KR100511757B1 - 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법 및 그로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 - Google Patents
금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법 및 그로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100511757B1 KR100511757B1 KR10-2003-0010257A KR20030010257A KR100511757B1 KR 100511757 B1 KR100511757 B1 KR 100511757B1 KR 20030010257 A KR20030010257 A KR 20030010257A KR 100511757 B1 KR100511757 B1 KR 100511757B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phosphor
- display panel
- plasma display
- metal oxide
- group
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 80
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 20
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Chemical class 0.000 claims description 11
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 159000000003 magnesium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 claims 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 8
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- PCOUSBNWBHTFGB-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nitric acid;sulfuric acid Chemical compound CC(O)=O.O[N+]([O-])=O.OS(O)(=O)=O PCOUSBNWBHTFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
- C09K11/592—Chalcogenides
- C09K11/595—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Abstract
본 발명은 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체로서 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 표면에 극성이 높은 금속산화물을 금속 이온의 농도가 녹색 형광체에 대하여 1 내지 50중량%의 양으로 되도록 하여 10㎚ 내지 0.5㎛의 크기로 코팅하여서 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)가 패널의 실제 구동 시에 나타내는 방전특성의 개선을 위하여, 상기 형광체의 표면전하를 조정하고자 형광체 입자 표면에 양극성의 금속산화물을 코팅시켜서 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 그의 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)가 패널의 실제 구동 시에 나타내는 방전특성의 개선을 위하여, 상기 형광체의 표면전하를 조정하고자 형광체 입자 표면에 양극성의 금속산화물을 코팅시켜서 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
형광체는 여러 디스플레이의 구동에 필수적인 요소로서, 각 여기원의 에너지를 가시광의 에너지로 전환시키는 매개체 역할을 하며, 그 효율이 디스플레이 제품의 효율의 주요 변수로 중요시되고 있다.
현재 상기한 바의 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 산화물 형태는 진공하의 고에너지(140 내지 170nm)에서의 발광효율과 색순도가 좋아 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체로 선택, 사용되어지고 있다. 그러나, 상기 녹색 형광체가 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체로서 패널의 격벽 위에 도포된 후, 방전하게 되면, 형광체의 화합물내 Si-O의 큰 음극성 전하로 인하여 전체 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 표면이 높은 음극전하를 나타내게 된다. 도 1에 나타내었듯이(미합중국 특허 US005289081), 이러한 음극성의 표면전하는 적색, 청색 형광체에서는 보이지 않는 현상으로 격벽이 유지하고 있는 양극성(wall charge)을 저하시키는 원인으로 작용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 패널의 개시전압을 높이며, 불균일한 발광과 발광효율이 떨어지는 등의 문제점으로 인하여 전체적으로 방전의 효율 개선에 방해요인이 되고 있다. 그러므로, 이러한 음극성의 표면전하를 양극성의 표면전하로 개선하기 위해서 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체로 그 표면의 전하가 양극성인 다른 물질들을 이용하거나 또는 그 양극성의 다른 물질들과 음극성의 상기 녹색 형광체를 혼합하여 극성을 중성으로 조정하여 사용하고 있는 실정이다. 녹색 형광체용 대체 물질로는 YBO3:Tb와 (Ba,Sr,Mg)Al2O4:Mn 등이 있는데, 이들 각 물질들은 색순도가 현저히 다르거나, 휘도 및 열안정성이 크게 떨어지는 등의 문제점을 지니고 있다. 그러므로, 위 형광체들이 상기 녹색 형광체와 혼합됨에 따라서 표면의 극성은 조정될 수 있으나, 대체 형광체의 첨가 비율이 높아짐에 의해 그 문제점들이 나타내게 되는 등의 한계점을 지니고 있다.
따라서, 최대한 상기 녹색 형광체의 장점을 유지하면서 표면의 극성을 조정할 수 있는 방법을 확보하기 위한 연구가 진행중이며, 이러한 노력의 하나로 새로운 모체 및 첨가 물질의 탐구가 다양하게 진행중이다.
본 발명의 목적은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)가 패널의 실제 구동 시에 나타내는 방전특성의 개선을 위하여, 상기 형광체의 표면전하를 조정하고자 형광체 입자 표면에 양극성의 금속산화물을 코팅시켜서 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따른 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체는, 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체로서 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 표면에 극성이 높은 금속산화물을 금속 이온의 농도가 녹색 형광체에 대하여 1 내지 50중량%의 양으로 되도록 하여 10㎚ 내지 0.5㎛의 크기로 코팅하여서 이루어진다.
