KR100261129B1 - 플라즈마어드레스 전기광학장치 - Google Patents

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KR100261129B1
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이데이 노부유끼
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Abstract

플라즈마어드레스 전기광학장치에 있어서 행주사(行走査)단위의 전길이에 걸쳐 플라즈마방전을 균일화한다.
플라즈마어드레스 전기광학장치는 신호전극 D을 갖는 유리기판(4)과, 플라즈마전극(8)을 갖는 유리기판(7)과, 양 기판 사이에 삽입된 액정층(6)과, 이 액정층(6)과 유리기판(7)의 사이에 형성된 이온화가능한 가스를 봉입하기 위한 플라즈마실(11)을 구비하고 있다. 플라즈마전극(8)중 최소한 캐소드 K는 기능적으로 분화되어 있고, 실제로 방전에 관여하는 방전부 s와 전압공급부 v와 양자를 접속하는 저항부 r로 구성되어 있다. 이 중 전압공급부 v와 저항부 r는 격벽(9)에 의해 피복되어 있다. 인접하는 애노드 A와 캐소드 K간의 방전에 의해 가스를 선택적으로 이온화하고, 이 이온화가스가 국재(局在)된 방전영역을 주사단위로 하여 신호전극 D과 방전영역의 교차부에 위치하는 액정층(6)을 구동한다. 저항부 r의 자체 바이어스 기능에 의해 플라즈마방전은 주사단위 전길이에 걸쳐 균일화된다.

Description

플라즈마어드레스 전기광학장치
제1도는 본 발명에 관한 플라즈마어드레스 전기광학장치의 제1실시예를 도시한 모식적인 단면도.
제2도는 제1실시예의 요부를 이루는 플라즈마전극의 패턴형상을 도시한 평면도.
제3도는 제2도에 도시한 패턴형상의 등가회로도.
제4도는 본 발명의 제2실시예의 요부를 이루는 플라즈마전극의 층구조를 도시한 단면도.
제5도는 제4도에 도시한 플라즈마전극의 패턴형상을 도시한 평면도.
제6도는 종래의 플라즈마어드레스 전기광학장치의 일예를 도시한 모식적인 사시도.
제7도는 제6도에 도시한 종래예의 구동회로도.
제8도는 제7도에 도시한 화소를 절취하여 도시한 모식도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 액정셀 2 : 플라즈마셀
3 : 중간판 4 : 유리기판
6 : 액정층 7 : 유리기판
8 : 플라즈마전극 9 : 격벽
11 : 플라즈마실 12 : 방전영역
21 : 도전체 22 : 저항체
23 : 전극체 A : 애노드
K : 캐소드 D : 신호전극
s : 방전부 r : 저항부
v : 전압공급부
본 발명은 액정셀 등의 전기광학셀과 플라즈마셀의 2층구조로 이루어진 플라즈마어드레스 전기광학장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 플라즈마셀내의 전극구조에 관한 것이다.
종래, 전기광학셀로서 액정셀을 사용한 매트릭스타입의 전기광학장치 예를들면 액정표시장치를 고해상도화, 고콘트라스트화하기 위한 수단으로서는, 각 화소마다 박막트랜지스터 등의 스위칭소자를 배설하고, 이것을 선순차(線順次)로 구동하는 액티브매트릭스어드레스방식이 일반적으로 알려져 있다. 그러나, 이 경우 박막트랜지스터와 같은 반도체소자를 기판상에 다수 배설할 필요가 있고, 특히 대면적화한 때에 제조수율이 나빠진다는 단점이 있다.
