KR100479632B1 - 불휘발성메모리시스템및반도체기억장치 - Google Patents

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히토시 미와
오사무 츠치야
쇼지 구보노
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가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈
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Abstract

여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거할 수 있는 불휘발성 메모리시스템에 이용해서 유효한 기술에 관한 것으로서, 라이트를 실행하는 특정 메모리셀의 임계값 전압만이 변화하는 것이 바람직하지만 라이트를 실행하지 않는 메모리셀에는 임계값이 변화하는 외란이 발생한다는 문제점을 해결하기 위해서, 임계값 전압의 제1 상태와 제2 상태에 의해 정보를 기억하는 여러개의 메모리셀과 여러개의 메모리셀의 컨트롤게이트에 접속되는 워드선을 갖는 메모리어레이 및 커맨드입력단자를 갖고 커맨드입력단에 입력되는 명령에 따라서 여러개의 메모리셀의 소거 및 라이트의 수순을 제어하는 시퀀서를 구비하고, 시퀀서가 받는 명령에는 여러개의 메모리셀의 임계값 전압을 일괄해서 제1 상태로 하는 소거커맨드와 여러개의 메모리셀중 임계값전압이 제1 상태에 있는 메모리셀의 적어도 1개를 선택적으로 제2 상태로 하는 추가라이트커맨드가 있고, 추가라이트커맨드는 소거커맨드를 실행하지 않고 여러회 연속해서 실행할 수 있는 구성으로 하였다.
이렇게 하는 것에 의해서, 워드선외란에 의한 메모리셀의 임계값의 변동을 회복하고, 잘못된 데이타의 리드를 방지할 수 있음과 동시에 추가라이트라는 동작을 통상의 라이트보다 고속으로 실행할 수 있고, 또한 추가라이트에 있어서의 소프트웨어의 부담을 경감할 수 있다는 효과가 얻어진다.

Description

불휘발성 메모리시스템 및 반도체기억장치
본 발명은 반도체기억장치 더 나아가서는 불휘발성 반도체기억장치에 있어서의 정보라이트방식에 적용해서 특히 유효한 기술에 관한 것으로서, 예를 들면 여러개의 기억정보를 전기적으로 일괄소거가능한 불휘발성 메모리시스템에 이용해서 유효한 기술에 관한 것이다.
전기적으로 소거 및 라이트가능한 EEPROM의 일종인 플래시메모리는 컨트롤게이트 및 플로팅게이트를 갖는 불휘발성 기억소자를 메모리셀로 사용하고 있고, 1개의 트랜지스터(MOSFET)로 임계값 전압을 정보로서 기억하는 메모리셀을 구성할 수 있다. 이러한 플래시메모리에 있어서는 라이트동작에서는 도 18에 도시한 바와 같이, 불휘발성 기억소자의 드레인전압을 예를 들면 5V(볼트)로 하고, 컨트롤게이트CG가 접속된 워드선을 예를 들면 -10V로 하는 것에 의해, 플로팅게이트FG에서 전하를 드레인영역으로 인출해서 임계값 전압을 낮은 상태(논리 "0" )으로 한다. 소거동작에서는 도 19에 도시한 바와 같이, 웰영역을 예를 들면 -5V로 하고, 컨트롤게이트CG를 10V와 같은 고전압으로 해서 플로팅게이트FG에 부전하를 주입해서 임계값을 높은 상태(논리 "1" )로 한다. 이것에 의해 1개의 메모리셀에 1비트의 데이타를 기억시키도록 하고 있다.
종래의 플래시메모리는 1개의 워드선에 여러개의 메모리셀의 컨트롤게이트가 접속되고, 이 워드선에 접속되는 여러개의 메모리셀을 기본단위(이하, 이 단위를 섹터라고 한다)로서, 소거, 라이트, 리드가 각각의 동작모드로 구별되어 실행되어 왔다. 먼저, 소거는 워드선을 공통으로 하는 여러개의 메모리에 대해서 동시에 실행된다. 이 소거는 섹터단위로 실행되고 여러개의 메모리셀중 특정 메모리셀만을 선택적으로 소거할 수는 없다.
한편, 라이트는 일단 소거를 실행해서 도 20a와 같이 임계값을 상승시킨 후 임계값을 저하시키고자 하는 메모리셀이 접속된 워드선에 -10V를 인가하고 드레인에 5V, 소오스에 0V를 인가해서 실행하도록 하고 있었다. 이것에 의해서, 라이트를 실행한 메모리셀의 임계값은 도 20b와 같이 검증전압Vpv보다 낮아진다. 이 때, 라이트가 실행되지 않는 즉 임계값을 저하시키지 않은 메모리셀의 드레인에는 0V가 인가 되어 있었지만, 상기 라이트셀과 워드선을 공통으로 하는 다른 메모리셀의 게이트에는 -10V와 같은 큰 전압이 인가되므로, 임계값이 약간 저하하는 외란(disturbance)이라고 하는 현상이 발생한다. 라이트를 실행하는 특정 메모리셀의 임계값 전압만이 변화하는 것이 바람직하지만, 라이트를 실행하지 않는 메모리셀에도 약간이기는 하지만 임계값의 변화가 발생한다. 이 바람직하지 않은 임계값 전압의 변화는 외란이라 불린다. 상기에 설명한 외란은 주로 워드선에 전압이 인가되는 것에 의해서 발생하기 때문에 워드선외란(또는 워드외란)이라 불린다.
이상의 워드외란에 의해 섹터단위의 메모리셀은 일괄소거를 실행하지 않고 라이트를 반복 실행하는 것은 곤란하였다. 이 상태를 도 20c∼도 20f에 도시한다. 최초에 동일 워드선에 접속되는 여러개의 메모리셀을 일괄소거하면, 이 여러개의 메모리셀의 임계값은 모두 소거상태로 된다(도 20a). 다음에 라이트를 샐행하여 특정 메모리셀의 임계값을 선택적으로 라이트상태로 한다(도 20b). 이 때, 여러개의 메모리셀은 임계값 전압이 소거상태의 제1 메모리셀군(도 20c의 점선)과 임계값 전압이 라이트상태의 제2 메모리셀군(도 20d의 점선)으로 이루어진다. 선택적인 메모리셀의 소거는 불가능하므로, 라이트를 실행할 수 있는 것은 제1 메모리셀군에 한정된다. 그래서, 제1 메모리셀군의 어느 하나를 선택해서 라이트를 실행한다. 이 때 워드외란이 발생하면 도 20c 및 도 20d의 실선으로 나타낸바와 같이, 라이트를 실행하지 않았던 메모리셀의 임계값 전압이 저하한다.
일괄소거를 실행하지 않고 라이트를 반복 실행하는 것에 의해 외란이 몇번인가 반복되면, 메모리셀의 임계값이 도 20e와 같이 데이타리드시의 워드선 레벨Vr보다 낮아져서 잘못된 데이타의 리드가 실행되게 된다. 또, 도 20f와 같이 접지전위Vss보다 낮아져서 비선택시에도 온상태로 되어 버려 워드선은 달리하지만 소오스선은 공통인 메모리셀을 선택했을 때 데이타선상의 전하가 상기 접지전위Vss보다 임계값이 낮은 메모리셀을 통해서 소오스에 흘러버리기 때문에 잘못된 데이타의 리드가 실행될 우려가 있다는 문제점이 있었다.
또한, 메모리어레이의 구성에 의해서는 임계값이 낮은 상태를 소거상태로 하고, 라이트에 의해서 메모리셀의 임계값을 상승시키는 방식도 있지만, 이러한 라이트방식에 있어서도 라이트시에 워드선을 공통으로 하는 비라이트의 메모리셀의 임계값이 약간 상승된다는 외란현상이 있다(도 21c, 도 21d참조), 그리고, 외란이 몇번인가 반복되면 메모리셀의 임계값이 도 21e와 같이 데이타리드시의 워드선 레벨 Vr보다 상승되어서 잘못된 데이타의 리드가 실행될 우려가 있다.
도 22에 1개의 워드선에 의해 관리되는 섹터의 정보맵을 도시한다. 예를 들면, 도 22의 (a-1)∼(a-3)에서는 1개의 워드선에는 512byte(4096bit)의 메모리셀이 접속된다. 여기서, 도 22에 도시한 바와 같이 동일 섹터내에 OS정보(오퍼레이션시스템에 관한 정보)나 섹터관리정보등 일반 사용자에게 개방되어 있지 않은 기억영역(이하, 시스템영역이라 한다)와 일반 사용자가 자유롭게 라이트할 수 있는 기억영역(이하, 사용자영역이라 한다)를 혼재해서 마련하는 것에 의해 메모리의 유효이용을 도모할 수 있다. 시스템영역의 비트수는 사용자영역의 비트 수에 비하면 아주 작다. 이와 같은 기억방식의 플래시메모리는 시스템영역에 소정의 데이타가 라이트되고 사용자영역은 미라이트의 상태에서 사용자에게 제공된다. 큰 정보에리어를 갖는 사용자영역의 소거상태에 있는 메모리셀을 선택해서 반복라이트를 실행하는 추가라이트라 불리는 동작을 실행할 수 있으면 편리하다. 그런데, 종래의 플래시메모리를 사용한 시스템에서는 외란때문에 기억정보의 보증이 불가능하게 되므로 그와 같은 추가라이트동작이 실행되고 있지 않았다. 또, 추가라이트를 허용했다고 해도 외란에 의한 임계값 변동을 고려해서 연속하여 추가라이트를 실행하는 횟수를 대폭으로 제한할 필요성이 있었다.
또, 메모리 자신도 상기와 같은 사용방법을 고려해서 설계되어 있지 않았다. 그 때문에, 종래의 플래시메모리에 의해 추가라이트를 실행하려고 하면, 통상의 라이트와 동일한 알고리듬 즉 일단 해당 섹터의 데이타를 외부로 리드해서 섹터의 일괄소거를 실행한 후 상기 리드데이타와 추가라이트데이타를 합성해서 라이트를 실행하지 않으면 않되므로, 추가라이트에 필요한 시간이 상당히 길어짐과 동시에 소프트웨어의 부담이 커져버린다는 불합리가 있는 것이 명백하게 되었다.
본 발명의 목적은 워드선외란에 의한 메모리셀의 임계값의 변동을 회복시키는 것이 가능한 불휘발성 반도체기억장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 일괄소거를 실행하지 않고 추가라이트의 연속실행이 가능한 불휘발성 반도체기억장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 추가라이트라고 하는 동작을 통상의 라이트보다 고속으로 실행할 수 있고 또 추가라이트에 있어서의 소프트웨어의 부담을 경감하는 것이 가능한 불휘발성 반도체기억장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부도면에서 명확하게 될 것이다.
본원에 있어서 개시되는 발명중 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 다음과 같다.
즉, 소정의 명령이 인가되면 명령어드레스의 섹터의 기억데이타를 리드해서 레지스터에 퇴피시키고 나서 상기 섹터의 일괄소거를 실행하고, 상기 퇴피된 데이타와 추가라이트하고자 하는 데이타로 실제의 라이트데이타(이하, 라이트기대값 데이타라 한다)를 형성해서 라이트동작을 실행하도록 구성한 것이다.
또, 임계값전압의 제1 상태와 제2 상태에 의해 정보를 기억하는 여러개의 메모리셀과 상기 여러개의 메모리셀의 컨트롤게이트에 접속되는 워드선을 갖는 메모리어레이 및 커맨드입력단자를 갖고 상기 커맨드입력단자에 입력되는 명령에 따라서 상기 여러개의 메모리셀의 소거 및 라이트의 수순을 제어하는 시퀀서를 구비하고, 상기 시퀀서가 받는 상기 명령에는 상기 여러개의 메모리셀의 임계값전압을 일괄해서 제1 상태로 하는 소거커맨드와 상기 여러개의 메모리셀중 임계값전압이 제1 상태에 있는 메모리셀의 적어도 1개를 선택적으로 제2 상태로 하는 추가라이트커맨드가 있고, 상기 추가라이트커맨드는 상기 소거커맨드를 실행하지 않고 여러회 연속해서 데이타의 라이트를 실행할 수 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리시스템을 구성한다.
더욱 바람직한 실시예에 의하면, 상기 여러개의 메모리셀중 임계값전압이 제1 상태의 메모리셀을 제1 메모리군으로 하고, 임계값 전압이 제2 상태의 메모리셀을 제2 메모리셀군으로 할 때, 상기 추가라이트커맨드는 상기 제2 메모리셀군의 메모리셀의 임계값 전압을 상기 제1 상태와 상기 제2 상태 사이로 하는 제1 스텝을 실행한 후, 상기 제1 메모리셀군의 적어도 1개를 선택적으로 제2 상태로 함과 동시에 상기 제2 메모리셀군의 메모리셀을 상기 제2 상태로 하는 제2 스텝을 실행한다.
더욱 바람직한 다른 실시예에 의하면, 상기 시퀀서가 받는 상기 명령에는 상기 여러개의 메모리셀의 임계값전압을 일괄해서 상기 제1 상태로 하기 위해서 상기 워드선에 제1 전압을 인가하는 수순을 포함하는 소거커맨드, 상기 여러개의 메모리셀에 포함되는 선택된 제1 메모리셀군의 임계값 전압을 상기 제2 상태로 하기 위해서 상기 워드선에 제2 전압을 인가하는 수순을 포함하는 제1 라이트커맨드 및 상기 여러개의 메모리셀의 임계값을 상기 제2 상태에서 상기 제1 상태의 전압방향으로 변화시키기 위해서 상기 제1 전압을 인가한 후, 상기 여러개의 메모리셀에 포함되는 선택된 제2 메모리셀군의 임계값 전압을 상기 제2 상태로 하기 위해서 상기 워드선에 상기 제2 전압을 인가하는 수순을 포함하는 제2 라이트커맨드가 포함되도록 한다.