상기 극성이 높은 금속산화물은 바람직하게는 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 산화유로퓸(Eu2O3), 산화납(PbO), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
본 발명에 따른 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법은, (1) 극성이 높은 금속산화물의 원료가 되는 당해 금속의 원료염, 용매, 녹색 형광체를 혼합하여 전구체를 제조하는 전구체제조단계; (2) 상기 전구체에 염기성물질을 첨가하여 pH를 7 내지 10으로 조절하는 pH조절단계; (3) 상기 전구체의 pH 조절 동안 또는 pH 조절 후, 균질하게 분산시키는 분산단계; 및 (4) 분산 후, 잔류하는 고상물질을 여과시킨 후, 여과된 고상물질을 100 내지 600 ℃에서 10 내지 300분간 가열하는 것에 의하여 열처리하는 열처리단계;들을 포함하여 이루어진다.
상기 전구체제조단계에서 사용되는 상기 금속의 원료염은 마그네슘의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 아연의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 유로퓸의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 알루미늄의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 납의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
상기 전구체제조단계에서 사용되는 용매는 바람직하게는 물, 탄소수 1 내지 3의 저급알코올, 이 이외의 유기용매(벤젠, 톨루엔, 아세톤, 헥산 등) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
상기 pH조절단계에서 pH를 조절하는 염기성물질은 바람직하게는 암모니아(NH4OH), 우레아(urea), 수산화나트륨(NaOH), 인산일수소나트륨(Na2HPO4) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
상기 열처리단계는 바람직하게는 350 내지 500℃에서 10 내지 120분간 가열하는 것으로 이루어진다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체는, 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체로서 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 표면에 극성이 높은 금속산화물을 금속 이온의 농도가 녹색 형광체에 대하여 1 내지 50중량%의 양으로 되도록 하여 10㎚ 내지 0.5㎛의 크기로 코팅하여서 이루어짐을 특징으로 한다.
우선, 금속산화물을 코팅하기 위해서 사용된 코팅될 형광체는 Zn2SiO4:Mn의 플라즈마 디스플레이 패널급 녹색 형광체이다. 상기 녹색 형광체 입자의 크기의 분포는 1 내지 5㎛로 도 2에 그 전자현미경 사진으로 나타내었다. 상기 형광체에 코팅하기 위한 금속산화물은 극성이 높은 양극성으로 선택하였으며, 상기 극성이 높은 금속산화물은 바람직하게는 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 산화유로퓸(Eu2O3), 산화납(PbO), 산화알루미늄(Al2O3) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택한다. 상기한 금속산화물 이외의 금속산화물들 또한 극성을 전이하기 위해서 선택되어질 수 있지만, 첨가 함량이 매우 높아질 수가 있기 때문에 바람직하지 못하다. 위와 같이 선택된 금속산화물을 녹색 형광체 표면 위에 코팅하기 위해서 우선 증류수 등의 용매에 이온 상태로 용해시켰는데, 사용된 금속이온의 원료염을 하기 표1에 나타내었다. 이때 사용된 용매로는 바람직하게는 물, 탄소수 1 내지 3의 저급알코올, 이 이외의 유기용매(벤젠, 톨루엔, 아세톤, 헥산 등) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
| 구분 | 원료염 | ||||
| 질산염 | 아세테이트 | 황산염 | 염화물 | ||
| 금속이온 | Mg | Mg(NO3)2ㆍ6H2O | (CH3COO)2Mgㆍ4H2O | MgSO4ㆍ7H2O | MgCl2ㆍ6H2O |
| Zn | Zn(NO3)2ㆍ6H2O | (CH3COO)2Znㆍ2H2O | ZnSO4ㆍ7H2O | ZnCl2 | |
| Eu | Eu(NO3)3ㆍXH2O | (CH3COO)3EuㆍXH2O | Eu2(SO4)3ㆍXH2O | EuCl3ㆍ6H2O | |
| Al | Al(NO3)3ㆍ9H2O | (CH3COO)2AlOH | Al2(SO4)3ㆍXH2O | AlCl3ㆍ6H2O | |
| Pb | Pb(NO3)2 | (CH3COO)2Pbㆍ3H2O | PbSO4 | PbCl2 | |
첨가된 금속 이온의 농도는 코팅을 위한 상기 녹색 형광체 Zn2SiO4:Mn에 대하여 1 내지 50중량%가 되도록 조절하였다. 금속 이온이 용해되어 있는 용액에 형광체를 첨가하고, 이들을 초음파를 이용하여 분산시키는 동시에 금속 양이온을 수산화물(Hydroxide)로 반응, 상기 형광체에 코팅시키기 위해 pH를 조절하였다. pH를 조절하기 위해서 사용된 염기성물질은 바람직하게는 암모니아(NH4OH), 우레아(urea), 수산화나트륨(NaOH), 인산일수소나트륨(Na2HPO4) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다. 첨가된 금속 양이온의 종류와 첨가량에 따라 처음 용액의 pH는 1 내지 6.5 사이로 다르지만, 위의 염기성물질들을 첨가하여 조절된 용액의 pH는 7 내지 10까지로 변화시켰다. 일반적으로 pH가 8에서부터 금속 양이온이 수산화물로 변환되면서 침전되기 시작하여 약 10정도까지 침전이 진행됨이 관찰되었다. pH 조절로 금속 이온들을 수산화물로 반응시킨 후의 용액에는 금속 수산화물로 코팅된 상기 형광체와 반응하지 않은 금속 양이온, 그리고 금속 수산화물 중에서도 상기 형광체에 코팅되지 않은 금속 수산화물이 공존하게 되는데, 이중에서 반응하지 않은 금속 양이온과 코팅되지 않은 금속수산화물을 제거하기 위하여 필터를 이용하여 분리한 후, 코팅된 분말을 초순수로 세정하여 회수하였다. 회수된 분말에 코팅된 금속 수산화물을 금속산화물로 산화시키기 위하여 대기압 하에서 열처리하였다. 열처리는 100 내지 600 ℃에서 10 내지 300분간 가열하여 산화반응을 실시하였는데 이 이상의 온도에서는 형광체가 산화되어 좋지 않은 영향을 끼치게 되므로 더 이상의 온도는 제외하였다. 위와 같은 코팅 공정을 통하여 최종적으로 금속산화물이 코팅된 형광체를 회수하였는데 도 3에 공정의 모식도를 나타내었다.
본 발명에 따른 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법은, (1) 극성이 높은 금속산화물의 원료가 되는 당해 금속의 원료염, 용매, 녹색 형광체를 혼합하여 전구체를 제조하는 전구체제조단계; (2) 상기 전구체에 염기성물질을 첨가하여 pH를 7 내지 10으로 조절하는 pH조절단계; (3) 상기 전구체의 pH 조절 동안 또는 pH 조절 후, 균질하게 분산시키는 분산단계; 및 (4) 분산 후, 잔류하는 고상물질을 여과시킨 후, 여과된 고상물질을 100 내지 600 ℃에서 10 내지 300분간 가열하는 것에 의하여 열처리하는 열처리단계;들을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
상기 전구체제조단계에서는 pH조절 등에 의하여 금속의 원료염을 금속산화물로 전환시키기 전에 형광체의 표면에 금속산화물이 피복되기에 적절하도록 사전에 혼합시키는 단계이다. 상기 전구체제조단계는 양극성이 높은 금속산화물의 원료가 되는 당해 금속의 원료염, 용매, 녹색 형광체를 혼합하여 전구체를 제조하는 것으로 이루어진다. 이 전구체제조단계에서 사용되는 상기 금속의 원료염은 마그네슘의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 아연의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 유로퓸의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 알루미늄의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 납의 질산염, 아세트산염, 황산염, 또는 염화물; 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다. 또한, 이 전구체제조단계에서 사용되는 용매는 바람직하게는 물, 탄소수 1 내지 3의 저급알코올, 이 이외의 유기용매(벤젠, 톨루엔, 아세톤, 헥산 등) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
상기 전구체제조단계에서 수득된 전구체는 계속해서 pH조절단계에서 상기 전구체에 염기성물질을 첨가하여 pH를 7 내지 10으로 조절하게 된다. 이때의 pH의 조절에 의해 금속 양이온이 수산화물로 변환되면서 침전되게 된다. 이 pH조절단계에서 pH를 조절하는 염기성물질은 바람직하게는 암모니아(NH4OH), 우레아(urea), 수산화나트륨(NaOH), 인산일수소나트륨(Na2HPO4) 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어지는 그룹 중에서 선택된 것이 될 수 있다.