이 단점을 해결하는 수단으로서, 부자크 등은 일본국 특개평 1(1989)-217396호 공보에 있어서, 박막트랜지스터 등으로 이루어지는 스위칭소자 대신에 플라즈마스위치를 이용하는 방식을 제안하고 있다. 이하, 플라즈마방전에 의한 스위치를 이용하여 액정셀을 구동하는 플라즈마어드레스표시장치의 구성을 간단히 설명한다. 제6도에 도시한 바와 같이, 이 장치는 액정셀(101)과 플라즈마셀(102)과의 양자 사이에 개재하는 공통의 중간판(103)으로 이루어지는 적층플랫패널구조를 가지고 있다. 플라즈마셀(102)은 유리기판(104)을 사용하여 형성되어 있고, 그 표면에 복수의 평행의 홈(105)이 형성되어 있다. 이 홈(105)은 예를 들면 행렬 매트릭스의 행방향으로 뻗어 있다. 각 홈(105)은 중간판(103)에 의해 밀봉되어 있고, 개개로 분리된 플라즈마실(106)을 구성하고 있다. 이 밀봉된 플라즈마실(106)에는 이온화 가능한 가스가 봉입(封入)되어 있다. 인접한 홈(105)을 격리하는 철조부(凸條部)(107)는 개개의 플라즈마실(106)을 구분하는 격벽(隔璧)의 역할을 하는 동시에, 각 플라즈마실(106)의 갭스페이서로서의 역할도 하고 있다. 각 홈(105)의 저부에는 서로 평행의 1쌍의 플라즈마전극(108), (109)이 설치되어 있다. 1쌍의 전극은 애노드 A 및 캐소드 K로서 기능하고, 플라즈마실(106)내의 가스를 이온화하여 방전플라즈마를 발생한다. 이러한 방전영역은 행주사(行走査)단위로 된다.
한편, 액정셀(101)은 투명기판(110)을 사용하여 구성되어 있다. 이 투명기판(110)은 중간판(103)에 소정의 간극을 통해 대향배치되어 있고, 간극내에는 액정층(111)이 충전되어 있다. 또한, 투명기판(110)의 내표면에는 투명도전재료로 이루어지는 신호전극 D이 형성되어 있다. 이 신호전극 D은 플라즈마실(106)과 직교하고 있으며, 열구동(列驅動)단위로 된다. 열구동단위와 행주사단위의 교차부분에 매트릭스형의 화소가 규정된다.
다음에 제7도를 참조하여 제6도에 도시한 표시장치의 구동방법을 간결하게 설명한다. 표시장치는 외부의 구동회로에 의해 구동되고, 신호회로(201)와 주사회로와 제어회로(203)로 구성되어 있다. 신호회로(201)에는 신호전극 D1 내지 Dm이 버퍼를 통해 접속되어 있다. 한편, 주사회로(202)에는 버퍼 및 부하저항 R을 통해 캐소드전극 K1 내지 Kn이 접속되어 있다. 애노드전극 A1 내지 An은 공통으로 접지되어 있다. 캐소드전극은 주사회로(202)에 의해 선순차 주사되는 동시에, 신호회로(201)는 이에 동기(同期)하여 각 신호 전극에 아날로그화상신호를 공급한다. 제어회로(203)는 신호회로(201)와 주사회로(202)의 동기제어를 행하는 것이다. 선택된 캐소드전극에 따라 플라즈마방전영역이 형성되어 전술한 행주사단위로 된다. 한편, 각 신호전극은 열구동단위로 된다. 양 단위 사이에 화소(204)가 규정된다.
개개의 캐소드전극에는 외부착한 부하저항 R이 접속되어 있다. 이 부하저항 R은 각 행주사단위에 흐르는 방전전류의 불균일을 억제하여 화면전체에 걸쳐서 플라즈마방전의 균일성을 확보하기 위한 것이다. 즉, 특정의 캐소드전극에 과대한 방전전류가 흐른 경우에는 대응하는 부하저항 R에 전류량에 따른 전압강하가 생겨서 실효적인 인가전압을 억제한다.
제8도는 제7도에 도시한 2개의 화소(204)를 절취하여 모식적으로 도시한 것이다. 각 화소(204)는 신호전극 D1, D2 및 중간판(103)에 의해 협지된 액정층(111)으로 이루어지는 샘플링캐패시터와, 플라즈마샘플링스위치 S와의 직렬접속으로 이루어진다. 플라즈마샘플링스위치 S는 행주사단위로 되는 방전영역의 기능을 등가적으로 나타낸 것이다. 즉, 방전영역이 활성화되면 그 내부는 대략 전체적으로 애노드전위에 접속된다. 한편, 플라즈마방전이 종료되면 방전영역을 부유(浮游)전위로 된다. 샘플링스위치 S를 통해 개개의 화소(204)의 샘플링패캐시터에 아날로그화상신호를 기입하여 소위 샘플링홀드하는 것이다.
그러나, 통상의 플라즈마디스플레이패널이 화소마다 점형(点形)의 방전영역을 형성하는 것과 다르며, 플라즈마샘플링스위치에 의해 액정셀을 어드레스하는 상기 표시장치에 있어서는, 행주사단위마다 선형(線形)의 방전영역이 서로 인접하는 애노드와 캐소드와의 사이에 형성된다. 대화면화한 경우에는 개개의 방전영역의 스팬이 상당히 길어진다. 이 경우, 플라즈마전극 자체의 저항성분에 의한 전압강하나 기타 원인으로 인해 방전이 일부분만에 집중되어 행주사단위에 따라 불균일하게 된다는 문제가 발생한다. 불균일하게 되면 개개의 화소에 대응하는 플라즈마샘플링스위치 S의 도통저항에 불균일이 생긴다. 종래 각 캐소드전극에 외부착한 부하저항 R이 접속되어 있다. 그러나, 이 부하저항 R은 행주사단위간의 플라즈마방전의 불균일을 균일화하기 위한 것이고, 각 행주사단위내에 있어서의 플라즈마방전의 집중을 억제할 수는 없다. 그러므로, 1개의 주사단위 전체에 걸쳐 안정된 플라즈마방전을 일으키기 위하여는 충분한 여유를 가진 방전 전류를 공급하지 않으면 안된다. 결과적으로, 불필요한 플라즈마발광에 의한 표시콘트라스트의 저하, 소비전력의 증가, 수명의 열화 등 여러 문제가 생기고 있다. 이와 같이, 종래의 주사단위마다의 방전 전류보상방식에서는 플라즈마전극스팬이 연장된 경우, 국부적인 전극형상의 불균일성이나 전압강하 또는 방전공간에서의 교란에 의해 플라즈마 방전분포가 미묘하게 변동하기 쉽고, 그 변동을 국소적으로 흡수하는 기능이 없으므로, 화소마다의 휘도불균일 등의 악영향을 피할 수 없다는 과제가 있다.
전술한 종래의 기술의 과제를 감안하여, 본 발명은 선형주사단위로 되는 1개의 방전영역 전체에 걸쳐서 플라즈마방전의 균일성을 확보할 수 있는 전극구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 플라즈마어드레스 전기광학장치에 적용되어 기본적인 구성요소로서, 소정의 주면(主面)에 따라 서로 평행으로 배치된 복수의 제1전극 또는 신호전극을 갖는 제1의 기판 또는 전기광학셀기판과, 상기 신호전극과 직교하고 또한 서로 평행으로 배열된 복수의 제2전극 또는 플라즈마전극을 갖는 동시에, 이 플라즈마전극이 상기 신호전극과 대향하도록 배치된 제2의 기판 또는 플라즈마셀기판과, 이들 전기광학셀기판 및 플라즈마셀기판 사이에 삽입된 전기광학재료층과, 이 전기광학재료층과 플라즈마셀기판의 사이에 형성된 이온화가능한 가스를 봉입하기 위한 플라즈마실을 구비하고 있다. 또한, 플라즈마전극은 애노드 및 캐소드를 구성한다. 이러한 구조에 있어서, 최소한 상기 캐소드는 방전부와, 전압공급부와, 이들 방전부와 전압공급부와를 서로 접속하는 저항부로 구성되는 동시에 상기 전압공급부 및 저항부는 절연층에 의해 피복되어 있는 것을 특징으로 한다. 인접하는 애노드와 캐소드간의 방전에 의해 상기 가스를 선택적으로 이온화하고, 이 이온화가스가 국재(局在)된 방전영역을 주사단위로 하여 신호전극과 방전영역의 교차부에 위치하는 전기광학재료층을 구동한다.
본 발명의 한 양태에 의하면, 플라즈마전극은 상기 저항부를 통해 상기 전압공급부에 접속되어 있는 동시에 이산적(離散的) 또한 평면적으로 배치된 복수의 방전부를 가지고 있다. 또는, 다른 양태에 의하면 플라즈마전극은 아래로부터 차례로 적층된 전압공급부, 저항부 및 방전부를 갖는 동시에, 이 방전부는 저항부의 위에 이산적으로 배치된 적층구조를 가지고 있다.
본 발명에 의하면, 플라즈마전극중 최소한 캐소드를 기능적으로 구분한 형상으로 되어 있으며, 전압공급부와 방전부와 저항부로 이루어진다. 전압공급부는 주사단위의 전체스팬에 걸쳐서 연장설치되어 있는 동시에 저저항재료로 이루어지고, 극력 손실을 억제하여 전원전압을 공급하는 기능을 가진다. 방전부는 주사단위에 따라 이산적 또는 점형으로 배열되어 있으며 예를 들면 개개의 화소에 대응하는 동시에 직접 플라즈마방전의 전하를 주고 받는 기능을 가진다. 저항부는 전압공급부와 이산적인 방전부를 개개로 접속하고 있으며 부하저항으로서 작용하여 소위 자체바이어스기능을 나타낸다. 즉, 개개의 이산적인 방전부에 흐르는 전류의 불균일을 흡수하여 플라즈마방전의 국재화(局在化)를 방지하는 동시에 주사단위 전체길이에 걸쳐 균일하고 또한 안정된 플라즈마방전을 가능하게 하는 것이다.
다음에, 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 제1도는 본 발명에 관한 플라즈마어드레스표시장치의 일실시예를 도시한 모식적인 단면도이다. 열방향 즉 신호전극방향에 따라 절단한 형상을 나타내고 있다. 본 장치는 액정셀(1)과 플라즈마셀(2)과 양자의 사이에 개재하는 유전체시트로 이루어지는 공통의 중간판(3)을 적층한 플랫구조를 가진다. 액정셀(1)은 제1의 기판예를 들면 유리기판(4)을 사용하여 구성되어 있으며, 그 내측주면에는 투명도전막으로 이루어지는 복수개의 제1전극 즉 신호전극 D이 서로 평행으로 형성되어 있다. 기판(4)은 스페이서(5)를 사용하여 소정의 간극을 통해 중간판(3)에 접착되어 있다. 간극내에는 전기광학재료층인 액정층(6)이 충전되어 있다. 본 실시예에 있어서는 유체의 전기광학재료가 사용되고 있으나, 반드시 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면 전기광학결정판을 사용할 수도 있다. 이 경우에는 중간판(3)을 제거할 수도 있다. 또한, 본 실시예는 플라즈마어드레스 표시장치에 관한 것이지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 광학변조장치 등 널리 플라즈마어드레스 전기광학장치에 적용가능하다.
한편, 플라즈마셀(2)은 제2의 기판 예를 들면 유리기판(7)을 사용하여 구성되어 있다. 기판(7)의 내측주면상에는 신호전극 D에 직교하는 제2전극 즉 플라즈마전극(8)이 형성되어 있다. 복수의 플라즈마전극(8)은 서로 인접하는 애노드 A와 캐소드 K로 구분된다. 플라즈마전극(8)은 평면적으로 구분된 방전부 s와 전압공급부 v와 양자를 접속하는 저항부 r로 구성되어 있다. 이 중, 전압공급부 v와 저항부 r는 절연층에 의해 피복되어 있다. 본 실시예에서는 이 절연층은 격벽(9)을 구성하고 있다. 이 격벽(9)은 플라즈마전극(8)상에 따라 행방향으로 연장설치되어 있다. 격벽(9)의 상단부는 중간판(3)에 접촉되어 있고, 스페이서로서의 역할도 한다. 기판(7)은 시일재(10)를 통해 중간판(3)에 접착되어 있다. 양자의 사이에는 기밀밀봉된 플라즈마실(11)이 형성된다. 이 플라즈마실(11)은 격벽(9)에 의해 분할되어 있고, 개개로 행주사단위로 되는 방전영역을 구성한다. 각 방전영역은 연통되어 있다. 이 기밀의 플라즈마실(11)의 내부에는 이온화가능한 가스가 봉입되어 있다. 가스종류는 예를 들면 헬륨, 네온, 아르곤 또는 이들의 혼합기체로부터 선택할 수 있다.
제2도에 플라즈마전극의 패턴형상을 도시한다. 이해를 용이하게 하기 위해 1쌍의 애노드 A 및 캐소드 K만이 도시되어 있다. 전극패턴은 소위 물고기의 뼈형상으로 되어 있으며, 후막(厚膜)전극재료를 사용하여 인쇄에 의해 형성하거나, 또는 박막전극재료를 사용하여 포토리소그라피/애칭에 의해 형성할 수 있다. 중앙을 관통하는 등뼈에 해당하는 부분이 전압공급부 v를 구성한다. 이 공급부 v는 패턴폭을 크게 취하고 있으며, 비교적 저저항을 가지므로 플라즈마전극의 전체길이에 걸쳐서 안정된 전압을 공급하는 기능을 가진다. 이 부분은 절연층 즉 격벽(9)에 의해 완전히 피복되어 있고, 표면에 노출되지 않는다. 다음에, 격벽(9)에 의해 피복되어 있지 않은 물고기의 가지뼈의 선단에 상당하는 부분이 방전부 s를 구성한다. 인접하는 애노드 A와 캐소드 K의 사이에는 서로 근접하는 1쌍의 방전부 s 사이에 우선적으로 플라즈마방전이 발생한다. 즉, 플라즈마전극의 길이방향에 따라서 이산적으로 배열된 개개의 방전부 s가 플라즈마에 포함되는 하전입자를 주고 받는데 직접 기여한다. 방전부 s의 폭 및 길이를 조정함으로써 방전전류를 최적화할 수 있다. 끝으로, 개개의 방전부 s와 전압공급부 v를 서로 접속하고 있는 부분이 저항부 r를 구성한다. 개개의 저항부 r의 폭 및 길이치수에 따라 그 저항치가 결정된다. 이 저항부 r는 대응하는 방전부 s에 대한 부하저항으로서 기능한다. 종래의 각 플라즈마전극마다 외부착된 부하저항구조와 다르고, 본 발명에서는 표시화면내에 부하저항이 내장된다. 전혀 새로운 재료 등을 사용하지 않고 단지 플라즈마전극 패턴형상을 예를 들면 물고기의 뼈형상으로 함으로써 간단히 부하저항을 도입할 수 있다.
전술한 바와 같이 서로 평행의 1쌍의 애노드 A와 캐소드 K가 1개의 행주사단위를 구성한다. 이 행주사단위와 직교하도록 신호전극 D이 겹쳐져 있고 열구동단위로 된다. 서로 직교하는 양 단위의 사이에 개개의 화소가 규정된다. 제2도에 도시한 예에서는, 1화소에 대하여 3조의 방전부 s가 할당되어 있다. 화소피치에 비해 방전부 s의 배열피치를 작게 하면 보다 균일한 플라즈마방전이 얻어진다. 실제에 있어서, 방전부 s의 배열피치는 최소한 화소의 배열피치와 같게 할 필요가 있으며, 바람직하게는 수배 정도로 설정하는 것이 좋다.
제3도에 1주사단위의 등가회로를 도시한다. 애노드 A와 캐소드 K와의 사이에는 소정의 전압전원 E이 접속된다. 각 플라즈마전극의 전압공급부 v로부터 분기되어 개개의 방전부 s가 접속되어 있다. 방전부 s와 전압공급부 v와의 사이에는 저항부 r가 직렬로 삽입되어 있다. 애노드 A와 캐소드 K와의 사이에서 서로 대향하는 방전부 s의 쌍이 전극길이방향으로 이어져서 방전영역(12)을 형성한다. 가령, 특정의 방전부 s의 쌍에 과대한 전류가 흘렀다고 하면, 대응하는 저항부 r에 전압강하가 생겨서 전류량이 억제된다. 이와 같은 자체 바이어스효과에 의해 개개의 방전부 s의 쌍에 흐르는 전류의 불균일성을 흡수할 수 있다.
그리고, 전술한 실시예에서는 전압공급부 v 및 저항부 r를 피복하는 절연층으로서 격벽을 이용하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 단순히 마스크효과만을 갖는 절연막을 형성해도 된다. 또한, 본 실시예에서는 플라즈마전극은 물고기의 뼈를 모방한 패턴을 가지고 있으나, 본 발명은 이와 같은 형상에 한정되는 것은 아니다. 기본적으로 기능분화된 전압공급부, 방전부 및 저항부를 구비하면 된다. 그리고, 본 실시예에서는 애노드 A와 캐소드 K의 양쪽에 이산적인 방전부 및 대응하는 저항부를 설치하고 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 최소한 캐소드 K측에 본 발명을 적용하면 실용적으로 충분한 방전전류 균일화효과가 얻어진다. 캐소드 K는 음전하인 전자를 방출하는 동시에 양전하인 이온의 타겟으로 된다. 따라서, 캐소드 K의 형상이나 표면상태의 불균일에 의해 방전 전류가 크게 영향을 받는다. 그러므로, 캐소드 K측에 본 발명을 적용하는 것이 보다 효과적이다.
제4도에 본 발명의 제2실시예를 도시한다. 제2도에 도시한 제1실시예에서는 플라즈마전극은 평면적으로 기능분할되어 있었다. 이에 대하여, 본 실시예에서는 플라즈마전극(8)은 층형(層形)으로 기능 분할되어 있다. 플라즈마전극(8)은 아래로부터 차례로 도전체(21), 저항체(22), 전극체(23)를 겹친 적층구조를 가지고 있다. 도전체(21)는 저저항막으로 이루어지고, 전압공급부 v로서 기능한다. 저항체(22)는 고저항막재료로 이루어지고, 저항부 r로서 기능한다. 전극체(23)는 플라즈마전극(8)의 길이방향에 따라서 이산적 또한 점형으로 배치되어 있고, 방전부 s로서 기능한다. 도전체(21)의 상면을 대략 수십 ㏀·cm 내지 수백 ㏀·cm의 저항율을 가진 저항체(22)로 피복하고, 다시 그 상면에 대략 개개의 화소에 대응하고 또한 실제의 방전면으로 되는 점형전극체(23)를 이산적으로 배치한 전극구조이다. 이 전극구조로 플라즈마방전을 한 경우, 개개의 점형전극체(23)에 있어서의 방전전류의 국소적 변동에 대하여, 각각의 점형전극체(23) 바로 밑의 저항체(22)가 이 방전전류변동분을 흡수하도록 작용하는 결과, 실제로 개개의 전극체(23)로부터 방출되는 방전전류가 항상 일정화된다. 각 화소에서의 방전상황의 불균일을 제거함으로써, 표시화면 전체에서의 휘도불균일 등의 장해를 저감 또는 해소할 수 있다. 최하층의 도전체(27)는 직접의 방전면이 아니므로, 그 형상불균일이나 전압강하 또는 방전공간중의 어떠한 교란이나 잡음이 있어도 그것이 원인이 되어 즉시 방전상황이 변화하지 않는다. 즉, 방전전류는 항상 중간층인 저항체(22)를 통해 최상층의 점형전극체(23)에 흐르므로, 개개의 전극체(23)에 있어서 방전전류가 증감하려고 하면 그 바로 밑의 중간층에서 생기는 전압강하량도 증감하고, 그 결과 모든 최상층 전극체(23)에 흐르는 방전전류는 항상 일정해지도록 부(負)의 피드백이 걸린다. 이와 같이 중간층은 방전상황의 변화를 완화하는 기능을 가진다.
제5도에 제4도에 도시한 플라즈마전극(8)의 평면형상을 도시한다. 이해를 용이하게 하기 위해 1쌍의 애노드 A와 캐소드 K를 도시하고 있다. 이 플라즈마전극 적층구조는 예를 들면 후막인쇄법으로 제조할 수 있다. 최하층에 위치하는 도전체(21) 및 최상층에 위치하는 전극체(23)는 Ni나 Al 등의 금속페이스트를 사용하여 형성하고, 중간층의 저항체(22)의 구성재료는, 예를 들면 상기 금속페이스트중의 유전체 유리함유율을 많게 하거나, 또는 알루미나 등의 절연 재료를 첨가함으로써 얻어진다. 저항율의 조정은 첨가물의 비율로 제어할 수 있다. 최하층의 도전체(21)는 중간층의 저항체(22)에 의해 완전히 피복되어 방전공간에 노출해서는 안 된다. 또한, 최하층의 도전체(21)와 최상층의 전극체(23)와의 사이에 전기적인 단락이 있어는 안 된다. 또한, 바람직하게는 중간층을 구성하는 저항체(22)의 노출된 표면은 얇은 절연막으로 피복하면 된다. 플라즈마방전에 대한 관여를 방지하기 위해서이다.
다음에, 구체적인 각 층의 패턴치수를 예시한다. 도전체(21)는 약 250㎛의 폭을 가지고, 약 25㎛의 두께를 가진다. 저항체(22)는 약 300㎛의 폭을 가지고, 약 30㎛의 두께를 가진다. 그 전기저항율은 예를 들면 77㏀·cm로 설정된다. 점형의 전극체(23)는 약 200㎛의 폭, 230㎛의 길이 및 약 30㎛의 두께를 가진다. 이 점형 전극체(23)는 화소의 배열피치 250㎛에 맞추어 이산적으로 배열되어 있다.
상기에 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 플라즈마전극을 기능적으로 3분할하여 플라즈마방전에 직접 기여하는 방전부를 이산적으로 설치하는 동시에 대응하여 개개의 부하저항을 표시화면내에 설치하는 구조로 하였다. 이로써, 각 주사단위의 전길이에 걸쳐 균일하고 안정된 플라즈마방전이 가능해지고, 표시콘트라스트가 향상되는 동시에, 소비전력의 저감화를 도모할 수 있고 또한 수명을 개선할 수 있는 효과가 있다. 특히, 플라즈마전극을 평면적으로 기능분할한 경우에는 새로운 재료를 도입하지 않고, 단지 패턴형상을 개량함으로써 전술한 효과를 얻을 수 있다.

Claims (4)

  1. 소정의 주면(主面)에 따라 서로 평행으로 배치된 복수의 제1전극을 갖는 제1의 기판과, 상기 제1전극과 직교하고 또한 서로 평행으로 배열된 복수의 제2전극을 갖는 동시에, 이 제2전극이 상기 제1전극과 대향하도록 배치된 제2의 기판과, 상기 제1 및 제2의 기판사이에 삽입된 전기광학재료층과, 이 전기광학재료층과 상기 제2의 기판사이에 형성된 이온화가능한 가스를 봉입하기 위한 플라즈마실을 구비하고, 상기 제2전극이 애노드 및 캐소드를 구성하고, 최소한 상기 캐소드가 방전부와, 전압공급부와, 상기 방전부와 전압공급부와를 접속하는 저항부로 구성되는 동시에 상기 전압공급부 및 저항부를 덮는 절연층이 형성되고, 인접하는 애노드와 캐소드간의 방전에 의해 상기 가스를 선택적으로 이온화하고, 이 이온화가스가 국재(局在)된 방전영역을 주사단위로 하여 상기 제1전극과 상기 방전영역의 교차부에 위치하는 전기광학재료층을 구동하도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레스 전기광학장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전극이 상기 저항부를 통해 상기 전압공급부로부터 이산적 또한 평면적으로 배치된 복수의 상기 방전부를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레스 전기광학장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2전극이 아래로부터 차례로 적층된 상기 전압공급부, 저항부 및 방전부를 갖는 동시에, 상기 방전부는 상기 저항부의 위에 이산적으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레스 전기광학장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 절연층이 각 주사단위를 형성하는 격벽을 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마어드레스 전기광학장치.
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