KR100217012B1

KR100217012B1 - 세라믹 부품의 제조 방법

Info

Publication number: KR100217012B1
Application number: KR1019940701472A
Authority: KR
Inventors: 게이이찌 노이; 이와오 우에노; 요오이찌 오고시; 야스오 와까하다
Original assignee: 모리시다 요오이찌; 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤
Priority date: 1992-09-03
Filing date: 1993-09-02
Publication date: 1999-09-01
Also published as: DE69315975T2; EP0610516B1; WO1994006129A1; EP0610516A4; JP2870317B2; DE69315975D1; CN1087443A; CN1036228C; TW240328B; EP0610516A1; US5520759A; JPH0684686A

Abstract

본 발명은 소음, 펄스, 정전기 등의 이상 고전압으로 부터 IC, LSI 등의 반도체 소자를 보호함에 사용되는 세라믹 부품의 제조방법에 관하여 소자의 임피이던스를 저하함에 따라 신호라인에서의 고주파 소음의 제거, 억제를 개선하는 것이 가능한 세라믹 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 전극(2) 사이에, 최대치가 50kV 이하이고, 초기치에서 최대치에 도달하기 까지의 시간이 80 나노초 이하이고, 초기치에서 최대치를 거쳐 초기치에 되돌아오기 까지의 시간이 1 마이크로초 이하이고, 에너지가 0.5 주울 이하인 펄스전압을 적어도 1회 인가한다.

Description

[발명의 명칭]

세라믹 부품의 제조방법

[발명의 상세한 설명]

[기술 분야]

본 발명은 잡음, 펄스, 정전기 등의 이상 고전압, 고주파 소음으로 부터 전자기기나 전기기기에 사용되고 있는 IC나 LSI 등의 반도체 소자를 보호함에 사용되는 세라믹 부품의 제조방법에 관한 것이다.

[배경 기술]

근년에 전자기기나 전기기기는 소형화, 다기능화를 실현하기 위하여 IC, LSI 등의 반도체 소자가 널리 사용되고, 이에 따라서 전자기기나 전기기기의 소음, 펄스, 정전기 등의 이상 고전압에 대한 내력(耐力)은 저하하고 있다.

따라서 이들 전자기기나 전기기기의 소음, 펄스, 정전기 등의 이상 고전압에 대한 내력을 확보하기 위하여 필름 콘덴서, 전해 콘덴서, 반도체 세라믹 콘덴서, 적층 세라믹 콘덴서 등이 사용되고 있으나, 이것들은 전압이 비교적 낮은 소음이나 고주파 소음의 흡수, 억제에는 뛰어난 특성을 나타내고 있다지만, 높은 전압의 펄스나 정전기에 대하여는 효과를 나타내지 않고, 반도체 소자의 오동작이나 파괴를 일으키는 일이 있었다.

또, 고전압의 펄스나 정전기를 흡수, 억제하기 위하여는 SiC, ZnO 계 배리스터(varistor)가 사용되고 있으나, 이것들은 전압이 비교적 낮은 소음이나 고주파 소음의 흡수, 억제에는 효과를 나타내지 않고 반도체 소자의 오동작을 일으키는 경우가 있었다.

그리하여 전압이 비교적 낮은 소음이나 고주파 소음 및 고전압의 펄스나 정전기에 대하여 유효한 것으로서 SrTiO₃계 배리스터가 개발되었다.

그러나, 이 SrTiO₃계 배리스터도 소자가 가진 임피이던스(impedance)가 크기 때문에 비교적 전압이 낮은 펄스나 신호라인에 가하여지는 고주파 소음의 흡수, 억제효과가 낮다고 하는 문제가 있었다.

따라서 본 발명은 임피이던스가 큰 것은 전극부에 형성되는 배리어(barrier)에 의한 것임에 착안하여 이 전극부의 배리어를 파괴함으로써, 임피이던스를 저감시켜 비교적 전압이 낮은 펄스나 신호라인에 가하여지는 고주파 소음에도 높은 효과를 나타내도록 하는 것을 목적으로 한 것이다.

[발명의 개시]

그리고, 이 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 세라믹 부품의 제조방법에 있어서, 전극 사이에 최대치가 50kV 이하이고, 초기치에서 최대치에 도달하기 까지의 시간이 80 나노초 이하이고, 초기치에서 최대치를 거쳐 초기치에 되돌아 오기 까지의 시간이 1 마이크로초 이하이고, 에너지가 0.5 주울(joule) 이하인 펄스 전압을 1회 또는 여러회 인가하는 것이다.

상기한 제조방법에 의하면 다음의 효과를 얻게 된다.

본 발명의 제1실시형태로서는, 먼저, SrTiO₃계 소결체(sintered body) 제조용 출발원료를 소정의 조성비가 되도록 칭량(weighing)하고, 이들 원료를 혼합, 분쇄하여 건조함으로써 균일히 혼합된 분말을 얻는다. 이어서 이 분말에 바인더(binder)를 첨가하여 소정의 형상의 세라믹 소자를 형성한다(제1공정).

세라믹 소자의 기능이 발휘되도록 세라믹 소자의 표면에 적어도 두개의 전극을 형성(제2공정)하고, 건조한다.

이어서 소성(燒成 : firing)에 의해 세라믹 재료의 전기적 특성의 발현을 위해 세라믹 소자와 전극들을 환원성 분위기 중에서 동시에 소성한 후, 중성 또는 산화성 분위기 중에서 재산화한다(제3공정).

재산화단계에서 전극의 표면 또는 내부에 저항이 높은 부분, 즉 내리어(barrier)가 형성되어 세라믹 소자의 임피이던스가 높아지고 정전용량이 감소함과 동시에 tan δ가 커져서 소음의 흡수 및 억제효과가 손상된다.

이 배리어는 전극의 표면 및 내부의 산화에 의해 발생하는 것으로서, 배리어의 높이가 비교적 낮기 때문에 비교적 적은 에너지, 예컨대 전기적인 에너지를 가함으로써 다른 특성, 예컨대 배리스터 특성을 갖는 부품의 전압 비직선 계수를 열화(劣化)시킨다거나 하는 일이 없이 배리어를 제거할 수 있다.

따라서 제3단계에서의 재산화 후에 리이드선을 땜납 등으로 각 전극에 접속하여 세라믹 소자의 전기적 특성을 발휘하도록 한 다음, 세라믹 소자의 외주(外周)를 수지등으로 외부 도장한 후 전극 사이에 급경사파 펄스를 1회 이상 인가한다. 펄스 전압은 최대치가 50kV 이하이고, 초기치로부터 최대치에 도달하기 까지의 시간이 80 나노초 이하이며, 최대치를 거쳐 초기치로 되돌아오기 까지의 시간이 1 마이크로초 이하이고, 에너지가 0.5 주울 이하이다. 따라서, 이 펄스는 전극의 표면 및 내부에 형성된 산화물 층에서 형성된 배리어의 일부분을 돌파한다(제4공정).

상기한 방법에 의하여 소요의 특성을 가진 전기부품을 얻을 수 있다.

본 발명의 제2실시형태로서는, 먼저, SrTiO₃계 소결체 제조용 출발원료를 소정의 조성비가 되도록 칭량(稱量)하고, 이들 원료를 혼합, 분쇄하여 건조함으로써 균일히 혼합된 분말을 얻는다. 이어서 이 분말에 바인더와 용매를 첨가하여 슬러리(slurry)를 제조한 다음, 이 슬러리를 사용하여 시이트를 형성한다(제1공정).

복수 매수의 이 시이트를 적층하여 적층된 시이트 사이에 복수개의 내부 전극을 가진 적층체를 형성한다(제2공정).

이어서 이 적층제를 환원성 분위기 중에서 소성한 다음, 중성 또는 산화성 분위기 중에서 재산화한다(제3공정).

재산화 단계에서 저항이 높은 부분, 즉 배리어가 전극의 표면 또는 내부에 형성된다. 이어서 적층체의 외면에 각기 상이한 내부전극에 전기적으로 접속된 두개 이상의 외부전극을 형성한다(제4공정).

이어서 상기한 제1실시형태의 경우와 마찬가지로 각 전극 사이에 급경사파 펄스를 1회 이상 인가하하여 전극의 표면과 내부에 형성된 배리어의 일부를 돌파한다(제5공정).

본 발명의 제3실시형태로서는, 먼저, 상기한 제2실시형태와 마찬가지로 하여 시이트를 형성한다(제1공정).

복수 매수의 이 시이트를 적층하여 적층된 시이트 사이에 복수개의 내부전극을 가진 적층체를 형성한다(제2공정).

이 적층체의 외면에 각기 상이한 내부전극에 전기적으로 접속된 두개 이상의 외부전극을 형성한다(제3공정).

이어서 이 적층체를 환원성 분위기 중에서 소결한다(제4공정).

외부전극의 첫번째층 위에 외부전극의 두번째 층을 형성한 다음, 중성 또는 산화성 분위기 중에서 재산화한다(제5공정).

이어서 상기한 제1실시형태와 마찬가지로 각 전극 사이에 급경사파 펄스를 1회 이상 인가하여 전극의 표면과 내부에 형성된 배리어의 일부를 돌파한다(제6공정).

상기한 각 실시형태에 있어서, 세라믹 재료로서, SrTiO₃를 주성분으로 함유한 SrTiO₃계 조성의 것을 사용한 예를 나타내었으나, 이 SrTiO₃계의 것이외에 CaTiO₃계, BaTiO₃계, ZnO계, TiO₂계 및 MgTiO₃계 등의 것들도 사용할 수 있다.

전극으로서는 Au, Pt, Rh, Pd, Ni, Cr, Zn 및 Cu 중의 1종 이상을 함유한 전극을 사용한다.

본 발명에서 나타낸 바와 같이 인가하는 전기적 에너지를 최대치에 도달하기 까지의 시간 및 초기치에 되돌아오기 까지의 시간이 짧은 급경사파 펄스 전압으로 함에 따라 전극층의 경계면에 형성된 배리어의 가장 약한 부분에 에너지가 집중하여 배리어의 일부분을 돌파하여 배리어의 저항을 낮출 수 있다. 또, 인가하는 전기적 에너지가 지나치게 크면 세라믹 층의 입자 경계면에 형성된 배리어에 손해를 주어, 부품이 지닌 기능, 특히 콘덴서 기능을 열화시켜 버린다. 따라서, 비교적 에너지가 적은 급경사파 펄스 전압을 인가함으로써 부품이 지닌 콘덴서 특성을 열화시키는 일이 없이, 또 배리스터 특성에 영향을 주는 일이 없이 전극층의 경계면에 형성된 배리어만을 제거하여 부품이 본래 지니고 있는 임피이던스를 끌어 낼 수 있다. 이에 따라 임피이던스가 적어짐에 따라 소음 감쇠율을 높게 할 수 있고, 신호라인에 침입하여 오는 고주파 소음을 흡수, 억제할 수 있다.

[도면의 간단한 설명]

제1도는 본 발명의 실시예 1의 제조공정을 나타낸 도면.

제2도는 본 발명의 실시예 1에 따라 제조한 세라믹 부품의 단면도.

제3도는 본 발명의 실시예 2에 따라 제조한 세라믹 부품의 단면도.

제4도는 본 발명의 실시예 3에 따라 제조한 세라믹 부품의 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 세라믹 소자 2 : 전극

3 : 리이드(lead) 선 4 : 도전성 접착제

5 : 수지 6 : 그리인 시이트(green sheet)

7,10 : 내부전극 8,11 : 적층체

9,12 : 외부전극

[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]

다음에, 본 발명에 대하여 실시예를 들어서 구체적으로 설명한다.

[실시예 1]

(제1공정)

먼저, 제1성분으로서 SrCO₃, CaCO₃, TiO₂을 (Sr_0.98Ca_0.02)_0.9985TiO₃의 조성비가 되도록 하여 99.2몰%, 제2성분으로서 Nb₂O₅를 0.3몰%, 제3성분으로서 MnCO₃을 0.2몰%, Cr₂O₃을 0.1몰%, 제4성분으로서 SiO₂를 0.2몰%를 저울에 달아서 보올밀(ball mill)등으로 20시간 혼합, 분쇄하고, 건조한 후, 공기중에서 800℃에서 2시간 소성한 다음, 재차 보올밀 등으로 20시간 분쇄하여 평균입자 크기가 2.0㎛ 이하가 되도록 한다. 이렇게 하여 얻어진 분말에 유기 결합제, 예컨대 폴리비닐 알코올 등을 10wt% 첨가하여 조립(造粒 : granulation)하고, 제2도에 나타낸 직경 10mm × 두께 1mm의 원판형상의 세라믹 소자(1)를 형성한다. 그런 다음, 이 세라믹 소자(1)를 1000℃에서 1시간 동안 가소(假燒 : calcination) 한다.

(제2공정)

이어서, 이 세라믹 소자(1)의 표면과 이면에 Pd 등으로 된 전극 페이스트(paste)를 스크리인 인쇄등의 방법에 따라 도포하고 120℃에서 건조한다.

(제3공정)

도포된 세라믹 소자를, 예컨대 N₂: H₂= 9 : 1 의 환원성 분위기 속에서 1410℃에서 5시간 동안 소성한 다음, 공기중에서 1080℃에서 2시간 동안 재산화함으로써 세라믹 소자(1)의 표면과 이면에 전극(2)을 형성한다.

이어서 각각의 전극(2)위에 리이드선(3)을 땜납등의 도전성 접착제(4)로 부착한 다음, 이것들의 외주를 에폭시 수지등의 수지(5)로 외장 도장(外裝塗裝)을 한다.

(제4공정)

이렇게 하여 얻은 세라믹 부품의 양 전극(2) 사이에 리이드선(3)을 통하여 표 1에 나타낸 급경사파 펄스를 인가하였다. 인가 전후에서의 특성 변화도 이 표 1에 나타내었다.

이상의 공정은 제1도에 나타내고 있다.

(1) *표는 펄스인가 없음을 뜻한다.

(2) **표는 비교예를 뜻한다.

(3) 파두 급경사도(波頭峻度 : steepness of wave crest)라 함은 펄스의 초기치에서 최대치에 도달하기 까지의 시간을 뜻한다.

(4) 파미(波尾 : wave tail)라 함은 펄스가 초기치에서 최대치를 거쳐 초기치에 되돌아오기 까지의 시간을 뜻한다.

(5) 피이크 전압이라 함은 펄스의 최대치를 뜻한다.

(6) 에너지라 함은 펄스 하나의 에너지를 뜻한다.

(7) ΔC 이라 함은 펄스인가 전후의 정전용량 변화율을 뜻한다.

(8) ΔV이라 함은 펄스인가 전후의 배리스터 전압 변화율을 뜻한다.

(9) Δα 이라 함은 펄스인가 전후의 비직선 지수의 변화율을 뜻한다.

(10) ESR 이라 함은 공진주파수에 있어서의 등가 직렬 저항을 뜻한다.

[실시예 2]

(제1공정)

먼저, 제1성분으로서 SrCO, CaCO, TiO를 (SrCa)TiO의 조성비가 되도록 하여 99.2몰%, 제2성분으로서 NbO를 0.3몰%, 제3성분으로서 MnCO을 0.2몰%, CrO을 0.1몰%, 제4성분으로서 SiO를 0.2몰%를 저울에 달아서, 보올밀 등으로 20시간 동안 혼합, 분쇄하여 건조한 다음 공기중에서 800℃에서 4시간 가소하고, 재차 보올밀 등으로 80시간 혼합, 분쇄하여 평균입자 크기가 1.0㎛ 이하가 되도록 한다. 이렇게 하여 얻어진 분말에 부티랄(butyral)계 수지 등의 유기 결합제와 유기용제를 혼합하여 슬러리 상으로 하고, 닥터 블레이드(doctor blade)법 등의 시이트 성형법에 따라 제3도에 나타낸 두께 50㎛ 정도의 그리인 시이트(6)를 수득한다.

(제2공정)

다음에, 그리인 시이트(6)를 일정한 매수 적층하여 최하층의 무효층을 형성하고, 그 위에 납(Pd) 등으로 된 내부전극(7)을 스크리인 인쇄등에 의하여 인쇄하여 건조하고, 다시 그 위에 그리인 시이트(6)를 소정 매수 적층한 다음, 재차 납등으로 된 내부전극(7)을 스크리인 인쇄 등으로 인쇄하여 건조한다. 이때, 내부전극(7)은 대향하여 상이한 단부에 이르도록 인쇄한다. 이와 같이 하여 그리인 시이트(6)와 내부전극(7)을 소정 매수 적층하고, 최후에 그리인 시이트(6)를 소정 매수 적층하여 최상층의 무효층을 형성하여 가열하면서 가압, 압착(壓着)하여 적층 일체화한 다음, 이것을 일정한 형상으로 절단하여 제3도의 적층체(8)를 형성한다.

다음에, 이 적층체(8)를 공기중에서 800℃에서 40시간 동안 가소하여 탈지한다.

(제3공정)

이어서 예컨대 N: H= 9 : 1 의 환원성 분위기 속에서 1310℃에서 5시간 동안 소성한 다음, 공기중에서 980℃에서 2시간 동안 재산화한다.

(제4공정)

그런 다음, 내부전극(7)의 단면이 노출된 적층체(8)의 서로 마주보는 양단면에 Ag 등으로 된 전극 페이스트를 도포하고, 공기중에서 700℃에서 10분 소성하여 외부전극(9)을 형성한다.

(제5공정)

이렇게 하여 얻은 세라믹 부품의 외부전극(9) 사이에 표 2에 나타낸 급경사파 펄스를 인가하였다. 그리고, 인가 전후에서의 특성 변화도 표 2에 나타내었다.

[실시예 3]

(제1공정)

실시예 2와 마찬가지로 하여 그리인 시이트(6)를 수득한다.

(제2공정)

다음에 그리인 시이트(6)를 일정한 매수 적층하여 최하층의 무효층을 형성하고, 그 위에 NiO 등으로 된 내부전극(10)을 스크리인 인쇄 등으로 인쇄하여 건조하고, 다시 그 위에 그리인 시이트(6)를 일정한 매수 적층한 다음, 재차 NiO 등으로 된 내부전극(10)을 스크리인 인쇄 등으로 인쇄하여 건조한다. 이때, 내부전극(10)은 대향하여 상이한 단부에 이르도록 인쇄한다. 이와 같이 하여 그리인 시이트(6)와 내부전극(10)을 소정 매수 적층하고, 최후에 그리인 시이트(6)를 소정 매수 적층하여 최상층의 무효층을 형성하여 가열하면서 가압, 압착하여 적층 일체화하고, 이어서 이것을 소정의 형상으로 절단하여 제4도의 적층체(11)를 형성한다.

다음에, 이 적층체(11)를 공기 중에서 900℃에서 20시간 가소하여 탈지한다.

(제3공정)

이어서, 내부전극(10)의 단면이 노출된 적층체(11)의 서로 마주보는 양단면에 NiO 등으로 된 전극 페이스트를 도포한다.

(제4공정)

이어서, 예컨대 N: H= 9 : 1 의 환원성 분위기 속에서 1210℃에서 10시간 소성하여 적층체(11)의 환원과 NiO 등으로 된 외부전극(12)의 환원을 동시에 한다.

(제5공정)

그런 다음, 외부전극(9)의 표면에 Ag 등으로 된 전극 페이스트를 도포하고, 공기중에서 900℃에서 3시간 재산화하여 외부전극(9)을 형성한다.

다음에 외부전극(9)위에, 예컨대 전해법 등으로 Ni 도금을 한후, 다시 땜납도금(도면에 없음)을 한다.

(제6공정)

이렇게 하여 얻은 세라믹 부품의 외부전극(9) 사이에 표 3에 나타낸 급경사파 펄스를 인가하였다. 인가 전후의 특성 변화도 표 3에 나타내었다.

더우기 상기 실시예 (1∼3)에서는 세라믹 분말체의 조성에 대하여는 주성분의 기본조성이 ABO로 나타내어지는 SrTiO의 Sr의 일부를 Ba, Ca, Mg 중에서 적어도 하나 이상의 원소로 치환한 것의 일부의 조합에 대해서만 나타내었으나, SrTiO를 주성분으로 하여 콘덴서와 배리스터의 양쪽의 기능을 지닌 것이라면 어떤 조성이더라도 상관없다. 또, 그때 A/B 비가 0.95≤(A/B)≤1.05 로 하는데, 그 이유는 0.95 보다 작아지면 Ti를 주성분으로 하는 제2상(phase)이 형성되어 배리스터 특성이 열화하기 때문이며, 또 1.05를 초과하면 유도율이 작게 되어 콘덴서 특성이 열화하기 때문이다. 또한, 세라믹 분말은 ZnO, TiO이라도 좋고, 또한 적극(2), 내부전극(7,10), 외부전극(9,12)은 Au, Pt, Rh, Ni, Cr, Zn, Cu의 적어도 하나, 혹은 그 합금으로 형성하는 것이 좋다. 또, 제3도, 제4도의 무효층 및 유효층은 엷은 그리인 시이트(6)를 적층하여 형성하였으나, 두꺼운 그리인 시이트 한장으로 형성하여도 상관없다. 표 1, 표 2, 표 3으로 부터 명백한 바와 같이 펄스인가에 따라 정전용량 tan δ, ESR 이라고 하는 콘덴서 특성의 변화는 크지만 배리스터 특성은 절대치, 표준편차 함께 거의 변화하지 않는다. 또한, 인가하는 급경사파 펄스의 파형을 최대 전압에 도달하기 까지의 시간을 80 나노초 이하로 규정한 것은 펄스전압의 상승 경사도[파두 급경사도(波頭峻度)]가 빠를수록 전극표면 및 내부의 산화층을 파괴하는데 유효하기 때문이며, 파두 급경사도가 80 나노초를 초과하면 그 효과가 현저히 저하하기 때문이다. 또, 초기의 전압으로 되돌아오기 까지의 시간(波尾)을 1 마이크로초 이하로 규정한 것은 초기 전압으로 되돌아오기 까지의 시간이 길어질 수록 특성, 특히 콘덴서 특성이 영향을 받기 쉽고, 초기 전압으로 되돌아오기 까지의 시간이 1 마이크로초를 초과하면 정전용량의 저하가 현저하게 되기 때문이다.

또, 인가전압의 최대치를 50kV 이하라 규정한 것은 인가전압이 높아질수록 세라믹 소자의 입자경계면에 형성된 배리어의 열화가 커져서 인가전압이 50kV를 초과하면 콘덴서 특성, 배리스터 특성이 함께 열악화하기 때문이다. 또한, 인가하는 펄스의 에너지를 0.5 주울 이하로 규정한 것은 0.5 주울을 초과하면 소자의 발열이 현저하게 되어 콘덴서 특성, 배리스터 특성이 함께 열화하기 때문이다. 또, 이 펄스인가의 바람직한 조건은 최대전압에 도달하기 까지의 시간이 50 나노초 이하이고, 초기의 전압으로 되돌아오기 까지의 시간이 500 나노초 이하이며, 인가전압이 3∼25kV이고, 에너지가 0.3 주울 이하의 경우이다.

[산업상 이용 가능성]

이상에서 나타낸 바와 같이 본 발명에 의하면 세라믹 부품에 최대전압으로 도달하기 까지의 시간 및 초기의 전압으로 되돌아오기 까지의 시간이 짧은 급경사파 펄스를 인가함에 따라, 전극 표면 및 전극 내부에 형성된 산화층에 의하여 발생하는 배리어의 가장 약한 부분에 에너지를 집중시켜, 배리어의 일부분을 돌파하여 배리어의 저항을 낮출 수도 있다. 그 때문에 세라믹 부품이 지닌 콘덴서 특성을 열화시키는 일이 없이, 또 배리스터 특성에는 영향을 주는 일이 없이, 전극층의 경계면에 형성된 배리어 만을 국부적으로 파괴하여 임피이던스를 저하시킬 수 있다.

또, 임피이던스가 작아짐에 따라 소음 감쇠율을 높게 할 수 있어, 신호라인에 침입하여 오는 고주파 소음을 유효하게 흡수·억제할 수 있다.

Claims

제1공정으로서, 반도체 세라믹 재료로 일정 형상의 세라믹 소자를 형성하고, 다음에 제2공정으로서 세라믹 소자의 표면에 적어도 2개의 전극을 형성하며, 제3공정으로서 전극이 형성된 세라믹 소자를 소성하고, 다음에 제4공정으로서 소성후의 세라믹 소자의 전극 사이에, 최대치가 50kV 이하이고, 초기치에서 최대치에 도달하기 까지의 시간이 80 나노초 이하이고, 초기치에서 최대치를 거쳐 초기치에 되돌아오기 까지의 시간이 1 마이크로초 이하이고, 에너지가 0.5 주울 이하인 급경사파 펄스전압을 적어도 1회 인가함으로써 전극의 표면 및 내부에 형성된 배리어의 일부분을 돌파하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제1항에 있어서, 세라믹 재료는 SrTiO₃계, CaTiO₃계, BaTiO₃계, ZnO계, TiO₂계, MgTiO₃계 중의 하나를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제1항에 있어서, 전극은 Au, Pt, Rh, Pd, Ni, Cr, Zn, Cu 의 적어도 하나를 지닌 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제1항에 있어서, 제1공정후의 세라믹 소자를 중성 또는 산화성 분위기 속에서 소성하고, 제3공정에서는 전극이 형성된 세라믹 소자를 환원성 분위기 속에서 소성한 다음, 중성 또는 산화성 분위기 속에서 재소성하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제1공정으로서, 반도체 세라믹 재료와 유기결합제와 용제의 혼합제로 시이트를 형성하고, 다음에 제2공정으로서 시이트를 여러장 적층하여 적층된 시이트 사이에 여러개의 내부전극을 구비한 적층체를 형성한 다음, 제3공정으로서 적층체를 소성하며, 제4공정으로서 적층체의 외표면에 각기 다른 내부전극과 전기적으로 접속된 적어도 2개의 외부전극을 형성하고, 이어서 제5공정으로서 소성한 다음의 적층체의 외부전극 사이에, 최대치가 50kV 이하이고, 초기치에서 최대치에 도달하기 까지의 시간이 80 나노초 이하이며, 초기치에서 최대치를 거쳐 초기치에 되돌아오기 까지의 시간이 1 마이크로초 이하이고, 에너지가 0.5 주울 이하인 급경사파 펄스전압을 적어도 1회 인가함으로써 전극의 표면 및 내부에 형성된 배리어의 일부분을 돌파하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제5항에 있어서, 세라믹 재료는 SrTiO₃계, CaTiO₃계, BaTiO₃계, ZnO계, TiO₂계, MgTiO₃계 중의 하나를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제5항에 있어서, 전극은 Au, Pt, Rh, Pd, Ni, Cr, Zn, Cu 중의 적어도 한가지를 구비한 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제5항에 있어서, 제2공정 후의 적층체를 중성 또는 산화성 분위기 속에서 가소하고, 수득한 적층체를 제3공정에서 환원성 분위기 중에서 소성한 다음, 제4공정에서 각기 상이한 내부전극에 전기 접속된 두개 이상의 외부전극이 외면에 형성된 적층체를 중성 또는 산화성 분위기 중에서 재산화하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제1공정으로서 반도체 세라믹 재료와 유기결합제와 용제와의 혼합제로 시이트를 형성하고, 다음에 제2공정으로서 시이트를 여러장 적층하여 적층된 시이트 사이에 여러개의 내부전극을 구비한 적층체를 형성하며, 그런 다음 제3공정으로서 적층체의 외표면에 각기 다른 내부전극과 전기적으로 접속된 적어도 2개의 제1층으로 되는 외부전극을 형성하며, 다음에 제4공정으로서 제1층으로 되는 외부전극을 구비한 적층체를 환원성 분위기 속에서 소성하고, 이어서 제5공정으로서 제1층의 외부전극상에 제2층의 외부전극을 형성하며, 이어서 제1, 제2의 외부전극을 구비한 적층체를 중성, 또는 산화성 분위기 속에서 소성하고, 이어서 제6공정으로서 중성 또는 산화성 분위기 속에서 소성한 다음의 제2외부전극 사이에 최대치가 50kV 이하이고, 초기치에서 최대치에 도달하기 까지의 시간이 80 나노초 이하이며, 초기치에서 최대치를 거쳐 초기치에 되돌아오기 까지의 시간이 1 마이크로초 이하이고, 에너지가 0.5 주울 이하인 급경사파 펄스전압을 적어도 1회 인가함으로써 전극의 표면 및 내부에 형성된 배리어의 일부분을 돌파하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제9항에 있어서, 세라믹 재료는 SrTiO₃계, CaTiO₃계, BaTiO₃계, ZnO계, TiO₂계, MgTiO₃계 중의 하나를 주성분으로 하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.
제9항에 있어서, 전극은 Au, Pt, Rh, Pd, Ni, Cr, Zn, Cu 중의 적어도 한가지를 구비한 것을 특징으로 하는 세라믹 부품의 제조방법.