KR0165556B1 - 로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템 - Google Patents

로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR0165556B1
KR0165556B1 KR1019920004985A KR920004985A KR0165556B1 KR 0165556 B1 KR0165556 B1 KR 0165556B1 KR 1019920004985 A KR1019920004985 A KR 1019920004985A KR 920004985 A KR920004985 A KR 920004985A KR 0165556 B1 KR0165556 B1 KR 0165556B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
atmosphere
load lock
rotating
shift
Prior art date
Application number
KR1019920004985A
Other languages
English (en)
Other versions
KR920018841A (ko
Inventor
데쓰 오오사와
데루오 아사카와
겐지 네부카
히로오 오노
Original Assignee
이노우에 아키라
도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이노우에 아키라, 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 filed Critical 이노우에 아키라
Publication of KR920018841A publication Critical patent/KR920018841A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0165556B1 publication Critical patent/KR0165556B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Specific Conveyance Elements (AREA)

Abstract

제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로 부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일 또는 가까운 분위기로 되고, 그 후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방된 로드록 장치.
이 로드록 장치는, 로드록실과, 이 로드록실에 배치되고, 웨이퍼를 보호지지하기 위한 지지수단과, 이 보호지지수단에 의하여 지지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어진 정보에 의하여, 웨이퍼의 중심의 위치어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하고 있다.

Description

로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템
제1도는 종래의 이온주입장치의 전체구성도를 나타내는 도면.
제2도는 이온주입장치에 있어 종래의 웨이퍼 반송시스템을 나타내는 도면.
제3도는 본 발명의 1실시예에 관련하는 로드록 장치를 나타내는 종단면도.
제4도는 웨이퍼와 광로와의 위치관계를 설명하는 도면.
제5도 내지 제8도는 발광부와 수광부의 여러 가지의 배치예를 나타내는 단면도.
제9도는 본 발명의 1실시예에 관련하는 웨이퍼의 반송시스템을 나타내는 도면.
제10도는 제3도에 나타난 로드록 장치의 일부의 구성예를 나타내는 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
T : 터미널유니트 I : 이온발생기
M : 분석마그네트 A : 가속관
1 : 처리용기 1a : 턴테이블
W : 웨이퍼 2 : 로드록장치
3 : 캐리어장치 R1,R2 : 반송로보트
OD : 위치맞춤장치 4 : 통형상체
4a : 뚜껑판 4b : 회전축
4c : 바닥통부 4d : 턴테이블
5 : 로드록실 6 : 통기로
7 : 창 7a : 사각체
8a : 발광부 8b : 거울
8c : 렌즈 8d : 수광부
8e,8f : 거울 8g : 보호지지부재
8i,8j,8k : 투명판 9 : 연산수단
10 : 광로유니트 11a : 제1 로드록장치
11b : 제2 로드록장치 12 : 반송기구
15a,15b : 웨이퍼 캐리어 G1,G2 : 게이트
16 : 경사면 17 : 회동부재
P : 축
본 발명은 로드록 장치에 관한 것으로, 특히 서로 다른 기압의 분위기 사이에서 웨이퍼를 주고 받는 것을 행하기 위한 로드록 장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼를 진공 분위기에서 처리하기 위한 처리용기내와 외부(대기압 분위기)와의 사이에서, 반도체 웨이퍼의 주고 받음을 행하는 경우, 진공배기의 시간을 단축함으로서 작업효율을 도모하기 위하여, 로드록 장치가 사용되고 있다.
이 로드록 장치에 의하면, 예를들어, 외부로부터 웨이퍼를 처리용기내에 반입하는 경우, 웨이퍼를 일단 로드록 실내에 넣고, 여기에서 소정의 압력까지 로드록 실내를 진공배기한 후, 로드록 실을 처리용기 내의 분위기로 개방하고, 다음에 웨이퍼를 처리용기내로 반입한다.
그런데, 반도체 웨이퍼는, 결정의 방향성을 가지기 때문에, 웨이퍼를 처리 또는 검사하는 때에, 웨이퍼의 중심위치만이 아니고, 그 방향에 대하여서도, 위치를 맞출 필요가 있는 경우도 있다.
예를들어, 이온 주입장치에서는, 제1도에 나타난 바와 같이, 터미널 유니트(T)에 배치된 이온 발생기(I)로부터 발생한 이온을 분석 마그네트(M)에 의하여 굽히고, 이어서, 가속관(A)을 통하여 처리용기(1) 내에서의 턴테이블(1a)(이온주입시에는 기립하고 있다.)상의 웨이퍼(W)에 대해 순차로 이온 주입을 행하고 있다.
한편, 각각의 웨이퍼(W)는 외부로 부터 턴테이블(1a)에 있어 정확하게 위치를 맞춘 상태로 얹혀지지 않으면 안된다.
