JP3963420B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエル上に形成されたMOSトランジスタを有する半導体記憶装置に関し、特に部分的に消去可能な消去単位を持った半導体記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の電気的にデータの消去/再書き込みを行うEEPROMのメモリセルとして使用される不揮発性トランジスタは、メモリセルサイズの縮小効果から、例えば図6に示す様な、2重ウエル上に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成された、NMOS構造のメモリセルが用いられる。
【0003】
このメモリセル構造は、P型半導体基板(Psub)100上の、N型構造のウエル領域(Nウエル)101中に、P型構造のウエル領域(Pウエル)102を形成する。Pウエル領域102中には、トランジスタのソース(S)103及び、ドレイン(D)104がN型拡散層で形成されている。また、半導体基板100上には、絶縁膜105、106で分離された、第1層目の多結晶シリコン層により浮遊ゲート(FG)107が、また、第2層目の多結晶シリコン層により制御ゲート(CG)108がそれぞれ形成されている。
【0004】
また、実際の半導体記憶装置では、同一ウエル上に複数のメモリセルを行列上に配置し、各メモリセルの制御ゲート(CG)108に接続された、複数の行線(WL)と、ドレイン(D)104に接続された、複数の列線(BL)によりいずれかのメモリセルを選択する構成となっている。また、全てのソース(S)103及びNウエル101、Pウエル102は、それぞれ、Nプラス拡散層109、Pプラス拡散層110を介して、ソース線(SL)に共通接続されている。
【0005】
ここで、このメモリセルの動作について説明する。データの消去は、ソース線SLに例えば10V印加することで、メモリセルのソース(S)103、Nウエル101,Pウエル102に例えば10Vを印加する。また、全ての行線(WL)に例えば−7V印加することで、全ての制御ゲート(CG)108に−7Vを印加する。またドレイン(D)104は、フローティング状態である。この時、浮遊ゲート(FG)107中の電子は、FNトンネリングによって、Pウエル表面付近のソース103、ドレイン104間に形成されるチャネル中に放出される。この時、メモリセルの閾値は低くなっている(この時のデータの状態を“1”とする)。
【0006】
次にデータの書き込みについて説明する。データの書き込みは、書き込みを行うメモリセルを選択する為、複数の行線WLのいずれかひとつを例えば9V、複数の列線BLのいずれかひとつ以上を例えば5Vに設定する。ソース線SLは、0Vに設定する。この時選択されたメモリセルでは、ホットエレクトロン注入により、浮遊ゲート(FG)中に電子が注入される。この時メモリセルの閾値は高くなる(この時のデータの状態を“0”とする)。
【0007】
次に、データの読み出しについて説明する。読み出しを行うメモリセルを選択する為、複数の行線(WL)のいずれかを、例えば5V程度に設定する。また、列線(BL)のいずれかを低電圧、例えば0.7V程度に設定する。また。ソース線(SL)は0Vである。
【0008】
この時、選択したメモリセルが“0”、すなわち書き込み状態の場合には、メモリセルはオンしない為、電流は流れない。また。“1”、すなわち消去状態の場合、メモリセルはオンして、セル電流、例えば40μA程度の電流を流す。この電流の振幅を図示しないセンス増幅回路等で増幅して読み出しを行う。
【0009】
次に、この様なトランジスタをメモリセルの記憶素子として用いた半導体記憶装置の従来例の構成を図7に示す。通常、この様な半導体記憶装置では、消去の単位を例えば512kビット程度の比較的小規模の単位で分割している。従来例では複数の消去ブロックB0〜B7を有しており、それぞれの構成は同一である。
【0010】
また、行デコーダRMは、第一の行選択回路であり、カラムデコーダCDは、列選択回路である。ここで、消去ブロックB0からB7の群を消去ブロック群と呼び、この消去ブロック群が図中で左右方向に複数組(例えば数十組)形成されて、半導体記憶装置が形成される。
【0011】
次に消去ブロックB0〜B7中の各回路について説明する。ここで、CAは消去の単位となる、複数のメモリセルを行列上に配置したメモリセルアレイであり、P型ウエル(Pウエル)、N型ウエル(Nウエル)を有している。
【0012】
また、ブロックデコード回路BDは、ブロック選択回路であり、ソース線電位SLiを出力する。ここで、VPPは、消去電圧となる、例えば10V程度の内部高電圧であり、BA0〜BAiは、ブロック選択の為のアドレス信号であり、それぞれブロックデコーダBDに入力されている。
【0013】
また、カラムゲートCBは、カラムデコーダCDの出力を受け、メモリセルの列線BLiを選択し、前記、図示しないセンス増幅回路と接続するトランスファーゲートである。
【0014】
また、ブロック行デコーダRBは、ブロック単位の行選択をする第2の行選択回路であり、行デコーダRMとブロック行デコーダRBからの出力信号を受けたローカル行デコーダRSにより、メモリセルの行線WLiを選択する。
【0015】
次に、この様な半導体記憶装置のブロック境界部分の断面について図8に示す。ここで、隣り合うメモリセルアレイのPウエル間の距離Pw_Pwは加工上の余裕によって決まる、Nウエル−Nウエル間の距離をNw_Nw、PウエルのNウエル余裕をNw_PwとするとPw_Pwは、Nw_Nwと2倍のNw_Pwとの和となる。
【0016】
また、この様な境界が1消去ブロック群あたり、複数個有り、さらにこの消去ブロック群も複数個ある事から、この距離が半導体記憶装置の面積縮小の妨げになっている。
【0017】
なお、具体例としては、NW_Nw、Nw_Pwはそれぞれ約4μm程度であり、Pw_Pwは約12μm程度となっている。
【0018】
ここで、ブロックデコーダBDの回路について説明する。図9は、従来のブロックデコーダの回路例である。ここで、デコード回路AND115は、ブロックアドレスBA0からBAi入力を受け、例えば消去したいブロックの選択信号BLiを“H”にする。
【0019】
ここで、デコード回路AND115は、外部電源例えば、VDDで駆動される為、“H”レベルはVDDレベルとなる。レベルシフタLS116は、選択信号BLiを、例えば内部で発生された高電位VPPレベル信号BLHiへと電圧変換をする回路である。
【0020】
ここで、例えば、消去の場合VPPレベルは、ソース線電圧、例えば10V印加されている。また、消去信号である、ERASEH信号もVPPレベルの信号となっており、両者により第1NAND回路117において選択されたソース線高電圧信号であるSLHBi信号は0Vとなり、P型トランジスタであるP1がオンし、ソース線SLiに消去時のソース線電圧をVPPレベル、例えば10Vを印加する。
【0021】
この時、2個のN型トランジスタN1、N2をコントロールする、ソース線リセット高電位信号であるSLRSTHB、ソース線リセットオン高電位信号であるSLRSTONHB信号もVPPとなっており、第2NAND回路118及び第3NAND回路119を介してN型トランジスタN1,N2のゲート電位が制御されて、N型トランジスタN1、N2は、オフ状態となっている。
【0022】
また、消去終了時は、ERASEH信号は、0Vとなり、SLHBiは、VPPレベルとなり、P1は、オフ状態となる。その後、短絡回路SH120により、セルの制御ゲートの消去電圧例えばー7VとなるVBBBiと短絡させた後、SLRSTHB信号が0Vとなる。
【0023】
ここで、N型トランジスタであるN1は、急激な放電による電源(GND)のゆれを押さえる為、比較的小さいサイズとなっており、SLiは、例えば3μ秒程度で、ゆっくり落ちていく。
【0024】
SLi信号の放電がある程度終わるとSLRSTONHBが0Vとなり、比較的大きいサイズのN型トランジスタN2もオンする。このN型トランジスタN2は、読み出し時や書き込み時のセル電流を十分放電できるサイズにする必要がある。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の半導体記憶装置では、以下の課題が生じる。
【0026】
この様に、2重ウエルに2層ポリシリコン構造のトランジスタをメモリセルに使うと、セル面積を縮小できるものの、小規模の消去ブロックを複数個有した半導体記憶装置では、ウエル境界部分により、チップ面積が増大する問題がある。
【0027】
すなわち、イオン注入のプロセス要因で決まるウエル領域は半導体記憶装置の設計ルールの微細化の進展により、メモリセル領域での高集積化が進んでも、比較的に微細化が困難である。そのため、設計ルールの微細化が進んだ場合、ウエルの境界部分の存在が微細化の妨げとなる。
【0028】
さらに、2重ウエルに2層ポリシリコン構造のトランジスタをメモリセルに使い、そのソース及び、2重ウエルを同電位にすれば、回路の増加を押さえることができるが、Nウエル領域を別駆動させた場合、回路が増大してしまう。
【0029】
また、Pウエル領域よりもNウエル領域の電位が低くなってしまうと、PN接合がフォワード状態となり、電流が流れてしまう危険性を持っている。
【0030】
本発明の目的は以上のような従来技術の課題を解決することにある。
【0031】
特に本発明の目的は、メモリセルアレイのウエル境界部分を縮小することにより、半導体記憶装置の面積の増加を抑えることである。
【0032】
さらに本発明の別の目的は、隣り合う消去ブロックのメモリセルアレイのNウエル領域を同一化しても、面積の増加を抑えられると共に、Nウエル領域、Pウエル領域のバイアス関係によるフォワードバイアスの発生を抑制することである。
【0033】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウエル領域と、前記第1ウエル領域中に形成された前記第1導電型の第2ウエル領域と、前記第1ウエル領域中に形成された前記第1導電型の第3ウエル領域と、前記第2ウエル領域及び前記第3ウエル領域中に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成されたMOS構造のメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、前記第1ウエル内に形成され、前記メモリセルを列アドレスに基づいて選択する選択回路とを有することを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
【0034】
また、本発明の別の一態様によれば、第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウエル領域と、前記第1ウエル領域中に形成された第1導電型の第2ウエル領域と、前記第1ウエル領域中に形成された前記第1導電型の第3ウエル領域と、前記第2ウエル領域及び前記第3ウエル領域中に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成されたMOS構造のメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの消去時に電源電圧より高い電圧を発生する消去回路と、前記メモリセルアレイの消去時に前記消去回路の出力信号と前記第2ウエル領域、及びメモリセルのソース領域とを選択的に接続する第1のデコード回路と、前記消去回路の出力と前記第1ウエル領域を選択的に接続する第2のデコード回路を具備することを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
【0035】
さらに、本発明の別の一態様によれば、第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウエル領域と、前記第1ウエル領域中に形成された第1導電型の第2ウエル領域と、前記第2ウエル領域中に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成されたMOS構造のメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの消去時に電源電圧より高い電圧を発生する消去回路と、前記メモリセルアレイの消去時に前記消去回路の出力信号と前記第2ウエル領域、及びメモリセルのソース領域とを選択的に接続する第1のデコード回路と、前記消去回路の出力と前記第1ウエル領域を選択的に接続する第2のデコード回路とを具備し、前記第1ウエル領域、第2ウエル領域、第1のデコード回路、及び第2のデコード回路は、消去ブロックを構成し、この消去ブロックは連続して複数個隣接して配置されて消去ブロック群を構成し、同一消去ブロック群内のすべての消去ブロックに前記消去回路の出力が接続されていることを特徴とする半導体記憶装置が提供される。
【0036】
【発明の実施の形態】
次に,図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。
【0037】
(第1の実施の形態)
本発明にかかる第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置を、図1を用いて説明する。
【0038】
図1は、この発明の第1の実施形態による半導体記憶装置の要部の構成を示す回路図である。本実施例では、前記図6に示された従来例に対し、隣り合う消去ブロック(B0とB1等)1のNウエル2をパターン的につなぎ合わせると共に、Nウエルデコード回路NW3を追加し、Nウエル電位を印加している。
【0039】
消去ブロック単位B0からB7は消去ブロック群4を構成し、図1中で左右方向に複数組、例えば数十組程度存在している。
【0040】
ここで、各消去ブロック1内には、カラムゲートCB5、ブロックデコーダBD6及びメモリセルアレイCA15が形成されている。カラムゲートCB5はそのソースにセンスアンプ(図示せず)から出力されたデータ線(図示せず)が接続され、そのゲートにはカラムデコーダCDから出力された信号が入力されたNMOSトランジスタ(図示せず)が形成されている。
【0041】
メモリセルアレイCA15内のNウエル2中にはPウエル7が形成されていて、このPウエル7中にはゲートがワード線WLiに接続され、ドレインがビット線BLiに接続されたメモリセルトランジスタ8が複数個形成されている。
【0042】
このメモリセルトランジスタ8のソースには同じ消去ブロック1内に設けられているブロックデコーダBD9からの出力信号SLiが入力される。
【0043】
さらに同一消去ブロック1内にローカル行デコーダ10が設けられ、メモリセルトランジスタ8のゲートへワード線WLi信号を供給している。このローカル行デコーダ10はAND回路で構成され、このAND回路には、同じ消去ブロック1内に設けられたブロック行デコーダRB11の出力信号と、消去ブロック群4の一端に設けられた行デコーダRM12の出力信号とが入力されている。また、消去ブロック群4の一端には、カラムデコーダCD13及びソース電圧発生回路14が設けられている。このソース電圧発生回路14からはNウエルデコーダNW3と、ブロックデコーダBD9とにソース電圧SLiを与えている。
【0044】
Nウエル2には、Nウエルデコード回路NW3からNウエル電位NWiが供給される。
【0045】
半導体記憶装置外部又は内部で発生された高電圧VPPがソース電圧発生回路14、消去ブロック群4内のブロックデコーダBD9、Nウエルデコーダ3に与えられている。さらに、ブロック選択アドレス信号BA0〜BAiがソース電圧発生回路SL14と消去ブロック群4内の各ブロックデコーダ9に入力されている。
【0046】
ここで、本実施の形態の、従来例との動作上の違いを説明する。消去ブロックB0を消去する場合、ソース線SLiにより、メモリセルのソース及び、Pウエルは、10Vが印加される。
【0047】
また、消去ブロックB0及び、同時には消去されない消去ブロックB1の共通Nウエル2には、Nウエルデコード回路NW3から10VのNウエル電位NWiが供給される。
【0048】
この時、消去ブロックB1のメモリセルアレイCA15のNウエルにも10Vが印加された状態となるが、メモリセルトランジスタの基板となる、Pウエル7には0Vが印加されている。そのため、FNトンネリングは起こらず、消去ブロックB0とは同時に消去されない消去ブロックB1内のメモリセルトランジスタ8は消去されない。
【0049】
次に、図2に本実施の形態のブロック境界部の断面を示す。半導体基板20中にNウエル2が設けられ、このNウエル2中に消去ブロック1ごとにPウエル7が設けられている。それぞれのPウエル7中にソース拡散層21及びドレイン拡散層22が形成されていて、そのソース拡散層21及びドレイン拡散層22の間の上方に浮遊ゲート23と制御ゲート24が形成されて、メモリセルトランジスタ8が構成されている。
【0050】
本実施の形態での隣接するPウエル7間の距離Pw_Pwは、Pウエル形成時のイオン注入工程での加工余裕のみで決まることになる。
【0051】
すなわち、Pw_Pwは約3.5μm程度まで縮小可能であり、従来の消去ブロックごとにNウエルが個別に設けられていた場合のPw_Pwである約12μmに比べて約1/3程度に間隔を縮小でき、半導体記憶装置のより一層の高集積化が可能となる。
【0052】
ここで、従来例のウエル断面構成が示された図6では、Nウエル、Pウエル及びメモリセルトランジスタのソースに同じ電位が与えられている。
【0053】
これに対し、本実施の形態のウエル断面構成が示された図2では、Nウエル2には、Pウエル7、メモリセルトランジスタ8のソース21とは異なる電位が与えられている。
【0054】
なお、このNウエル2に電位を与えるNウエルコンタクト領域25はメモリセルの周辺領域に設けることができ、特に半導体記憶装置の面積を増大する要因とはならない。なお、Pウエル7には、ソース21と同電位が与えられるPプラス拡散層26が設けられている。
【0055】
特に消去ブロック群4内の消去ブロック1の個数が多く、より細かに消去可能な半導体記憶装置では、本実施の形態を適用した場合に、その面積縮小効果が顕著である。
【0056】
(第2の実施の形態)
本発明にかかる第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置を、図3を用いて説明する。本実施の形態では、1個のNウエルデコード回路NW30により、複数の消去ブロックB0〜B7 1のNウエル2を電気的に繋ぎ合わせる構成としている。
【0057】
また、前記第1の実施の形態と異なり、隣り合う消去ブロック1のメモリセルアレイ8同士のみばかりではなく、隣接するカラムゲートCB31のNウエル2もパターン的に繋ぎ合わせている。ここで、カラムゲートCB31はNウエル2中に形成されたPウエル32中に形成されている。
【0058】
このカラムゲートCB31をPウエル32中に設け、このPウエル32をメモリセルアレイ15と共通のNウエル2中に設けることで、第1の実施の形態や従来技術において存在した同じ消去ブロック1内でのメモリセル8が形成されているNウエル2とカラムゲート31が設けられているPウエルとの境界領域の存在による面積増大の影響を削減することができる。
【0059】
なお、Nウエルデコーダを共有化する消去ブロック群は半導体記憶装置全体に渡って、設定する必要はなく、一部の消去ブロック群についてのみNウエルデコーダを共有化することができる。
【0060】
特にNウエルデコーダを共有化する場合には、その出力信号であるNWiの負荷容量が大きくなる場合の悪影響が懸念されるため、制御されるウエルのサイズが小さいような消去ブロック群に対してNウエルデコーダを共有化すれば、面積縮小の効果を得つつ、負荷容量の増大の懸念も防止できる。なお、ウエルサイズの小さい消去ブロック群としては、レギュラー消去ブロック群以外のブート消去ブロック群などが該当する。
【0061】
ここで、レギュラー消去ブロック群はそのメモリセルビット容量が512Kビット程度であるのに対して、ブート消去ブロック群はレギュラー消去ブロック群のメモリセル容量の約1/8程度の64Kビット程度のメモリセル容量となっている。
【0062】
本実施の形態では、前記第1の実施の形態に対し、Nウエルデコード回路の数を減らすことができることから、半導体記憶装置の更なる面積縮小効果があり、さらにメモリセルアレイと、隣接するカラムゲートとのウエル境界についても領域を縮小できることからも面積縮小効果を有する。
【0063】
また、カラムゲート31のNウエル2内での繋ぎ合わせの構成は、本実施の形態のようにNウエルデコード回路30の共有化構成と共に実施する必要は必ずしもなく、第1の実施の形態と組み合わせて実施することも可能である。その場合においても、その構成による面積縮小効果が得られる。
【0064】
さらに、本実施の形態では第1の実施の形態同様の効果を有する。
【0065】
(第3の実施の形態)
本実施の形態を図1乃至図5を用いて説明する。図4に示される回路は、前記図1又は図3に示されるソース電圧発生回路14の具体例である。なお消去ブロック境界での断面構造は図2に示される第1の実施の形態と同様である。
【0066】
本回路は、デコード回路AND40は、ブロックアドレスBA0からBAiの内、消去ブロック群選択アドレスBAjからBAiの入力を受け、半導体記憶装置内で発生される、例えば消去したいブロックのグローバルな選択信号BLMiを“H”にする。ここで、第1デコード回路AND40は、外部電源例えば、VDDで駆動される為、“H”レベルはVDDレベルとなる。
【0067】
第1レベルシフタLS41は、グローバルな選択信号BLMiを、例えば内部で発生された高電位VPPレベル信号BLHiへと電圧変換をする回路である。
【0068】
ここで、例えば、消去の場合VPPレベルは、ソース線電圧、例えば10Vが印加されている。
【0069】
また、半導体記憶装置内で発生される消去信号である、ERASEH信号もVPPレベルの信号となっており、両者により第1NAND回路42において選択されたソース線高電圧信号であるSLHBi信号は0Vとなり、P型トランジスタであるP1がオンし、ソース線SLMiに消去時のソース線電圧をVPPレベル、例えば10Vを印加する。
【0070】
この時、半導体記憶装置内で発生される1個のN型トランジスタN1をコントロールする、ソース線リセット高電位信号であるSLRSTHBはVPPとなっていて、第2NAND回路43を介してN型トランジスタN1は、オフ状態となっている。
【0071】
また、消去終了時は、ERASEH信号は、0Vとなり、SLHBiは、VPPレベルとなり、P1は、オフ状態となる。その後、短絡回路SH44により、メモリセルの制御ゲートの消去電圧例えばー7VとなるVBBBMiとソース線SLMiを短絡させた後、SLRSTHB信号が0Vとなる。
【0072】
ここで、N型トランジスタであるN1は、急激な放電による電源(GND)のゆれを押さえる為、比較的小さいサイズとなっており、SLMiは、ゆっくり落ちていく。
【0073】
本実施の形態では、第1又は第2の実施の形態同様に、ソース電圧発生回路SLを消去ブロック群ごとに1つづつ設けて、従来、消去ブロックごとにブロックデコーダBD内に設けられていたソース電圧発生回路SLの個数を減らすことを可能としている。
【0074】
ここで、ソース電圧発生回路SL内には大電流を流す必要から素子サイズが極めて大きい短絡回路SHが存在していることから、このソース電圧発生回路SLを消去ブロック群内で共通にひとつだけ設けることで、素子面積の縮小が図られる。
【0075】
なお、このソース電圧発生回路を消去ブロック群内で共通化する構成は、本実施の形態における他の特徴である、ウエルの共通化やブロックデコーダ回路を用いないで、単に従来の技術に盛り込んで用いることが可能である。その場合においても、半導体記憶装置の小面積化の効果を有する。
【0076】
次に図5を用いて、図1におけるブロックデコーダBD9及びNウエルデコーダNW3の回路構成を説明する。ここで、デコーダ回路AND45は、ソース電圧発生回路SL14の出力である選択信号SLMiとブロックアドレスBA0〜BAiにより選択信号BLiを“H”レベルにする。また、レベルシフタLS46は、電圧変換回路である。
【0077】
また、レベルシフタLS46の出力BLHiにより、トランスファーゲートとなる、P型トランジスタP11と、N型トランジスタN11は、オン状態となり、ソース電圧発生回路14の出力SLMiと選択したブロックのソース線SLiを接続する。ここで、P型トランジスタP11はそのゲートに信号BLHiが入力され、反転信号を出力する第1インバータ47の出力が接続されている。
【0078】
このP型トランジスタP11に直列に接続されたN型トランジスタN13のゲートは互いに接続されていて、オフ状態である。
【0079】
また、書き込み及び読み出し時のセル電流を流す為に、図4に示されたソース電圧発生回路SL14中のトランジスタN1と比較して、大きなサイズとなっているN型トランジスタN12は、ソース線リセットオン高電位信号SLRSTONHBがVPPレベルとなっていて、第3NAND回路48の出力であるBSLHBi信号が0Vとなるため、オフ状態となっている。
【0080】
また、Nウエルデコーダ回路NW3は、ブロックデコーダBD9の出力であるBSLHBi信号と、隣接するNウエルを共有する消去ブロック1内のブロックデコーダBD9の出力であるBSLHBj信号を受ける第4NAND回路49からの出力であるNWHi信号がVPPレベルとなり、トランスファーゲートである、N型トランジスタN21のゲート及び第2インバータ50を介して、P型トランジスタP21のゲートに入力されている。トランスファーゲートN21、P21を介して、SLMi信号をNウエル2に電位NWiとして印加する。
【0081】
また、消去終了後は、ソース電圧発生回路14で放電動作が終了後、SLRSTONHB信号が0Vになり、ソース線の放電トランジスタであるN12がオン状態となる。また、Nウエルデコーダ3内のトランスファーゲートP21及びN21もオフ状態となり、P型トランジスタP21とゲートが互いに接続され、かつ、直列に接続されたN型トランジスタN23がオンし、Nウエル2の電位を0Vにしている。
【0082】
ここで、ソース線電圧SLiと、Nウエル電圧NWiは、各々トランスファーゲートを介し、ソース電圧発生回路14の出力SLMiに接続する構成となっている為、基本的に同電位となり、Nウエル、Pウエルのバイアス関係によるフォワードバイアスを抑制することができる。
【0083】
なお、各実施の形態において、ソース電圧発生回路SLを消去ブロック群ごとに1つづつ設けなくてもよく、その場合、各消去ブロック内のブロックデコーダ9において、同様の機能を持たせてもよい。
【0084】
上記各実施の形態は、それぞれ組み合わせて実施することができる。
【0085】
【発明の効果】
本発明によれば、メモリセルアレイのウエル境界部分を縮小することにより、半導体記憶装置の面積の増加を抑えることができる。
【0086】
さらに本発明によれば、隣り合う消去ブロックのメモリセルアレイのウエル領域を同一化しても、面積の増加を抑えられると共に、Nウエル領域、Pウエル領域のバイアス関係によるフォワードバイアスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施の形態の構成図。
【図2】 第1の実施の形態における断面図。
【図3】 第2の実施の形態の構成図。
【図4】 第1の実施の形態におけるソース電圧発生回路の回路図。
【図5】 第1の実施の形態におけるブロックデコーダ及びNウエルデコーダの回路図。
【図6】 従来の半導体記憶装置の断面図。
【図7】 従来の半導体記憶装置の構成図。
【図8】 従来の消去ブロック間の距離を表す断面図。
【図9】 従来のブロックデコーダの回路図。
【符号の説明】
1 消去ブロック
2 Nウエル
3、30 Nウエルデコード回路
4 消去ブロック群
5,31 カラムゲート
6 ブロックデコーダ
7,32 Pウエル
8 メモリセルトランジスタ
9 ブロックデコーダ
10 ローカルデコーダ
11 ブロック行デコーダ
12 列デコーダ
13 カラムデコーダ
14 ソース電圧発生回路
15 メモリセルアレイ
20 半導体基板
21 ソース拡散層
22 ドレイン拡散層
23 浮遊ゲート
24 制御ゲート
25 Nウエルコンタクト領域
26 Pプラス拡散層
40 第1デコード回路AND
41 第1レベルシフタLS
42 第1NAND回路
43 第2NAND回路
44 短絡回路SH
45 第2デコード回路AND
46 第2レベルシフタLS
47 第1インバータ
48 第3NAND回路
49 第4NAND回路
50 第2インバータ

Claims (9)

  1. 第1導電型の半導体基板と、
    前記半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウエル領域と、
    この第1ウエル領域中に形成された前記第1導電型の第2ウエル領域と、
    前記第1ウエル領域中に形成された前記第1導電型の第3ウエル領域と、
    前記第2ウエル領域及び前記第3ウエル領域中に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成されたMOS構造のメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、
    前記第1ウエル内に形成され、前記メモリセルを列アドレスに基づいて選択する選択回路と
    を有することを特徴とする半導体記憶装置。
  2. 前記第1ウエル領域の電位と前記第2ウエル領域の電位はそれぞれ独立して与えられることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  3. 前記第1乃至第3ウエル領域及び前記選択回路は、連続して複数個隣接して配置されて消去ブロック群を構成し、前記第1ウエルに共通に電位を与える第1ウエルデコーダをさらに有することを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  4. 前記第1ウエル領域及び前記第2ウエル領域が第1消去ブロックを構成し、前記第1ウエル領域及び前記第3ウエル領域が第2消去ブロックを構成し、この第1消去ブロックと第2消去ブロックとは隣接して配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
  5. 第1導電型の半導体基板と、
    この半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウエル領域と、
    前記第1ウエル領域中に形成された第1導電型の第2ウエル領域と、
    前記第1ウエル領域中に形成された前記第1導電型の第3ウエル領域と、
    前記第2ウエル領域及び前記第3ウエル領域中に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成されたMOS構造のメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、
    前記メモリセルアレイの消去時に電源電圧より高い電圧を発生する消去回路と、
    前記メモリセルアレイの消去時に前記消去回路の出力信号と前記第2ウエル領域、及びメモリセルのソース領域とを選択的に接続する第1のデコード回路と、
    前記消去回路の出力と前記第1ウエル領域を選択的に接続する第2のデコード回路を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
  6. 前記第1のデコード回路は、アドレス信号により選択する第3のデコード回路と、電源電圧より高い内部電圧に変換する電圧変換回路と、前記電圧変換回路の出力となる第1のデコード信号と、第1のP型トランジスタと第1のN型トランジスタとにより構成された第1のトランスファーゲート回路と、前記メモリセルアレイの消去時にオフする第2のN型トランジスタとを有することを特徴とする請求項5記載の半導体記憶装置。
  7. 前記第1のデコード回路は複数個存在し、前記第2のデコード回路は、複数の前記第1のデコード回路からの出力信号により選択する第4のデコード回路と、第2のP型トランジスタと第3のN型トランジスタとにより構成された第2のトランスファーゲート回路と、前記メモリセルアレイの消去時にオフする第4のN型トランジスタとを有する事を特徴とする請求項5又は6いずれか1項記載の半導体記憶装置。
  8. 前記第1のトランスファーゲート回路又は、前記第2のトランスファーゲート回路は、選択されたメモリセルアレイの消去時のみにオンすることを特徴とする請求項6又は7いずれか1項記載の半導体記憶装置。
  9. 第1導電型の半導体基板と、
    この半導体基板上に形成された第2導電型の第1ウエル領域と、
    前記第1ウエル領域中に形成された第1導電型の第2ウエル領域と、
    前記第2ウエル領域中に、それぞれ絶縁膜で分離された2層の多結晶シリコンで形成されたMOS構造のメモリセルが行列状に配列されたメモリセルアレイと、
    前記メモリセルアレイの消去時に電源電圧より高い電圧を発生する消去回路と、
    前記メモリセルアレイの消去時に前記消去回路の出力信号と前記第2ウエル領域、及びメモリセルのソース領域とを選択的に接続する第1のデコード回路と、
    前記消去回路の出力と前記第1ウエル領域を選択的に接続する第2のデコード回路とを具備し、
    前記第1ウエル領域、第2ウエル領域、第1のデコード回路、及び第2のデコード回路は、消去ブロックを構成し、この消去ブロックは連続して複数個隣接して配置されて消去ブロック群を構成し、同一消去ブロック群内のすべての消去ブロックに前記消去回路の出力が接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。
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