계속해서, 상기 pH조절단계의 조절 동안 또는 pH 조절 후, 균질하게 분산시키는 분산단계가 수행된다. 상기 분산단계는 바람직하게는 초음파를 이용하여 분산시킬 수 있다.
그 후, 잔류하는 고상물질을 여과시킨 후, 여과된 고상물질을 100 내지 600 ℃에서 10 내지 300분간 가열하는 것에 의하여, 바람직하게는 350 내지 500℃에서 10 내지 120분간 가열하는 것에 의하여 본 발명에 따른 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체를 제조할 수 있다.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예들이 기술되어질 것이다.
이하의 실시예들은 본 발명을 예증하기 위한 것으로서 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어져서는 안될 것이다.
실시예 1
양극성 금속산화물인 산화아연을 코팅시키기 위하여 산화아연의 염(salt)으로서 아연의 질산염 0.069g을 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn) 1g과 함께 탈이온수에 용해시키고, 교반시켰다. 교반시에 사용된 용매인 탈이온수는 0.15ℓ이었다. 수득된 전구체의 금속염을 반응시키기 위하여 염기성물질로서 암모니아수를 첨가, 전구체의 pH를 7.9로 조절하여 금속 수산화물의 반응을 실시하였다. 염기성물질의 첨가로 pH를 조절하는 동시에 초음파를 이용하여 전체 전구체 내의 첨가물들을 고르게 40분 동안 분산시켰다. 반응이 끝난 용액에 생긴 분말들을 필터를 이용하여 나머지 잔존물들과 분리하였으며, 세정 후에 300℃에서 1시간 동안 열처리하여 완전히 금속산화물로 반응시켜 코팅을 실시하였다. 수득된 형광체의 표면전하의 변화를 도 5에 나타내었다.
실시예 2
아연의 질산염 대신 마그네슘의 질산염을 0.189g 사용하고, pH를 8.4로 조절하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 3
아연의 질산염 대신 납의 질산염을 0.041g 사용하고, pH를 9.2로 조절하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 4
아연의 질산염 대신 알루미늄의 질산염을 0.085g 사용하고, pH를 8.71로 조절하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 5
아연의 질산염 대신 유로피윰의 질산염을 0.066g 사용하고, pH를 7.7로 조절하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
실시예 6
아연의 질산염 대신 마그네슘의 질산염을 사용하되, 마그네슘의 농도가 5중량%(0.315g), 10중량%(0.63g), 15중량%(0.945g), 20중량%(1.26g) 및 25중량%(1.575g)가 되도록 그 양을 달리하고, pH를 8.4로 조절하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였으며, 그 결과로서 마그네슘의 농도 대비 휘도변화의 결과를 도 6에 나타내었다.
본 공정방법을 통해서 코팅된 형광체 입자들 중 산화마그네슘이 코팅된 형광체(실시예 2, 도 4(a)) 및 산화아연이 코팅된 형광체(실시예 1, 도 4(b))들을 주사전자현미경(SEM ; Scanning Electron Microscope)을 통해 관찰하였으며, 그 사진을 도4에 나타내었다. 도 4에 나타난 바와 같이, 본 발명에 의하여 코팅된 금속산화물들이 보이는데 그 입자의 크기는 수백 ㎚이하, 더 바람직하게는 50㎚ 이하의 입자들이 균일하게 코팅되어 분포되어 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 산화아연 보다 산화마그네슘의 경우가 더 작은 입자들이 형광체 입자 표면에 균일하게 코팅됨을 확인 할 수 있었다.
또한, 도 5에 나타난 바와 같이, 각 금속산화물의 코팅에 의한 입자 표면전하의 효과를 확인하고자 제타전위(Zeta-Potential analyzer)를 측정한 결과, 각 금속산화물의 코팅을 위해 첨가된 금속염의 첨가량은 형광체 분말의 비율 3중량%일 경우에 표면의 전하가 코팅하지 않을 경우보다 최소 30%이상으로 감소하였는데, 바람직하게는 MgO와 ZnO의 경우로 약 50%이상 음극성이 양극성으로 전환됨을 확인할 수 있었다.
한편, 위와 같은 형광체 표면의 전하는 금속산화물의 코팅되는 정도에 의해 변할 수 있으므로, 그 코팅이 되는 금속산화물의 양과 균일한 코팅을 위하여 금속염의 첨가량 등을 조절하여 보았으며, 그 결과를 도 6에 나타내었다. 첨가되는 마그네슘염이 1중량%에서부터 50중량%까지 조절하였는데, 금속염의 농도가 진해질수록 더 많은 입자들이 코팅되었으며, 25중량%를 경우에서부터는 균일하지 못한 비교적 큰 입자들이 형광체 입자의 표면에 코팅되어, 휘도의 발광특성을 저하시키는 원인으로 작용함이 확인되었다. 금속 이온들을 산화물로 반응시키기 위하여 첨가하는 염기물질은 그 첨가량에 따라 pH가 변화하게 되는데, 특히 pH가 중성인 8에서 8.5에서 반응시키는 것이 바람직함을 확인할 수 있었다. pH가 너무 높거나 낮으면 코팅률이 저하되거나 매우 불균일한 코팅을 유도하므로 형광체의 광특성에 매우 나쁜 결과를 초래하게 됨을 확인하였다. 최종적인 금속산화물의 반응을 위해서 고온의 반응로에서 코팅되어 회수된 분말들을 열처리하였는데, 특히 350℃에서 500℃ 사이의 열처리 온도가 코팅물의 산화에 효과적이었으며, 시간 또한 10분에서 120분인 것이 바람직함을 확인할 수 있었다.
따라서, 본 발명에 의하면 방전특성이 개선된, 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 제조방법을 제공하며, 그에 의해 생산된 방전특성이 개선된 녹색형광체를 제공하는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도 1은 플라즈마 디스플레이 패널용의 적색, 녹색, 청색 형광체들의 표면전위를 나타내는 그래프이다.
도 2는 플라즈마 디스플레이 패널용 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명에 따라 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법을 도시한 모식도이다.
도 4는 본 발명에 따라 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 전자현미경 사진으로서, 도 4(a)는 산화마그네슘으로 코팅된 형광체이고, 도 4(b)는 산화아연으로 코팅된 형광체이다.
도 5는 본 발명에 따라 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체에서 코팅된 금속산화물의 종류에 따른 표면전하의 변화를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따라 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체에서 마그네슘염의 첨가비율에 따른 휘도의 변화를 나타내는 그래프이다.
Claims (8)
- 삭제
- 삭제
- (1) 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn) 및 상기 녹색 형광체에 대하여 금속산화물의 원료염 1 내지 50중량%를 용매에 용해시켜 전구체 용액을 제조하는 단계;(2) 상기 전구체 용액에 암모니아, 우레아, 수산화나트륨 및 인산일수소나트륨으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 염기성물질을 첨가하여 pH 7 내지 10으로 조절하여, 금속수산화물 형태로 침전시키는 단계;(3) 상기 단계의 용액을 초음파 분산시키는 단계; 및(4) 상기 단계의 용액을 여과하여 얻은 고상물질을 100 내지 600 ℃에서 10 내지 300분간 열처리하는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 금속산화물의 원료염이 마그네슘의 질산염, 아세트산염, 황산염, 및 염화물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 마그네슘 염; 아연의 질산염, 아세트산염, 황산염, 및 염화물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 아연 염; 유로퓸의 질산염, 아세트산염, 황산염, 및 염화물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 유로퓸 염; 알루미늄의 질산염, 아세트산염, 황산염, 및 염화물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 알루미늄 염; 및 납의 질산염, 아세트산염, 황산염, 및 염화물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 납 염;으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2이상의 혼합형태인 것을 특징으로 하는, 상기 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 용매가 물; 탄소수 1 내지 3의 저급알코올; 또는 벤젠, 톨루엔, 아세톤 및 헥산으로 이루어진 군에서 선택되는 유기용매;에서 선택되는 단독 또는 2이상의 혼합형태인 것을 특징으로 하는, 상기 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법.
- 삭제
- 제 3 항에 있어서, 상기 열처리단계가 350 내지 500℃에서 10 내지 120분간 가열하는 것을 특징으로 하는, 상기 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법.
- 녹색 형광체(Zn2SiO4:Mn)의 표면에 산화마그네슘, 산화아연, 산화유로퓸, 산화납 및 산화알루미늄으로 이루어진 군에서 선택되는 단독 또는 2종 이상의 금속산화물이 상기 녹색 형광체에 대하여 1 내지 50중량%가 되도록 하여 10㎚ 내지 0.5㎛의 크기로 코팅된 것을 특징으로 하는, 제3항의 제조방법으로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0010257A KR100511757B1 (ko) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법 및 그로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 |
| CN2004800046194A CN1751110B (zh) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | 用于等离子显示面板的涂覆有金属氧化物的荧光体及其制造方法 |
| PCT/KR2004/000336 WO2004087832A1 (en) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | Metal oxide coated phosphor for plasma display panel and manufacturing method thereof |
| US10/546,214 US20060210791A1 (en) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | Metal oxide coated phosphor for plasma display panel and manufacturing method thereof |
| EP04712774A EP1594940A4 (en) | 2003-02-19 | 2004-02-19 | METAL OXIDE COATED FLUORATE FOR PLASMA SCREEN AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0010257A KR100511757B1 (ko) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법 및 그로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040074793A KR20040074793A (ko) | 2004-08-26 |
| KR100511757B1 true KR100511757B1 (ko) | 2005-09-01 |
Family
ID=36606002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-0010257A KR100511757B1 (ko) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법 및 그로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20060210791A1 (ko) |
| EP (1) | EP1594940A4 (ko) |
| KR (1) | KR100511757B1 (ko) |
| CN (1) | CN1751110B (ko) |
| WO (1) | WO2004087832A1 (ko) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100696512B1 (ko) | 2005-04-20 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 이로부터 형성된형광막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100901948B1 (ko) | 2006-02-23 | 2009-06-10 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 플라즈마 디스플레이 장치용녹색 형광체 재료의 제조 방법 |
| WO2007097399A1 (ja) | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイ装置用緑色蛍光体材料の製造方法 |
| KR100966764B1 (ko) * | 2006-04-26 | 2010-06-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 및 이로부터 형성된형광막을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7820074B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-10-26 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Phosphor, method for manufacturing same, and light emitting diode |
| KR101335433B1 (ko) * | 2006-11-29 | 2013-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 형광램프에 코팅되는 형광물질의 제조방법. |
| KR100805955B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-02-21 | 금오공과대학교 산학협력단 | 형광 파우더의 산화물 코팅을 위한 증착 방법 및 장치 |
| KR20090096150A (ko) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 동일한 제타 전위를 갖는 형광체층들이 배치된 플라즈마디스플레이 패널 |
| KR20100071602A (ko) * | 2008-12-19 | 2010-06-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 나노 형광체, 나노 형광체의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시소자 |
| KR20110057143A (ko) * | 2009-05-25 | 2011-05-31 | 파나소닉 주식회사 | 형광체 및 그 제조 방법 및 발광 장치 |
| CN102766453B (zh) * | 2012-06-29 | 2014-04-02 | 彩虹集团电子股份有限公司 | 一种pdp用硅酸锌锰绿色荧光粉的表面处理方法 |
| WO2016005404A1 (de) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | Osram Gmbh | Verfahren zum herstellen eines leuchtstoffs mit beschichtung |
| CN106025043B (zh) * | 2016-05-30 | 2017-07-28 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种基于新概念的有种植棱角及渗透扩散层的荧光体和发光器件 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4551397A (en) * | 1983-04-04 | 1985-11-05 | Kasei Optonix, Ltd. | Zinc silicate phosphor and electron excited fluorescent display device using the phosphor |
| DE3414124C2 (de) * | 1984-04-14 | 1986-07-03 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Leuchtstoffe auf der Basis von mit Mangan aktiviertem Zinksilikat und Verfahren zu ihrer Herstellung(II) |
| EP0305790B1 (en) * | 1985-03-20 | 1993-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production of graphite intercalation compound and doped carbon films |