이것에 의해서, 추가라이트시에 워드선외란에 의한 메모리셀의 임계값의 변동이 회복되어 잘못된 데이타의 리드를 방지할 수가 있다. 결과적으로 소거명령을 실행하지 않고 추가라이트를 연속해서 실행할 수 있는 횟수를 대폭으로 증가시킬 수 있다.
또, 선택섹터에서 리드된 데이타를 내부레지스터에 유지한 상태로 외부에서 추가라이트데이타가 입력되면 라이트기대값 데이타를 자동적으로 내부에서 형성하고 나서 라이트동작을 실행하도록 구성하는 것에 의해, 추가라이트라고 하는 동작을 통상의 라이트보다 고속으로 실행할 수 있고 또한 추가라이트에 있어서의 소프트웨어의 부담을 경감할 수가 있다.
이하, 본 발명을 플래시메모리에 적용한 경우의 실시예를 도면을 사용해서 설명한다.
실시예 1
도 1에는 본 발명을 적용한 플래시메모리의 1실시예가 도시되어 있다. 특히 제한되지 않지만, 도 1에 도시되어 있는 각 회로블럭은 단결정실리콘과 같은 1개의 반도체칩(1)상에 형성되어 있다.
도 1에 있어서, (11)은 도 18에 도시되어 있는 바와 같은 플로팅게이트를 갖는 1개의 트랜지스터로 이루어지는 메모리셀이 매트릭스형상으로 배열된 메모리어레이, (12)는 메모리어레이(11)에서 리드된 1섹터분의 데이타를 유지하거나 외부에서 입력된 라이트데이타를 유지하는 데이타레지스터, (13)은 상기 메모리어레이(11)과 데이타레지스터(12) 사이에 마련된 추가라이트나 리라이트시의 데이타변환을 실행하는 리라이트회로이다.
또, (14)는 외부에서 입력된 어드레스신호를 유지하는 어드레스레지스터, (15)는 메모리어레이(11)내의 워드선중에서 상기 어드레스레지스터(14)에 페치된 어드레스에 대응한 1개의 워드선을 선택하는 X디코더, (16)은 외부로부터의 라이트데이타를 상기 데이타레지스터(12)로 순차 전송하거나 데이타레지스터(12)에 리드된 데이타를 외부로 출력하기 위한 Y어드레스신호(데이타선 선택신호)를 생성하는 Y어드레스카운터이다. 상기 Y어드레스카운터(16)은 1섹터의 선두어드레스에서 최종어드레스까지를 순차 갱신하여 출력하는 기능을 갖는다. (17)은 생성된 Y어드레스를 디코드해서 1섹터내의 1개의 데이타를 선택하는 Y디코더, (18)은 데이타레지스터(12)에 리드된 데이타를 증폭해서 외부로 출력하는 메인앰프이다.
이 실시예의 플래시메모리는 특히 제한되지 않지만 직렬(시리얼)액세스의 데이타입출력 인터페이스를 갖는다. 예를 들면, 리드시에는 리드할 섹터의 어드레스가 입력되면 1개의 워드선이 선택되고, 그것에 접속되는 여러개의 메모리셀에서 병행해서 데이타가 리드되고, 각각 나중에 설명하는 센스래치SLT군에 일단 유지된다. 이 센스래치군은 상기 데이타레지스터(12)에 포함된다. 센스래치군은 Y어드레스카운터에 의해 순차 선택되고 그의 유지데이타가 직렬로 출력된다. 라이트의 경우는 직렬데이타가 입력되어 상기와는 반대의 경로에서 선택된 섹터에 라이트가 실행된다. 또, 메모리칩의 입출력단자는 여러개로 되고, 1섹터의 데이타가 분할되어서 직렬로 입출력된다.
이 실시예의 플래시메모리는 특히 제한되지 않지만 외부의 CPU등에서 인가되는 커맨드를 유지하고 그것을 디코드하는 커맨드레지스터 및 디코더(21)과 상기 커맨드레지스터 및 디코더(21)의 디코드결과에 따라서 상기 커맨드에 대응한 처리를 실행하도록 메모리내부의 각 회로에 대한 제어신호를 순차 형성해서 출력하는 제어회로(시퀀서)(22)를 구비하고 있고, 커맨드가 인가되면 그것을 해독해서 자동적으로 대응하는 처리를 개시하도록 구성되어 있다.
상기 제어회로(22)는 예를 들면 마이크로프로그램방식의 CPU의 제어부와 마찬가지로, 커맨드(명령)를 실행하는 데에 필요한 일련의 마이크로명령군이 저장된 ROM(리드 온리 메모리)로 이루어지고, 커맨드레지스터 및 디코더(21)이 커맨드에 대응한 마이크로명령군의 선두어드레스를 생성해서 제어회로(22)에 인가하는 것에 의해 마이크로프로그램이 기동되도록 구성할 수가 있다. 이 ROM내에 마련된 소프트웨어에는 도 4에서 후술하는 명령수순과 전압인가시간 등의 조건이 저장된다. ROM에는 최저한의 마이크로명령만을 탑재하고 명령조건이나 추가프로그램을 리라이트할 수 있는 플래시메모리에 저장해도 좋다.
또, 이 실시예의 플래시메모리에는 상기 각 회로 이외에 어드레스신호나 데이타신호의 입출력을 실행하는 I/O버퍼회로(23), 외부의 CPU등에서 공급되는 제어신호가 입력되는 제어신호입력 버퍼회로(24), 외부에서 공급되는 전원전압Vcc에 따라서 워드선에 인가하는 라이트전압Vw(-10V), 소거전압Ve(10V), 리드전압Vr(2V), 검증전압Vpv(1V)등 칩내부에서 필요로 되는 전압을 생성하는 전원회로(25), 메모리의 동작상태에 따라서 이들 전압중에서 원하는 전압을 선택해서 메모리어레이(11)이나 X디코더(15)에 공급하는 전원전환회로(26) 등이 마련되어 있다. 또한, 전원전압보다 큰 Vw나 Ve와 같은 전압은 온칩의 차지펌프회로에 의해 발생된다.
특히 제한되지 않지만 이 실시예의 플래시메모리는 어드레스신호와 라이트데이타신호 및 커맨드입력에서 외부단자(핀)I/O를 공용하고 있다. 그 때문에, 상기 I/O버퍼회로(23)은 상기 제어신호입력 버퍼회로(24)로부터의 제어신호에 따라서 이들의 입력신호를 구별해서 페치하고 소정의 내부회로에 공급하도록 구성되어 있다.
외부의 CPU 등에서 이 실시예의 플래시메모리에 입력되는 제어신호로서는 예를 들면 리세트신호RES나 칩선택신호CE, 라이트제어신호WE, 출력제어신호OE, 커맨드 또는 데이타입력인지 어드레스입력인지를 나타내기 위한 커맨드인에이블신호CDE, 시스템클럭SC 등이 있다.
또한, 상기 실시예의 플래시메모리를 제어하는 외부의 장치로서는 어드레스생성기능과 커맨드생성기능을 구비하고 있으면 좋으므로, 범용 마이크로컴퓨터 LSI를 사용할 수가 있다.
도 2에는 라이트에 의해서 메모리셀의 임계값을 저하하는 방식의 메모리어레이(11)의 구체예를 도시한다. 이 실시예의 메모리어레이(11)은 2개의 매트로 구성되어 있고, 도 2에는 그중 한쪽의 메모리매트의 구체예가 도시되어 있다. 동일 도면에 도시한 바와 같이, 각 메모리매트는 열방향으로 배열되어 각각 소오스 및 드레인이 공통 접속된 병렬형태의 n개의 메모리셀(플로팅게이트를 갖는 MOSFET)MC1∼MCn으로 이루어지는 메모리열MCC가 행방향(워드선 WL방향) 및 열방향(데이타선 DL방향)에 각각 여러개 배치되어 있다. 각 메모리열MCC는 n개의 메모리셀MC1∼MCn의 드레인 및 소오스가 각각 공통의 로컬데이타선LDL 및 공통의 로컬소오스선LSL에 접속되고, 로컬데이타선LDL은 선택 MOSFET Qs1을 거쳐서 메인데이타선DL에, 또 로컬소오스선LSL은 선택 MOSFET Qs2를 거쳐서 접지점 또는 부전압에 접속가능하게 된 구성으로 되어 있다. 상기 여러개의 메모리열MCC중 워드선방향으로 배열되어 있는 것은 반도체기판상의 동일한 웰영역WELL내에 형성된다.
특히 제한되지 않지만 도 2에 도시한 메모리어레이의 구성을 갖고 소거상태를 높은 입계값 전압으로 취함과 동시에 라이트상태를 낮은 임계값전압으로 취하는 방식은 AND형 플래시메모리라고 불리는 것이 있다. 이 때, 특히 제한되지 않지만 플로팅게이트로의 전자의 주입(임계값 전압을 저하시키고 소거상태로 한다)에는 트랜지스터의 채널로부터의 FN(Fowler-Nordheim)터널주입이 사용되고, 플로팅게이트로부터의 전자의 인출(임계값 전압을 저하시키고 라이트상태로 한다)에는 확산층으로의 FN터널방출이 사용된다.
먼저, 데이타소거시에는 웰영역WELL 및 로컬소오스선LSL에 -3V와 같은 부전압을 인가하고, 웰영역을 공통으로 하는 워드선에 10V와 같은 전압을 인가하는 것에 의해 일괄소거가 가능하게 되어 있다. 또한, 데이타소거시에는 선택MOSFET Qs2가 온상태로 되어서 각 메모리셀의 소오스에 -3V의 부전압이 인가되도록 구성되어 있다. 이 때, 선택MOSFET Qs1은 오프로 되고 드레인은 컨트롤게이트에 10V의 고전압이 인가되는 것에 의해 온상태로 된 메모리셀의 채널을 통해서 소오스측의 전압이 전해지는 것에 의해 -3V와 같은 전위로 된다.
한편, 데이타라이트시에는 선택되는 메모리셀이 접속된 워드선에 -10V와 같은 부전압이 인가됨과 동시에 선택되는 메모리셀에 대응한 메인데이타선 DL이 3V와 같은 전위로 되고, 또한 선택메모리셀이 접속된 로컬데이타선LDL상의 선택MOSFET Qs1이 온상태로 되고 드레인에 3V가 인가된다. 단, 이 때 로컬소오스선LSL상의 선택MOSFET Qs2는 오프상태로 되어 있다.
또, 데이타리드시에는 선택되는 메모리셀이 접속된 워드선에 리드전압Vr(예를 들면 2.0V)와 같은 전압이 인가됨과 동시에 선택되는 메모리셀에 대응한 메인데이타선DL이 1V와 같은 전위로 프리차지되고 또한 선택메모리셀이 접속된 로컬데이타선LDL상의 선택MOSFET Qs1이 온상태로 된다. 그리고, 이 때 로컬소오스선LSL상의 선택MOSFET Qs2는 온상태로 되고 접지전위(0V)가 인가된다. 이것에 의해 메모리셀의 임계값전압에 따라서 전류가 흐르는 것(LDL전위가 0V로 저하)과 전류가 흐르지 않는 것(LDL전위가 1V로 유지된다)이 구별되고 메모리셀의 기억정보가 리드된다.
데이타라이트시 및 소거시의 전압이 도 18, 도 19의 종래 형태에 비해서 낮은 것은 종래보다 미세가공이 가능한 기술을 사용해서 소자치수를 작게함과 동시에 전원 전압Vcc로서 종래의 5V 대신에 3V를 사용하고 있기 때문이다.
상기 메인데이타선DL의 한쪽 끝(메모리어레이의 중앙측)에는 리드시에 데이타선의 레벨을 검출함과 동시에 라이트시에 라이트데이타에 따른 전위를 인가하는 센스래치회로SLT와 추가라이트시에 기대값데이타를 형성하거나 하는 데에 사용하는 데이타반전회로WRW가 각각 접속되어 있다. 상기 센스래치회로SLT의 집합이 도 1에 있어서의 데이타레지스터(12)이고, 데이타반전회로WRW의 집합이 도 1에 있어서의 리라이트회로(13)이다. 이 2개의 WELL에 형성된 2개의 메모리어레이를 메모리매트a(MATa)라 하기로 한다. 여기서, 메인데이타선의 수나 SLT는 1섹터에 대응한 수로 되고 예를 들면, 4224개(512116 byte)가 병렬로 마련된다.
이 실시예에서는 2개의 메모리매트로 구성되고, 센스래치회로SLT의 반대측 즉 도면의 하측에도 도시되지 않은 상기 데이타반전회로WRW와 메모리매트b(MATb)가 배치되어 있고, 그 메모리어레이내의 각 메인데이타선DL이 대응하는 데이타반전회로WRW를 거쳐서 센스래치회로SLT의 다른 쪽의 입출력단자에 접속되어 있다. 즉, WRW는 MATa 및 MATb 마다 마련되고(구별할 때에는 WRWa, WRWb라 한다), SLT는 2개의 메모리매트에 있어서 공유된다.
도 3에는 상기 센스래치회로 SLT 및 데이타발전회로 WRW의 구체적인 회로예를 도시한다. 회로는 센스래치회로를 사이에 두고 대칭이므로, 한쪽의 메모리매트내의 1개의 데이타선에 관해서만 도시함과 동시에 편의상 데이타선에 접속되어 있는 메모리열중 1개의 메모리열MCC만 도시하였지만, 실제로는 여러개의 메모리열MCC가 접속되는 것이다. 도시한 바와 같이 센스래치회로SLT는 P채널MOSFET와 N채널MOSFET로 이루어지는 2개의 CMOS인버터의 입출력단자가 교차결합된 플립플롭회로FF에 의해 구성되어 있다. 그리고, 상기 센스래치회로SLT의 한쌍의 입출력단자Na, Nb에 Y디코더의 출력에 의해서 온, 오프제어되는 소위 Y게이트를 구성하는 컬럼스위치 MOSFET Qya, Qyb가 접속되어 있다. 이 메인데이타선 마다 마련된 여러개의 컬럼스위치의 다른쪽 끝은 상보공통 입출력선(IO,/IO)에 공통으로 접속된다.
데이타반전회로WRWa는 상기 센스래치회로SLT의 한쪽의 입출력단자Na와 한쪽의 메모리매트내의 메인데이타선DLa 사이에 접속된 전송MOSFET Qt1, 전원전압단자 Vcc와 메인데이타선DLa 사이에 접속되어 제어신호PC2A에 의해서 제어되는 프리차지용 MOSFET Qp1 및 프리차지전환단자 VPC와 메인데이타선DLa 사이에 직렬로 접속된 MOSFET Qt2, Qp2에 의해 구성되어 있다. 이 중, Qt2의 게이트에는 상기 센스래치회로SLT의 입출력단자Na의 전위가 인가되고, Qp2의 게이트에는 제어신호PC1A가 인가되고 있다. 또, 상기 프리차지전환단자VPC에는 전원전압Vcc 또는 Vss가 공급되도록 구성되어 있다.
또, 상기 센스래치회로SLT의 다른 쪽의 입출력단자Nb에도 동일한 구성의 MOSFET Qt1, Qt2, Qp1, Qp2로 이루어지는 데이타반전회로WRWb가 접속되어 있다.
도 4에 제어회로(22)에 의한 데이타추가라이트시의 제어수순을 도시한다. 추가라이트를 기동하는 추가라이트커맨드는 도 1의 제어입력신호중 커맨드인에이블신호CDE가 유효로 될 때 IO입출력단자에서 입력되는 커맨드로서 설정된 2비트의 수치에 의해 지정된다. 나중에 설명하는 바와 같이, 이 제어회로는 그 밖에 소거커맨드이나 라이트커맨드 등을 접수하지만, 그들은 IO입출력단자에서 입력되는 수치의 차에 의해 구별된다. 커맨드수치는 커맨드디코더에 의해 디코드되고 그것에 의해 대응하는 일련의 프로그램이 기동된다.
이 제어시퀀스는 추가라이트커맨드가 커맨드레지스터 및 디코더(21)에 페치되는 것에 의해서 개시된다. 이 제어시퀀스가 개시되면 칩내부가 추가라이트모드로 설정되고, 데이타레지스터(12)에서는 모든 센스래치SLT에 "1" 이 설정된다(스텝S1). 다음에 외부에서 입력된 라이트어드레스를 어드레스레지스터(14)에 페치한다(스텝S2). 계속해서 외부에서 입력된 적어도 1개의 추가라이트데이타를 데이타레지스터(12)에 저장한다(스탭S3).
다음에, 외부에서 라이트개시 커맨드가 커맨드레지스터 및 디코더(21)에 페치되는 것에 의해서 상기 어드레스레지스터(14)에 유지되어 있는 섹터어드레스(X어드레스)가 X디코더(15)에 의해 디코드되고, 메모리어레이(11)내의 1개의 워드선이 선택되서 2V와 같은 리드레벨로 설정된다. 이것에 의해서 1섹터분의 데이타가 데이타레지스터(12)에 리드됨과 동시에 이미 설정되어 있던 추가라이트데이타에 따라서 라이트기대값 데이타를 작성해서 그것을 데이타레지스터(12)에 유지시킨다(스텝S4). 이상의 처리가 상기 제어회로(시퀀서)(22)의 제어하에서 리라이트회로(13)(데이타반전회로WRW)에 의해서 자동적으로 실행된다.
계속해서 상기 선택워드선에 10V, 웰영역에 -3V의 소거펄스를 인가해서 상기 섹터의 모든 메모리셀의 임계값을 상승시킨다(스텝S5). 이 스텝이 본원의 특징으로 하는 점중의 하나이다. 도 4의 스텝5에 있어서 섹터의 모든 메모리의 임계값을 전압Vev보다 상승시키는 예를 도시하였지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라 도 23의 (C-1)과 같이 섹터중의 이미 데이타가 라이트되어 있는 메모리셀에 대해서는 그 임계값을 전압Vpv보다 상승시키는 정도라도 좋다. 이 동일 섹터의 메모리셀을 일괄해서 임계값 전압을 전압Vev보다 상승시키는 것을 실행하지 않고 전압Vpv보다 고전위측으로 하는 조작을 편의상 의소거(擬消去)라 하기로 한다. 이 의소거는 1섹터의 메모리셀을 일괄해서 소거하는 동작과 비교하면 메모리어레이에 인가하는 전압은 동일하지만 그 전압인가시간에 있어서 구별된다. 즉, 나중에 도 14에서 설명하는 소거커맨드를 실행해서 라이트상태에 있는 메모리셀에 완전한 소거를 실행하기 위해서는 통상 1ms의 동안 선택워드선에 10V를 인가한다. 이것에 대해서 의소거에서는 그의 1/10정도인 약 0.1ms로 된다.
따라서, 1섹터내에서 임계값전압이 제2 상태에 있는 제1 메모리셀군의 임계값전압은 완전히 임계값전압이 제1 상태까지 변화하는 것이 아니라 임계값전압이 제1 상태와 제2 상태의 중간정도로 된다. 또, 동일 섹터내에서 제1 메모리셀군의 나머지이고, 임계값전압이 제1 상태에 있는 제2 메모리셀군은 더욱 임계값전입이 상승되는 전압방향(즉 임계값 전압의 제2 상태에서 제1 상태로의 전압방향)으로 임계값 전압이 변화된다. 즉, 의소거는 메모리셀의 완전한 소거가 아니라 워드외란에 의해서 초래되는 제1 상태에서 제2 상태로의 전압방향의 임계값전압의 변화를 예측해서 그 변화를 상쇄하는 분 만큼 반대의 전압방향으로 임계값 전압을 변화시키는 조작을 취할 수가 있다.
다음에 선택워드선을 -10V로 설정해서 데이타선은 상기 스텝S4에서 작성되어 데이타레지스터(12)(센스래치SLT)에 유지되어 있는 기대값데이타를 사용해서 LDL의 전압레벨을 3V로 선택적으로 설정하고 라이트를 실행한다(스텝S6). 라이트를 실행하지 않는 메모리셀의 LDL의 전압레벨은 0V로 한다. 그리고, 검증전압Vpv를 사용해서 리드를 실행하여 데이타레지스터(12)의 유지데이타가 모두 "0" 으로 되어 있는지 아닌지 판정하는 것에 의해 임계값이 충분히 저하되어 있는지를 채크하고(스텝S7), 언제라도 "1"의 데이타가 남아있는 경우에는 임계값이 높은 메모리셀이 있다고 판정해서 스텝S6으로 되돌아가고 그 때 데이타레지스터(12)에 유지되어 있는 데이타를 사용해서 재차 라이트와 검증을 반복한다. 반복의 과정에서는 이미 임계값이 충분히 저하되어 있는(검증전압Vpv보다 임계값전압이 저하된) 메모리셀은 LDL의 전압레벨을 0V로 해서 라이트를 실행하지 않도록 설정한다. 그리고, 나머지의 임계값의 저하가 불충분한 메모리셀은 선택적으로 라이트를 실행하고 라이트를 실행할 메모리셀군의 임계값 전압이 모두 충분히 저하된 곳에서 리라이트와 검증을 정지한다.
이 라이트검증은 동일 섹터내의 메모리셀의 라이트시간의 편차에 대응하는 것이다. 즉, 상기 의소거에 의해 제1 상태와 제2 상태의 임계값으로 설정된 메모리셀은 제1 상태에서 제2 상태로 임계값 전압을 변화시키는 메모리셀보다 라이트시간이 훨씬 짧다. 라이트검증을 사용하는 것에 의해 라이트시의 임계값전압의 편차를 억제함과 동시에 임계값 전압이 Vss이하로 되어 버리는 것이 유효하게 방지된다.
도 5∼도 8에는 상기 추가 라이트흐름에 있어서의 스텝S4의 라이트기대값 데이타작성시의 메모리어레이 및 데이타반전회로WRW의 각 부의 신호타이밍을 더욱 상세하게 도시한다. 또한, 도 5∼도 8은 도 3에 도시되어 있는 메모리어레이에 있어서 우측의 메모리매트MATa가 선택되는 경우의 신호타이밍을 도시한 것이다. 또, 표1에는 상기 라이트기대값 데이타 작성과정에서의 데이타레지스터(12)에 있어서의 유지데이타 및 데이타선 레벨의 변화 상태를 위쪽에서 아래쪽으로 시간에 따라 수순으로 도시한다.
[표 1]
Figure pat00001
표 1에 나타나 있는 바와 같이, 추가라이트시에는 먼저 메모리어레이의 라이트위치의 기억데이타가 데이타레지스터에 리드되고, 추가라이트데이타가 데이타레지스터(12)(센스래치SLT)의 소정의 비트에 저장된다. 또한, 상술한 바와 같이, 동일 섹터내의 추가라이트를 실행하지 않은 메모리셀(이미 데이타가 라이트되어 있는 메모리셀)에 대응한 센스래치SLT에는 데이타 "1" (이 단계에서는 임계값을 변화시키지 않는 것을 의미하고 있다)이 설정되어 있다. 즉, 표 1에 있어서 사용중의 란의 추가데이타의 항목은 추가라이트를 실행하지 않은 것을 명료하게 하기 위해 " - " 로 나타냈지만, 실제로는 "1" 로 된다. 또, 데이타반전회로WRW내의 전원전환단자VPC에는 최초에 Vcc(하이레벨)을 공급해 둔다.
이 상태에서, 도 5에 도시한 바와 같이 먼저 신호PC2B, PC1A를 상승시킨다(t1). 이것에 의해서 비선택측의 MATb에서는 데이타반전회로WRWb내의 MOSFET Qp1이 온되어 여러개의 메인데이타선DLb가 기준전위(예를 들면 0.5V)로 프리차지된다. 한편, 선택측의 MATa에서는 데이타반전회로WRWa내의 MOSFET Qp2가 온됨과 동시에 MOSFET Qt2가 센스래치SLT의 유지데이타에 따라서 그것이 "1" 일 때는 온되고, "0" 일 때는 오프로 되기 때문에, 센스래치SLT의 유지데이타가 "1" 에 대응하는 메인데이타선DLa은 1V로 프리차지되고, 유지데이타가 "0" 에 대응하는 메인데이타선DLa는 Vss(로우레벨)로 된다. 추가라이트를 실행하지 않은 메모리셀(이미 데이타가 라이트되어 있는 메모리셀)에 대응한 센스래치SLT에는 데이타 "1" 이 설정되어 있으므로, 대응하는 메인데이타선DLa는 모두 1V로 프리차지된다.
계속해서, 1개의 워드선 및 로컬드레인 선택신호SD 및 로컬소오스 선택신호SS를 상승시켜서 메모리어레이내의 선택MOSFET Qs1을 온시킨다(도 5의 타이밍t2). 이것에 의해서 데이타 "0" 이 이미 라이트되어 있는 메모리셀(낮은 임계값)은 온으로 되기 때문에 대응하는 메인데이타선DLa는 디스차지되어서 로우레벨로 된다. 한편, 기억데이타가 "1" 인 메모리셀(높은 임계값)은 오프로 되기 때문에 대응하는 메인데이타선DLa는 하이레벨인 상태이다. 또, 미라이트(소거상태)의 메모리셀(높은 임계값)은 오프이므로 대응하는 메인데이타선DLa은 추가라이트데이타에 따라서 센스래치SLT의 유지데이타가 "1" 에 대응하는 메인데이타선DLa는 1V로 되고, 유지데이타가 "0" 에 대응하는 메인데이타선DLa는 Vss로 된다.
다음에, 센스래치SLT의 전원전압SLP, SLN을 재설정(리세트)상태(SLP=SLN=0.5V)로 해서 유지데이타를 일단 소거(도 5의 타이밍t3)한 후, 신호TR을 하이레벨로 하여 데이타선상의 전송MOSFET Qt1을 온시켜서 데이타선의 전위를 센스래치SLT로 전달(도 5의 타이밍t4)한 후, 센스래치SLT의 전원전압SLP, SLN을 순바이어스상태로 해서 데이타선의 전위를 증폭한다(도 5의 타이밍t5). 도 6에는 상기 신호타이밍에 따랐을 때의 경우의 센스래치SLT의 입출력 노드와 메인데이타선DLa, DLb의 전위의 변화를 도시한다.
또한, 도 6에 있어서, DAi는 센스래치SLT의 MATa(우측매트)측의 입출력 노드의 전위, Nb는 센스래치SLT의 MATb(좌측매트)측의 입출력노드의 전위, GDLAi는 MATa측의 메인데이타선DLa의 전위, GDLBi는 매트B측의 메인데이타선DLb의 전위이다. 또, 도 6a는 선택메모리셀의 현재의 상태가 라이트상태(낮은 임계값)인 경우의 파형, 도 6b는 선택메모리셀의 현재의 상태가 소거상태(높은 임계값)에서 추가라이트에 의해 데이타의 라이트를 실행하지 않는 경우의 파형, 도 6c는 선택메모리셀의 현재의 상태가 소거상태(높은 임계값)에서 추가라이트에 의해 데이타의 라이트를 실행하는 경우의 파형이다.
그 후, 도 7에 도시한 바와 같이, 신호TR을 로우레벨로 해서 전송MOSFET Qt1을 오프시켜 데이타선과 센스래치SLT를 차단한 상태에서 신호 PC2A, PC2B를 상승시킨다(타이밍t6). 이것에 의해서 데이타반전회로WRWa내의 MOSFET Qp1이 온되어서 메인데이타선DLa, DLb가 각각 1V, 0.5V로 프리차지된다. 다음에 데이타반전회로WRWa내의 전원전환단자VPC를 Vss로 전환하고 나서 신호PC1A를 상승시킨다(도 7의 타이밍t7).
그러면, 선택측에서는 데이타반전회로WRWa내의 MOSFET Qp2가 온됨과 동시에 MOSFET Qt2가 센스래치SLT의 유지데이타에 따라서 그것이 "1" 일 때는 온되고, "0" 일 때는 오프로 된다. 그 때문에, 센스래치SLT의 유지데이타가 "1" 에 대응하는 메인데이타선DLa는 Vss(로우레벨)로 디스차지되고, 유지데이타가 "0" 에 대응하는 메인데이타선DLa는 1V(하이레벨)인 상태로 된다. 즉, 데이타레지스터(12)의 유지데이타를 반전한 상태가 선택측의 데이타선상에 나타난다.
다음에, 센스래치SLT의 전원전압SLP, SLN을 역재설정상태로 해서 유지데이타를 일단 소거(도 7의 타이밍t8)한 후, 신호TR을 하이레벨로 해서 데이타선상의 전송MOSFET Qt1을 온시켜서 데이타선의 전위를 센스래치SLT로 전달(도 7의 타이밍t9)한 후, 센스래치SLT의 전원전압SLP, SLN을 순바이어스상태로 해서 데이타선의 전위를 증폭한다(도 7의 타이밍t10). 이것에 의해서 데이타레지스터(12)에는 라이트를 실행할 메모리셀에 대응한 센스래치SLT에만 "1"로 된 라이트기대값 데이타가 유지된다. 이 라이트기대값 데이타는 추가라이트데이타와 이미 라이트가 실행된 메모리셀의 기억데이타를 병렬로 반전시킨 것이지만 표1로부터 용이하게 이해된다.
실시예의 플래시메모리에서는 상기 라이트기대값 데이타를 데이타레지스터(12)에 유지한 채, 데이타선상의 전송MOSFET Qt1을 오프한 상태에서 선택워드선과 웰영역에 소거펄스를 인가해서 상기 섹터의 메모리셀을 모두 소거상태(높은 임계값)로 또는 의소거한다. 그 후, 데이타레지스터(12)에 유지되어 있는 상기 라이트기대값 데이타를 사용해서 유지데이타가 "1" 인 데이타선만 3V와 같은 레벨로 프리차지해서 선택워드선에 -10V를 인가하는 것에 의해 원하는 추가라이트가 실행된다. 그 결과, 프리차지되지 않았던 데이타에 접속된 메모리셀은 임계값이 변화하지 않고 기억데이타는 "1" 로 되고, 반대로 프리차지된 데이타에 접속된 메모리셀은 임계값이 저하되는 것에 의해 기억데이타는 "0" 으로 된다.
또한, 상기 소거펄스인가시에 소거상태였던 메모리셀의 임계값은 최저한 라이트검증전압을 초과하면 좋고 소거시간의 절약이 가능하다.
도 8에는 상기 신호타이밍에 따랐을 때의 센스래치SLT의 입출력 노드와 메인데이타선DLa, DLb의 전위의 변화를 도시한다. 또, 도 8a는 도 5의 동작종료시(타이밍t5)에 센스래치SLT의 매트A측의 입출력노드의 전위가 하이레벨이었던 경우의 그 후의 파형, 도 8b는 도 5의 동작종료시(타이밍t5)에 센스래치SLT의 매트A측의 입출력노드의 전위가 로우레벨이었던 경우의 그 후의 파형을 도시한 것이다.
도 9에는 각 메모리셀의 추가라이트전과 추가라이트후의 임계값의 변화 상태를 도시한다. 도 9에 있어서, (A)는 라이트전의 상태가 「소거(기억데이타 "1" )」이고 추가라이트데이타가 "1" 인 메모리셀의 변화를, (B)는 라이트전의 상태가 「소거(기억데이타 "1" )」이고 추가라이트데이타가 "0" 인 메모리셀의 변화를, (C)는 라이트전의 상태가 「라이트(기억데이타 "0" )」이고 추가라이트가 없는 메모리셀의 임계값의 변화를 도시한 것이다. 도 9에 있어서, 완만하게 오른 쪽으로 기울어지는 경사는 외란에 의한 임계값의 저하를 의미하고 있다. 또한, 도 9에서 점선으로 도시한 것은 초기 라이트도 추가라이트커맨드를 사용해서 실행한 경우의 임계값의 변화이다. 즉, 메모리셀의 일괄소거 직후의 라이트에 있어서도 외란이 발생하므로 추가라이트커맨드를 사용하는 라이트는 유용하다.
표 2에는 메모리셀의 상태(기억데이타)와 추가라이트데이타 및 라이트기대값 데이타의 관계를 도시한다. 표 2에 기재되어 있는 A, B, C는 도 9의 메모리셀의 임계값 변화와의 대응을 나타내는 것이다.
[표 2]
Figure pat00002
도 10에는 이 실시예의 추가라이트제어를 적용하는 것에 의해 각 메모리셀의 임계값의 변화 상태가 도시되어 있다. 도 10은 1섹터내의 메모리셀군의 임계값의 천이상태를 도시한 도면으로서, 횡축은 전압, 종축은 특정한 임계값 전압에 있는 메모리셀의 도수를 표시하고 있다. 이 도면에 있어서 임계값 전압의 제1 상태(소거상태, 논리상태 "1" )와 제2 상태(라이트상태, 논리상태 "0" )이 정의된다. 즉, 메모리셀의 기억상태를 결정하기 위한 메모리셀의 임계값 전압은 제1 상태에서는 Vev이상으로 되고, 제2 상태는 Vss에서 Vpv의 범위로 되어 모두 1점의 전압이 아니라 소정의 폭을 갖는 것으로 된다. 이 실시예에 의하면 도 10의 (A-1), (B-1)에 도시한 바와 같이, 최초의 라이트시의 외란에 의해 점선으로 나타낸 바와 같이 임계값이 저하되어 버린 메모리셀의 임계값을 회복해주는 것이 가능하다. 상술한 경우에 있어서 상세하게 설명하지 않았지만, 1섹터를 일괄소거해서 그 중의 특정한 메모리셀군에 라이트를 실행하면 나머지 메모리셀은 처음부터 워드외란을 받는 것이다. 도 10에 있어서 (A-1), (A-2)는 동일 섹터내에서 임계값 전압이 제1 상태에 있는 미사용영역의 제1 메모리셀군(소거상태)에 라이트를 실행하지 않는 경우의 임계값의 변화 상태를, (B-1), (B-2)는 미사용영역과 마찬가지로 제1 메모리셀군에 라이트를 실행하는 경우의 임계값의 변화 상태를 도시한 것이다. 또, (C-1), (C-2)는 사용영역에 있는 임계값 전압이 제2 상태의 라이트상태의 제2 메모리셀군의 임계값의 변화 상태를 각각 도시한 것이다. 동일 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 이 실시예에서는 라이트가 종료된 메모리셀도 일단 소거상태로 되고 나서 재차 라이트상태로 된다.
또한, 상기 실시예에서는 섹터를 사용영역과 미사용영역의 2개로 나눈 경우에 대해서 설명했지만, 그것에 한정되는 것이 아니라 상기 미사용영역을 여러개의 구획으로 분할해서 각 구획마다 추가라이트가 가능한 구성으로 해도 좋다.
또, 상기 실시예에서는 데이타라이트시에 일단 소거를 실행해서 임계값을 상승시킨 후에 라이트펄스에 의해 임계값을 저하시키는 방식의 플래시메모리에 대해서 설명했지만, 소거동작에서 메모리셀의 임계값을 저하시킨 후 라이트펄스에 의해 임계값을 상승시키는 방식 등이어도 좋다.
도 1에 도시한 1칩에 형성된 제1 실시예의 플래시메모리는 상술한 추가라이트커맨드(제2 라이트커맨드) 이외에 적어도 도 13의 리드커맨드, 도 14의 소거커맨드(1섹터의 메모리셀의 임계값 전압을 일괄해서 제1상태(소거상태)), 도 15의 라이트커맨드(제1 라이트커맨드)를 갖는다. 도 13∼도 14의 수순은 나중에 상세하게 설명한다. 소거커맨드를 실행해서 1섹터내에서 임계값이 제2 상태에 있는 메모리셀군을 제1 상태로 하는 데는 약 1ms의 시간을 필요로 한다. 라이트커맨드를 실행해서 임계값이 제1 상태에 있는 메모리셀군을 제2 상태로 하는데는 마찬가지로 약 1ms의 시간을 필요로 한다.
이상의 실시예에 의해 달성되는 본원의 작용효과는 하기와 같다. 먼저, 도 4의 추가라이트커맨드와 도 15의 라이트커맨드를 비교하면, 추가라이트커맨드는 스텝4∼5(S4∼5)의 수순이 특징으로 된다. 스텝4에 의해 최종 라이트데이타의 합성이 자동적으로 실행되게 되어 라이트시간이 절약되게 된다.
또, 임계값 전압의 전압방향을 특징적으로 결정하는 워드선으로의 인가전압으로 비교하면, 도 14의 소거커맨드에서는 ±10V만이 약 1ms인가되는 스텝을 포함하고, 도 15의 라이트커맨드에서는 -10V만이 약 1ms인가되는 스텝을 포함한다. 이것에 대해서 도 4에서는 +10V에 연속해서 -10V를 인가하는 스텝을 갖는 것으로 특징지워진다. 또, 스텝5의 의소거에서 +10V를 인가하는 시간은 소거커맨드에서 +10V를 인가하는 시간보다 대폭으로 단축는 것으로 특징지워진다.
외란을 회피하기 위해서 1섹터의 라이트데이타를 일단 SLT에 퇴피해서 메모리셀을 소거커맨드에 의해 완전히 일괄소거(약 1ms)한 후, SLT에 퇴피한 데이타와 새로운 라이트데이타로 합성된 최종 라이트데이타를 라이트커맨드에 의해 라이트(약 1ms)를 실행하는 방법에서는 합계 약 2ms이상의 시간을 필요로 한다. 이것에 대해서 소거법을 사용한 추가라이트커맨드를 사용하면 의소거(약 0.1ms) 후 라이트(약 1ms)로 되므로, 약 1.1ms로 완료하고, 실질적인 라이트시간을 약 절반으로 할 수 있다. 또, 의소거에 의해 외란의 보상이 이루어져 워드외란이 완화되므로, 추가라이트커맨드에서는 실행에 앞서 소거커맨드를 실행해서 완전한 섹터소거를 하지 않아도 좋다. 즉, 종래의 라이트커맨드에서는 그 실행에 앞서 소거커맨드를 실행하지 않으면 않되는 제약이 있었다. 이것에 대해, 추가라이트커맨드에서는 워드외란이 대폭으로 완화되기 때문에 소거커맨드를 실행하지 않고 연속해서 실행할 수 있는 횟수를 대폭으로 증가시킬 수가 있다. 즉, 본원의 추가라이트커맨드는 소거커맨드를 실행하지 않고 약 15회 이상 연속해서 실행해도 동일 섹터내의 기억데이타가 보증된다. 소거-라이트를 15회 반복하면 30ms로 되는 것에 대해서 추가라이트커맨드 15회 연속해서 실행해서 1회 소거커맨드를 실행하면 17.5ms로 되고, 시스템 전체로서도 라이트시간이 절약된다.
실시예 2
도 11에는 상기 라이트펄스에 의해 임계값을 상승시키는 방식의 메모리어레이의 실시예를 도시한다.
이 실시예의 메모리어레이와 상기 실시예의 메모리어레이(도 2 참조)의 차이점은 선택MOSFET Qs1, Qs2가 없고 각 메모리셀MC1∼MCn의 드레인이 직접 메인데이타선DL에 접속되어 있음과 동시에 각 메모리셀MC1∼MCn의 소오스는 공통의 공통소오스선CSL에 접속되어 있는 점이고, 동일 열의 메모리셀은 서로 병렬적으로 접속되어 있는 점에서는 상기 실시예의 메모리어레이와 동일하다. 단, 이 실시예의 메모리어레이에서는 데이타라이트시와 소거시의 메모리셀의 임계값 전압의 정의가 도 2의 실시예와 반대이다. 특히 제한되지 않지만 도 11에 도시한 메모리어레이는 NOR형 플래시메모리라 불리는 것이 있다. 이 때, 특히 제한되지 않지만 플로팅게이트로의 전자의 주입(임계값전압을 저하시키고 라이트 상태로 한다)에는 트랜지스터의 드레인로부터의 CHE(Channel Hot Electron)주입이 사용되고, 플로팅게이트로부터의 전자의 인출(임계값 전압을 저하시키고 소거상태로 한다)에는 FN터널방출이 사용된다.
이 실시예에서는 표3에 나타낸 바와 같이, 데이타라이트시에는 컨트롤게이트CG에 10V와 같은 고전압이 인가되고 소오스에는 접지전위(0V)가 인가된다. 한편, 드레인에는 선택/비선택에 따라서 다른 전압이 인가된다. 즉, 선택메모리셀의 드레인에는 5V와 같은 전압이 인가되서 메모리셀은 온상태로 되고, 소오스-드레인간에 전류가 흘러 이 때 발생한 열전자가 플로게이트에 주입되서 메모리셀의 임계값이 상승된다. 또, 비선택메모리셀의 드레인에는 소오스와 동일한 0V가 인가되서 메모리셀의 소오스-드레인간에는 전류가 흐르지 않고 메모리셀의 임계값도 낮은 상태로 된다.
[표 3]
Figure pat00003
데이타의 소거시에는 컨트롤게이트CG에 -10V와 같은 부전압이 인가되고 드레인은 전압이 인가되지 않은 플로팅상태로 된다. 한편, 소오스에는 5V와 같은 정전압이 인가된다. 이것에 의해서 메모리셀의 플로팅게이트에서 전자가 인출되어 메모리셀의 임계값이 낮아진다. 이 소거동작은 워드선을 공통으로 하는 섹터단위로 실행된다. 또한, 이 실시예의 메모리셀은 데이타리드시에는 컨트롤게이트에 5V, 소오스에 0V, 드레인에 1V가 인가되는 것에 의해서 임계값이 높은 메모리셀은 드레인전류가 흐르지 않고 임계값이 낮은 메모리셀은 드레인전류가 흘러서 데이타선의 프리차지레벨이 저하하는 것을 센스래치에서 검출하는 것에 의해 데이타의 리드가 실행된다.
이 실시예에 있어서도 상기 실시예와 동일한 추가라이트제어를 적용하는 것에 의해 도 12의 (A-1), (B-1)에 도시한 바와 같이, 최초의 라이트시의 외란에 의해 점선으로 도시한 바와 같이, 임계값이 상승해버린 메모리셀의 임계값을 회복해줄 수가 있다. 또한, 도 12에 있어서, (A-1) 및 (A-2)는 미사용영역의 메모리셀(소거상태)에 라이트를 실행하지 않는 경우의 임계값의 변화 상태를, (B-1) 및 (B-2)는 미사용영역의 메모리셀에 라이트를 실행하는 경우의 임계값의 변화상태를, (C-1) 및 (C-2)는 사용영역에 있는 라이트상태의 메모리셀의 임계값의 변화 상태를 각각 도시한 것이다. 동일 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 이 실시예이서는 라이트가 종료된 메모리셀도 일단 소거상태로 되고 나서 재차 라이트상태로 된다. 도 24에 도시되어 있는 바와 같이, 메모리셀의 임계값의 변화를 전압Vpv보다 약간 낮게하는 정도이어도 좋다.
이상, 본원의 실시예2를 사용해서 제1 상태와 제2 상태의 임계값전압의 고저를 반대로 해도 실시예1과 동일한 효과가 얻어진다.
실시예 3
도 13∼도 15에 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 이 실시예는 상기 실시예에 있어서의 추가라이트커맨드이나 라이트기대값 데이타기능을 플래시메모리에 부가하지 않고, 외부의 제어장체로부터의 일반적인 데이타리드커맨드, 소거커맨드 및 라이트커맨드에 의해서 추가라이트를 실행하도록 한 것이다. 이 실시예를 적용할 수 있는 플래시메모리는 적어도 데이타리드커맨드, 소거커맨드, 라이트커맨드 및 개시커맨드를 해독해서 실행하는 시퀀서를 구비하고 있다. 이중, 개시커맨드는 반드시 필요로 되는 것이 아니라 자동적으로 시작하도록 구성할 수가 있다.
즉, 불휘발성 메모리로서는 메모리어레이와 시퀀서가 1칩상에 형성되고, 시퀀서는 적어도 리드커맨드(도 13), 소거커맨드(도 14) 및 라이트커맨드(도 15)의 기본명령이 실행가능하게 되어 있다. 그리고, 실시예1에서 기술한 바와 같이 완전한 일괄소거와 상술한 의소거가 가능하도록 소거커맨드에서의 워드선의 전압 인가시간이나 실행스텝은 변경가능하게 할 수 있는 것으로 한다. 의소거전용으로 소거시간만이 다른 제2 소거커맨드를 마련해도 좋다. 또, 이 때 소거커맨드의 소거검증은 불필요하게 된다.
본원의 추가라이트커맨드는 상기 3개의 기본명령을 순차 연속해서 실행하는 마이크로커맨드로 되고, 그 커맨드는 예를 들면 퍼스널컴퓨터의 CPU에서 실행 할 수 있는 프로그램으로서 자기매체 등에 의해 배포가능하게 된다. 따라서, 이 경우의 시퀀서는 메모리칩의 협의의 시퀀서와 외부의 CPU가 일체로 된 것이다. 추가커맨드의 형태로서는 불휘발성 메모리 드라이버로서 추가프로그램으로 되거나 종종 컴퓨터의 OS에 조립되는 형식으로 된다. 따라서, 본원의 대상은 3개의 기본명령을 실행할 수 있는 불휘발성 메모리칩과 그것이 접속되는 CPU를 갖는 컴퓨터시스템의 일부로 될 수 있다.
이하, 도 13~도 15에 따라서 본 실시예를 설명한다.
본 실시예에 있어서는 추가라이트를 하는 경우, 외부의 제어장치에서 플래시메모리에 대해서 먼저 데이타리드커맨드가 입력되고 계속해서 데이타를 추가라이트하고자 하는 위치에 상당하는 섹터어드레스가 입력된다. 플래시메모리는 데이타리드커맨드가 입력되면 메모리내부의 각 회로를 리드모드로 설정한다(도 13의 스텝S11). 계속해서 어드레스가 입력되면 그 어드레스를 어드레스레지스터에 저장한다(스텝S12). 다음에 외부에서 개시커맨드가 입력되면 상기 어드레스레지스터에 저장된 어드레스의 데이타를 메모리어레이내에서 리드해서 외부로 출력한다. 외부의 제어장치는 플래시메모리에서 출력된 데이타를 외부의 메모리내의 소정의 퇴피에리어에 저장한다. 또, 외부제어장치는 상기 퇴피에리어에 저장된 리드데이타와 추가라이트데이타로 라이트기대값 데이타를 작성해서 외부 메모리에 유지해 둔다.
다음에 외부 제어장치에서 플래시메모리에 대해서 소거명령과 섹터어드레스가 입력된다. 그러면, 플래시메모리는 메모리내부의 각 회로를 소거모드로 설정한 후, 입력된 어드레스를 어드레스레지스터에 저장한다(도 14의 스텝S21, S22). 계속해서 개시커맨드가 입력되면 상기 어드레스레지스터에 설정된 섹터어드레스에 대응하는 메모리셀에 대해서 소거상태 또는 의소거상태로 하기 위한 바이어스전압을 인가해서 입계값을 변화시킨다(스텝S23). 그 후, 검증리드를 실행해서 확실하게 데이타가 소거되었는지 확인하고 소거가 실행되지 않았을 때는 스텝S23으로 되돌아가서 재차 메모리셀에 대해서 소거펄스를 인가한다.(스텝S24, S25). 또한, S23∼S25의 소거검증은 통상의 소거시에 이용되고 의소거에서는 사용되지 않는다.
다음에, 외부 제어장치에서 플래시메모리에 대해서 라이트커맨드와 섹터어드레스 및 라이트기대값 데이타가 순차 입력된다. 그러면, 플래시메모리는 메모리내부의 각 회로를 라이트모드로 설정한 후, 입력된 어드레스를 어드레스레지스터에 저장하고 또 라이트기대값 데이타를 데이타레지스터에 저장한다(도 15의 스텝S31, S32, S33). 계속해서 개시커맨드가 입력되면 상기 어드레스레지스터에 설정된 섹터어드레스에 대응하는 메모리셀에 대해서 라이트펄스를 인가해서 임계값을 변화시킨다(스텝S34). 그 후, 검증리드를 실행해서 확실하게 데이타의 라이트가 실행되었는지 확인하고 라이트가 실행되지 않았을 때는 스텝S34로 되돌아가서 재차 메모리셀에 대해서 라이트펄스를 인가한다(스텝S35, S36).
이상, 리드커맨드, 소거커맨드 및 라이트커맨드의 3개의 기본명령의 조합에 의해 만든 마이크로 추가라이트명령에 대해서 설명했지만, 도 4의 실시예와 비교하면 리드데이타를 메모리칩 외부로 인출하기 위해 도 4의 스텝4에 대한 수순의 절약효과는 약해지지만, 워드외란을 회피하고 소거명령을 실행하지 않고 할 수 있는 추가라이트에 대해서는 실시예1과 동일한 효과를 기대할 수 있다.
도 16에는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 도 1과 동일한 부호에 대해서는 그 상세한 설명은 생략한다. 이 실시예는 상기 실시예에 있어서의 퇴피에리어로 되는 레지스터(데이타 퇴피레지스터)(27)과 외부 제어장치가 실행하고 있는 라이트기대값 데이타의 연산을 실행하는 연산회로(추가라이트 대응연산회로)(28)을 플래시메모리 내부에 마련하도록 한 것이다. 이 실시예의 시퀀서(22)는 외부의 제어장치에서 입력되는 추가라이트커맨드를 해독해서 상기 레지스터(27) 및 연산회로(28)을 적당한 타이밍에서 제어해서 추가라이트를 실행시키는 기능을 갖도록 구성된다.
실시예 4
도 17에는 상기 실시예의 플래시메모리의 응용예로서의 메모리카드의 구성을 도시한다. 메모리카드(100)은 여러개의 플래시메모리(10)과 이들의 리드 및 라이트를 제어하는 컨트롤러유닛(110)에 의해서 구성되어 있고, 컨트롤러유닛(110)과 플래시메모리(10)은 카드내에 배치된 버스(도시 생략)에 의해서 접속되어 있고, 컨트롤러유닛(110)에서 플래시메모리(10)에 대해서 상술한 추가라이트커맨드 이외의 커맨드나 섹터어드레스, 라이트데이타, 라이트인에이블신호 등의 제어신호가 버스를 거쳐서 공급된다. (120)은 카드의 한쪽측을 따라서 마련된 신호입출력이나 전원공급용의 단자겸 커넥터이다.
실시예1이나 실시예2에서는 플래시메모리의 메모리어레이와 명령을 실행하기 위한 커맨드시퀀서가 1칩상에 마련된 불휘발성메모리에 대해서 설명했지만 그 실현방법은 도 17과 같이 카드형으로 할 수도 있다. 이 때, 중요한 것은 컨트롤러(110)가 적어도 도 4에서 도시한 추가라이트커맨드의 수순을 포함하는 불휘발성 메모리시스템을 구성하는 것이다.
메모리카드형태로 했을 때의 다른 실시형태로서는 컨트롤러(110)을 제거하고, 플래시메모리칩이 여러개 탑재된 메모리카드와 상기 메모리카드가 접속가능하게 되는 CPU를 포함하는 퍼스널컴퓨터의 형태도 취할 수 있다. 이 경우에는 플래시메모리의 제어에 필요한 소거, 라이트 등의 모든 커맨드는 CPU의 프로그램으로서 포함되게 된다. 그리고, 그 커맨드에는 도 4의 추가라이트커맨드 또는 도 13∼도 15의 기본명령을 조합한 매크로 추가라이트커맨드를 사용할 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 상기 실시예에 있어서는 소정의 명령이 인가되면 지정 어드레스의 섹터의 기억데이타를 리드해서 레지스터에 퇴피시키고 난 후 상기 섹터의 일괄소거를 실행하고, 상기 퇴피된 데이타와 추가라이트하고자 하는 데이타로 실제의 최종 라이트데이타(라이트기대값 데이타)를 형성해서 라이트동작을 실행하도록 구성하였으므로, 추가라이트시에 워드선외란에 의한 메모리셀의 임계값의 변동이 회복되고 잘못된 데이타의 리드를 방지할 수 있다는 효과가 있다.
또, 선택섹터에서 리드된 데이타를 내부 레지스터에 유지한 상태에서 외부에서 추가라이트데이타가 입력되면 라이트기대값 데이타를 자동적으로 내부에서 형성한 후 라이트동작을 실행하도록 구성하였으므로, 추가라이트라는 동작을 통상의 라이트보다 고속으로 실행할 수 있고, 또한 추가라이트에 있어서의 소프트웨어의 부담을 경감할 수 있다는 효과가 있다.
그 결과, 실시예의 플래시메모리에 의하면 도 22에 도시한 바와 같이, 동일섹터내에 OS정보나 섹터관리정보등 일반 사용자에게 개방되어 있지 않은 시스템영역과 일반 사용자가 자유롭게 라이트를 할 수 있는 사용자영역을 혼재해서 마련할 수 있고, 이것에 의해서 메모리의 유효이용을 도모할 수가 있다. 이와 같은 기억방식의 플래시메모리는 시스템영역에 소정의 데이타가 라이트되고 사용자영역은 미라이트의 상태에서 사용자에게 제공되며 사용자가 라이트를 실행할 때는 추가라이트라는 동작으로 실행할 수 있기 때문이다. 또한 도 22에 있어서의 관리데이타로서는 예를 들면 패리티코드나 에러정정부호, 상기 섹터의 리라이트횟수 등이 섹터가 불량비트를 포함하는지 아닌지의 정보, 상기 섹터를 여러개의 구획으로 분할해서 각 구획마다 추가라이트를 할 수 있는 구성으로 한 경우에 있어서의 구획의 사용/미사용을 도시한 구획관리정보 등이 있다.
이상, 본 발명자에 의해서 이루어진 발명을 실시예에 따라 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경가능한 것은 물론이다. 예를 들면, 상기 실시예에서는 메모리어레이를 2개의 매트에 의해서 구성한 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 그것에 한정되지 않고 짝수개의 매트로 분할한 경우는 물론 1개의 매트로 구성되어 있는 경우에도 적용할 수가 있다.
이상의 설명에서는 주로 본 발명자에 의해서 .이루어진 발명을 그 배경으로 된 이용분야인 이괄소거형 플래시메모리에 적용한 경우에 대해서 설명했지만, 본 발명은 그것에 한정되는 것이 아니라 FAMOS를 기억소자로 하는 불휘발성 기억장치 일반 또는 여러개의 임계값을 갖는 메모리셀을 구비한 반도체장치에 널리 이용할 수 있다.
본원에 있어서 개시되는 발명중 대표적인 것에 의해서 얻어진 효과를 간단히 설명하면 하기와 같다.
즉, 본 발명은 불휘발성 반도체기억장치에 있어서의 워드선외란에 의한 메모리셀의 임계값의 변동을 회복하고, 잘못된 데이타의 리드를 방지할 수 있음과 동시에 추가라이트라는 동작을 통상의 라이트보다 고속으로 실행할 수 있고, 또한 추가라이트에 있어서의 소프트웨어의 부담을 경감할 수가 있다.
도 1은 본 발명에 관한 플래시메모리의 1실시예의 개략을 도시한 전체블럭도,
도 2는 본 발명에 관한 플래시메모리의 메모리어레이의 구성예를 도시한 회로도,
도 3은 센스래치회로 SLT 및 데이타반전회로WRW의 구체예를 도시한 회로도,
도 4는 실시예의 플래시메모리의 추가라이트수순을 도시한 흐름도,
도 5는 실시예의 플래시메모리에 있어서의 추가라이트시(전반)의 메모리어레이내의 신호타이밍을 도시한 타이밍도,
도 6은 실시예의 플래시메모리에 있어서의 추가라이트시(전반)의 센스래치 및 데이타선의 레벨변위를 도시한 파형도,
도 7은 실시예의 플래시메모리에 있어서의 추가라이트시(후반)의 메모리어레이내의 신호타이밍을 도시한 타이밍도,
도 8은 실시예의 플래시메모리에 있어서의 추가라이트시(후반)의 센스래치 및 데이타선의 레벨변위를 도시한 파형도,
도 9는 실시예의 플래시메모리에 있어서의 추가라이트시의 메모리셀의 임계값의 변화를 도시한 설명도,
도 10은 실시예의 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 임계값의 변화를 도시한 설명도,
도 11은 본 발명에 관한 플래시메모리의 메모리어레이의 다른 실시예를 도시한 회로도,
도 12는 도 11의 실시예의 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 임계값의 변화를 도시한 설명도,
도 13은 본 발명에 관한 플래시메모리의 제2 실시예를 설명하는 제1 스테이지의 리드커맨드 실행수순을 도시한 흐름도,
도 14는 본 발명에 관한 플래시메모리의 제2 실시예를 설명하는 제2 스테이지의 소거커맨드 실행수순을 도시한 흐름도,
도 15는 본 발명에 관한 플래시메모리의 제2 실시예를 설명하는 제3 스테이지의 라이트커맨드 실행수순을 도시한 흐름도,
도 16은 본 발명에 관한 플래시메모리의 제3 실시예의 개략을 도시한 전체블럭도,
도 17은 본 발명에 관한 플래시메모리의 응용예로서의 메모리카드의 개략을 도시한 구성도,
도 18은 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 라이트시의 인가전압의 1예를 도시한 단면도,
도 19는 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 소거시의 인가전압의 1예를 도시한 단면도,
도 20은 종래의 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 임계값의 변화를 도시한 설명도,
도 21은 종래의 다른 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 임계값의 변화를 도시한 설명도,
도 22는 플래시메모리에 있어서의 추가라이트 가능한 섹터의 구성예를 도시한 설명도,
도 23은 실시예의 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 임계값 변화를 도시한 다른 설명도,
도 24는 도 11의 실시예의 플래시메모리에 있어서의 메모리셀의 임계값 변화를 도시한 다른 설명도.
※부호의 설명
11 ; 메모리어레이, 12 ; 데이타레지스터, 13 ; 리라이트회로, 14 ; 어드레스레지스터, 15 ; X디코더, 21 ; 커맨드레지스터 및 디코더, 22 ; 시퀀서, SLT ; 센스래치회로, WRW ; 데이타반전회로, DL ; 데이타선, WL ; 워드선, MC ; 메모리셀.

Claims (87)

  1. 메모리어레이와 시퀀서를 갖고,
    상기 메모리어레이는 복수의 메모리셀을 갖고, 각각의 메모리셀은 적어도 제1 상태와 제2 상태의 각각에 따른 임계값전압에 의해 데이타를 저장하고, 각각의 메모리셀의 게이트는 대응하는 워드선에 접속되고,
    상기 시퀀서는 커맨드에 따라서 상기 메모리셀의 임계값전압을 변화시키는 동작을 제어하고,
    상기 복수의 메모리셀은 제1 상태에 따른 임계값전압을 갖는 제1군의 메모리셀과 제2 상태에 따른 임계값전압을 갖는 제2 군의 메모리셀을 갖고,
    상기 시퀀서가 제어하는 커맨드의 동작은 상기 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태로 하는 소거 커맨드 동작과 적어도 하나의 제1 상태에 있는 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태의 임계값전압으로 하는 라이트 커맨드 동작을 갖고,
    상기 라이트 커맨드 동작에서는 하나의 워드선을 선택하고, 상기 하나의 워드선에 접속되는 제2 군의 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태의 임계값전압쪽으로 변화시키는 제1 스텝, 및 상기 하나의 워드선에 접속되는 상기 제2 군의 메모리셀과 상기 하나의 워드선에 접속되는 적어도 하나의 제1 상태에 있는 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태에 따른 임계값전압으로 변화시키는 제2 스텝을 갖는 불휘발성 기억장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 스텝에 있어서 제2 군의 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태에서 제2 상태의 방향으로 변화시키는 동안, 제1 군의 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태에서 제2 상태의 방향으로 변화시키는 불휘발성 기억장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스텝에 있어서 제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 일시적으로 제1 상태와 제2 상태의 사이로 되는 불휘발성 기억장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 스텝에 있어서 제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 일시적으로 제1 상태로 변화시키는 불휘발성 기억장치.
  5. 메모리어레이와 시퀀서를 갖고,
    상기 메모리어레이는 복수의 메모리셀, 복수의 워드선, 복수의 데이타선, 복수의 센스래치 및 데이타 입출력단자를 갖고,
    각각의 메모리셀은 제1 상태와 제2 상태에 따른 임계값전압에 의해 데이타를 저장하고,
    각각의 워드선은 대응하는 복수의 메모리셀의 게이트에 접속되고,
    각각의 데이타선은 대응하는 복수의 메모리셀에 접속되고,
    각각의 센스래치는 대응하는 데이타선에 접속되고,
    데이타 입출력단자는 데이타선에 접속되고,
    상기 시퀀서는 커맨드에 따라서 상기 복수의 메모리셀의 임계값전압을 변화시키는 동작을 제어하고,
    상기 복수의 메모리셀은 제1 상태에 따른 임계값전압을 갖는 제1 군의 메모리셀과 제2 상태에 따른 임계값전압을 갖는 제2 군의 메모리셀을 갖고,
    상기 시퀀서가 제어하는 커맨드는 상기 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태로 하는 소거 커맨드와 적어도 하나의 제1 상태에 있는 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태의 임계값전압으로 하는 라이트 커맨드를 갖고,
    상기 라이트 커맨드의 동작은 상기 복수의 센스래치에 상기 입출력단자에서 제1 데이타가 저장되는 제1 스텝, 상기 데이타선을 거쳐서 각각의 메모리셀에서 제2 데이타를 리드하고 상기 제1 데이타와 상기 제2 데이타에서 제3 데이타를 합성하는 제2 스텝, 상기 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태에서 제1 상태의 방향으로번화시키는 제3 스텝 및 적어도 하나의 메모리셀의 임계값전압을 제3 데이타에 의해서 제2 상태로 변화시키는 제4 스텝을 포함하는 불휘발성 기억장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 제3 스텝의 동안 일시적으로 제1 상태와 제2 상태 사이로 변화되는 불휘발성 기억장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 제3 스텝 동안 일시적으로 제1 상태로 변화되는 불휘발성 기억장치.
  8. 메모리어레이와 시퀀서를 갖고,
    상기 메모리어레이는 복수의 메모리셀을 갖고, 각각의 메모리셀은 제1 상태와 제2 상태에 따른 임계값전압으로서 데이타를 저장하고, 대응하는 워드선과 게이트가 접속되고,
    상기 시퀀서는 커맨드에 따라서 상기 복수의 메모리셀의 임계값전압을 변화시키는 동작을 제어하고,
    상기 복수의 메모리셀은 제1 상태에 따른 임계값전압을 갖는 제1 군의 메모리셀과 제2 상태에 따른 임계값전압을 갖는 제2 군의 메모리셀을 갖고,
    상기 시퀀서는 하나의 워드선을 선택하고, 워드선에 접속되는 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태의 방향으로 이동시키기 위한 제1 전압을 상기 선택된 하나의 워드선에 인가하는 것에 의해 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태로 하는 소거 커맨드 동작을 제어하고,
    상기 시퀀서는, 하나의 워드선을 선택하고, 워드선에 접속되는 메모리셀의 임계값전압을 제1 상태로부터 제2 상태의 방향으로 이동시키기 위한 제2 전압을 상기 선택된 워드선에 인가하는 것에 의해 적어도 하나의 제1 군의 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태로 하는 제1 라이트 커맨드 동작을 제어하고,
    또한, 상기 시퀀서는 하나의 워드선을 선택하고, 상기 선택된 하나의 워드선에 접속되는 메모리셀로부터 데이타를 리드한 후, 상기 선택된 하나의 워드선에 상기 제1 전압과 상기 제2 전압을 순차 인가하는 것에 의해 상기 선택된 하나의 워드선에 접속되는 메모리셀중 제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 제2 상태로 하고, 적어도 하나의 제1 군의 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태로 하는 제2 라이트 커맨드 동작을 제어하는 불휘발성 기억장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 라이트동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간은 소거 커맨드 동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간보다 짧은 불휘발성 기억장치.
  10. 제8항에 있어서,
    제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 제2 라이트동작에 있어서 제1 전압을 인가받는 것에 의해 일시적으로 제1 상태와 제2 상태 사이로 되는 불휘발성 기억장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2 라이트동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간은 상기 커맨드동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간과 동일한 불휘발성 기억장치.
  12. 제8항에 있어서,
    제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 제2 라이트동작에 있어서 제1 전압을 인가받는 것에 의해 일시적으로 제1 상태로 되는 불휘발성 기억장치.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 메모리어레이는 복수의 데이타선, 복수의 센스래치 및 데이타 입출력단자를 갖고,
    각각의 데이타선은 상기 복수의 메모리셀의 각각에 접속되고,
    상기 센스래치는 상기 복수의 데이타선의 각각에 접속되고,
    상기 데이타 입출력단자는 상기 데이타선에 접속되고,
    상기 제2 라이트동작에 있어서 상기 데이타 입출력단자에서 제1 데이타를 입력받고 상기 복수의 센스래치의 각각에 저장하는 제1 스텝, 상기 복수의 메모리셀에서 상기 데이타선을 거쳐서 제2 데이타를 리드하고 상기 제1 데이타와 제2 데이타에서 제3 데이타를 생성하고 상기 센스래치의 각각에 저장하는 제2 스텝, 워드선에 제1 전압을 인가하고 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태에서 제1 상태의 방향으로 변화시키는 제3 스텝 및 워드선에 제2 전압을 인가하고 상기 제3 데이타에 따라서 적어도 하나의 메모리셀의 임계값전압을 제2 상태로 하는 제4 스텝을 포함하는 불휘발성 기억장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 라이트동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간은 소거 커맨드 동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간보다 짧은 불휘발성 기억장치,
  15. 제13항에 있어서,
    제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 제2 라이트동작의 상기 제3 스텝에 있어서 제1 전압을 인가받는 것에 의해 일시적으로 제1 상태와 제2 상태 사이로 되는 불휘발성 기억장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제2 라이트동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간은 상기 커맨드동작에 있어서 워드선에 제1 전압이 인가되고 있는 시간과 동일한 불휘발성 기억장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제2 군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 제2 라이트동작의 상기 제3 스텝에 있어서 제1 전압을 인가받는 것에 의해 일시적으로 제1 상태로 되는 불휘발성 기억장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 하나의 반도체기판상에 형성되는 불휘발성 기억장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 메모리어레이와 상기 시퀀서는 각각 다른 반도체기판상에 형성되고, 하나의 불휘발성 메모리카드를 구성하는 불휘발성 기억장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 시퀀서는 상기 커맨드와 동작상태를 저장하기 위한 메모리부를 갖는 불휘발성 기억장치.
  21. 하나의 반도체기판상에 복수의 메모리셀과 시퀀서가 구성되고
    각각의 메모리셀은 임계값전압으로서 정보를 저장하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 시퀀서는 커맨드를 공급받는 단자를 갖고, 커맨드에 따라서 상기 메모리셀을 소거상태 또는 라이트상태중의 어느 것으로 할지의 동작제어를 실행하고,
    하나의 커맨드에 따라 소정의 복수의 메모리셀을 선택하고, 상기 선택된 메모리셀의 임계값전압을 소정의 상태로 하는 동작제어를 실행하고,
    다른 커맨드에 따라서 소정의 복수의 메모리셀을 선택하고, 상기 선택된 메모리셀중 상기 커맨드가 공급되기 전에 있어서 라이트상태에 있는 1 군의 메모리셀과, 상기 1군의 메모리셀이 아닌 메모리셀중 상기 커맨드가 공급된 후에 있어서 적어도 하나의 메모리셀의 임계값전압을 라이트상태로 하는 동작제어를 실행하는 불휘발성 기억장치.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 메모리셀의 각각에 접속되는 워드선을 갖는 불휘발성 기억장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 메모리셀에 접속되는 데이타 레지스터를 갖고,
    상기 하나의 커맨드의 공급후에 있어서 상기 데이타 레지스터는 상기 메모리셀에 라이트하기 위한 제1 데이타를 저장하고, 제1 데이타는 상기 메모리셀에서 리드한 제2 데이타와 상기 적어도 하나의 메모리셀에 라이트될 제3 데이타로 이루어지는 불휘발성 기억장치.
  24. 제22항 또는 제23항에 있어서,
    상기 소거상태는 메모리셀의 임계값전압이 제1 상태에 있고, 상기 라이트상태는 메모리셀의 임계값전압이 제2 상태에 있고,
    상기 1군의 메모리셀의 임계값전압은 상기 하나의 커맨드의 처리에 있어서 일시적으로 제1 상태와 제2 상태 사이로 되는 불휘발성 기억장치.
  25. 하나의 반도체기판상에 구성되고, 복수의 메모리셀, 복수의 워드선, 단자 및 컨트롤러를 갖고,
    각각의 메모리셀은 임계값전압으로서 정보를 저장하는 트랜지스터를 갖고,
    각각의 워드선은 상기 복수의 메모리셀 중 대응하는 메모리셀에 접속되고, 상기 컨트롤러는 상기 단자에 공급되는 커맨드에 따라서 선택된 하나의 워드선에 접속되는 메모리셀의 임계값전압을 소거상태 또는 라이트상태의 어느 하나로 하는 처리를 제어하고,
    상기 커맨드에 따라서 상기 컨트롤러는 상기 선택된 워드선에 접속되는 메모리셀의 임계값전압을 일괄해서 소정의 방향으로 이동시키고, 상기 커맨드가 공급되기 전에 있어서 라이트상태에 있던 메모리셀과 다른 적어도 하나의 메모리셀의 임계값전압을 라이트상태로 하는 라이트처리를 실행하는 불휘발성 기억장치.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 데이타 레지스터를 더 갖고,
    상기 선택된 워드선에 접속되는 메모리셀에서 리드한 데이타와 상기 단자에서 공급되고 상기 다른 적어도 하나의 메모리셀에 공급하는 데이타로 이루어지는 라이트 기대값 데이타를 상기 데이타 레지스터에 저장하는 불휘발성 기억장치.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 라이트 기대값 데이타는 상기 메모리셀에서 리드한 데이타를 상기 데이타 레지스터에 저장한 후, 상기 단자에서 공급된 데이타를 저장하는 불휘발성 기억장치.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 복수의 데이타선을 더 갖고,
    각각의 데이타선은 대응하는 메모리셀에 접속되고, 상기 데이타 레지스터는 상기 데이타선의 각각에 접속되고 상기 선택된 워드선에 접속되는 메모리셀에 공급하는 데이타를 저장하는 불휘발성 기억장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 데이타 반전회로를 더 갖고,
    상기 데이타 반전회로는 상기 복수의 데이타선에 접속되고, 상기 라이트 기대값 데이타를 형성하는 불휘발성 기억장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 메모리셀의 임계값전압은 소거상태를 나타내는 제1 분포와 라이트상태를 나타내는 제2 분포를 포함하는 임계값전압 분포에 포함되는 불휘발성 기억장치.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 소정의 방향은 상기 제2 분포에서 상기 제1 분포로의 방향인 불휘발성 기억장치.
  32. 제30항에 있어서,
    상기 소거상태는 상기 메모리셀의 임계값전압이 상기 제1 분포내로 되어 있는 상태이고, 상기 라이트상태는 상기 메모리셀의 임계값전압이 상기 제2 분포내로 되어 있는 상태이고,
    상기 커맨드의 처리에 있어서 라이트상태에 있는 메모리셀의 임계값전압은 상기 제1 분포와 제2 분포 사이로 이동되는 불휘발성 기억장치.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 소거상태는 상기 메모리셀의 임계값전압이 상기 제1 분포내로 되어 있는 상태이고, 상기 라이트상태는 상기 메모리셀의 임계값전압이 상기 제2 분포내로 되어 있는 상태이고,
    상기 커맨드의 처리에 있어서 라이트상태에 있는 메모리셀의 임계값전압은 상기 제1 분포로 이동되는 불휘발성 기억장치.
  34. 복수의 메모리셀, 단자, 데이타 레지스터 및 컨트롤러를 갖고,
    각각의 메모리셀은 임계값전압이 라이트상태와 소거상태의 어느 하나에 대응하는 것에 의해 데이타를 저장하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 컨트롤러는 상기 단자에서 공급되는 커맨드에 따라서 상기 메모리셀의 임계값전압을 제어하고,
    추가 라이트동작을 지시하는 커맨드가 상기 단자에서 공급된 경우, 상기 컨트롤러는 선택된 메모리셀에서 리드한 데이타와 상기 단자에서 공급된 데이타에서 라이트 데이타를 생성하고 상기 데이타 레지스터에 저장하고, 상기 선택된 메모리셀의 임계값전압을 소거상태의 방향으로 변화시킨 후, 상기 데이타 레지스터에 저장되어 있는 생성된 데이타에 따라서 상기 선택된 메모리셀의 임계값전압을 라이트상태로 하는 제어를 실행하는 불휘발성 기억장치.
  35. 제34항에 있어서,
    소정의 메모리셀과 데이타 레지스터에 접속되는 복수의 데이타선을 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 데이타선에 접속되고 상기 라이트데이타를 생성하는 리라이트회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  37. 제36항에 있어서,
    대응하는 메모리셀에 접속되는 복수의 워드선을 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  38. 제37항에 있어서,
    공급되는 어드레스신호를 디코드하고, 디코드결과에 따라서 상기 복수의 워드선에서 하나의 워드선을 선택하는 디코더회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 어드레스신호는 상기 단자에서 공급되는 불휘발성 기억장치.
  40. 복수의 메모리셀, 단자, 센스래치회로, 컨트롤러 및 전압발생회로를 갖고,
    각각의 메모리셀은 임계값전압으로서 라이트상태와 소거상태중의 어느 하나에 대응하는 것에 의해 데이타를 저장하는 트랜지스터를 갖고,
    상기 컨트롤러는 상기 단자에서 공급되는 커맨드에 따라서 상기 메모리셀의 임계값전압을 제어하고,
    상기 전압발생회로는 상기 컨트롤러의 제어하에서 소거전압을 생성하고,
    추가 라이트동작을 지시하는 커맨드가 상기 단자에서 공급된 경우, 선택된 메모리셀에서 리드한 데이타와 상기 단자에서 공급된 데이타에서 라이트 데이타를 생성하고 상기 센스래치회로에 저장하고,
    상기 선택된 메모리셀은 상기 컨트롤러의 제어하에서 소정의 시간 상기 소거전압을 인가받은 후, 상기 센스래치회로에 저장되어 있는 라이트데이타에 따라서 라이트가 실행되는 불휘발성 기억장치.
  41. 제40항에 있어서,
    소정의 메모리셀과 데이타 레지스터에 접속되는 복수의 데이타선을 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  42. 제41항에 있어서,
    상기 데이타선에 접속되고 상기 라이트 데이타를 생성하는 리라이트회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  43. 제42항에 있어서,
    대응하는 메모리셀에 접속되는 복수의 워드선을 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  44. 제43항에 있어서,
    공급되는 어드레스신호를 디코드하고, 디코드결과에 따라서 상기 복수의 워드선에서 하나의 워드선을 선택하는 디코더회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  45. 제44항에 있어서,
    상기 어드레스신호는 상기 단자에서 공급되는 불휘발성 기억장치.
  46. 제45항에 있어서,
    상기 추가 라이트동작을 지시하는 커맨드의 처리에 있어서 상기 선택된 메모리셀에 상기 소거전압이 인가되는 시간은 소거동작을 지시하는 커맨드의 처리에 있어서 선택된 메모리셀에 상기 소거전압이 인가되는 시간보다 짧은 불휘발성 기억장치.
  47. 소거상태와 라이트상태중의 어느 하나로 임계값전압이 설정되는 복수의 메모리셀을 갖고, 커맨드에 따라서 메모리셀의 임계값전압을 설정하는 라이트처리 및 소거처리를 실행하고, 상기 커맨드에는 소거 커맨드, 라이트 커맨드 및 추가 라이트 커맨드가 포함되고,
    상기 소거 커맨드는 메모리셀의 임계값전압을 소거상태로 설정하는 소거동작을 지시하고, 소거대상의 메모리셀을 선택하기 위한 소거 어드레스신호가 입력되고, 소거 어드레스신호에 의해 선택된 메모리셀에 소거전압을 인가하는 것에 의해 임계값전압을 소거상태로 설정하고,
    상기 라이트 커맨드는 메모리셀의 임계값전압을 라이트상태로 설정하는 제1 라이트동작을 지시하고, 라이트대상의 메모리셀을 선택하기 위한 제1 라이트 어드레스신호와 라이트 데이타가 입력되고, 제1 라이트 어드레스신호에 의해 선택된 워드선에 라이트전압을 인가하는 것에 의해 선택 워드선에 접속된 메모리셀의 임계값전압을 라이트 데이타에 따라서 라이트상태로 설정하고,
    상기 추가 라이트 커맨드는 메모리셀의 임계값전압을 라이트상태로 설정하는 제2 라이트동작을 지시하고, 라이트대상의 메모리셀을 선택하기 위한 제2 라이트 어드레스신호와 추가 라이트 데이타가 입력되고, 소거상태에 있는 메모리셀이 적어도 하나 접속된 워드선이 제2 라이트 어드레스신호에 의해 선택되고, 선택된 워드선에 라이트전압을 인가하는 것에 의해 선택 워드선에 접속되고 소거상태에 있는 메모리셀의 임계값전압을 추가 라이트 데이타에 따라서 라이트상태로 설정하는 불휘발성 기억장치.
  48. 제47항에 있어서,
    상기 소거 어드레스신호에 의해 선택된 각각의 메모리셀은 각각의 메모리셀의 임계값전압이 소거상태로 설정될 때까지 상기 소거전압을 인가받는 불휘발성 기억장치.
  49. 제47항에 있어서,
    상기 제1 라이트 어드레스신호에 의해 선택된 워드선에 접속되고 라이트상태로 설정될 적어도 하나의 메모리셀은 상기 메모리셀의 임계값전압이 라이트상태로 설정될 때까지 상기 제1 라이트전압을 인가받는 불휘발성 기억장치.
  50. 제47에 있어서,
    상기 추가 라이트 커맨드의 제2 라이트동작에 있어서 상기 제2 라이트 어드레스신호에 의해 선택되는 워드선에 접속되고 라이트상태에 있는 적어도 하나의 메모리셀은 소정시간 동안 상기 소거전압을 인가받는 불휘발성 기억장치.
  51. 제50항에 있어서,
    상기 소거전압을 인가받은 후, 상기 소거전압을 인가받은 각각의 메모리셀과 상기 제2 어드레스신호에 의해 선택되는 워드선에 접속되고 상기 추가 라이트 데이타에 의해 라이트상태로 설정될 적어도 하나의 메모리셀은 임계값전압이 라이트상태로 설정될 때까지 라이트전압을 인가받는 불휘발성 기억장치.
  52. 복수의 메모리셀, 복수의 워드선 및 컨트롤러를 갖고, 각각의 메모리셀은 임계값전압으로서 라이트상태와 소거상태 중의 어느 하나에 대응하는 것에 의해 데이타를 저장하고,
    각각의 워드선은 대응하는 메모리셀에 접속되고,
    상기 컨트롤러는 공급되는 커맨드에 따라서 소정의 처리를 제어하고,
    소거 커맨드가 공급된 경우, 워드선에 접속된 메모리셀의 저장데이타를 소거하는 소거처리를 제어하고,
    라이트 커맨드가 공급된 경우, 워드선에 접속되는 메모리셀에 데이타를 저장하는 라이트처리를 제어하고,
    추가 라이트 커맨드가 공급된 경우, 소거상태의 메모리셀과 라이트상태의 메모리셀이 접속된 워드선에 접속되고 라이트상태에 있는 메모리셀은 라이트상태를 유지하고, 소거상태에 있는 메모리셀에 데이타를 저장하여 라이트상태로 하는 추가 라이트 처리를 제어하고,
    상기 소거처리에 있어서는 워드선에 접속되는 메모리셀의 임계값전압은 FN 터널현상에 의해 소거상태로 되고,
    상기 라이트처리 및 추가 라이트 처리에 있어서는 메모리셀의 임계값전압은 FN터널현상에 의해 라이트상태로 되는 불휘발성 기억장치.
  53. 제52항에 있어서,
    상기 추가 라이트 처리에 있어서 선택된 워드선에 접속된 메모리셀에서 리드된 데이타와 외부에서 공급된 추가 라이트데이타에서 라이트 기대값 데이타를 생성하는 회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  54. 제53항에 있어서,
    선택된 워드선에 접속된 메모리셀에 라이트될 데이타를 저장하는 데이타 레지스터를 더 갖고,
    상기 추가 라이트처리에 있어서 상기 라이트 기대값 데이타는 상기 데이타 레지스터에 저장되는 불휘발성 기억장치.
  55. 제54항에 있어서,
    대응하는 메모리셀과 상기 데이타 레지스터에 접속되는 복수의 데이타선을 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  56. 제55항에 있어서,
    각각의 메모리셀은 플로팅게이트를 갖는 불휘발성 기억장치.
  57. 복수의 불휘발성 메모리, 컨트롤러 및 단자를 갖고,
    각각의 불휘발성 메모리는 복수의 메모리셀과 복수의 워드선을 갖고, 각각의 메모리셀은 제1 상태와 제2 상태중의 어느 하나를 나타내는 데이타에 따른 임계값전압을 갖고, 제1 상태에 따른 임계값전압과 제2 상태에 따른 임계값전압은 다르고, 각각의 워드선은 대응하는 메모리셀에 접속되고,
    상기 컨트롤러는 하나의 커맨드에 따라서 라이트처리를 제어하고,
    상기 라이트처리에 있어서 선택된 워드선에 접속되는 메모리셀의 임계값전압은 일괄해서 소정의 방향으로 변화된 후, 선택된 워드선에 접속되고 제1 상태에 따른 임계값전압을 갖고 있던 메모리셀의 임계값전압은 제1 상태로 복원되고, 선택된 워드선에 접속되고 제2 상태에 따른 임계값전압을 갖고 있던 메모리셀중의 적어도 하나의 메모리셀의 임계값전압은 제1 상태로 되는 불휘발성 기억장치.
  58. 제57항에 있어서,
    상기 메모리셀의 임계값전압은 제1 상태를 나타내는 제1 분포와 제2 상태를 나타내는 제2 분포를 포함하는 임계값전압 분포내에 설정되는 불휘발성 기억장치.
  59. 제58항에 있어서,
    상기 소정의 방향은 제1 분포에서 제2 분포의 방향인 불휘발성 기억장치.
  60. 제59항에 있어서,
    상기 라이트처리에 있어서 상기 선택된 워드선에 접속되고 제1 상태의 메모리셀의 임계값전압은 상기 소정의 방향으로의 변화에 있어서 제1 분포와 제2 분포 사이로 변화되는 불휘발성 기억장치.
  61. 제59항에 있어서,
    상기 라이트처리에 있어서 상기 선택된 워드선에 접속되고 제1 상태의 메모리셀의 임계값전압은 상기 소정의 방향으로의 변화에 있어서 제2 분포로 변화되는 불휘발성 기억장치.
  62. 제57항에 있어서,
    상기 제1 상태는 라이트상태에 대응하고, 상기 제2 상태는 소거상태에 대응하는 불휘발성 기억장치.
  63. 복수의 불휘발성 메모리, 단자 및 컨트롤러를 갖고,
    각각의 불휘발성 메모리는 저장하는 데이타에 따른 임계값전압을 갖는 복수의 메모리셀을 갖고,
    상기 컨트롤러는 커맨드에 따라서 메모리셀의 임계값전압을 제어하고,
    추가 라이트동작을 지시하는 커맨드에 따라서 상기 컨트롤러는 선택된 메모리셀중 데이타의 라이트가 행해진 메모리셀에서 리드된 데이타와, 상기 단자에서 공급되어 데이타의 라이트가 행해지지 않은 메모리셀로 라이트를 하기 위한 데이타에서 메모리셀로의 라이트용 데이타의 생성 및 상기 선택된 메모리셀로의 상기 라이트용 데이타의 라이트를 제어하는 불휘발성 기억장치.
  64. 제63항에 있어서,
    상기 라이트용 데이타를 생성하기 위한 리라이트회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  65. 제64항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리는 복수의 워드선을 갖고, 각각의 워드선은 대응하는 메모리셀에 접속되는 불휘발성 기억장치.
  66. 복수의 불휘발성 메모리, 단자 및 컨트롤러를 갖고,
    각각의 불휘발성 메모리는 저장하는 데이타에 따른 임계값전압을 갖는 복수의 메모리셀, 상기 컨트롤러의 제어하에서 소거전압을 생성하는 전압 생성회로 및 상기 단자에서 공급된 데이타를 저장하거나 또는 선택된 메모리셀에서 리드한 데이타를 저장하는 센스래치회로를 갖고,
    상기 컨트롤러는 커맨드에 따라서 상기 메모리셀의 임계값전압을 제어하고,
    추가 라이트 동작을 지시하는 커맨드에 따라서 선택된 메모리셀에서 리드한 데이타와 상기 단자에서 공급된 데이타에서 메모리셀로의 라이트용 데이타를 생성하고 상기 센스래치회로에 저장하고, 상기 컨트롤러의 제어하에서 상기 선택된 메모리셀로 소정시간 상기 소거전압이 인가된 후에 상기 선택된 메모리셀에 대해서 상기 센스래치회로에 저장된 라이트용 데이타에 따른 라이트가 실행되는 불휘발성 기억장치.
  67. 제66항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리는 대응하는 메모리셀과 상기 센스래치회로에 접속되는 복수의 데이타선을 갖는 불휘발성 기억장치.
  68. 제67항에 있어서,
    상기 복수의 데이타선에 접속되고, 상기 라이트용 데이타를 생성하기 위한 리라이트회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  69. 제68항에 있어서,
    상기 불휘발성 메모리는 대응하는 메모리셀에 접속되는 복수의 워드선을 갖는 불휘발성 기억장치.
  70. 제69항에 있어서,
    어드레스신호를 디코드하고 상기 복수의 워드선중에서 하나의 워드선을 선택하는 디코드회로를 더 갖는 불휘발성 기억장치.
  71. 제70항에 있어서,
    상기 추가 라이트 동작에 있어서 선택된 메모리셀에 상기 소거전압을 인가하시간은 소거동작을 지시하는 커맨드에 의해 선택된 메모리셀에 상기 소거전압을 인가하는 시간보다 짧은 불휘발성 기억장치.
  72. 복수의 불휘발성 메모리와 컨트롤러를 갖고,
    각각의 불휘발성 메모리는 제1 및 제2 중의 어느 하나의 상태를 갖는 데이타에 따른 임계값전압을 갖는 복수의 메모리셀과 대응하는 메모리셀에 접속되는 복수의 워드선을 갖고, 제1 상태의 데이타에 대응한 임계값전압은 제2 상태의 데이타에 대응한 임계값전압과 다르고,
    상기 컨트롤러는 공급되는 커맨드에 따라서 소정의 처리를 실행하고, 소거 커맨드가 공급된 경우, 선택된 메모리셀에 저장된 데이타를 소거하여 제2 상태로 천이시키는 소거동작을 제어하고, 라이트 커맨드가 공급된 경우, 하나의 워드선에 접속된 메모리셀에 라이트하는 데이타에 따라서 제1 상태로 천이시키는 라이트동작을 제어하고, 추가 라이트 커맨드가 공급된 경우, 하나의 워드선에 접속된 메모리셀중 제1 상태에 대응하는 임계값전압을 갖는 메모리셀은 제1 상태를 유지하고, 제2 상태에 대응하는 임계값전압을 갖는 메모리셀에 라이트하는 데이타에 따라서 제1 상태로 천이시키는 라이트동작을 제어하고,
    상기 소거동작에 있어서는 선택된 메모리셀의 임계값전압은 FN터널현상을 이용해서 제2 상태로 되고,
    상기 추가 라이트 동작에 있어서는 상기 제2 상태에 대응하는 임계값전압을 갖는 메모리셀에 FN터널현상을 이용해서 데이타를 라이트하는 불휘발성 기억장치.
  73. 제72항에 있어서,
    각각의 불휘발성 메모리는 선택된 워드선에 접속되는 메모리셀에서 리드한 데이타와 외부에서 공급되는 추가 라이트 데이타에서 라이트 기대값 데이타를 생성하는 회로를 갖는 불휘발성 기억장치.
  74. 제73항에 있어서,
    각각의 불휘발성 메모리는 선택된 워드선에 접속되는 메모리셀에 라이트할 데이타를 저장하는 데이타 레지스터를 갖고,
    상기 추가 라이트 동작에 있어서는 상기 데이타 레지스터는 상기 라이트 기대값 데이타를 저장하는 불휘발성 기억장치.
  75. 제74항에 있어서,
    각각의 불휘발성 메모리는 대응하는 메모리셀과 상기 데이타 레지스터에 접속되는 복수의 데이타선을 갖는 불휘발성 기억장치.
  76. 제72항에 있어서,
    상기 제1 상태는 라이트상태이고, 상기 제2 상태는 소거상태인 불휘발성 기억장치.
  77. 1회의 라이트동작 또는 리드동작에 의해 액세스대상으로 되는 소정의 영역을 갖고,
    상기 소정의 영역에는 데이타가 저장되어 있는 제1 영역과 데이타가 저장되어 있지 않은 제2 영역이 존재하고,
    상기 소정의 영역의 데이타를 리드하고, 상기 제2 영역에 대해서 라이트할 데이타를 설정하고, 상기 소정의 영역에 데이타를 라이트하는 불휘발성 기억장치의 데이타의 저장방법.
  78. 제77항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 복수의 메모리셀을 갖고,
    상기 소정의 영역은 1군의 메모리셀을 갖고, 상기 제1 영역의 메모리셀은 제1 상태이고, 상기 제2 영역의 메모리셀은 제2 상태이고,
    상기 제2 영역에 대해서 라이트할 데이타는 제2 상태의 메모리셀을 제1 상태로 하기 위한 데이타인 불휘발성 기억장치의 데이타의 저장방법.
  79. 제78항에 있어서,
    상기 제1 영역의 메모리셀을 제1 상태에서 제1 상태와 제2 상태 사이로 하는 가소거동작을 갖고,
    상기 소정의 영역에 데이타를 라이트하기 전에 상기 가소거동작을 실행하는 불휘발성 기억장치의 데이타의 저장방법.
  80. 제78항에 있어서,
    상기 제1 영역의 메모리셀을 제1 상태에서 제2 상태로 하는 소거동작을 갖고,
    상기 소정의 영역에 데이타를 라이트하기 전에 상기 소거동작을 실행하는 불휘발성 기억장치의 데이타의 저장방법.
  81. 제79항 또는 제80항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 복수의 워드선을 갖고,
    상기 소정의 영역은 하나의 워드선에 접속되는 1군의 메모리셀로 이루어지는 영역인 불휘발성 기억장치의 데이타의 저장방법.
  82. 제5항에 있어서,
    상기 불회발성 기억장치는 하나의 반도체기판상에 형성되는 불휘발성 기억장치.
  83. 제8항에 있어서,
    상기 불휘발성 기억장치는 하나의 반도체기판상에 형성되는 불휘발성 기억장치.
  84. 제5항에 있어서,
    상기 메모리어레이와 상기 시퀀서는 각각 다른 반도체기판상에 형성되고, 하나의 불휘발성 메모리카드를 구성하는 불휘발성 기억장치.
  85. 제8항에 있어서,
    상기 메모리어레이와 상기 시퀀서는 각각 다른 반도체기판상에 형성되고, 하나의 불휘발성 메모리카드를 구성하는 불휘발성 기억장치.
  86. 제5항에 있어서,
    상기 시퀀서는 상기 커맨드와 동작상태를 저장하기 위한 메모리부를 갖는 불휘발성 기억장치.
  87. 제8항에 있어서,
    상기 시퀀서는 상기 커맨드와 동작상태를 저장하기 위한 메모리부를 갖는 불휘발성 기억장치.
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