KR100551143B1 - 누설 전류를 감소시키는 회로, 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일실시예에 따르면, 집적 회로는 트랜지스터의 소스 영역에 비해 트랜지스터의 채널 영역상의 전위를 선택적으로 증가시키는 전압 발생기를 포함한다.

집적 회로, 트랜지스터, 소스, 채널, 드레인, 게이트, 전압 발생기

Description

누설 전류를 감소시키는 회로, 장치 및 방법{APPARATUS AND CIRCUIT HAVING REDUCED LEAKAGE CURRENT AND METHOD THEREFOR}

본 발명은 집적 회로에 관한 것으로, 특히 집적 회로내의 트랜지스터의 전류 운반 전극들(current carrying electrodes) 사이의 누설 전류를 감소시킬 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다.

제조 기술에서의 진보는 매우 작은 형태를 가진 트랜지스터를 만드는 것을 가능하게 하였다. 예를 들면, 포토리소그래픽 및 에치 기술은 0.25마이크론 게이트 길이를 갖는 트랜지스터를 만들 수 있을 정도로 향상되었다. 트랜지스터 크기의 감소는 일반적으로 하나의 반도체 다이상의 동일한 영역내에 보다 많은 트랜지스터가 만들어질 수 있도록 할 수 있기 때문에, 유익한 것으로 인식되고 있다.

그러나, 트랜지스터 게이트 길이가 감소됨에 따라, 전류 운반 전극(예로, 소스 및 드레인 단자) 사이의 거리 또한 비례적으로 감소될 수 있다. 결과적으로, 이들 단자 사이와 트랜지스터의 게이트 아래(종종 채널 또는 바디 영역이라 언급됨)에 반도체 물질의 양이 감소될 수 있다. 트랜지스터의 채널 영역의 길이가 감소됨 에 따라, 드레인 단자의 전계가 채널 영역내의 전류 흐름에 보다 큰 영향을 줄 수 있다. 따라서, 채널 길이에서의 감소는, 소스와 드레인 단자 사이의 채널 영역을 통과하는 전류의 흐름을 제어하기 어렵게 만들고, 소스-드레인간 누설량(예로, 오프-상태 전류)에서의 증가를 가져온다.

이 누설 전류를 다루는 기술은 전류 운반 전극 주변에 헤일로(halo) 임플란트의 사용을 포함할 수 있다. 그러나, 이러한 기술은 종종 제조 공정의 복잡성 및 비용을 증가시키는 추가적인 제조 단계를 포함한다. 따라서, 트랜지스터의 전류 운반 전극 사이의 누설 전류를 감소시키기 위한 지속적인 요구가 존재한다.

본 발명에 관한 주요 사항은 특히 명세서의 결론 부분에 나타나고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은, 목적, 특징 및 장점과 함께 동작 방법 및 구조에 대해, 첨부된 도면과 함께 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다.

도1은 본 발명의 일실시예에 따른 2개의 트랜지스터와 하나의 회로를 도시한 개략도.

도2는 본 발명의 변형된 실시예에서 사용될 수 있는 회로의 개략도.

도3은 본 발명의 변형된 실시예에 따른 전압 발생기의 개략도.

도4는 본 발명의 대안적인 실시예에 따른 전압 발생기의 개략도.

다음의 상세한 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 많은 특정 세부사항들이 제시되어 있다. 그러나, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 본 발명이 이러한 특정한 세부사항들없이도 실시될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 다른 예에서, 공지된 방법, 절차, 소자 및 회로는 본 발명을 모호하지 않도록 하기 위해 상세하게 설명되지는 않았다. 이 설명에서, '#' 기호는 신호의 논리 성분을 나타내기 위해 사용되었다. 예를 들면, BL이 논리 "1"이라면, BL#는 논리 "0"이 되지만, 본 발명은 어떠한 특정 시그널링 스킴으로도 제한되지 않는다.

도1을 참조하여 본 발명에 따른 실시예(100)가 설명된다. 실시예(100)는 이동 통신 장치(예, 셀룰러폰), 휴대용 컴퓨터 등과 같은 휴대용 장치를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위가 이러한 애플리케이션으로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다.

실시예(100)는, 예를 들면, 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세서, 마이크로컨트롤러, SRAM과 같은 메모리 어레이 등을 포함할 수 있는 집적 회로(10)를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위는 이러한 예들로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 집적 회로(10)는 실리콘 등의 기판(15)에 제조되는 트랜지스터(20, 30)를 포함할 수 있지만, 본 발명의 범위는 이것으로 제한되지 않는다.

트랜지스터(20, 30)가 동작중일 때에, 채널 영역(24, 34)을 통과하는 전류 흐름을 각각 변조하는데 사용될 수 있는 게이트 전극(23, 33)을 포함할 수 있다. 본 발명의 범위를 제한하려고 의도된 것은 아니지만, 채널 영역(24)은, 전류가 트랜지스터(20)의 전류 운반 전극들 사이(21-22)에 흐르는 기판(15)의 일부분을 포함할 수 있다. 또한, 채널 영역(34)은, 전류가 트랜지스터(30)의 전류 운반 전극들 사이(31-32)에 흐르는 N-형 웰(35)을 포함할 수 있다. 포괄적으로 말해서, 채널 영역(24, 34)은 각각 전류 운반 전극들 사이(21-22, 31-32)의 게이트(23, 33) 아래의 트랜지스터(20, 30)의 일부분이다. 채널 영역(24, 34)은 또한 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 바디 영역으로 언급될 수도 있다.

일실시예에서, 트랜지스터(20)는 P-형 기판(15)내에 형성되는 n-채널 트랜지스터를 포함할 수 있고, 트랜지스터(30)는 N-웰 영역(35)내에 형성되는 p-채널 트랜지스터를 포함할 수 있다. 집적 회로(10)가 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 회로를 포함할 경우, 이러한 배치가 바람직하다. 그러나, 트랜지스터(20, 30)가 형성될 수 있는 물질의 타입 또는 트랜지스터(20, 30)의 전기적 특성에 의해 본 발명의 범위가 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들면, 대안적인 실시예에서, 웰 영역(35)의 사용은 선택적일 수 있고, 기판(15)은 에피텍셜층, 필드 옥사이드 영역 등과 같은 여러 가지 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 트랜지스터(20, 30)는 트윈-웰(twin-wells), 또는 N-형 기판내의 P-웰을 이용하여 제조될 수 있다. 또한, 기판(15)은 다른 반도체 물질, 예를 들면, 반도체-온-절연체(SOI) 등이 사용될 수 있기 때문에, 실리콘을 반드시 포함할 필요는 없다.

트랜지스터(20, 30)는, 집적 회로(10)의 트랜지스터의 일부 또는 전부가 비-전도 모드(non-conducting mode)(예로, 트랜지스터의 적어도 일부가 비활성 모드에 있고, 게이트 단자로 구동되는 실질적인 전위를 가지지 않음)일 때에, 집적 회로(10)의 누설 전류를 감소시키기 위해 본 발명의 실시예가 어떻게 사용될 수 있는지의 일례를 나타낸다. 본 발명을 모호하지 않게 하기 위해, 2개의 트랜지스터가 도1에 도시되어 있다. 집적 회로(10)가 몇 개의 트랜지스터 또는 서브-회로를 포함할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 다음의 설명에서, 회로 또는 서브-회로는 포괄적으로, 예를 들면, 2개 또는 그 이상과 같은 다수의 트랜지스터에 대해 언급한다. 또한, 일부 실시예에서, 회로는 다른 회로 또는 본딩 패드의 노드에 의해 제공되는 전압 레벨 또는 논리 신호에 대해 언급한다.

이 특정 실시예에서, 채널 영역(24, 34)에 걸리는 누설을 감소시키기 위해, Vsssup 전위(40), Vccp 전위(41) 및 Vcc 전위(42)와 같은 3개의 전위가 트랜지스터(20, 30)의 부분들에 선택적으로 인가될 수 있다. 도1에 도시된 바와 같이, 전위(40-42)는 집적 회로(10) 외부에 있는 전원 공급장치에 접속될 수 있는 패드에 의해 제공될 수 있다. 그러나, 이것은 본 발명의 범위를 제한하려고 의도된 것이 아니고, 전위(40-42)는 집적 회로(10)내에 위치된 전원 공급장치로부터(예로, 차지 펌프 또는 전압 디바이더로부터) 제공될 수 있다. 또한, 다른 실시예에서, 전위(40-42)는 다른 회로(미도시)의 노드 또는 집적 회로(10)의 다른 부분으로부터 제공되는 전위를 나타낼 수 있다.

도1에 도시된 바와 같이, 트랜지스터(20)의 소스 영역(21)에서의 전위(예로, Vss 전위)보다 크기에서 더 낮은 전위(예로, Vsssup(40))가 채널 영역(24)에 인가될 수 있다. 소스 영역(21)에 대해 채널 영역(24)을 역 바이어싱함으로써, 트랜지 스터(20)의 채널 영역(24)에 걸리는 누설 전류가 감소될 수 있다. 후술되는 바와 같이, Vss 발생기(60)는 Vsssup 전위(40)를 승압시킴으로써 소스 영역(21)으로 Vss 전위를 제공하는데 사용될 수 있다.

또한, Vccsup 발생기(50)는 트랜지스터(30)의 소스 영역(31)에 인가되는 전위보다 큰 전위(예로, Vccsup)를 채널 영역(34)으로 제공하도록 사용될 수 있다. 이것은 채널 영역(34)에 걸리는 누설량을 감소시킬 수 있다. 본 발명의 범위는 Vccsup 발생기(50) 및 Vss 발생기(60)를 모두 갖는 집적 회로로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 대안의 실시예에서는, 2개이 회로 중 하나만이 사용될 수 있다.

이제 도2를 참조하면, Vccsup 발생기(50)를 구현하기 위한 2가지 기술이 제공된다. 도2는 Vccsup 발생기(50)를 제공하기 위해, 독립적으로 또는 조합하여 사용될 수 있는 2개의 회로를 도시하고 있다. 그러나, 본 발명의 범위는 이러한 특정 기술로 제한되지 않고, 대안적인 실시예, 예를 들면, 차지 펌프, DC-DC 변환기 등과 같은 다른 기술을 사용할 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 하나의 기술에서, Vccsup로 Vccp 전위를 제공하기 위해, Vccsup 발생기(50)로 트랜지스터(82)가 사용될 수 있다. 도2에서 E2로 표시된 인에이블 신호는 트랜지스터(82)의 동작을 인에이블시키고 제어하는데 사용되어, Vccsup 발생기(50)가 Vccsup로 표시된 전위를 선택적으로 제공할 수 있게 된다. 이 특정 실시예에서, Vccsup 발생기(50)에 의해 제공된 전위는 Vccp 전위(41)와 실질적으로 동일할 수 있지만, 본 발명의 범위는 이것으로 제한되지 않는다.

인에이블 신호(E2)는 집적 회로(10)가 비활성화 또는 대기 모드로 진입하였을 때 활성화될 수 있다. 집적 회로(10)의 부분들(예로, 논리 트랜지스터(20, 30))이 대기 모드일 때에, 누설 전류량을 감소시키기 위해 채널 영역(34)(도1 참조)으로 전위를 인가하는 것이 바람직할 수 있다. 대안의 실시예에서, 집적 회로(10)의 트랜지스터들보다 더 높은 전압 허용치를 갖도록 트랜지스터(82)를 제조하는 것이 바람직할 수 있다. 이것은, 예를 들면, 집적 회로(10) 트랜지스터의 게이트 옥사이드에 비해 트랜지스터(82)의 게이트 옥사이드의 두께를 증가시킴으로써 달성될 수 있다. 대안의 실시예에서, n-채널 트랜지스터(미도시)가 트랜지스터(82)의 위치에 사용될 수 있다.

대안적으로, Vccsup 발생기(50)는 트랜지스터(81)(도2 참조)의 게이트에 접속된 전압 기준 회로(65)를 포함할 수 있다. 도3은 전압 기준 회로(65)를 구현한 일례를 설명하기 위해 제공된 것이지만, 본 발명의 범위는 이러한 특정 구현예로 제한되지 않는다. 도시된 바와 같이, 트랜지스터(91, 94, 99)는 부트스트랩 기준 회로에 접속된 기준 저항 소자로 동작할 수 있다. 예를 들면, 트랜지스터(92, 93, 95, 96)를 포함한 부트스트랩 회로는 트랜지스터(81)의 게이트에 인가될 수 있는 출력 전위를 제공할 수 있다. 트랜지스터(81)의 게이트 단자에 인가된 전위는, 적어도 부분적으로, Vccsup 발생기(50)에 의해 제공되는 전위를 결정한다. 대안의 실시예에서는, 예를 들면, 파워업 과정 동안과 같이, Vccp 전위(41)가 Vcc보다 매우 큰 경우, 또는 전압 스파이크 경우에 손상의 위험을 감소시키기 위해, 트랜지스터(92. 93, 95, 96)를 두꺼운 게이트 옥사이드 트랜지스터로 제조하는 것 이 바람직할 수 있다.

도2에 도시된 바와 같이, Vccsup 발생기(50)는 Vccsup 발생기(50)의 출력 전위, 즉, Vccsup 전위로 트랜지스터(81)에 의해 제공된 전위를 선택적으로 접속하기 위한 인에이블 트랜지스터(80)를 포함할 수도 있다. E1으로 표시된 인에이블 신호는 트랜지스터(81)가 Vccsup 전위를 제공할 때를 결정하는데 사용될 수 있다.

실시예(100)(도1 참조)의 동작 동안에, 도2에서 ACTIVE#로 표시된 신호는, 집적 회로(10)의 전부 또는 일부가 대기 또는 비활성화 모드로 진입할 때를 나타내는데 사용될 수 있지만, 본 발명의 범위를 이것으로 제한되지 않는다. 결과적으로, 인에이블 신호(E1)는 ACTIVE# 신호를 반전시켜 발생될 수 있고, 이에 따라, 트랜지스터(89)가 오프될 때에 트랜지스터(80)가 온이 된다. 반면에, 집적 회로(10)가 대기 또는 저-누설(low-leakage) 모드가 아닌 경우, 인에이블 신호(E1, E2)는 디스에이블되고, ACTIVE# 신호는 인에이블되어, Vccsup 전위가 트랜지스터(89)에 의해 Vcc로 구동될 수 있고, 이에 따라, 트랜지스터(20, 30)가 정상적으로 동작할 수 있게 한다.

ACTIVE# 신호는 디스에이블되고, 인에이블 신호(E1)는 인에이블된 경우(예로, 집적 회로가 비활성화 모드라는 것을 나타냄), 전압 기준 회로(65)는 Vccsup 전위를 승압시켜, 채널 영역(34)(도1 참조)에 인가되는 전압이 소스 영역(31)상의 전위보다 더 커진다. 이 특정 실시예에서, Vccsup 전위는 Vccp 전위(42)보다 적어도 0.4V 더 크다. 그러나, 본 발명의 범위는 이것으로 제한되지 않고, 요구에 따라, 전압 차가 증가되거나 감소될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.

선택적으로, 전압 기준 회로(65)는 RESET#.ACTIVE 신호에 연결되는 트랜지스터(97, 98)를 포함할 수도 있다. RESET#.ACTIVE 신호가 활성화되면(예로, 코어 트랜지스터(20, 30)가 활성화 모드라는 것을 나타냄), 트랜지스터(92, 93, 95, 96)를 포함하는 부트스트랩 회로가 영전류 상태 솔루션을 해결하지 못하는 위험을 줄이기 위해, 트랜지스터(91, 98)는 트랜지스터(96)의 드레인상의 전위를 끌어올릴 수 있다.

Vccsup 발생기(50)의 이 특정 실시예의 하나의 장점은, Vccp 전위(41)가 변하더라도, 트랜지스터(81)가 Vccsup에 대해 실질적으로 일정한 전위를 제공할 수 있다는 점이다. 대안적으로, Vccsup 발생기(50)를 구현하기 위한 트랜지스터(82)의 사용은, 보다 덜 복잡할 수 있고, 도3에 도시된 특정 실시예보다 더 작은 표면적에서 형성될 수 있기 때문에 유리하다. 또한, 동일한 집적 회로내에서 두 실시예를 모두 사용하는 것이 바람직할 수도 있다. 도1에 도시된 바와 같이, 실시예(100)는 Vss 발생기(60)를 선택적으로 포함할 수도 있다. Vss 발생기(60)를 구현하기 위한 2개의 특정 기술이 도2에 도시되어 있지만, 이것으로 본 발명의 범위가 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 예를 들면, 하나의 기술에서, Vss 발생기(60)는 Vsssup 전위(40)를 "플로팅하는(float-up)" 트랜지스터(83, 84)를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, Vss 발생기(60)는 또한 E4로 표시된 인에이블 신호에 의해 제어될 수 있는 인에이블 트랜지스터(85)를 포함할 수도 있다. 예를 들면, 집적 회로(10)가 저-누설 또는 비활성화 모드인 경우, 트랜지스터(85)가 인에이블되어, 트랜지스터(83-84)가 Vsssup 전위(40)보다 큰 Vss 전위를 제공하게 된다.

이 특정 실시예에서, Vss 전위는 Vsssup 전위(40)보다 적어도 0.4V 더 클 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것으로 제한되지 않는다. 채널 영역(24)에 인가되는 전위와 소스 영역(21)에 대응하는 전위 사이의 전위에서의 차는 요구에 따라, 예를 들면, 트랜지스터(83, 84)의 크기를 상이하게 함으로써 변경될 수 있다. 이 특정 실시예에서 트랜지스터(83, 84)의 사용은 Vsssup 전위(40) 이상의 약 2 Vt(임계 전위)인 Vss 전위를 제공할 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위는 이것으로 제한되지 않고, 낮은 임계 전압을 갖는 대안의 실시예 장치가 사용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 대안적으로, 본 발명의 범위는 2개이 트랜지스터를 사용하는 실시예로 제한되지 않고, 단일 또는 다수의 트랜지스터가 대안의 실시예에서 사용될 수 있다.

대안적으로, Vss 발생기(60)는 피드백 회로(61)(도2 참조)가 제공될 수 있다. 본 발명의 범위는 이러한 특정 구성으로 제한되지 않지만, 도4는 트랜지스터(86) 및 저항 소자(R1, R2)에 접속된 차동 증폭기(45)를 이용하는 피드백 회로(61)에 대한 구현예 중 일례로 제공된다. 차동 증폭기(45)는 트랜지스터(102-106)를 이용하여 구현될 수 있고, 저항 소자(R1, R2)는 도4에 도시된 바와 같이 트랜지스터(100)에 의해 제공될 수 있다. 트랜지스터(20, 30)(도2 참조)에 의한 전류 소모는 Vsssup 전위(40) 이상으로 상승하는 Vss 전위를 초래한다. 피드백 회로(61)는 Vss가 R1 및 R2에 의해 제공된 기준 전압에 비해 얼마나 높게 상승되는지를 제한할 수 있다.

차동 증폭기(45)의 출력 신호는 트랜지스터(86)의 게이트를 구동하는데 사용 될 수 있다. 이것은, 다음으로, Vss 전위가 트랜지스터(83, 84)에 의해 Vsssup 전위(40) 이상으로 구동된 경우, Vss 전위를 안정화하는데 충분한 전류량을 공급할 수 있다. 도2 및 도4에 도시된 바와 같이, 이 실시예는 E3로 표시된 인에이블 신호에 의해 제어될 수 있는 인에이블 트랜지스터(87)를 포함할 수도 있다. ACTIVE 신호(도2 참조)와 함께 인에이블 신호(E3)는, Vss 전위가 트랜지스터(88) 또는 트랜지스터(83, 84)와 함께 트랜지스터(86)에 의해 제공될 때를 결정하는데 사용될 수 있다. 이 특정 실시예의 하나의 장점은, Vss 전위가 그렇지 않으면 너무 높게 구동되는 경우, 트랜지스터(86)가 집적 회로(10)로 추가의 전류를 제공한다는 점이다. 이것은, 예를 들면, 집적 회로(10)가 비활성화 상태에서 활성화 상태로 천이할 때(예로, 고주파 동작 및 누설 직후에 집적 회로(10)의 코어가 "핫(hot)"이고, 이에 따라 전류 요구량이 높아질 수 있음)에 발생할 수 있다.

도4에 도시된 이 특정 실시예에서는, 서브-임계 모드로 트랜지스터(102-107)가 동작하는 것이 바람직할 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위는 이것으로 제한되지 않는다. 대안적인 실시예에서, 커패시터는 피드백 증폭기(45)에 대한 안정성을 제공하기 위해, 피드백 트랜지스터(86)의 게이트와 드레인 사이에 위치될 수 있다. 이제, 본 발명은 집적 회로의 누설 전류를 감소시킬 수 있는 방법 및 회로를 제공한다는 것을 알 수 있을 것이다. 이 특정 실시예에서, 트랜지스터의 채널 영역은 누설 전류의 흐름을 감소시키기 위해 전류 운반 전극에 대해 역 바이어싱될 수 있다. 전류 운반 전극에 대한 채널 또는 바디 영역의 역 바이어싱은 채널 영역에 의해 생성되는 전위 배리어(barrier)를 증가시킬 수 있다. 결과적으로, 이것은 트랜 지스터의 전류 운반 전극 사이에 전자가 통과하기 더욱 어렵게 만들 수 있다. 본 발명의 일부 특징들이 여기에 도시되고 설명되었지만, 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 많은 변형, 대체, 변경 및 등가물이 발생할 수 있다. 예를 들면, 전술된 실시예에서, 누설 전류량을 감소시키기 위해, p-채널 장치의 채널 영역 또는 n-채널 장치의 소스 영역에 전위가 선택적으로 인가될 수 있다. 전위는 또한 트랜지스터의 다른 단자에 선택적으로 인가될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 전술된 일부 실시예는 집적 회로로 제공되었던 전위를 상승시키는 것을 포함하여, 트랜지스터의 채널 영역이 소스 영역에 대해 역 바이어싱될 수 있다. 대안의 실시예에서는, 하나의 전위를 낮추고 전위들이 인가되는 곳을 반전시켜, 채널 영역이 소스 영역에 대해 여전히 역 바이어싱되어 누설 전류를 감소시키게 된다. 따라서, 첨부된 청구항은, 본 발명의 진정한 사상안에 있는 한, 이러한 모든 변형 및 변경을 포함하도록 의도된 것으로 이해되어야 한다.

Claims (39)

1. 집적 회로를 포함한 장치에 있어서,

   상기 집적 회로는,

   공동으로 접속된 드레인 영역을 갖는 제1 및 제2 트랜지스터 - 여기서, 상기 제1 트랜지스터의 소스 영역은 제1 전위를 수신하도록 결합되고, 상기 제2 트랜지스터의 소스 영역은 제2 전위를 수신하도록 결합됨 - ; 및

   상기 제1 트랜지스터의 바디 영역에 결합되고, 상기 제1 또는 제2 트랜지스터 중 어느 한쪽의 게이트 옥사이드 두께 보다 큰 게이트 옥사이드 두께를 갖는 제3 트랜지스터를 포함하는

   장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제3 트랜지스터는 제1 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키기 위해 상기 바디 영역에 전위를 제공하는

   장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 제3 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터가 비활성 상태(inactive state)일 때 상기 바디 영역으로 공급되는 전위를 선택적으로 더 감소하는

   장치.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제2 전위와 제3 전위 사이에 결합되는 피드백 회로

   를 더 포함하고,

   상기 피드백 회로는 상기 제2 트랜지스터의 소스 영역에 제공되는 상기 제2 전위를 제한(limite)하는

   장치.
5. 삭제
6. 삭제
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31. 집적회로를 포함한 휴대용 통신 장치에 있어서,

    상기 집적 회로는,

    소스 영역 및 바디 영역을 구비한 제1 로직 트랜지스터;

    상기 제1 로직 트랜지스터의 상기 소스 영역에 제1 전위를 선택적으로 제공하기 위한 제1 회로; 및

    상기 제1 로직 트랜지스터의 상기 바디 영역에 제2 전위를 제공하기 위한 제2 회로 - 여기서, 상기 제2 회로는 상기 제1 로직 트랜지스터의 게이트 옥사이드 두께보다 큰 게이트 옥사이드 두께를 갖는 트랜지스터를 포함함 -

    를 포함하는 휴대용 통신 장치.
32. 삭제
33. 제31항에 있어서,

    상기 제2 회로는 상기 로직 트랜지스터가 비활성 상태일 때 상기 로직 트랜지스터의 누설 전류를 감소시키기 위해 상기 제2 전위를 더 제공하는

    휴대용 통신 장치.
34. 삭제
35. 삭제
36. 삭제
37. 제1 트랜지스터의 채널 영역에 걸리는 누설 전류를 감소시키기 위한 방법에 있어서,

    상기 제1 트랜지스터의 전류 운반 전극 상의 제1 전위보다 큰 제2 전위를 제공하도록 제2 트랜지스터를 선택적으로 스위칭함으로써 상기 제1 트랜지스터의 채널 영역에 상기 제1 전위를 선택적으로 인가하는 단계 - 여기서, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 게이트 옥사이드 두께보다 큰 게이트 옥사이드 두께를 갖음 -

    를 포함하는 방법.
38. 삭제
39. 삭제

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