그런데, 종래에는, 예를 들어 제2도에서 나타낸 바와 같이, 처리용기(1)의 밖의 소정위치에 놓여진 캐리어(3)로부터 웨이퍼(W)를 대기측의 반송로보트(R1)에 의하여 1장씩 일단 위치맞춤장치(OD)에 이송하고, 여기에서, 웨이퍼의 방향 및 중심의 위치가 어긋나는 것을 검출하고, 그 어긋난 만큼에 대하여, 예를 들어, 방향의 수정 및 중심위치의 수정의 2스텝을 행하여 위치를 결정하고, 다음에 반송로보트(R1)에 의하여 위치 맞춤장치(OD)내의 웨이퍼(W)를 로드록장치(2)내로 이송하고, 이 내부를 진공배기한 후, 처리실(1)측의 반송로보트(R2)에 의하여, 웨이퍼(W)를 로드록 장치(2)로부터 턴테이블(1a)로 반송하고 있다.
그러나, 이와 같은 종래의 방법에서는, 캐리어로부터 웨이퍼를 1장씩 로드록장치 내로 반입할 때에, 일단 위치맞춤 장치를 경유하지 않으면 안되기 때문에 웨이퍼의 취급회수가 증가하고, 이 결과 웨이퍼의 파손이나 입자의 부착등이 생기기 쉽게 되고, 원료소비에 대한 제품비율의 저하에 관계가 생김과 동시에, 취급회수의 증가에 따른 반입시간이 증가하고, 장치의 처리 스루풋(throughput)을 낮추는 요인이 되고 있다.
또한, 위치맞춤장치에 착안하면, 예를 들어 웨이퍼의 중심위치의 수정을 하기 위하여 X방향, Y방향에 웨이퍼를 이동하는 서보기구 등이 필요하고, 이 때문에 장치가 복잡하고 비용면에서도 높아지고, 또한 장치의 설치공간이 필요하게 된다고 하는 불이익이 있었다.
본 발명의 목적은, 스루풋의 향상, 원료소비에 대한 제품비율의 향상 및 장치의 소형화를 도모할 수 있는 로드록 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 또한, 웨이퍼의 위치가 어긋난 것을 효율좋게 수정할 수가 있는 웨이퍼의 반송시스템을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의하면, 제1의 분위기와 제2의 분위기 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제1의 분위기와 동일하던가 또는 근사한 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방되는 로드록장치에 있어서, 로드록실과, 이 로드록실에 배치되고, 웨이퍼를 보호유지하기 위한 유지수단과, 이 유지수단에 의하여 유지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻은 정보를 기준으로 하여, 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하는 로드록장치가 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일하던가 또는 유사한 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기에 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방된 로드록 장치와, 이 로드록 장치내의 웨이퍼를 상기 제2의 분위기의 소정위치에 반송하기 위한 반송수단과, 이 반송수단을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기, 로드록장치는, 로드록실과, 이 로드록실에 배치되고, 웨이퍼를 보호유지하기 위한 보호유지수단과, 이 보호유지수단에 의하여 보호유지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어진 정보를 기본으로 하여, 웨이퍼의 중심 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하고, 상기 제어수단은, 상기 어긋남 검출수단으로부터의 데이타를 기본으로 하여 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향의 어긋남이 수정된 상태에서 상기 제2의 분위기의 소정위치에 배치되도록 상기 반송수단을 제어하는 반송시스템이 제공된다.
또한, 본 발명에 의하면, 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일 또는 유사한 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여 상기 제2의 분위기에 대하여 개방된 제1의 로드록 장치와, 이 제1의 로드록 장치와 같은 구성을 하고 있는 제2의 로드록 장치와, 이들 제1 및 제2의 로드록 장치내의 웨이퍼를 상기 제2의 분위기의 소정위치에 반송하기 위한 반송수단과, 이 반송수단을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 제1 및 제2의 로드록장치는, 각각 로드록실과, 이 로드록실에 배치되고 웨이퍼를 보호 유지하기 위한 보호유지수단과, 이 보호유지수단에 의하여 보호유지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어지는 정보를 기본으로 하여, 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하고, 상기 제어수단은, 상기 어긋남 검출수단으로부터의 데이타를 기본으로 한 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남이 수정된 상태에서 상기 제2의 분위기의 소정위치에 배치되도록 상기 반송수단을 제어하는 반송시스템이 제공된다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명의 1실시예에 관련되는 로드록 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
이 실시예에서는, 사방으로 개구하는 바닥을 가지는 통형상체(4)와 상기 개구면을 막는 예를 들어, 유리로 되는 뚜껑판(4a)으로 되고 로드록실(5)이 구성되어 있다.
통형상체(4)의 바닥부 중앙의 하면으로부터 수직으로 아래방향으로 뻗은 바닥통부(4c)내에는, 도시하지 않은 자기시일이 배치되어 있고, 수직축의 둘레를 회전하는 회전축(4b)이 자기시일을 통하여 바닥부 중앙위치에서 로드록실(5)내에 공기가 밀폐되어 삽입되어 있다.
회전축(4b)의 하단에는, 모터(도시하지 않음)가 연결되어 있고, 회전축(4b)의 상단에는 턴테이블(4d)이 설치되어 있다.
이 턴테이블(4d)의 상면에는 웨이퍼를 정전 체크하기 위한 전극(4e)로 되는 척 장치가 설치되어 있고, 이 예에서는 척장치와 턴테이블(4d)에 의하여 보호지지부가 구성되어 있다.
또한, 통형상체(4)의 하부에는, 로드록실(5)내를 배기하기 위한 배기로를 갖춘 통기로(6)가 예를 들어 2개소에 설치되어 있고, 각각의 통기로(6)에는 예를 들어 2단계의 배기가 가능하도록 배기관(6a),(6b)가 설치되어 있다.
통형상체(4)의 측면의 일부에는, 유리판으로 되는 창(7)이 부착되어 있고, 이 창(7)의 외면을 덮도록 사각체(7a)가 통형상체(4)에 부착되어 있다.
이 사각체(7a)의 저부에는, 레이저를 발광하는 발광부(8a)가 배치되어 있고, 또한, 여기에서 부터 상방향으로 발사되어진 레이저광을 로드록실(5)내로 향하도록 직각으로 반사하는 거울(8b)과, 그 레이저광의 단면형상을 가늘고 긴 형상으로 하기 위한 렌즈(8c)와 로드록실(5)내로 부터 흘러나온 레이저광을 수광하는 수광부(8d)가 각각 사각체(7a)내에 수납되어 있다.
한편, 상기 로드록실(5)의 내부에는 창(7)을 투과하여 입사한 레이저 광을 직각으로 반사하여 웨이퍼의 통로와 직교하는 광로를 형성하는 거울(8e)과, 또한 그 레이저광을 창(7)의 밖으로 향하여 반사하는 거울(8f)이 설치되어 잇다.
그리하여, 이들 1쌍의 거울(8e),(8f)은 웨이퍼의 중심이 회전축(4b)의 회전중심에 일치한 때에, 예를 들어, 제4도에 나타난 바와 같이 레이저 광의 슬릿형 단면(S)의 장축의 중심이 웨이퍼(W)의 둘레(단, 오리엔테이션 플랫이라 불리우는 직선부를 제외한 둘레)에 위치하도록 위치설정 되어 있다.
여기에서 발광부(8a), 거울(8b), 렌즈(8c) 및 (8d)는, 창(7) 및 사각체(7a)와 같이 제1의 유니트를 구성하고 있고, 또한 로드록실(5)내의 거울(8e),(8f)은 공통의 ㄷ자형의 보호지지부재(8g)에 부착되어 제2의 유니트를 구성하고 있고, 고정부재(8h)를 통하여 창(7)에 고정되어 있다.
이와 같이 각 부재를 조합시켜 유니트화 하면, 제1의 유니트에 있어서 발광부(8a), 거울(8b) 및 렌즈(8c)의 상대적 위치관계와 수광부(8d)의 위치와를 미리 설정하여 놓음과 동시에, 제2의 유니트에 있어서 1쌍의 거울(8e),(8f)을 미리 위치 설정하여 둠으로서, 이들 제1 및 제2의 유니트를 로드록 장치에 맞추어 넣는 때에는, 유니트간의 위치설정만으로 끝나므로, 작은 로드록 장치에 대하여 용이하면서 정밀도 높게 광로를 설정할 수가 있다.
또한, 수광부(8d)에는, 여기에서 부터의 수광량에 대응한 전기신호를 기본으로 하여 로드록실(5)내의 웨이퍼(W)의 위치어긋남의 양, 즉, 중앙 위치 및 방향(회전각)의 어긋남의 양을 연산하는 연산수단(9)이 접속되어 있고, 이 예에서는, 발광부(8a)와 수광부(8d) 및 연산수단(9)에 의하여 웨이퍼의 위치 어긋남 검출수단이 구성되어 있다.
본 실시예의 로드록 장치는 이상과 같이 구성되어 있다.
이상 설명한 제3도에 나타난 예에서는, 발광부(8a) 및 수광부(8d)는 어느것도 사각체(7a)내에 제1의 유니트로서 조합되어 배치되어 있으나, 발광부(8a) 및 수광부(8d)는, 이예에 한하지 않고 여러가지의 배치를 할 수가 있다.
제5도에 나타난 예에서는, 발광부(8a)는 사각체(7a)의 바깥의 측방에 배치되고, 발광부(8a)로부터의 레이저광은, 투명판(8i)을 통하여 로드록 실(5)내에 입사한다.
이 제5도에 나타난 예에서는, 거울(8b)을 생략할 수 있다는 이점이 있다.
제6도에 나타난 예에서는, 발광부(8a)는, 로드록실(5)의 하방에 배치되어, 발광부(8a)로부터의 레이저광은, 투명판(8j)을 통하여 로드록실(5)내에 입사한다.
이 제5도에 나타난 예에서는, 거울(8b) 및 (8e)를 생략할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 제6도에서는 렌즈(8c)는 도시하지 않았으나, 로드록실(5)내부 및 외부의 어느것에 배치되어도 좋다.
제7도에 나타난 예에서는, 수광부(8d)는, 로드록실(5)의 상방에 배치되고, 로드록실(5)로부터의 레이저광은, 투명판(8k)을 통하여 수광부(8d)에 들어간다.
이 제7도에 나타난 예에서는, 거울(8f)을 생략할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 제7도에 나타난 예에 있어서, 발광부(8a)의 위치는, 제3, 5, 6,도에 나타난 어느것의 위치이어도 좋다.
발광부(8a)가 제6도에 나타난 위치에 배치된 경우에는, 전체의 거울을 생략할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 제8도에 나타난 예에서는, 수광부(8d)는, 로드록실(5)의 내부에 배치되어 있다.
이 제8도에 나타난 예에서는, 제7도에 나타난 예와 마찬가지로, 거울(8f)을 생략할 수 있다고 하는 이점이 있다.
제8도에 나타난 예에 있어서도, 발광부(8a)의 위치는, 제3, 5, 6도에 나타낸 어느 것의 위치이어도 좋다.
다음에 상술한 로드록 장치의 작용에 대하여 제3도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
우선 도시하지 않은 반송기구에 의하여 대기중에 놓여져 있는 처리전의 웨이퍼(W)를 도시하지 않은 대기측의 게이트를 열고 그 잡아 넣는 입구로부터 로드록실(5)내에 반입하여, 턴테이블(4d)에 얹어 놓고, 정전척에 의하여 당해 턴테이블(4d)상에 고정한다.
그후, 대기측의 게이트를 닫고, 로드록실(5)내를 소정의 진공도까지 진공배기한다. 다음에 발광부(8a)로부터 레이저광을 발광시키면서, 도시하지 않은 모우터를 구동하여 웨이퍼(W)를 1회전시킨다.
또한, 데이타 검출의 시점이 오리엔테이션플랫의 정점부근인 경우에는, 오리엔테이션의 정점부근에 상당하는 피크가 검출데이타의 양단에 오도록 하고, 데이타를 읽어들이는데 좋지 않은 경우가 생기는 수가 있으므로, 통상은, 360도 +5도 정도 회전시키고 있다.
여기에서, 수광부(8d)에 있어서 레이저광의 수광량은, 레이저 광역에 있어서 웨이퍼(W)의 둘레의 위치에 대응하고 있으므로, 수광부(8d)의 전기신호를 기본으로 하여 연산수단(9)에 의하여 각 회전위치에 있어서, 회전중심으로부터 레이저 광역내의 웨이퍼(W)의 둘레까지의 거리가 구하여 질 수 있다.
그리하여 웨이퍼(W)에는, 방향을 결정하기 위한 오리엔테이션 플랫(1)이 형성되어 있으므로, 웨이퍼(W)의 각 회전위치에 있어서 상기 거리를 구함으로서, 웨이퍼(W)에 있어서, 그 중심이, 예를 들어, 본래의 위치로 부터 어느 정도만 어긋나게 하고, 또한 그 방향이 예를 들면, 본래의 방향으로 부터 어느 만큼 어긋나 있는가(회전각의 어긋난 양)를 동시에 검출할 수가 있다.
또한, 웨이퍼의 중심의 어긋남이라고 하는 것은, 본래의 중심위치로 부터의 어긋난 양이 아니고, 어떤 기준점으로 부터의 거리이어도 좋고, 또한, 회전각의 어긋남이라고 하는 것은, 어떤 기준선에 대한 오리엔테이션의 각도이어도 좋다.
그후, 정전척을 해제하고, 처리용기 내측의 도시하지 않은 게이트를 열고, 그 취출구로부터, 도시하지 않은 반송기구에 의하여, 웨이퍼(W)가 처리용기내에 반입된다.
이와 같이 하여, 웨이퍼 중심의 어긋남과 회전각의 어긋남을 로드록 장치내에서 검출할 수 있으나, 이 실시예에서는, 예를 들면, 로드록 장치내에 위치 맞춤 기구(도시하지 않음)를 조립하여 넣고, 그 위치 어긋남 양을 수정하여도 좋고, 또는 다음에 설명하는 예에서와 같이, 웨이퍼를 로드록 장치로 부터 처리실 내에 반송할 때에 위치 맞춤을 행하도록 하여도 좋다.
제9도는, 외부(대기압)로부터 이온 주입장치의 처리용기(1)내의 턴테이블(1a)상에 웨이퍼를 반송하는 반송시스템의 일부를 나타내고, 이 시스템에 있어서는, 제3도에 나타난 것과 마찬가지의 발광부, 수광부와 거울 등을 포함하는 광로유니트(10)를 갖춘 제1 및 제2의 로드록 장치(11a),(11b)가 서로 인접하여 설치시키고 있다.
그리하여, 처리용기(1)내에는, 예를 들어, 다관절 로봇으로 되는 반송기구(12)가 설치되어 있다.
광로 유니트(10)에 접속된 연산수단(9)의 출력측에는, 연산결과에 따른 반송기구(12)를 제어하는 제어부(13)가 접속되어 잇다.
참조부호(12)는 대기측의 반송기구(15a),(15b)는 소정위치에 놓여진 웨이퍼 캐리어를 각각 나타낸다.
다음에, 이 제9도에 나타낸 시스템의 작용에 대하여 설명한다.
우선, 대기중에 배치된 캐리어(15a) 또는 (15b)에 버퍼링 되어 있는 처리전의 웨이퍼(W)를 반송기구(14)에 의하여 대기측 게이트(G1)를 통하여, 예를 들어, 도면 중 하측의 제1의 로드록장치(11a)내에 1매씩 반입하고, 1매의 웨이퍼(W)를 반입한 후 게이트(G1)를 닫고, 다음에 로드록 장치(11a)내를 진공배기한다.
그리고, 진공배기 중 또는 그후에, 앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 위치 어긋남 검출수단(100)에 의하여, 즉, 광로유니트(10)로부터의 전기 신호를 기본으로 하여 연산수단(9)에 의하여, 웨이퍼(W)의 위치 어긋남을 검출한다.
이어서, 처리용기(21)측의 게이트(G2)를 열고, 로드록장치(11a)내의 웨이퍼(W)를 반송기구(12)에 의하여 턴테이블(1a)상의 소정위치로 반송한다.
이때, 제어부(13)는 연산수단(9)으로 부터의 연산결과(웨이퍼의 위치 어긋남양)에 의하여, 웨이퍼(W)가 턴테이블(1a)상의 소정위치에 놓여진 때에, 로드록 장치(11)내에 있어서 생기고 있는 중심의 어긋남 및 회전각 어긋남이 수정되고 있도록, 반송기구(12)에 대하여 제어신호를 준다.
여기에서, 반송기구(12)의 제어방법으로서는, 반송기구(12)가 로드록 장치(11)내의 웨이퍼(W)를 받아 드리기 어려울 때에, 또는 턴테이블(1a)상에 놓으러 갈 때에, 위치 어긋남 양을 수정하도록 조작하여도 좋고, 웨이퍼(W)를 받아 취한 후 놓으러 가는 사이의 공정에서 수정 조작을 행하도록 하여도 좋다.
또한, 로드록 장치내에서 검출한 위치 어긋남을 수정하는 방법으로서는, 웨이퍼의 회전각 어긋남에 대하여는 로드록 장치내의 회전축(4b)에 의하여 수정하고, 중심의 어긋남에 대하여만 반송기구(12)에 의하여 수정하도록 하여도 좋다.
또한, 제9도의 시스템에서는 로드록 장치를 2개 설치하고 있으므로, 일방의 로드록 장치(11a) 또는 (11b)로부터 처리용기(1)내에 웨이퍼(W)를 반입하고 있는 사이에, 다른 쪽의 로드록 장치(11b) 또는 (11a)에서는 다음의 웨이퍼의 어라이먼트(위치어긋남 검출)를 행할 수가 있다.
이와 같이 함으로서, 어라이먼트의 대기시간을 없앨 수가 있으므로, 스루풋의 향상을 도모한다.
또한, 로드록장치(11a),(11b)의 게이트(G1)에 관하여서는, 제10도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼의 취입구를 수직축에 대하여, 예를 들어 45도 경사진 경사면(16)을 이루도록 형성함과 동시에, 이 취입구를 개폐하기 위한 게이트(G1)를, 수평한 축(P)의 주위를 회동하는 회동부재(17)를 부착한 구성으로 하면, 게이트(G1)의 이동로가 횡방향으로 넓어지지 않고, 또한, 그 이동거리도 짧아지므로, 설치공간을 작게할 수 있는 이점이 있다.
이 경우, 게이트(G1)를 회동시키는 대신에 상하방향으로 직선적으로 이동하도록 하여도 좋고, 또한, 이렇게 한 구성을 처리용기측의 게이트(G2)에 적응하여도 좋다.
이상에 있어서, 웨이퍼(W)의 위치어긋남을 검출하기 위하여는, 상술의 실시예의 방법에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어, 웨이퍼의 주연부로 부터의 광의 반사를 이용하는 등의 방법을 채용하여도 좋다.
또한, 본 발명에서는, 서로 다른 기체분위기 사이에서만이 아니고, 서로 기체의 종류가 다른 기체분위기간에 있어서 웨이퍼를 받는 것을 행하는 경우에 있어서도, 적응할 수가 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 로드록 장치내에서 척의 위치 어긋남을 검출하도록 하고 있기 때문에, 종래와 같이 웨이퍼를 일단 위치 맞춤장치에 놓는다고 하는 핸들링이 불필요하게 되고, 이 결과 웨이퍼의 손상 및 입자의 부착을 감소시킬 수가 있고, 원료 소비에 대한 제품비율을 향상시킬 수가 있다.
더구나, 반입에 요하는 시간을 줄일 수가 있으므로, 스루풋의 향상을 도모할 수가 있으며, 위치 맞춤 장치가 불필요하게 되므로, 그만큼, 장치전체의 소형화를 도모할 수가 있다.
또한, 웨이퍼의 회전에 의하여 얻어진 정보에 의하여 위치 어긋남을 검출하고 있으므로, TV 카메라 등의 대규모 장치를 사용하지 않아도 되고, 로드록 장치의 대형화를 맞이할 수가 있다.
그리고, 특히, 로드록방치내에서 검출한 웨이퍼 위치 어긋남을, 예를 들어, 진공분위기내의 처리용기내에 배치된 반송기구에 의하여 수정함으로서, 반송과 위치 어긋남의 수정을 동시에 행할 수가 있고, 스루풋을 일층 향상시킬 수가 있다.
이와 같이 웨이퍼의 최종위치, 예를 들어, 처리용기내의 턴테이블에 가까운 위치에서 위치어긋남을 수정함으로서, 정밀도가 높은 위치맞춤을 실행할 수 있다.

Claims (20)

  1. 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼(W)를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일하거나 또는 가까운 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼(W)를 상기 제2의 분위기에 이송하기 위하여 상기 제2의 분위기에 대하여 개방된 로드록 장치에 있어서, 로드록실(5)과, 이 로드록실(5)에 배치되고, 웨이퍼(W)를 보호유지하기 위한 보호지지수단과, 이 보호지지수단에 의하여 지지된 웨이퍼(W)를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상이 웨이퍼에 광을 조사함으로써 얻어진 정보에 의하여 웨이퍼의 중심의 위치어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하는 로드록 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 어긋남 검출수단은, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어진 광학적 정보에 의하여 전기신호를 발생하는 광학유니트와, 이 광학유니트에 접속되고, 상기 전기신호를 연산하는 연산수단(9)을 구비하는 로드록장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광학유니트는, 레이저광을 발하는 발광부(8a)와, 상기 회전하는 웨이퍼로부터의 레이저광을 받고, 전기적 신호로 변화하는 수광부(8d)를 구비하는 로드록장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 수광부(8d)는, 상기 웨이퍼(W)의 주연부를 통과한 레이저광을 수광하고, 그 수광량을 검출하는 로드록장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 수광부(8d)는, 상기 웨이퍼의 주연부를 반사한 레이저광을 수광하고, 그 수광량을 검출하는 로드록장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 회전수단은 상기 보호지지수단을 회전시키는 로드록장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 로드록실(5)은 기울어진 하방에 경사진 개구면을 가지는 웨이퍼 취입구와, 이 웨이퍼 취입구를 개폐하기 위해 수평축의 둘레를 회동하는 회동부재를 구비하는 로드록장치.
  8. 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일 또는 가까운 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방되는 로드록 장치와, 이 로드록 장치 내의 웨이퍼를 상기 제2의 분위기의 소정위치로 반송하기 위한 반송수단과, 이 반송수단을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 로드록장치는, 로드록실과, 이 로드록실에 배치되고, 웨이퍼를 보호지지하기 위한 보호지지수단과, 이 보호지지수단에 의하여 보호지지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어지는 정보에 의하여 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하고, 상기 제어수단은 상기 어긋남 검출수단으로부터의 데이타에 의하여 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향어긋남이 수정된 상태에서 상기 제2의 분위기의 소정위치에 배치되도록 상기 반송수단을 제어하는 반송시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반송수단은, 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 수정하는 기능을 가지고 있고, 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남, 및 웨이퍼의 방향 어긋남은, 상기 반송수단에 의한 웨이퍼의 반송중에 행하여지는 반송시스템.
  10. 제8항에 있어서, 상기 로드록실 내에는, 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남을 수정하는 수단이 배치되고, 이 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남은 상기 어긋남 수정 수단에 의하여 상기 로드록실 내에서 행하여지는 반송시스템.
  11. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼의 방향어긋남의 수정은, 상기 회전수단에 의한 웨이퍼의 회전에 의하여 행하여지는 반송시스템.
  12. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼의 방향 어긋남의 수정은, 상기 로드록실 내의 배기중에 행하여지는 반송시스템.
  13. 제8항에 있어서, 상기 어긋남 검출수단은, 회전하는 웨이퍼의 광을 조사함으로서, 얻어진 광학적 정보에 의하여 전기신호를 발생하는 광학 유니트와, 이 광학유니트에 접속되어 상기 전기신호를 연산하는 연산수단과를 구비하는 반송시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 광학유니트는 레이저광을 발생하는 발광부(8a)와 상기 회전하는 웨이퍼로부터의 레이저광을 받아 전기적 신호로 변화하는 수광부(8d)를 구비하는 반송시스템.
  15. 제13항에 있어서, 상기 수광부(8d)는 상기 웨이퍼의 주연부를 통과한 레이저광을 수광하고, 그 수광량을 검출하는 반송시스템.
  16. 제13항에 있어서, 상기 수광부(8d)는 상기 웨이퍼의 주연부를 반사한 레이저광을 수광하고, 그 수광량을 검출하는 반송시스템.
  17. 제8항에 있어서, 상기 회전수단은, 상기 보호지지수단을 회전시키는 로드록장치.
  18. 제8항에 있어서, 상기 로드록실(5)은, 기울어진 하방에 경사진 개구면을 가지는 웨이퍼 취입구와, 이 웨이퍼취입구를 개폐하기 위하여, 수평축의 둘레를 회동하는 회동부재를 구비하는 로드록장치.
  19. 제1의 분위기와 제2의 분위기와의 사이에 배치되고, 상기 제1의 분위기로부터 반송된 웨이퍼를 수용하고, 상기 제1의 분위기와 차단된 후, 상기 제2의 분위기와 동일하던가 또는 가까운 분위기로 되고, 그후, 상기 웨이퍼를 상기 제2의 분위기로 이송하기 위하여, 상기 제2의 분위기에 대하여 개방된 제1의 로드록 장치와, 이 제1의 로드록 장치(11a)와 마찬가지의 구성을 가지는 제2의 로드록 장치(11b)와, 이들 제1 및 제2의 로드록 장치(11a),(11b)내의 웨이퍼를 상기 제2의 분위기의 소정위치에 반송하기 위한 반송수단과, 이 반송수단을 제어하는 제어수단을 구비하고, 상기 제1 및 제2의 로드록장치(11a),(11b)는, 각각 로드록실(5)과, 이 로드록실(5)에 배치되고, 웨이퍼를 보호지지하기 위한 보호지지수단과, 이 보호지지수단에 의하여 지지된 웨이퍼를 회전시키기 위한 회전수단과, 회전하는 상기 웨이퍼에 광을 조사함으로서 얻어진 정보에 의하여, 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향어긋남을 검출하기 위한 어긋남 검출수단을 구비하고, 상기 제어수단은, 상기 어긋남 검출수단으로부터의 데이타에 의하여 상기 웨이퍼의 중심의 위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남의 수정된 상태로 상기 제2의 분위기의 소정위치에 배치되도록 상기 반송수단을 제어하는 반송시스템.
  20. 제19항에 있어서, 상기 제1의 로드록장치로부터 상기 제2의 분위기에로의 반송중에 상기 제2의 로드록장치 내에 있어서, 상기 웨이퍼의 중심위치 어긋남 및 웨이퍼의 방향 어긋남의 검출이 행하여지는 반송시스템.
KR1019920004985A 1991-03-26 1992-03-26 로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템 KR0165556B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-087527 1991-03-26
JP91-87527 1991-03-26
JP8752791A JP2986121B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 ロードロック装置及び真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920018841A KR920018841A (ko) 1992-10-22
KR0165556B1 true KR0165556B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=13917472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920004985A KR0165556B1 (ko) 1991-03-26 1992-03-26 로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5340261A (ko)
EP (1) EP0506045B1 (ko)
JP (1) JP2986121B2 (ko)
KR (1) KR0165556B1 (ko)
DE (1) DE69206295T2 (ko)

Families Citing this family (272)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2986121B2 (ja) * 1991-03-26 1999-12-06 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び真空処理装置
US5812261A (en) * 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
EP1179611B1 (de) * 1992-10-06 2004-09-15 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
CH686445A5 (de) * 1992-10-06 1996-03-29 Balzers Hochvakuum Kammer und Kammerkombination fuer eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstueckes.
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US5387067A (en) * 1993-01-14 1995-02-07 Applied Materials, Inc. Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system
KR100261532B1 (ko) * 1993-03-14 2000-07-15 야마시타 히데나리 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템
DE4309092C2 (de) * 1993-03-22 1998-11-12 Joachim Dr Scheerer Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung und zum Transport von Wafern in Reinst-Räumen
US5466117A (en) * 1993-06-10 1995-11-14 Xilinx, Inc. Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices
US5570987A (en) * 1993-12-14 1996-11-05 W. L. Gore & Associates, Inc. Semiconductor wafer transport container
US5586585A (en) * 1995-02-27 1996-12-24 Asyst Technologies, Inc. Direct loadlock interface
JPH09102530A (ja) * 1995-06-07 1997-04-15 Varian Assoc Inc ウェーハの向き検査システム
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
US6672819B1 (en) * 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
US5700046A (en) * 1995-09-13 1997-12-23 Silicon Valley Group, Inc. Wafer gripper
EP0946780B1 (de) * 1996-12-23 2002-01-16 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Vakuumbehandlungsanlage
US5944476A (en) * 1997-03-26 1999-08-31 Kensington Laboratories, Inc. Unitary specimen prealigner and continuously rotatable multiple link robot arm mechanism
NL1006461C2 (nl) * 1997-07-03 1999-01-05 Asm Int Opslagsamenstel voor wafers.
US6063244A (en) * 1998-05-21 2000-05-16 International Business Machines Corporation Dual chamber ion beam sputter deposition system
NL1010317C2 (nl) 1998-10-14 2000-05-01 Asm Int Sorteer/opslaginrichting voor wafers en werkwijze voor het hanteren daarvan.
US6075334A (en) * 1999-03-15 2000-06-13 Berkeley Process Control, Inc Automatic calibration system for wafer transfer robot
JP2000299367A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法
US6275742B1 (en) 1999-04-16 2001-08-14 Berkeley Process Control, Inc. Wafer aligner system
GB2349204B (en) * 1999-04-19 2004-03-03 Applied Materials Inc A method of detecting the position of a wafer
US6244811B1 (en) * 1999-06-29 2001-06-12 Lam Research Corporation Atmospheric wafer transfer module with nest for wafer transport robot
US6229611B1 (en) * 1999-09-20 2001-05-08 United Microelectronics Corp. Method of detecting a transparent quartz wafer in a semiconductor equipment
US6364762B1 (en) 1999-09-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
US6860965B1 (en) * 2000-06-23 2005-03-01 Novellus Systems, Inc. High throughput architecture for semiconductor processing
US6591161B2 (en) * 2001-01-31 2003-07-08 Wafermasters, Inc. Method for determining robot alignment
US6556887B2 (en) * 2001-07-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Method for determining a position of a robot
US6778258B2 (en) 2001-10-19 2004-08-17 Asml Holding N.V. Wafer handling system for use in lithography patterning
KR20050044434A (ko) * 2001-11-13 2005-05-12 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 초소형전자 기판을 처리하는 감소의 풋프린트 공구
US6497734B1 (en) 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
US6822244B2 (en) 2003-01-02 2004-11-23 Loma Linda University Medical Center Configuration management and retrieval system for proton beam therapy system
DE10303460A1 (de) * 2003-01-29 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von scheibenförmigen Gegenständen
US8313277B2 (en) 2003-11-10 2012-11-20 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US20070286710A1 (en) * 2003-11-10 2007-12-13 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
US7458763B2 (en) * 2003-11-10 2008-12-02 Blueshift Technologies, Inc. Mid-entry load lock for semiconductor handling system
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US8696298B2 (en) 2003-11-10 2014-04-15 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
TWI239933B (en) * 2004-03-16 2005-09-21 Powerchip Semiconductor Corp Positioning apparatus and positioning method using the same
US20060045668A1 (en) * 2004-07-19 2006-03-02 Grabowski Al W System for handling of wafers within a process tool
JP4892225B2 (ja) * 2005-10-28 2012-03-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理方法、真空搬送装置および半導体処理装置
US7387484B2 (en) * 2005-12-21 2008-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer positioning systems and methods thereof
US20080101912A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Martin Todd W Deposition analysis for robot motion correction
JP2008192840A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び真空処理方法並びに記憶媒体
US20080219806A1 (en) 2007-03-05 2008-09-11 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
JP5473820B2 (ja) * 2010-07-29 2014-04-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板保持具及び基板搬送システム
SG192678A1 (en) 2011-02-10 2013-09-30 Hysitron Inc Nanomechanical testing system
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8919210B2 (en) 2012-11-27 2014-12-30 Life Technologies Corporation Load cell lockouts and related fluid dispensing systems
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6477914B2 (ja) * 2015-11-20 2019-03-06 株式会社島津製作所 真空処理装置および質量分析装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4457664A (en) * 1982-03-22 1984-07-03 Ade Corporation Wafer alignment station
US4769523A (en) * 1985-03-08 1988-09-06 Nippon Kogaku K.K. Laser processing apparatus
US4713551A (en) * 1986-04-17 1987-12-15 Varian Associates, Inc. System for measuring the position of a wafer in a cassette
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4836733A (en) * 1986-04-28 1989-06-06 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
US4752898A (en) * 1987-01-28 1988-06-21 Tencor Instruments Edge finding in wafers
JPS63187644A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 Nec Corp 半導体製造装置
US4973217A (en) * 1987-02-09 1990-11-27 Svg Lithography Systems, Inc. Wafer handling system
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
US4880348A (en) * 1987-05-15 1989-11-14 Roboptek, Inc. Wafer centration device
JPH0620097B2 (ja) * 1987-10-20 1994-03-16 富士通株式会社 ウエハ位置決め装置
JPH025049A (ja) * 1988-06-24 1990-01-09 Fuji Photo Film Co Ltd フイルムユニットのエアー抜き通路形成方法
US5102280A (en) * 1989-03-07 1992-04-07 Ade Corporation Robot prealigner
JPH0736417B2 (ja) * 1989-10-24 1995-04-19 株式会社メツクス ウエハーの位置決め装置
JP2986121B2 (ja) * 1991-03-26 1999-12-06 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0506045A3 (en) 1992-11-25
EP0506045B1 (en) 1995-11-29
DE69206295T2 (de) 1996-05-02
EP0506045A2 (en) 1992-09-30
JP2986121B2 (ja) 1999-12-06
JPH04298061A (ja) 1992-10-21
US5340261A (en) 1994-08-23
US5435683A (en) 1995-07-25
DE69206295D1 (de) 1996-01-11
KR920018841A (ko) 1992-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0165556B1 (ko) 로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템
KR0165555B1 (ko) 로드록장치 및 웨이퍼의 반송시스템 및 웨이퍼의 위치 검출장치
US5404894A (en) Conveyor apparatus
KR100213993B1 (ko) 위치결정장치 및 이것을 가지는 처리시스템
KR101312789B1 (ko) 웨이퍼의 위치 결정 방법
EP0095370B1 (en) Wafer orientation system
US20070085905A1 (en) Method and apparatus for substrate imaging
US6809799B2 (en) Processing system and device manufacturing method using the same
US20070092651A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6377870B1 (en) Device and method for delivering various transparent substrates into a high-precision measuring instrument
EP1047114A2 (en) A method of detecting the position of a wafer
US20090080761A1 (en) Simultaneous wafer ID reading
JP2009218622A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における基板位置ずれ補正方法
US4634331A (en) Wafer transfer system
JP2006287181A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP3500455B2 (ja) 処理装置
JP2007194332A (ja) 基板検出センサ及び基板検出方法
KR102219879B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법
JP2001068530A (ja) 基板処理装置
JPH05294405A (ja) 基板検出装置
EP0246117A2 (en) Wafer orienter
JP2000182561A (ja) 電子線描画装置
JPH06249966A (ja) 被処理体の検出装置
JPH11243127A (ja) 処理装置
US20240011148A1 (en) Film forming position misalignment correction method and film forming system

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100910

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee