ltd. Poudre de metal
US6391084B1 (en) 1998-07-27 2002-05-21 Toho Titanium Co., Ltd. Metal nickel powder
KR100422719B1 (ko) 1999-08-31 2004-03-12 도호 티타늄 가부시키가이샤 적층 세라믹 콘덴서용 니켈 분말
CA2359347A1 (en) * 2001-10-18 2003-04-18 Cesur Celik Laminated ceramic capacitor internal electrode material
JP4546050B2 (ja) * 2003-06-16 2010-09-15 Jfeミネラル株式会社 ニッケル合金粉末の製造方法
JP4528959B2 (ja) * 2003-12-12 2010-08-25 国立大学法人 名古屋工業大学 磁性材料及びその製造方法
CA2570216C (en) * 2004-06-16 2012-10-23 Toho Titanium Co., Ltd. Nickel powder and production method therefor
US7344584B2 (en) * 2004-09-03 2008-03-18 Inco Limited Process for producing metal powders
JP4839854B2 (ja) * 2006-01-20 2011-12-21 堺化学工業株式会社 ニッケル微粒子の製造方法
CA2663438C (en) * 2006-10-02 2013-08-06 Shoei Chemical Inc. Nickel-rhenium alloy powder and conductor paste containing the same
JP5327442B2 (ja) * 2006-10-02 2013-10-30 昭栄化学工業株式会社 ニッケル−レニウム合金粉末及びそれを含有する導体ペースト
JP4807581B2 (ja) 2007-03-12 2011-11-02 昭栄化学工業株式会社 ニッケル粉末、その製造方法、導体ペーストおよびそれを用いた積層セラミック電子部品
JP4829923B2 (ja) * 2008-04-28 2011-12-07 Jfeミネラル株式会社 ニッケル合金粉末
JP4844589B2 (ja) * 2008-05-08 2011-12-28 住友金属鉱山株式会社 焼結性に優れたニッケル粉末
EP2392021A2 (en) * 2009-02-02 2011-12-07 Space Charge, LLC Capacitors using preformed dielectric
US8518146B2 (en) 2009-06-29 2013-08-27 Gb Group Holdings Limited Metal reduction processes, metallurgical processes and products and apparatus
JP5768322B2 (ja) * 2010-03-19 2015-08-26 住友金属鉱山株式会社 ニッケル微粉及びその製造方法
JP2011252194A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Murata Mfg Co Ltd 金属粉末とその製造方法および金属粉末を用いた導電性ペーストとそれを用いた積層セラミック電子部品
JP6083295B2 (ja) * 2013-03-29 2017-02-22 住友金属鉱山株式会社 ニッケル粉末の製造方法
CN106457379B (zh) * 2014-04-08 2020-12-08 东邦钛株式会社 镍粉
JP2017025400A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 住友金属鉱山株式会社 積層セラミックコンデンサ用ニッケル粉末および導電ペースト
JP6573563B2 (ja) * 2016-03-18 2019-09-11 住友金属鉱山株式会社 ニッケル粉末、ニッケル粉末の製造方法、およびニッケル粉末を用いた内部電極ペーストならびに電子部品
CN109909510A (zh) * 2019-04-01 2019-06-21 江苏双宇镍业高科有限公司 高纯度高均匀性的超细镍粉的制备装置及其制备工艺

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758266A (en) * 1986-08-11 1988-07-19 Amax Inc. Production of high surface area nickel powder

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1198005A (en) * 1946-04-04 1985-12-17 Leonard B. Pfeil Method for the production of nickel powder
GB1453026A (en) * 1972-08-16 1976-10-20 Crysus Lancashire Ltd Crystallising of solutions of salts
IT967833B (it) * 1972-09-25 1974-03-11 Montedison Spa Procedimento per preparare polveri di nichel submicroniche aventi for ma sferoidale
JPS6480007A (en) 1987-09-19 1989-03-24 Taiyo Yuden Kk Electrode paste for ceramic capacitor
JPH01136910A (ja) 1987-11-20 1989-05-30 Nisshin Steel Co Ltd 粒状微細金属粉末の製造方法
JPH0445207A (ja) 1990-06-12 1992-02-14 Kawasaki Steel Corp 球状ニッケル微粒の製造方法
US5853451A (en) * 1990-06-12 1998-12-29 Kawasaki Steel Corporation Ultrafine spherical nickel powder for use as an electrode of laminated ceramic capacitors
US5584908A (en) 1994-11-14 1996-12-17 Sherritt Inc. Micron-sized nickel metal powder and a process for the preparation thereof
JPH10102105A (ja) * 1996-09-25 1998-04-21 Taiheiyo Kinzoku Kk 金属微粉末の製造方法
DE69735130T2 (de) * 1996-12-02 2006-08-31 Toho Titanium Co., Ltd., Chigasaki Verfahren und vorrichtung zur herstellung von metallpulvern
JP3640511B2 (ja) * 1997-09-05 2005-04-20 Jfeミネラル株式会社 ニッケル超微粉
JPH11189801A (ja) * 1997-12-25 1999-07-13 Kawatetsu Mining Co Ltd ニッケル超微粉
US6391084B1 (en) * 1998-07-27 2002-05-21 Toho Titanium Co., Ltd. Metal nickel powder

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4758266A (en) * 1986-08-11 1988-07-19 Amax Inc. Production of high surface area nickel powder

Also Published As

Publication number Publication date
US20030196516A1 (en) 2003-10-23
KR19990029455A (ko) 1999-04-26
US6402803B1 (en) 2002-06-11
JPH1180817A (ja) 1999-03-26
JP3640511B2 (ja) 2005-04-20
CA2246574C (en) 2007-06-26
US20020035891A1 (en) 2002-03-28
DE69802758D1 (de) 2002-01-17
CA2246574A1 (en) 1999-03-05
DE69802758T2 (de) 2002-05-23
TW527242B (en) 2003-04-11
EP0900611A3 (en) 1999-12-15
US6596052B2 (en) 2003-07-22
EP0900611A2 (en) 1999-03-10
US6881377B2 (en) 2005-04-19
EP0900611B1 (en) 2001-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100553395B1 (ko) 니켈 초미세 구형분말 및 그 제조방법
CN103155062B (zh) 陶瓷电容器和制造方法
KR101773719B1 (ko) 2 차 전지용 실리콘계 활물질 입자 및 이의 제조 방법
KR20010087238A (ko) 페로브스카이트 구조를 갖는 산화물과 티탄산바륨, 그리고그 제조 방법 및 이를 이용한 유전체 세라믹과 세라믹전자 부품
CA2256982C (en) Nickel ultrafine powder
KR101151118B1 (ko) 티탄산바륨 분말, 니켈 페이스트, 제법 및 적층 세라믹 콘덴서
JP2019083315A (ja) セラミック電子部品およびその製造方法、ならびに電子装置
JP2004263255A (ja) 表面処理金属超微粉、その製造方法、導電性金属ペースト及び積層セラミックコンデンサ
JP2005154904A (ja) 炭素含有ニッケル粒子粉末およびその製造方法
KR20140025693A (ko) 내부 전극용 도전성 페이스트, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법
KR100481741B1 (ko) 세라믹 다층 커패시터
JP4168773B2 (ja) 焼結性に優れたニッケル粉末の製造方法
US20010056028A1 (en) Dielectric ceramic composition, ceramic capacitor using the composition and method of producing thereof
WO2001048762A1 (fr) Pate formant des electrodes ceramique de condensateur
JPH11189802A (ja) ニッケル超微粉
CN116102352B (zh) 一种高抗疲劳、低电场高储能密度的反铁电储能陶瓷及其制备方法和应用
JP3542079B2 (ja) ニッケル粉及び導電ペースト
Shanenkova et al. Creating a composite material ZnO-Bi2O3 with a core-shell structure for varistor ceramics
KR101478556B1 (ko) 고온 플라즈마를 이용한 코어-쉘 구조를 갖는 Ni 나노파우더 및 그 제조 방법
WO2009119154A1 (ja) 卑金属粉末およびその製法、導体ペースト、ならびに電子部品
KR20050050535A (ko) 탄소함유 니켈 분말 및 그 제조 방법
JP2004179182A (ja) セラミック積層体及びその製法
JP3635411B2 (ja) 磁性フェライトの製造方法、積層型インダクタ部品の製造方法、複合積層部品の製造方法及び磁心の製造方法
JP2002252139A (ja) ニッケル超微粉及び積層セラミックコンデンサ
JP2008223145A (ja) 焼結性に優れたニッケル粉末

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130118

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140117

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150119

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee