KR100393934B1 - 반도체 장치의 수지봉지 금형 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 패키지 주변, 컬부 주변에 발생하는 얇은 버르를 완전히 방지함에 의해 고신뢰성의 수지 봉지 금형을 얻는다. 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상형과 하형은 모두 캐비티 측면 부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와, 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와, 제 1 캐비티 인서트에 내장된, 캐비티 바닥 부분을 형성하는 탄성판과, 캐비티에 대하여 반대측에서, 상기 탄성판과 인접하는 위치에 매설된 제 2 캐비티 인서트와, 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와, 제 1 캐비티 인서트와 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와, 제 1 탄성 포스트와 제 2 탄성 포스트와 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하고 있다.
Description
본 발명은, 반도체 소자를 몰드수지로써 일체로 봉지하여 반도체 장치를 형성하기 위한 수지 봉지 금형, 및 그 수지 봉지 금형을 사용한 반도체 장치의 수지봉지방법, 및 수지 봉지 반도체 장치의 금형 해제(mold-releasing)방법에 관한 것이다.
도 7은, 종래의 반도체 장치의 수지 봉지 금형을 나타낸 단면도이다. 도 8은, 종래의 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 금형 해제 동작상태를 나타낸 단면도이다. 도 7 및 도 8에서, 반도체 수지 패키지(51)는, 리드 프레임(21)에 반도체 소자(22)를 탑재하여, 본딩 와이어(23)에 의해서 리드 프레임(21)과 반도체 소자(22)가 접속되어, 플런저(30)상에 세트된 몰드수지(29)에 의해 봉지된 것이다.
또한, 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 상형(upper mold)은, 복수의 캐비티(cavity, 36a)를 가지는 상형 캐비티 인서트(24a)와, 컬 인서트(cull insert, 26)와, 상기 상형 캐비티 인서트(24a), 컬 인서트(26)를 포괄하는 상형 리테이너(retainer, 27a)와, 상형 뒷면 대기 플레이트(upper mold backing plate, 34a)와 상형 리테이너(27a)의 사이에 설치된 탄성 포스트(25)와, 이젝트 핀(28)과, 이젝트 로드(eject rod, 31)와, 상형 프레임(35a)으로 구성되어 있다.
이젝트 핀(28)은, 일단이 상형 이젝터 플레이트(32a)와 상형 누름판(33a)의 사이에 끼워 설치되어, 타단이 상형 캐비티(36a)에 연통하고 있다. 또한, 이젝트 핀(28)은, 상기 상형 리테이너(27a), 상형 캐비티 인서트(24a)를 관통하고 있다. 이젝트 로드(31)는, 상기 상형 이젝터 플레이트(32a)에 부착되어 있다. 상형 프레임(35a)은, 상기 상형 리테이너(27a)와 상형 뒷면 대기 플레이트(34a)를 걸어 맞추고 있다.
또한, 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 하형(lower mold)은, 복수의 캐비티(36b)를 가지는 하형 캐비티 인서트(24b)와, 쳄버(11)를 내장하여, 상기 하형 캐비티 인서트(24 b)를 포괄하는 하형 리테이너(27b)와, 하형 뒷면 대기 플레이트(34b)와 하형 리테이너(27b)의 사이에 설치된 탄성 포스트(25)와, 이젝트 핀(28)과, 이젝트 로드(31)와, 하형 프레임(35b)으로 구성되어 있다.
이젝트 핀(28)은, 일단이 하형 이젝터 플레이트(32b)와 하형 누름판(33b)의 사이에 끼워 설치되어, 타단이 하형 캐비티(36b)에 연통하고 있다. 또한, 이젝트 핀(28)은, 하형 리테이너(27b), 하형 캐비티 인서트(24b)를 관통하고 있다. 이젝트 로드(31)는, 하형 이젝터 플레이트(32b)에 부착되어 있다. 하형 프레임(35b)은, 상기 하형 리테이너(27b)와 하형 뒷면 대기 플레이트(34b)를 걸어 맞추고 있다. 쳄버(11)내부에는, 플런저(30)와 몰드수지(29)가 있다.
다음으로, 반도체 장치의 수지봉지방법에 관해서 설명한다. 리드 프레임(21)상에 반도체 소자(22) 및 본딩 와이어(23)가 장착된 프레임 어셈블리가, 하형 상면에 구비된 하형 캐비티 인서트(24b)의 하형 캐비티(36b) 부분에 정렬배치된다. 여기서, 상하의 수지 봉지 금형은, 모두 도시되어 있지 않은 히터에 의해 미리 고온으로 유지되어 있다.
이어서, 쳄버(11) 내에 몰드수지(29)를 투입한다. 수지 봉지 금형의 상형과, 수지 봉지 금형의 하형의 클램프(형 체결) 동작에 의해, 상형 캐비티 인서트(24a)와 하형 캐비티 인서트(24b)가, 리드 프레임(21)을 낀다. 플런저(30)의 상승동작에 의해, 쳄버(11)내에서 용융한 몰드수지(29)가, 러너(37)를 지나서 상형 캐비티(36a)와 하형 캐비티(36b)의 양쪽으로 주입되는 것에 의해, 수지봉지 반도체 장치인 반도체 수지 패키지(51)가 형성된다.
이어서, 그대로 일정시간 유지(큐어(cure))시켜 반도체 수지 패키지(51)를 경화시킨다. 그 후, 수지 봉지 금형의 상형과, 수지 봉지 금형의 하형을 열어, 반도체 수지 패키지(51)의 금형 해제동작으로 옮기지만, 이 반도체 수지 패키지(51)는 수지가 가지는 접착력 때문에, 상형 캐비티(36a), 하형 캐비티(36b) 중 어느 하나에 고착하여 금형 해제하기 어렵게 되어 있다.
다음으로, 수지 봉지 금형의 상형의 상승과 동시에, 상형 외부 구동수단(미도시됨)은, 이젝트 로드(31)를 돌출한다. 이젝트 로드(31)가 돌출되는 것에 의해, 이젝터 플레이트(32a)에 장착되어 있는 이젝트 핀(28)이, 리테이너(27a), 캐비티 인서트(24a)를 관통하여, 반도체 수지 패키지(51)의 상면을 억압한다. 이젝트 핀(28)에 의해 반도체 수지 패키지(51)의 상면은 눌리어, 수지 봉지 금형의 상형으로부터 금형 해제한다.
이어서, 외부 구동수단(미도시됨)은, 이젝트 로드(31)를 돌출한다. 이젝트 로드(31)가 돌출되는 것에 의해, 이젝터 플레이트(32b)에 장착되어 있는 이젝트 핀(28)이, 리테이너(27b), 캐비티 인서트(24b)를 관통하여, 상기 반도체 수지 패키지(51)의 하면을 누른다. 이젝트 핀(28)에 의해 반도체 수지 패키지(51)의 하면은 눌리어, 수지 봉지 금형의 하형으로부터 금형 해제한다.
종래의 수지 봉지 금형은 이상과 같이 구성되어 있기 때문에, 다수의 이젝트 핀이 필요해진다. 이젝트 핀은, 고정밀도의 구멍 가공, 핀 외경 가공에 방대한 시간을 요하기 때문에, 금형 제조 비용의 증대와, 공사 기간의 연장을 가져온다고 하는 문제가 있었다. 또한, 패키지 의장상의 제약으로부터, 캐비티 인서트, 리테이너, 이젝트 핀등의 부품 치수 오차를 흡수하기 위하여 이젝트 핀의 선단을 캐비티 저면보다도 돌출시켜 수지 성형을 하지 않으면 안 되고, 최근 수요가 높아져 가는 박형 패키지에 있어서, 내부의 반도체 소자나 본딩 와이어 등이 노출한다고 하는 문제가 있었다. 또한, 프레임 두께의 변동을 흡수할 수 없고, 반도체 수지 패키지 주변 및 컬부 주변에 얇은 버르(burr)가 발생한다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은, 상기와 같은 문제를 해소하기 위해서 이루어진 것으로, 다수의 이젝트 핀의 폐지에 의한 구조의 간소화에 의해, 금형 제조 비용의 삭감 및 공사기간의 단축을 꾀할 수 있음과 동시에, 패키지 손상을 완화할 수 있는 반도체 장치의 수지 봉지 금형을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 리드 프레임 두께의 변동을 흡수할 수 있어, 반도체 수지 패키지 주변 및 컬부 주변에 발생하는 얇은 버르를 완전히 방지할 수 있는 반도체 장치의 수지 봉지 금형을 제공하는 것을 목적으로 한다. 아울러, 그 수지 봉지 금형에 알맞은 반도체 장치의 수지 밀봉 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 수지 봉지 반도체 장치의 금형 해제방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 의한 수지 봉지 금형의 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예 1에 의한 형 체결전 진공 배출 상태를 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 실시예 1에 의한 형 체결 상태를 나타낸 단면도,
도 4는 본 발명의 실시예 1에 의한 일단계째 금형 해제 동작상태를 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예 1에 의한 이단계째 금형 해제 동작상태를 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명의 실시예 4에 의한 수지 봉지 금형의 일부분을 나타낸 단면도,
도 7은 종래의 수지 봉지 금형을 나타낸 단면도,
도 8은 종래의 수지 봉지 금형을 나타낸 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1a : 하형 제 1 캐비티 인서트 1b : 하형 제 1 캐비티 인서트
2a : 상형 제 1 탄성 포스트 2b : 하형 제 1 탄성 포스트
3a : 상형 탄성판 3b : 하형 탄성판
4a : 상형 제 2 캐비티 인서트 4b : 하형 제 2 캐비티 인서트
5a : 상형 제 2 탄성 포스트 5b : 하형 제 2 탄성 포스트
6 : 컬 인서트 7 : 제 3 탄성 포스트
8a : 상형 리테이너 8b : 하형 리테이너
9 : 청소용 핀 10a : 상형 뒷면 대기 플레이트
10b : 하형 뒷면 대기 플레이트 11 : 쳄버
12a : 상형 배관 슬리브 12b : 하형 배관 슬리브
13 : 실 14a : 상형 캐비티
14b : 하형 캐비티 15 : 밀폐공간
16 : 진공 배출공 17 : 러너(runner)
18 : 컬부 19 : 언더컷(홈)
20 : 위치결정핀 21 : 리드 프레임
22 : 반도체 소자 23 : 본딩 와이어
29 : 몰드수지 30 : 플런저
40b : 얇은 두께부 51 : 반도체 수지 패키지
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 수지 봉지하기 위한 상형과 하형의 2개로 구성되어, 상기 상형과 상기 하형으로 캐비티를 형성하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은 모두 캐비티 측면부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와, 상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와, 상기 제 1 캐비티 인서트에 내장된, 캐비티 바닥 부분을 형성하는 탄성판과, 상기 캐비티에 대하여 반대측에서, 상기 탄성판과 인접하는 위치에 매설된 제 2 캐비티 인서트와, 상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와, 상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와, 상기 제 1 탄성 포스트와 상기 제 2 탄성 포스트와 상기 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하여, 상기 상형과 상기 하형중 어느 한쪽이, 상기 제 1 캐비티 인서트와 인접하는 컬 인서트와, 상기 컬 인서트를 지지하는 제 3 탄성 포스트를 구비하여, 다른쪽이, 상기 리테이너에 매설된 쳄버를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 2 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트는 교대로 독립하여 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 3 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 형 체결시에, 상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 상기 제 1 탄성 포스트의 휨 량을, 상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 상기 제 2 탄성 포스트의 휨 량보다도 크게 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 4 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 3 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 형 체결 동작중에 있어서, 상기 제 1 탄성 포스트가 먼저 오그라 들기 시작하여, 다음에 상기 제 2 탄성 포스트가 오그라 들기 시작하고, 형 열기 동작중에 있어서, 상기 제 2 탄성 포스트가 먼저 신장하는 것을 멈추고, 다음에 상기 제 1 탄성 포스트가 신장하는 것을 멈추는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 5 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 탄성판을 변형시킴으로써 반도체 수지 봉지 패키지를 금형 해제시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 6 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형이, 상기 탄성판에 압축 기체를 주입하기 위한 배관 슬리브(piping sleeve)를 구비하여, 상기 탄성판은, 상기 배관 슬리브를 통하여 주입되는 압축기체에 의해 변형함으로써, 반도체 수지 봉지 패키지를 금형 해제시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 7 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 쳄버가 내면에 홈을 가지고, 형을 열때에 상기 홈에 의해, 상기 컬 인서트와 상기 쳄버내의 수지를 금형 해제하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 8 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 7 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 쳄버내에 플런저를 구비하여, 상기 플런저에 의해, 상기 쳄버내에 잔류하고 있는 수지를 금형 해제시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 9 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 컬 인서트는 교대로 독립하여 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 10 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 청구항 1에 기재된 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상형 하면 또는 하형 상면에 실(seal)을 구비하여, 상기 상형 하면 또는 상기 하형 상면과, 상기 수지 봉지 금형의 외부가 도통하고 있는 진공 배출공을 구비하여, 상기 상형의 하강 도중에, 상기 상형은 일시 정지하여, 상기 실에 의해 상기 상형 하면과 상기 하형 상면의 사이에 밀봉공간을 형성하여, 상기 진공 배출공을 통하여 상기 밀폐공간을 진공 배출한 후, 형 체결 동작을 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 11 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 하형은, 리드 프레임을위치결정하기 위한 위치 결정 핀을 구비하여, 상기 상형은, 형 체결시에, 상기 위치 결정 핀의 릴리프(relief) 구멍으로서 작용하는 구멍에 청소용 핀을 내장하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 12 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은, 모두 상기 탄성판과 상기 수지 봉지 금형의 외부를 도통시키는 배관 슬리브를 구비하여, 상기 탄성판은, 상기 배관 슬리브를 통하여 진공 배출되는 것에 따라, 또한, 압축기체가 주입되는 것에 따라 변형되는 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 13 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 탄성판은, 반도체 수지 패키지와 접촉하는 표면에, 원하는 처리막을 가지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 14 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 본 발명의 제 3 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 하형은, 상기 탄성판과 상기 수지 봉지 금형의 외부를 도통시키는 배관 슬리브를 구비하여, 상기 탄성판이 배관 슬리브를 통하여 주어지는 압축기체에 의해 변형함으로써, 반도체 수지 패키지를 금형 해제시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 제 15 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 본 발명의 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기하형은, 모두 상기 탄성판과 상기 수지 봉지 금형의 외부를 도통시키는 배관 슬리브를 구비하여, 상기 탄성판이 상기 배관 슬리브를 통하여 주입되는 압축기체에 의해 변형함으로써, 반도체 수지 패키지를 금형 해제시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 16 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 수지 봉지 하기 위한 상형과 하형의 2개로 구성되어, 상기 상형과 상기 하형으로 캐비티를 형성하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은 모두 캐비티 측면부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와, 상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와, 캐비티 바닥 부분을 형성하는 제 2 캐비티 인서트와, 상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와, 상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와, 상기 제 1 탄성 포스트와 상기 제 2 탄성 포스트와 상기 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하여, 상기 상형과 상기 하형중 어느 한쪽이, 상기 제 1 캐비티 인서트와 인접하는 컬 인서트와, 상기 컬 인서트를 지지하는 제 3 탄성 포스트를 구비하여, 다른쪽이, 상기 리테이너에 매설된 쳄버를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 17 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형은, 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 수지 봉지 하기 위한 상형과 하형의 2개로 구성되어, 상기 상형과 상기 하형으로 캐비티를 형성하는 반도체 장치의 수지봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은 모두 캐비티 측면부와 캐비티 바닥 부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와, 상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와, 상기 캐비티에 대하여 반대측에서, 상기 제 1 캐비티 인서트의 일부분으로 상기 캐비티 바닥 부분을 형성하는 얇은 두께부와 인접하는 위치에 매설된 제 2 캐비티 인서트와, 상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와, 상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와, 상기 제 1 탄성 포스트와 상기 제 2 탄성 포스트와 상기 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하여, 상기 상형과 상기 하형중 어느 한쪽이, 상기 제 1 캐비티 인서트와 인접하는 컬 인서트와, 상기 컬 인서트를 지지하는 제 3 탄성 포스트를 구비하여, 다른쪽이, 상기 리테이너에 매설된 쳄버를 구비하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 18의 형태에 관한 반도체 장치의 수지봉지방법은, 제 1∼제 17 형태중 어느 한 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의한 것이다.
또한, 본 발명의 제 19 형태에 관한 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법은, 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형을 사용하는 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법에 있어서, 상기 탄성판을 변형시키는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 20 형태에 관한 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법은, 제 12 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형을 사용하는 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법에 있어서, 형 열기시에 상기 탄성판이 상기 배관 슬리브를통하여 진공 배출되는 것에 의해 상기 상형의 금형 해제를 하여, 다음에 상기 탄성판이 상기 배관 슬리브를 통하여 압축기체가 주입되는 것에 의해 상기 하형의 금형 해제를 하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 21 형태에 관한 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법은, 제 15 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형을 사용하는 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법에 있어서, 주입되는 압축기체의 압력이 검지되어, 상기 압축기체의 압력이 일정값 이하가 되면, 압축기체의 주입이 정지되는 것을 특징으로 하는 것이다.
(실시예)
(실시예 1)
이하, 본 발명의 실시예 1을 도면에 의거하여 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예 1에 사용하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예 1에 의한 형 체결전 진공 배출 상태를 나타낸 단면도이다. 도 3은 실시예에 의한 형 체결 상태를 나타낸 단면도이다. 도 4는 실시예에 의한 일단계째 형체결 동작상태를 나타낸 단면도이다. 도 5는 실시예에 의한 이단계째 형 체결 동작상태를 나타낸 단면도이다.
또한, 도면을 알기 쉽게 하기 위해서, 일부 해칭을 생략한 개소, 또한 측면도로 되어 있는 개소가 있다. 예컨대, 몰드수지(29)와, 플런저(30)의 해칭이 생략되어 있고, 도 1에서는, 제 2 탄성 포스트(5a, 5b)와의 해칭도 생략되어 있다. 도2에서는, 제 1, 제 2, 제 3의 탄성 포스트(2a, 2b, 5a, 5b, 7)와, 배관 슬리브(12a, 12b)가 측면도로서 도시되어 있다.
도 1에 도시된 것처럼, 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 상형은, 제 1 캐비티 인서트(1a)와, 제 1 탄성 포스트(2a)와, 탄성판(3a)과, 제 2 캐비티 인서트(4a)와, 제 2 탄성 포스트(5a)와, 컬 인서트(6)와, 제 3 탄성 포스트(7)와, 리테이너(8a)와, 청소용 핀(9)과, 뒷면 대기 플레이트(10a)와, 배관 슬리브(12a)와, 캐비티 (14a)와, 진공 배출공(16)으로 구성되어 있다.
제 1 캐비티 인서트(1a)는, 캐비티(14a)의 측면부분을 형성한다. 제 1 탄성 포스트(2a)는, 그 제 1 캐비티 인서트(1a)를 지지한다. 탄성판(3a)은, 그 제 1 캐비티 인서트(1a)에 내장된 캐비티(14a)의 저면부분을 형성한다. 제 2 캐비티 인서트(4a)는, 그 제 1 캐비티 인서트(1a)에 내장되고, 금형 해제 방향으로 이동 가능하다. 제 2 탄성 포스트(5a)는, 그 제 2 캐비티 인서트(4a)를 지지한다.
컬 인서트(6)는, 제 3 탄성 포스트(7)에 의해서 지지되어 있다. 그 제 1 캐비티 인서트(1a) 및 컬 인서트(6)를 포괄하는 리테이너(8a)는, 뒷면 대기 플레이트(10a)에 부착되어 있다. 청소용 핀(9)은, 제 1 캐비티 인서트(1a)에서 돌출함으로써 제 1 캐비티 인서트(1a) 상에 잔류한 수지를 제거하고, 또한 형 체결시에, 수지 봉지 금형의 하형의 위치 결정핀(20)의 릴리프 구멍으로서 작용한다. 뒷면 대기 플레이트(10a)에는, 리테이너(8a)뿐만 아니라, 각 탄성 포스트(2a, 5a, 7)가 부착되어 있다. 배관 슬리브(12a)는, 일단이 상기 제 2 캐비티 인서트(4a)에, 타단이 외부 공기 급배기 수단(미도시됨)에 접속되어 있다. 또한, 배관슬리브(12a)는, 뒷면 대기 플레이트(10a)를 관통하고 있다.
마찬가지로, 도 1에 나타낸 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 하형에 관해서 설명하지만, 1b∼5b, 8b, 10b, 12b, 14b에 관해서는, 상기 반도체 장치의 수지 봉지 금형의 상형에서의 1a∼5a, 8a, 10a, 12a, 14a와 동일 구조 및 기능을 보이기 때문에 중복을 피하기 위해서 설명을 생략한다.
반도체 장치의 수지 봉지 금형의 하형은, 제 1 캐비티 인서트(1b)와, 제 1 탄성 포스트(2b)와, 탄성판(3b)과, 제 2 캐비티 인서트(4b)와, 제 2 탄성 포스트(5b)와, 리테이너(8b)와, 뒷면 대기 플레이트(10b)와, 쳄버(11)와, 배관 슬리브(12b)와, 실(13)과, 캐비티(14b)와, 위치 결정핀(20)으로 구성되어 있다.
쳄버(11)는, 리테이너(8b)와, 뒷면 대기 플레이트(10b)에 내장되어 있고, 내주에 홈을 가진다. 쳄버(11)내에는, 상하 동작가능한 플런저(30)가 있다. 이 플런저(30)는, 몰드수지(29)를 탑재하고 있다. 실(13)은, 중간 단면을 가져, 외부 공기공급수단(미도시됨)에 의해 실 내부에 압력공기가 공급된다. 위치 결정핀(20)은, 리드 프레임(21)에 탑재된 수지 봉지하는 반도체 소자(22)의 위치결정을 하기 위해서 사용된다.
이때, 실(13)은, 하형에 부착되어 있지만, 상형에 부착되어도 되고, 또한, 상형에만 부착되어도 된다. 또한, 쳄버(11)는 하형에 내장되고, 컬 인서트(6) 및 제 3 탄성 포스트(7)는 상형에 내장되어 있지만, 쳄버(11)는 상형에 내장되어, 컬 인서트(6) 및 제 3 탄성 포스트(7)는, 하형에 내장되어도 된다. 또한, 진공 배출공(16)은, 상형에 있지만, 하형에 있어도 된다.
다음으로, 반도체 장치의 수지봉지방법에 관해서 설명한다. 우선, 수지봉지하고 싶은 프레임·어셈블리(리드 프레임(21), 반도체 소자(22), 본딩 와이어(23)가 일체화된 것)가 외부 반송수단(미도시됨)에 의해 도 1의 수지봉지 금형의 하형 상면에 반입되고, 위치 결정핀(20)에 꽉 눌리는 것에 의해 적절한 위치에 배치된다.
이어서, 상형이 하강하기 시작하여, 형 체결전 진공 배출 위치(도2)로써 도중에 정지한다. 이때, 외부 공기 공급수단(미도시됨)에 의해, 고리 형상의 실(13)내에 압축기체가 공급되고, 실(13)이 팽창함에 의해 상형 하면과 밀착하여, 밀폐공간(15)을 형성한다. 이어서, 진공 배출공(16)에 접속된 외부 진공 배기수단(미도시됨)에 의해 그 밀폐공간(15)내의 진공 배출을 하여, 원하는 압력으로 저하한 후, 상형 하면과 하형 상면을 밀착시켜 최종 형 체결을 한다. 완전히 밀착하여 만들어지는 것에 의해 여분의 틈이 없어질 수 있다. 형 체결시에, 리드 프레임(21)에 의해 제 1 캐비티 인서트(1a, 1b)가 눌리고, 요컨대 제 1 탄성 포스트(2a, 2b)가 줄어들기 시작한 후, 제 2 탄성 포스트(5a, 5b)가 줄어들기 시작한다.
이어서, 플런저(30)의 상승동작에 의해 몰드수지(29)는 러너(17)를 통하여 캐비티(14a, 14b)로 주입되어 수지봉지 반도체 장치인 반도체 수지 패키지(51)를 형성한다(도 3).
여기서, 상하의 수지 봉지 금형은, 함께 가열수단(미도시됨)에 의해 미리 고온 상태로 사전 가열되어 있는 것은 물론이다.
또한, 반도체 수지 패키지(51)를 형성할 때, 상형 제 1 캐비티 인서트(1a)와컬 인서트(6)는, 별도의 탄성 포스트(2a, 7)에 의해 지지되어 있는, 요컨대 독립 부유 지지되어 있기 때문에, 프레임 두께에 변동이 있어도 각각 확실히 하형 제 1 캐비티 인서트(1b)와 쳄버(11)에 밀착된다. 따라서, 반도체 수지 패키지(51) 주변, 컬부(18) 주변에서, 얇은 버르는 발생하지 않는다.
다음으로, 상하 금형을 일정 시간 유지(큐어(cure))한 후, 상형이 상승하기 시작한다. 이때, 탄성 포스트(2a, 5a)의 탄성력에 의해 제 1 캐비티 인서트(1a) 및 제 2 캐비티 인서트(4a)는, 함께 하강한다. 이에 대하여, 탄성 포스트(2b, 5b)의 탄성력에 의해 제 1 캐비티 인서트(1b) 및 제 2 캐비티 인서트(4b)는, 함께 상승한다.
제 1 탄성 포스트(2a)의 휨 량이 제 2 탄성 포스트(5a)의 휨 량보다도 커지 도록 설계되어 있다. 이 때문에, 제 2 캐비티 인서트(4a)보다도 제 1 캐비티 인서트(1a) 쪽이 크게 하강하여, 반도체 수지 패키지(51)의 상면과 탄성판(3a)의 사이에 틈이 생겨, 상형과 반도체 수지 패키지(51)가 금형 해제한다. 요컨대, 탄성 포스트(5a)가 원래의 길이로 되돌아가 신장하는 것을 멈춘 후에도, 탄성 포스트(2a)는 남은 복원력에 의해 제 1 캐비티 인서트를 아래로 누르고 있다.
마찬가지로, 제 1 탄성 포스트(2b)의 휨 량이 제 2 탄성 포스트(5b)의 휨 량보다도 커지도록 설계되어 있다. 이 때문에, 제 2 캐비티 인서트(4b)보다도 제 1 캐비티 인서트(1b) 쪽이 크게 상승하여, 반도체 수지 패키지(51)의 저면과, 탄성판(3b)의 사이에 틈이 생겨 제 1 단째의 금형 해제가 행해진다(도 4). 이때도, 탄성 포스트(5b)가 원래의 길이로 되돌아가 신장하는 것을 멈춘 후에도, 탄성 포스트(2b)는 남은 복원력에 의해 제 1 캐비티 인서트를 위로 누르고 있다.
이 형을 열때에, 제 1 단번째의 금형 해제는, 배관 슬리브(12a, 12b)에 접속된 외부 공기 급배기수단(미도시됨)에 의해 탄성판(3a, 3b)이 진공 배출되면서 행해진다. 따라서, 탄성판(3a, 3b)이 진공 배출되는 것에 의해, 반도체 수지 패키지(51)에 탄성판(3a, 3b)에 흡착하지 않고 용이하게 금형 해제할 수 있다.
이어서, 제 2 캐비티 인서트(4b)의 아래쪽으로 부착되어 있는 배관 슬리브(12b)를 통해서 외부 공기 급배기수단(미도시됨)에 의해 공급된 압축기체가, 그 제 2 캐비티 인서트(4b)를 통해 탄성판(3b)의 하면에 인가된다.
이 압축기체에 의해 탄성판(3b)은 도 5에 나타낸 것처럼, 돌변형하여, 반도체 수지 패키지(51)의 저면이 밀어 올려지는 것에 의해, 그 반도체 수지 패키지(51)의 측면과 제 1 캐비티 인서트(1b)의 사이에 틈이 생겨, 제 2 단번째의 금형 해제가 행해진다. 이 탄성판(3a, 3b)의 변형은, 압축공기에 의해 돌변형할 뿐 아니라, 형상 기억합금에 의해 돌변형하도록 되어도 된다.
이와 같이, 탄성판(3a, 3b)은, 외부 공기 급배기수단에 의해 진공 배출되어 변형하지 않도록 할 수도 있고, 외부 공기 급배기수단에 의해 공급되는 압축기체에 의해 변형할 수도 있는 구조를 가진다.
이상과 같이 하여 수지 봉지 금형으로부터 금형 해제된 것은, 복수의 반도체 수지 패키지(51)가 연속된 것이고, 러너(17)의 형상을 한 몰드수지도 연속된 것이다. 그 후, 불필요한 러너(17)의 형상을 한 몰드수지는, 종래의 방법으로 잘라 떨어지고, 또한, 반도체 수지 봉지 패키지(51)는, 1개씩 절단된다.
한편, 상하 금형의 밀착 상태가 일정 시간 유지된 후, 상형이 상승하기 시작할 때에는 컬부(18)도 컬 인서트(6)와 밀착되어 있다. 이때, 컬부(18)도 마찬가지로 위쪽으로 인상하려 하지만, 쳄버(11)의 내주에 설치된 언더컷(19)에 몰드수지(29)가 돌아서 들어가고, 이 언더컷(19)이 인상을 멈추는 걸림이 되어, 결과적으로 컬 인서트(6)와 컬부(18)의 금형 해제가 행해진다. 그 후, 플런저(30)의 상승동작, 요컨대 컬 배출 동작에 의해 컬부(18)를 포함하는 쳄버(11) 내에 잔류한 몰드수지(29)는, 쳄버(11) 밖으로 배출된다. 이 쳄버(11)내에 잔류한 몰드수지(29)는, 가열수단(미도시됨)에 의해 재가열되어, 별도의 반도체 장치의 수지봉지에 사용되어도 된다.
다음으로, 외부 공기 급배기수단에 관해서 설명한다.
상기에 기재된 것과 같이, 외부 공기 급배기수단은, 배관 슬리브(12a, 12b)에 접속되어 있다. 외부 공기 급배기수단은, 배관 슬리브(12a, 12b)에 주입되는 압축기체의 압력을 검지하는 센서(미도시됨)와, 센서가 검지하는 압력이 일정값 이하가 될 때, 압축기체의 주입을 정지시키는 밸브(미도시됨)를 구비한다. 따라서, 예컨대, 탄성판(3a, 3b) 등에 손상이 있어, 압축기체가 캐비티(14a, 14b) 내에 새는 경우, 주입된 압축기체의 압력이 저하하기 때문에, 외부 공기 급배기수단은, 밸브에 의해 압축기체의 주입을 정지시켜, 캐비티(14a, 14b) 내에 새는 압축기체를 최소한으로 억제할 수 있다. 이에 따라, 클린 룸이 압축기체에 의해서 오염되는 것을 막을 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면 다수의 이젝트 핀을 폐지하여, 구조 간소화를 꾀하였기 때문에, 금형 제조 비용의 삭감 및 공사기간의 단축을 꾀할 수 있음과 동시에, 반도체 수지 패키지(51)의 금형 해제를 2 단계로 나눠 하기 때문에, 최근특히 수요가 높아지고 있는 박 형태 패키지를 저손상으로써 금형 해제할 수 있어, 효율 향상에 큰 효과를 얻을 수 있다.
또한, 캐비티 인서트(1a)와 컬 인서트(6)를 독립 부유 구성으로 하였기 때문에, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 억지할 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론이고, 안정된 금형 해제 및 반송을 할 수 있고, 장착 가동율도 올라가는 생산성 향상에 기여할 수 있다.
(실시예 2)
실시예 1에서는, 금형 해제성, 내마모성 향상을 위한 표면 처리막 형성에 관해서 전혀 기재하지 않았다. 수지 봉지 금형은, 예컨대 표면 개질에 유효한 막(금속도금+불소코팅, WC 등의 천이 원소계열의 경질 금속 탄화물에 의한 막 등)을 몰드수지와의 접촉면에 가짐으로써, 상기 2단계의 금형 해제를 하여도 된다. 수지 봉지 금형의 다른 구조 및 동작은, 실시예 1과 동일하기 때문에, 중복을 피하기 위해서 설명을 생략한다. 실시예 2는, 실시예 1과 동일한 효과를 발휘한다.
(실시예 3)
이하, 제 2 단째의 금형 해제방법에 관한 별도의 실시예에 관해서 설명한다.
실시예 1, 2에서는, 제 2 단째의 금형 해제방법으로서 탄성판 변형방식을 사용하였다. 그러나, 탄성판(3b)을 빼어, 제 1 단째의 금형 해제에 의해 반도체 수지 패키지(51)의 하면에 생긴 틈에, 외부 공기 급배기수단(미도시됨)에 의해서 압축기체를 주입함에 의해 제 2 단째의 금형 해제를 하여도 된다.
이때, 몰드수지가 배관 슬리브(12b)에 들어가지 않도록 하기 위해서, 또, 압축기체를 주입할때 이외는 캐비티(14b)에 압축기체가 유실하지 않도록 하기 위해서, 캐비티(14b)와 배관 슬리브(12b)의 사이에 밸브가 설치되는 것이 바람직하다. 또한, 수지 봉지 금형의 상형도 같은 구조로 하여 제 1 단째의 금형 해제를 하여도 된다. 수지 봉지 금형의 다른 구조 및 동작은, 실시예 1과 동일하기 때문에, 중복을 피하기 위해서 설명을 생략한다.
(실시예 4)
이하, 제 2 단째의 금형 해제방법에 관한 별도의 실시예에 관해서 설명한다.
도 6은 실시예 4에 관한 수지 봉지 금형의 일부를 나타낸 단면도이다.
실시예 1에서는, 제 2 단째의 금형 해제방법으로서 탄성판 변형방식을 사용하였다. 그러나, 도 6에 나타낸 것처럼, 탄성판(3b)과 제 1 캐비티 인서트(1b)를 일체화하여도 된다. 제 1 캐비티 인서트(1b)는, 얇은 두께부(40b)를 가진다. 이 얇은 두께부(40b)에 외부 공기 급배기수단(미도시됨)에 의해 배관 슬리브(12b)를 통해 압축기체를 인가하여, 제 2 단째의 금형 해제를 하여도 되고, 상기 실시예와 동일한 효과를 발휘한다. 이때, 수지 봉지 금형의 상형도 마찬가지로 탄성판(3a)과제 1 캐비티 인서트(1a)를 일체화하여, 얇은 두께부에 압축기체를 인가하여 제 1 단째의 금형 해제를 하여도 된다.
본 발명의 제 1 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 막을 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론, 안정한 금형 해제 및 반송을 할 수 있어, 장착가동율도 올리는 생산성 향상에 기여할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 2 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 막을 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론, 안정한 금형 해제 및 반송을 할 수 있어, 장착 가동율도 올리는 생산성 향상에 기여할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 3 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 용이하게 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 4 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 용이하게 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 5 형태에 관한 반도체 장치의 수지봉지 금형에 의하면, 이젝트 핀을 사용하지 않더라도, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 6 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 이젝트 핀을 사용하지 않더라도, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 7 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 간단한 구성으로, 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 8 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 간단한 구성으로, 잔류한 수지의 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 9 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 막을 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론, 안정한 금형 해제 및 반송을 할 수 있어, 장착 가동율도 올리는 생산성 향상에 기여할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 10 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 여분의 틈이 없어지는 것에 의해 얇은 버르의 발생을 막을 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 11 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 여분의 틈이 없어지는 것에 의해 얇은 버르의 발생을 막을 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 12 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 이젝트 핀을 사용하지 않더라도, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 13 형태에 관한 반도체 장치의 수지봉지 금형에 의하면, 금형표면에 원하는 처리막을 가지는 것에 의해 금형 해제성, 내마모성을 대폭 향상시킨 것이다.
본 발명의 제 14 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 이젝트 핀을 사용하지 않더라도, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 15 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 이젝트 핀을 사용하지 않더라도, 반도체 수지 봉지 패키지의 금형 해제를 할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 16 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 막을 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론, 안정한 금형 해제 및 반송을 할 수 있어, 장착 가동율도 올리는 생산성 향상에 기여할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 17 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 막을 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론, 안정한 금형 해제 및 반송을 할 수 있어, 장착 가동율도 올리는 생산성 향상에 기여할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 18 형태에 관한 반도체 장치의 수지봉지방법에 의하면, 프레임 두께의 변동, 개개의 금형 부품 정밀도 등의 영향을 받는 것 없이, 얇은 버르의 발생을 완전히 막을 수 있기 때문에, 품질 향상은 물론, 안정한 금형 해제 및 반송을 할 수 있어, 장착 가동율도 올리는 생산성 향상에 기여할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 19 형태에 관한 수지봉지 반도체 장치의 금형 해제방법에 의하면, 패키지 손상을 완화하여 금형 해제할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 20 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 패키지 손상을 완화하여 금형 해제할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
본 발명의 제 21 형태에 관한 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 의하면, 압축기체에 의해서 클린 룸이 오염되는 것을 막을 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
Claims (3)
- 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 수지봉지하기 위한 상형과 하형 2개로 구성되어, 상기 상형과 상기 하형으로 캐비티를 형성하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은 모두,캐비티 측면부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와,상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와,상기 제 1 캐비티 인서트에 내장된 캐비티 바닥 부분을 형성하는 탄성판과,상기 캐비티에 대하여 반대측에서, 상기 탄성판과 인접하는 위치에 매설된 제 2 캐비티 인서트와,상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와,상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와,상기 제 1 탄성 포스트와 상기 제 2 탄성 포스트와 상기 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하고,상기 상형과 상기 하형중 어느 한쪽이,상기 제 1 캐비티 인서트와 인접하는 컬 인서트와,상기 컬 인서트를 지지하는 제 3 탄성 포스트를 구비하고,다른쪽이,상기 리테이너에 매설된 쳄버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의수지 봉지 금형.
- 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 수지봉지하기 위한 상형과 하형 2개로 구성되어, 상기 상형과 상기 하형으로 캐비티를 형성하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은 모두,캐비티 측면부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와,상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와,캐비티 바닥 부분을 형성하는 제 2 캐비티 인서트와,상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와,상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와,상기 제 1 탄성 포스트와 상기 제 2 탄성 포스트와 상기 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하고,상기 상형과 상기 하형중 어느 한쪽이,상기 제 1 캐비티 인서트와 인접하는 컬 인서트와,상기 컬 인서트를 지지하는 제 3 탄성 포스트를 구비하고,다른쪽이,상기 리테이너에 매설된 쳄버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형.
- 리드 프레임에 탑재된 반도체 소자를 수지봉지하기 위한 상형과 하형 2개로 구성되어, 상기 상형과 상기 하형으로 캐비티를 형성하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형에 있어서, 상기 상형과 상기 하형은 모두,캐비티 측면부와 캐비티 바닥 부분을 형성하는 제 1 캐비티 인서트와,상기 제 1 캐비티 인서트를 지지하는 제 1 탄성 포스트와,상기 캐비티에 대하여 반대측에서, 상기 제 1 캐비티 인서트의 일부분으로 상기 캐비티 바닥 부분을 형성하는 얇은 두께부와 인접한 위치에 매설된 제 2 캐비티 인서트와,상기 제 2 캐비티 인서트를 지지하는 제 2 탄성 포스트와,상기 제 1 캐비티 인서트와 상기 제 2 캐비티 인서트를 포괄하는 리테이너와,상기 제 1 탄성 포스트와 상기 제 2 탄성 포스트와 상기 리테이너를 부착하기 위한 뒷면 대기 플레이트를 구비하고,상기 상형과 상기 하형중 어느 한쪽이,상기 제 1 캐비티 인서트와 인접하는 컬 인서트와,상기 컬 인서트를 지지하는 제 3 탄성 포스트를 구비하고,다른쪽이,상기 리테이너에 매설된 쳄버를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 수지 봉지 금형.
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