| US5289081A (en) * | 1990-11-28 | 1994-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fluorescent lamp with phosphor having coated phosphor particles |
| JPH10195428A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-07-28 | Toshiba Corp | 蛍光体粒子、その製造方法およびプラズマディスプレイパネル |
| US6197218B1 (en) * | 1997-02-24 | 2001-03-06 | Superior Micropowders Llc | Photoluminescent phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same |
| JP3587661B2 (ja) * | 1997-09-12 | 2004-11-10 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP3296301B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2002-06-24 | 松下電器産業株式会社 | 蛍光体層の形成方法及びそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| DE19851348A1 (de) * | 1998-11-06 | 2000-05-25 | Philips Corp Intellectual Pty | Lumineszierender Schirm mit oxidhaltiger Leuchtstoffzubereitung |
| JP3725725B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2005-12-14 | 三菱電機株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| JP2001011437A (ja) * | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Fujitsu Ltd | 蛍光体の製造方法及びプラズマディスプレイパネル |
| DE10009915A1 (de) * | 2000-03-01 | 2001-09-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Plasmabildschirm mit UV-Licht emittierender Schicht |
| KR100366097B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2002-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연속박막 형태의 보호층이 코팅된 ｐｄｐ용 형광체 및 그제조방법 |
-
2003
- 2003-02-19 KR KR10-2003-0010257A patent/KR100511757B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-19 US US10/546,214 patent/US20060210791A1/en not_active Abandoned
- 2004-02-19 WO PCT/KR2004/000336 patent/WO2004087832A1/en active Application Filing
- 2004-02-19 EP EP04712774A patent/EP1594940A4/en not_active Ceased
- 2004-02-19 CN CN2004800046194A patent/CN1751110B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060210791A1 (en) | 2006-09-21 |
| EP1594940A4 (en) | 2008-04-30 |
| CN1751110A (zh) | 2006-03-22 |
| CN1751110B (zh) | 2010-04-21 |
| WO2004087832A1 (en) | 2004-10-14 |
| KR20040074793A (ko) | 2004-08-26 |
| EP1594940A1 (en) | 2005-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100511757B1 (ko) | 금속산화물이 코팅된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체의 제조방법 및 그로 제조된 플라즈마 디스플레이 패널용 형광체 | |
| KR100597135B1 (ko) | 높은 휘도, 보다 짧은 잔영을 갖는 오르쏘규산아연인광체의 제조 방법 | |
| JPH08504871A (ja) | 基体粒子上に発光組成物を被覆することによって製造される発光物質 | |
| KR100293330B1 (ko) | 오르토규산 아연계 녹색 발광 형광체의 제조방법 | |
| KR100355456B1 (ko) | 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법 | |
| CN109880618B (zh) | 一种高荧光效率Mn掺杂Cs2AgInCl6的合成方法 | |
| JPH07315816A (ja) | 希土類元素燐酸塩粒子およびその製造方法 | |
| WO2004081142A1 (ja) | 蛍光体、蛍光体の製造方法、蛍光体ペースト及びプラズマディスプレイパネル | |
| EP1108772A2 (en) | Rare earth phosphate, its production process and rare earth phosphate phosphor | |
| US5611961A (en) | Method of preparing manganese activated zinc orthosilicate phosphor | |
| WO2000071637A1 (en) | Coated phosphors | |
| JP3436712B2 (ja) | 緑色発光蛍光体の製造方法 | |
| CN100529012C (zh) | 锶铟钛固溶红色荧光粉及其制备方法 | |
| KR100714222B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그것에 이용하는 형광체의제조 방법 | |
| JP2004292804A (ja) | 蛍光体の製造方法 | |
| EP0034059B1 (en) | Cathode ray tube, a copper and aluminum activated zinc sulfide phosphor, a process for preparing said phosphor, and a color television incorporating said cathode ray tube | |
| EP0333053B1 (en) | Phosphate-coated electroluminescent phosphor for electroluminescent lamp and a process for producing the same | |
| CN106854466B (zh) | 一种电子束激发的红色荧光粉及其制备方法 | |
| JP5394914B2 (ja) | イリジウム元素含有蛍光体およびその製造方法 | |
| JP2007106832A (ja) | 蛍光体の製造方法及びその方法によって製造された蛍光体 | |
| KR101085097B1 (ko) | 산화이트륨계 적색 형광체 및 그의 제조방법 | |
| JP3556325B2 (ja) | 電子管用蛍光体および電場発光蛍光体 | |
| Jun et al. | Preparation and luminescence properties of PDP green phosphors using polymer matrix technique | |
| KR910007091B1 (ko) | 인산염형광체 | |
| JP2007224135A (ja) | マンガン含有ケイ酸亜鉛蛍光体、その製造方法及びプラズマディスプレイパネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100927 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |