KR100449227B1 - 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100449227B1 KR100449227B1 KR10-2001-0073808A KR20010073808A KR100449227B1 KR 100449227 B1 KR100449227 B1 KR 100449227B1 KR 20010073808 A KR20010073808 A KR 20010073808A KR 100449227 B1 KR100449227 B1 KR 100449227B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- green sheet
- ceramic
- shrink
- cavity
- alleviation
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 195
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 27
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 18
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 5
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000001595 contractor effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
- H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Devices For Post-Treatments, Processing, Supply, Discharge, And Other Processes (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 캐비티 형성을 위한 개구부를 갖는 제1세라믹 그린 시트 및 상기 제1세라믹 그린 시트의 개구부에 대응하는 위치에 개구부를 갖지 않는 제2세라믹 그린 시트를 제공하는 단계;상기 제1세라믹 그린 시트와 상기 제2세라믹 그린 시트 사이의 경계에서 만들어진 수축 압력을 감소시키기 위한 제1수축완화 물질을 제공하는 단계;상기 개구부에 의해 정해진 캐비티를 갖는 그린 시트 적층체를 상기 제1세라믹 그린 시트, 상기 제2세라믹 그린 시트 및 상기 제1 수축완화 물질의 적층으로 형성하여, 상기 캐비티의 구멍이 시트 적층 방향에서 상기 적층된 세라믹 그린 시트의 적어도 한 종단면에 배치되고 상기 적층체의 깊이를 통과하여 내주면으로 확장되고, 상기 제1세라믹 그린 시트와 상기 제2세라믹 그린 시트 사이의 상기 경계를 따라 상기 제1수축 완화 물질을 포함하는 상기 수축 완화층을 위치하되 상기 제1세라믹 그린 시트의 상기 개구부에 대응되는 위치에서 제2세라믹 그린 시트의 전체 표면보다 작도록 위치하여 상기 수축완화층이 상기 캐비티의 상기 내주면의 한 종단에서 노출되도록 위치하는 단계; 및상기 그린 시트 적층체를 소성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수축 완화층은 수축 완화 패드로써 상기 캐비티의 내주면의 전체면에 노출되는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 수축 완화 패드는 상기 한 종단면을 정하는 상기 제1세라믹 그린 시트의 표면에 실질적으로 평행인 표면을 갖고, 상기 수축 완화 패드는 실질적으로 평행인 상기 제1세라믹 그린 시트의 상기 표면의 영역의 약 10% 이상의 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 수축 완화 패드는 상기 제1세라믹 그린 시트와 상기 제2세라믹 그린 시트 사이의 상기 경계를 따라 상기 제1세라믹 그린 시트에 실질적으로 동일한 평판면을 갖는 두꺼운 막층을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 수축 완화 패드는 상기 캐비티의 깊이의 약 20% 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 수축 완화 패드는 글래스 성분을 포함하고, 상기 글래스 성분의 용융 온도는 상기 제1 및 제2세라믹 그린 시트의 수축 시작 온도 이하인 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2세라믹 그린 시트는 글래스 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2세라믹 그린 시트의 상기 글래스 성분의 함유량은 상기 수축 완화 패드의 상기 글래스 성분의 함유량보다 적은 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 수축 완화 패드와 상기 제1 및 제2세라믹 그린 시트에 함유된 상기 글래스 성분은 같은 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 수축 완화 패드에 함유된 글래스 성분은 상기 제1및 제2세라믹 그린 시트에 함유된 글래스 성분과 같은 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2세라믹 그린 시트에 함유된 세라믹 물질의 소성 온도보다 높은 소성 온도를 갖는 무기 물질을 포함하는 제2수축 억제 물질을 제공하는 단계;상기 그린 시트 적층체를 형성하는 동안, 상기 제2 수축 억제 물질을 각각 포함하는 두개의 추가 수축 억제층을 형성하여 상기 개구부가 형성되는 동안 시트 적층 방향에서 상기 그린 시트 적층체의 양 종단면을 덮어서 상기 캐비티의 상기 구멍이 드러나게 하는 두개의 추가 수축 억제층을 형성하는 단계; 및상기 추가 수축 억제층에 함유된 무기 물질이 소성되지 않는 조건하에서 상기 그린 시트 적층체를 소성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 추가 수축 억제층을 상기 소성 후에 제거하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 캐비티를 갖는 다층 세라믹 기판 제조 방법.
- 소성에 적합한 적층체를 갖는 다층 세라믹 기판에 관한 것이며, 상기 적층체는,캐비티를 정의하는 개구부를 갖는 제1세라믹층;상기 개구부에 대응하는 위치에 개구부를 갖지 않는 제2세라믹층;상기 제1세라믹층과 상기 제2세라믹층이 적층되고, 상기 적층된 층의 적어도 한 종단면에 구멍을 갖고 상기 제2세라믹층에 의해 정의된 내주면으로 확장하는 상기 개구부에 의해 정의되는 캐비티; 및상기 제1세라믹층과 제2세라믹층의 경계의 전체 또는 일부에 배치되되 상기 제1세라믹층의 상기 개구부에 대응되는 위치에서 제2세라믹층 전체 표면보다 작도록 위치하여 상기 캐비티의 내주면의 한 종단에서 드러나는 수축 완화층을 포함하고,상기 수축 완화층은 상기 소성 공정 동안 상기 제1세라믹층과 상기 제2세라믹층 사이의 경계에서 발생된 수축 압력을 줄이기 위한 수축 완화 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제13항에 있어서, 상기 수축 완화층은 수축 완화 패드로 상기 캐비티의 내주면의 전체면에 노출되는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제14항에 있어서, 상기 수축 완화 패드는 상기 종단면을 정의하는 상기 제1세라믹 그린 시트의 표면에 실질적으로 평행인 면을 갖고, 상기 수축 완화 패드 표면은 상기 제1세라믹 그린 시트의 표면의 약 10% 이상의 영역을 갖고 상기 제1세라믹 그린 시트의 표면에 평행하며, 두께는 상기 캐비티의 깊이의 약 20% 이하인 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제15항에 있어서, 상기 수축 완화 패드는 상기 제1 및 제2세라믹 그린 시트의 수축 시작 온도 이하의 용융 온도를 갖는 글래스 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제16항에 있어서, 상기 적층체는 상기 개구부가 상기 캐비티의 상기 구멍에 노출되는 동안 시트 적층 방향에서 상기 그린 시트 적층체의 양 종단면에 배치된 수축 억제 무기 물질을 포함하는 수축 억제층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제13항에 있어서, 상기 제1세라믹층과 상기 제2세라믹층은 그린 세라믹층인것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제13항에 있어서, 상기 제1세라믹층과 상기 제2세라믹층은 소성된 세라믹층인 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
- 제1항에 따른 다층 세라믹 기판 제조 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 다층 세라믹 기판.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2000-00359025 | 2000-11-27 | ||
JP2000359025A JP3757788B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020041305A KR20020041305A (ko) | 2002-06-01 |
KR100449227B1 true KR100449227B1 (ko) | 2004-09-18 |
Family
ID=18830854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0073808A KR100449227B1 (ko) | 2000-11-27 | 2001-11-26 | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6743316B2 (ko) |
EP (1) | EP1209734B1 (ko) |
JP (1) | JP3757788B2 (ko) |
KR (1) | KR100449227B1 (ko) |
CN (1) | CN1197445C (ko) |
TW (1) | TW521553B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100887685B1 (ko) | 2007-11-15 | 2009-03-11 | 삼성전기주식회사 | 전자소자 내장 인쇄회로기판의 제조방법 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030006402A (ko) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 삼성전기주식회사 | 균일한 압력전달이 가능한 다층 인쇄회로기판의 제조방법 |
US7381283B2 (en) | 2002-03-07 | 2008-06-03 | Yageo Corporation | Method for reducing shrinkage during sintering low-temperature-cofired ceramics |
EP1378347A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-07 | Yageo Corporation | Method for reducing shrinkage during sintering low-temperature ceramic |
DE10252636A1 (de) * | 2002-11-11 | 2004-05-19 | Epcos Ag | Keramisches Vielschichtsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP2005335265A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Kyocera Corp | セラミック積層部品及びその製造方法 |
TW200644757A (en) | 2005-04-19 | 2006-12-16 | Tdk Corp | Multilayer ceramic substrate and production method thereof |
WO2006120826A1 (ja) | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック多層基板 |
KR101327307B1 (ko) | 2006-11-27 | 2013-11-11 | 주식회사 미코 | 다층 기판 제조 방법 및 이를 이용한 정전척 제조 방법 |
JP4821855B2 (ja) * | 2007-04-11 | 2011-11-24 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
KR100898977B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2009-05-25 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
KR100891824B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 패키지 |
CN104589738A (zh) * | 2008-05-15 | 2015-05-06 | 株式会社村田制作所 | 多层陶瓷基板及其制造方法 |
KR101025937B1 (ko) | 2008-10-27 | 2011-03-30 | 삼성전기주식회사 | 무수축 다층 세라믹 기판의 제조 방법 |
KR101580464B1 (ko) * | 2009-06-19 | 2015-12-29 | 주식회사 미코 | 다층 세라믹 기판의 제조 방법 |
CN102176434A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-09-07 | 苏州达方电子有限公司 | 气密陶瓷层结构与制造方法 |
JP6431191B2 (ja) * | 2015-06-25 | 2018-11-28 | 京セラ株式会社 | 配線基板、電子装置および電子モジュール |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06104575A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | 抵抗体付きセラミックス回路基板 |
JPH09116273A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-05-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層回路基板及びその製造方法 |
KR19980026173A (ko) * | 1996-10-08 | 1998-07-15 | 이형도 | 경연성 다층 인쇄회로기판의 제조방법 |
KR19990081572A (ko) * | 1998-04-30 | 1999-11-15 | 윤종용 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP2000025157A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合積層体およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0939160A (ja) | 1995-07-25 | 1997-02-10 | Nec Corp | セラミック多層配線板の製造方法 |
JPH09181449A (ja) | 1995-12-22 | 1997-07-11 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | セラミック多層基板の製造方法 |
US5858145A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | Sarnoff Corporation | Method to control cavity dimensions of fired multilayer circuit boards on a support |
JP3656484B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2005-06-08 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板の製造方法 |
JP3666321B2 (ja) * | 1999-10-21 | 2005-06-29 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板およびその製造方法 |
JP3554962B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2004-08-18 | 株式会社村田製作所 | 複合積層体およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000359025A patent/JP3757788B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-10-19 TW TW090125911A patent/TW521553B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-11-01 US US10/001,316 patent/US6743316B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-09 EP EP01126797A patent/EP1209734B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-26 KR KR10-2001-0073808A patent/KR100449227B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-27 CN CNB011429429A patent/CN1197445C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06104575A (ja) * | 1992-09-22 | 1994-04-15 | Sumitomo Kinzoku Ceramics:Kk | 抵抗体付きセラミックス回路基板 |
JPH09116273A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-05-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 多層回路基板及びその製造方法 |
KR19980026173A (ko) * | 1996-10-08 | 1998-07-15 | 이형도 | 경연성 다층 인쇄회로기판의 제조방법 |
JP2000025157A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合積層体およびその製造方法 |
KR19990081572A (ko) * | 1998-04-30 | 1999-11-15 | 윤종용 | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100887685B1 (ko) | 2007-11-15 | 2009-03-11 | 삼성전기주식회사 | 전자소자 내장 인쇄회로기판의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020062552A1 (en) | 2002-05-30 |
EP1209734A2 (en) | 2002-05-29 |
JP2002164654A (ja) | 2002-06-07 |
CN1356864A (zh) | 2002-07-03 |
TW521553B (en) | 2003-02-21 |
EP1209734B1 (en) | 2011-08-03 |
EP1209734A3 (en) | 2005-03-16 |
CN1197445C (zh) | 2005-04-13 |
KR20020041305A (ko) | 2002-06-01 |
JP3757788B2 (ja) | 2006-03-22 |
US6743316B2 (en) | 2004-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100449227B1 (ko) | 다층 세라믹 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100475345B1 (ko) | 적층 세라믹 기판 제작 방법 | |
JP2001230548A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
KR100473773B1 (ko) | 다층 세라믹 기판 제조 방법 | |
US20020026978A1 (en) | Multilayer ceramic substrate and manufacturing method therefor | |
JP3741007B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
JP3922079B2 (ja) | キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 | |
JP4599706B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
EP0359416A2 (en) | Hybrid circuits | |
JP2000299561A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
JP2008159725A (ja) | セラミック多層基板およびその製造方法 | |
JP2004034448A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
JP2002164655A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
JP4517566B2 (ja) | 無収縮セラミック多層基板の製造方法 | |
JPH06216524A (ja) | 複合プリント配線板の製造方法 | |
JP2001257473A (ja) | 多層セラミック基板およびその製造方法 | |
JP3876720B2 (ja) | キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法 | |
JP2004095753A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
JPH08191033A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
JPH06326468A (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2004335539A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法、および電子部品搭載多層セラミック基板の製造方法 | |
JP2005051053A (ja) | 高周波積層部品の製造方法 | |
JPH06326469A (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
JP2001079819A (ja) | キャビティ付き多層基板 | |
JPH04338696A (ja) | 内部電極の接続方法及び内部電極を具備する電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130819 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140826 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150828 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160829 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170901 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180831 Year of fee payment: 15 |