KR0127870B1 - 길고 좁은 형태의 전자부품을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 써멀 헤드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 헤드 서브스트레이트의 조인트에 레벨차가 없고, 방사 플레이트가 열에 의해 팽창될 때에도 베이스 플레이트는 변형되지 않는 전자 부품의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 써멀헤드에 관한 것으로서, 그들 사이에 소정 공간이 있는 한쌍의 홀을 갖는 길고 좁은 베이스 플레이트 표면 위에 접착제를 부착시키고, 베이스 플레이트의 홀 사이에 헤드 서브스트레이트의 조인트가 위치하도록 표면위에 열저항체의 대열을 갖는 헤드 서브 스트레이트를 접착제 위에 위치시키고, 상기 한쌍의 홀에 삽입된 미는 수단에 의해 헤드 서브스트레이트가 위쪽으로 밀어지는 동시에 상기 베이스 플레이트는 하단으로부터 지탱되고 헤드 서브 스트레이트는 위로부터 늘려지는 상태에서 상기 접착제가 굳어지며, 베이스 플레이트는 방사 플레이트에 중앙부분만 결합되도록 되어 있다.

Description

길고 좁은 형태의 전자부품을 제조하는 방법 및 이에 의해 제조된 써멀 헤드

제1도는 전자부품 부재의 높이를 짜맞추는 통상의 방법을 설명하는 도면.

제2도는 본 발명에 따라 길고 좁은 전자부품을 제조하는 방법에 대한 실시예의 첫번째 공정을 나타내는 도면.

제3도는 제2도에서 보여주는 실시예의 두번째 공정을 나타내는 도면.

제4도는 제2도에서 보여주는 실시예의 세번째 공정을 나타내는 도면.

제5도는 제2도 내지 제4도에서 보여주는 실시예에 의한 생산된 결합된 상태에 있는 써멀헤드를 나타내는 도면.

제6A도는 두꺼운 필름 헤드 서브스트레이트 위의 열 저항의 대열구조를 나타내는 도면.

제6B도는 얇은 필름 헤드 서브스트레이트 위의 열저항의 대열구조를 나타내는 도면.

제7도는 결합된 상태의 헤드 서브스트레이트를 나타내는 도면.

제8도는 결합 헤드 서브스트레이트용 지그(Jig)구조를 나타내는 도면.

제9도는 본 발명에 따른 실시예의 써멀 헤드의 구조를 나타내는 단면도.

제10도는 결합된 상태의 써멀헤드를 나타내는 평면도.

제11도는 본 발명에 따른 또다른 실시예의 써멀 헤드를 나타내는 투시도.

제12도는 제11도에 나타낸 실시예의 주요부분의 구조를 나타내는 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 베이스 플레이트, 2,17 : 접착제,

3,4 : 헤드 서브스트레이트, 3c : 열저항체,

3d : 공통리드, 3e : 개별리드,

16 : 방사 플레이트, 31 : 배선보드,

32 : 드라이버 IC, 33 : 프린터 조절 IC,

41 : 플렉시블 서브스트레이트.

본 발명은 팩시밀리장치, 프린터, 플롯터 또는 그와 유사한 장치, LED 헤드와 같은 프린트헤드, 판독용 이미지 센서 등으로 사용될 수 있는 써멀헤드와 같은 길고 좁은 전자부품을 생산하는 방법 및 그 방법에 의해 생산된 써멀헤드에 관한 것이다.

프린트헤드 또는 판독용 이미지 센서와 같은 길고 좁은 전자부품은 복수의 전자부품을 서로 연결하거나 결합시켜서 얻는다.

예를 들어 써멀 프린터용으로 사용되는 써멀헤드에서는, 각각 열 저항체와 함께 제공되는 복수의 헤드 서브스트레이트들이 서로 연결되어 프린트폭에 대응하는 길이를 갖도록 되어 있다.

그러나 길고 좁은 전자부품에서는 연결부분에 레벨의 차이가 있고 따라서 문제가 발생한다.

예를 들어 써멀헤드의 경우, 프린트는 열저항체와 인쇄기의 압반 사이에 종이(즉, 열감지 종이)를 공급하고, 종이가 열저항체와 접촉함으로써 수행된다. 이때 만약 헤드 서브스트레이트의 조인트에 레벨차이가 있다면, 열 저항체와 종이 사이의 접촉은 단일형태로 되지 않고 따라서 인쇄의 질이 떨어진다.

길고 좁은 전자부품의 연결부에서의 레벨차를 줄이는 다양한 방법이 제안되었다.

예를 들어 일본특허공개공보 NO. Sho 59-36474호는 제1도에서 보여주는 것과 같은 써멀헤드가 기재되어 있다.

헤드 서브스트레이트(130a)(130b)는 각각 지지플레이트(131a)(131b)위에고정되어 있고, 지지 플레이트(131a)(131b)는 통상의 홀딩 베이스 플레이트(132) 위에 고정되어 있다.

지지플레이트(131a)(131b)는 나사홈(133)으로 수직운동하는 스크류(134)에 의해 상승 또는 하강하고 따라서 헤드물질(130a)(130b)의 높이를 조절하게 되고 그결과 레벨차를 감소시킨다.

그러한 조절기 가능하기 위해서, 헤드 서브스트레이트(130a)와 (130b) 사이, 지지플레이트(131a)와 (131b)사이에 각각 갭(a)와 (b)가 제공된다.

그러나 이러한 통상의 써멀헤드에는 갭(a)(b)이 제공되기 때문에, 써멀헤드가 전체로 구부러져 있다면 헤드 서브스트레이트(131a)(131b)의 말단부는 서로 부딪히게 되고 조인트는 부숴지거나 떨어져 나간다.

일본실용신안공개공보 제 P1-175828호에는 상기 기술한 것과 유사한 써멀헤드가 기재되어 있다.

이경우 써멀헤드에는 지지플레이트(131)위에 틈이 형성되어 있어서 지지플레이트(131)의 수직운동이 가능하도록 되어 있다.

그러나 전술한 경우와 유사한 문제를 포함한다.

일본특허공개공보 소 60-31296호에는 조인트 아래에 휴지부를 제공함으로써 헤드가 인쇄기 압반에 대해 눌려질때 헤드서브스트레이트를 구부러지게 하여서, 조인트에서 레벨차를 줄이는 방법이 기재되어 있다.

이러한 방법은 인쇄기 압반의 경도를 조절하거나 인쇄기 압반의 물질을 선택하기 어려운 단점이 있다.

따라서 본 발명의 목적은 상기 관련 기술에서 나타난 문제를 줄이고, 헤드 서브스트레이트의 조인트에서 레벨차를 나타내지 않는 써멀헤드를 생산하는 방법과, 그러한 방법에 의해 생산된 헤드물질을 조인트에서 레벨차를 나타내지 않는 써멀헤드를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 복사 플레이트의 열 팽창에 의해서도 휘지 않는 베이스 플레이트를 갖는 써멀헤드를 제공하는 것이다.

이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 다음 단계를 포함하는 전자부품을 제조하는 방법을 제공한다 :

(a) 접착제를 사이에 소정 공간이 있는 복수쌍의 홀과 함께 제공되는 베이스 플레이트에 적용시키고 ; (b) 접착제 위에 한쌍의 길고좁은 헤드 서브스트레이트를 위치시켜서 헤드 서브스트레이트의 각 조인트가 각 쌍의 홀 사이에 위치하도록 하고, (c) 헤드 서부스트레이트는 미는 수단에 의해 위로 밀어져서 한쌍의 홀에 삽입되는 동시에 베이스 플레이트는 아래로부터 지탱되어서 헤드 서브스트레이트가 위로부터 눌려지는 단계에서 접착제가 굳어지게 한다.

헤드 서브스트레이트가 상기 제공된 스테이에 대해 눌려진 상태에서 헤드 서브스트레이트는 접착제에 의해 베이스 플레이트에 결합되어 있기 때문에, 레벨차는 헤드 서브스트레이트의 위쪽 표면위에서는 생성되지 않는다.

각 헤드 서브스트레이트는 그것과 세로 방향으로 열 저항체의 대열을 갖고 있다.

이들 헤드 서브스트레이트는 바람직하게 열 헤드와 결합되어 있다.

베이스 플레이트는 세라믹 물질로 된 것이고, 접착제는 실리콘 접착제인 것이 바람직하다.

이러한 헤드 서브스트레이트를 사용함에 의해서 써멀헤드를 제조하는 경우에, 접착제가 굳어짐에 의해 결합된 복수의 헤드 서브스트레이트를 갖는 베이스 플레이트는 방사 플레이트에 결합되어 있다.

방사 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 열팽창계수 차에 의해 써멀헤드가 구부러지는 것을 막기위해 바람직하게 베이스 플레이트의 단지 중앙부분만 방사 플레이트에 결합되어 있다.

본 발명은 또한 다음과 같이 구성된 써멀헤드를 제공한다. 그 표면예 열 저항체의 대열을 갖는 복수의 헤드 서브스트레이트 ; 접착제에 의해 복수의 헤드 서브스트레이트에 고정된 베이스 플레이트 ; 그들 사이에 소정 공간을 갖는 복수쌍의 홀을 갖는 베이스 플레이트 ; 베이스 플레이트 위에 복수의 헤드 서브스트레이트가 설치되어 있어서 각 헤드 서브스트레이트의 조인트는 각쌍의 홀 사이에 위치하고 ; 한쌍의 홀에 삽입된 미는 수단에 의해서 헤드 서브스트레이트가 위쪽으로 밀어지는 동시에 베이스 플레이트는 아래로부터 지탱되어지고 헤드 서브스트레이트는 위로부터 눌려지는 상태일때 굳어지는 접착제에 의해서 헤드 서브스트레이트는 베이스 플레이트에 결합되고 ; 그 결과 헤드 서브스트레이트의 각 조인트는 실질적인 레벨차가 없다.

각쌍의 홀은 열저항체의 대열 아래로부터 이동된 위치에서 베이스 플레이트에 제공되는 것이 바람직하다.

홀의 이러한 배열이 베이스 플레이트의 단일형태 방사를 가능하게 한다.

또한 헤드 서브스트레이트 위의 열저항체 대열에 전류를 공급하는 백선보드는 접착제에 의해 헤드 서브스트레이트와 함께 베이스 플레이트에 결합되는 것이 바람직하다.

이상의 목적과 또 그외의 목적, 본 발명의 이점과 특징이 도면을 참조로한 바람직한 실시예에 의해 하기에서 명확히 설명된다.

본 발명에 따른 길고 좁은 전자부품을 생산하는 방법에 대한 실시예를 하기에 설명한다.

제2도 내지 제5도는 써멀헤드의 제조에 적용되는 본 발명에 따른 길고 좁은 전자부품의 제조방법의 실시예를 하기에 설명한다.

제2도에서 한쌍이 원형 홀(1a)(1b)은 베이스 플레이트(1)에서 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 조인트의 위치에 대응하는 그들 사이의 소정의 공간과 함께 세로 방향으로 형성된다.

접착제(2)가 베이스 플레이트(1)의 전 표면에 적용된후, 헤드 서브스트레이트(3)(4)은 접착제(2)위에 위치하게 되어 그결과 베이스 플레이트(1)의 원형홀(1a)(1b) 사이에 조인트가 위치하게 된다.

본 실시예에서 헤드 서브스트레이트(3)은 헤드 서브스트레이트(4)보다 더 높은 레벨에 있다. 바꾸어 말하면, 서브스트레이트(3)(4)의 조인트에는 레벨의 차가 있다.

이러한 구조를 갖는 베이스 플레이트(1)는 적당한 베이스 플레이트 고정 테이블(10)위에 위치하고, 그 결과 베이스 플레이트(1)의 원형홀(1a)(1b)은 고정 테이블(10)에 형성된 원형홀(11)(12)의 바로위에 위치한다.

제2도에서 나타낸 것치럼, 원형홀(11)(12)은 원형홀(1a)(1b)보다 약간 큰 직경을 갖는다.

마이크로미터 헤드(13)(14)는 미는 수단으로서 각각 원형홀(11)(12)로 삽입되고 스테이(15)는 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 조인트 위에 설치된다.

제3도에서 나타낸 것처럼, 베이스 플레이트(1)는 고정테이블(10)에 의해서 지탱되고, 스테이(15)는 그것이 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 표면을 가볍게 누를때까지 아래쪽으로 밀어진다.

그다음 마이크로미터 헤드(13)는 헤드 서브스트레이트(3)이 스테이(15)에 대해 강하게 눌려지도록 위로 밀어진다.

헤드 서브스트레이트(3)의 위치는 이점에서 고정된다.

그다음 마이크로미터 헤드(14)는 제4도에 나타낸 것치럼 헤드 서브스트레이트(4)가 스테이(15)에 대해 강하게 눌려지도록 위쪽으로 밀어진다.

이때 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 조인트에서 레벨차가 위치 측정 장치에 의해서 측정되어, 이 레벨차가 3㎛보다 적은 범위가 되도록 하면서 마이크로미터 헤드(14)는 작동된다.

이러한 상태에서 접착제(2)는 완전하게 굳어진다.

이러한 방법에 의해서 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 조인트의 레벨차는 실제적인 사용에서 무시할만한 수치로 줄어든다.

베이스 플레이트와 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 어셈블리는 제5도에서 나타낸 것처럼, 고정에 의해 써멀헤드와, 접착력에 의해 복사 플레이트를 위한 구조와 결합된다. 접착제(17)는 복사 플레이트와 중앙부 근접한 곳에 위치한다.

이러한 상태에서 베이스 플레이트(1)와 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 어셈블리는 접착제(17)에 대해 눌려지고, 접착제(17)는 굳어진다.

접착제(2)(17)은 높은 열전도도를 갖는 실리콘 접착제가 바람직하다.

제 6A도는 두꺼운 필름 헤드 서브스트레이트 (3)(4)의 구조를, 그리고 제 6B도는 얇은 필름 헤드 서브스트레이트 3(4)의 구조를 나타낸다.

두꺼운 필름 헤드 서브스트레이트(3)은 납을 함유하지 않고, 알카리가 아니며, 알루미나 세라믹 물질로 구성된 서브스트레이트(3a)위에 고 연화 온도를 갖는 반들반들한 층(3b)을 갖고 있다.

선형 저항체(3c)와, 저항체(3C)에 전류를 공급하기 위한 공통리드(3d)와 개별리드(3e)는 반들반들한 층(3b)위에 형성된다.

특별히 적당한 개별리드(3e)를 선택하고, 선택된 개별리드(3e)와 공통리드(3d)사이에 전압을 적용함에 의해 저항체(3c)의 대응하는 부분은 가열된다.

반면 얇은 필름헤드 서브스트레이트(3)에서 반들반들한 층(3b)은 선형이다.

저항체(3c)는 서브스트레이트(3a)와 반들반들한 층(3b)을 덮기위한 방식으로 형성되어 있다.

공통리드(3d)는 반들반들한 층(3b)위에 그들 사이에 공간을 갖는 개별 리드(3e)의 반대편에 위치한다.

특별한 개별리브(3e)를 선택하고 선택된 개별리드(3e)와 공통리드(3d) 사이의 전압을 적용함에 의해, 대응하는 위치의 저항체(3c)는 가열된다.

제7도는 헤드 서브스트레이트(3)(4)와 베이스 플레이트(1)의 어셈블리의 조인트 부분에 대한 도식적인 투시도이다.

제7도에 명백히 나타나는 것처럼, 본 발명에 따른 제조방법의 실시예에 따르면 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 위측 표면위에 레벨차는 없다.

베이스 플레이트(1)의 조인트 근처에 생성된 한쌍의 홀(1a)(1b)의 위치는 열 저항체 대열을 구성하는 저항체(3c)아래 가까운 곳이 아니고 소정거리(h)로 벗어난 곳이다.

따라서 저항체(3c)로부터의 방출은 전부분을 통해 단일형태이다.

홀(1a)(1b)가 저항체(3c) 바로위에 위치한다면 단일한 형태의 방사는 불가능하다.

제8도는 헤드 서브스트레이트(3)(4)가 베이스 플레이트(1)에 결합하는데 사용되는 지그의 구조를 도식적으로 나타낸다.

고정 테이블(10)은 플레임(20)위에 위치한다.

마이크러미터 헤드(13)(14)를 수직방향으로 움직이기 위한 마이크로미터 헤드 드라이버(21)(22)는 각각 고정테이블(10)의 홀(11)(12) 근처에 제공되어 있다.

수직으로 움직일 수 있고 표면아래에 평면을 갖고 있는 스테이(15)는 홀(11)(12)에 대응하는 부분에 부착되어 있다.

이러한 방식에서 베이스 플레이트(1)가 헤드 서브스트레이트(3)(4)에 결합하는 시점에, 스테이(15)에 대해 헤드 서브스트레이트(3)(4)를 누르기 위해서 마이크로미터 헤드(13)(14)를 위로 미는 것은 가능하다.

본 실시예에서 고정 테이블(10)을 이동하기 쉽게 하기 위해서 그립(23)은 고정 테이블(10)위에 제공된다.

고정 테이블(10)은 헤드 서브스트레이트(3)(4)가 스테이(15)에 대해 눌려지는 상태에서 오븐으로 옮겨지고, 베이스 플레이트(1)와 헤드 서브스트레이트(4)의 어셈블리는 소정 시간동안 가열된다.

예를 들어 접착제(2)로써 열경화성 수지를 사용한 경우, 그러한 열처리는 바람직하다.

열경화성 수지의 예로는 에폭시 수지를 들 수 있다.

레이저 측정 장치(24)는 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 조인트에서 레벨차의 상태를 관찰한다. 측정 결과에 따라 마이크로미터 헤드(13)(14)의 운동을 조절하는 것이 가능하다.

상기에 기술한 것처럼 베이스 플레이트(1)는 중앙부의 근접한 적당한 지점에서 세로 방향으로 방사 플레이트(16)에 결합된다.

따라서 방사 플레이트(16)는 다른 부분으로 자유롭게 팽창할 수 있다.

금속물질이 일반적으로 방사 플레이트로 사용되는데, 그결과 방사 플레이트(16)의 열팽창 계수는 세라믹 물질로 구성된 베이스 플레이트(1)의 열 팽창계수보다 큰 값이 된다.

결과적으로 방사 플레이트(16)와 베이스 플레이트(1)의 전체표면은 서로 결합되어 있고, 구부러짐은 열팽창계수의 차에 의해 발생한 바이메탈 효과 때문에 기인된다.

그러나 본 실시예의 구조에 따라서 가능한 한 최대로 바이메탈 효과를 줄이는 것이 가능하다.

부가해서, 높은 열 전도도를 갖는 실리콘 접착제가 접착제(17)로 사용된다면 베이스 플레이트(1)로부터 열의 방사를 소정 수치로 유지하는 것이 가능하다.

본 발명의 방법에서 베이스 플레이트(1)는 접착제(2)에 의해 전체 헤드 서브스트레이트(3)(4)에 결합된다.

베이스 플레이트(1)와 헤드 서브스트레이트(3)(4) 사이의 부착강도 때문에, 베이스 플레이트(1)에 적용되는 인장력은 흡수된다.

따라서 베이스 플레이트(1)와 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 어셈블리가 방사 플레이트(16)에 고정될때, 방사 플레이트(16)의 열 팽창은 헤드 서브스트레이트(3)(4)에 영향을 미치지 않는다.

결과적으로 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 조인트의 확장이나 헤드 서브스트레이트(3)(4)의 구부러짐과 같은 온도 변화에 의해 생기는 문제는 발생하지 않는다.

또한 베이스 플레이트(1) 용으로 값싼 세라믹 물질을 사용할 수 있고, 베이스 플레이트(1)에 적당한 크기를 갖는 한쌍의 홀(1a)(1b)를 형성하는 것 이외에 어떤 특별한 단계도 불필요하기 때문에 생산비용이 적게 든다.

본 발명의 방법에 사용된 미는 수단은 그것이 베이스 플레이트의 홀로부터 헤드 서브스트레이트를 위쪽을 밀 수 있기만 하면 특별한 한정은 없다.

예를 들어 기술관련 분야에서 사용되는 조정 나사나, 마이크로미터헤드, 로드릭(rod-lik)장치 등이 있다.

제9도는 본 발명에 따른 써멀헤드의 실시에 대한 횡단면도이다.

제9도에서 세라믹 물질로 구성된 베이스 플레이트(1)는 알루미늄 방사 플레이트(16)위에 공통 베이스로 위치하고, 세라믹 헤드 서브스트레이트(3)와 배선 보드(31)는 베이스 플레이트(1)의 위쪽 표면위에 배치되어 있다.

열저항체(3c)의 대열은 횡단면도에서와 같이 헤드 서브스트레이트(3) 위에 세로 방향으로 형성되어 있다.

열 저항체(3c)의 대열에 전압을 가하기 위한 공동 리드 패턴(도시하지 않음)과 개별리드 패턴(도시하지 않음)은 배선보드(31) 위에 형성되어 있다.

드라이버 IC(32)와 프린트 조절 IC(33)는 와이어 결합에 의해 전극 패턴과 회로 패턴의 패드에 연결되어 있고, 수지(34)(35)에 의해 각각 봉합되어 있다.

드라이버 IC(32)와 프린트 조절 IC(33)의 위쪽 표면은 나사(36)에 의해 방사 플레이트(16)에 부착되어 있는 커버(35)로 덮여 있다.

(37)은 외부 연결용 연결기를 나타낸다.

제5도에서 나타낸 것처럼, 방사 플레이트(16)와 베이스 플레이트(1)는 실리콘 접착제와 같이 높은 열전도도를 갖는 접착제(17)에 의해 중앙부에서 세로 방향으로 서로 결합되어 있다.

방사 플레이트(16)의 중앙 부분만 결합되어 있기 때문에, 방사 플레이트(16)가 온도 변화로 인해 수축 또는 팽창한다해도, 수축이나 팽창은 세라믹 베이스 플레이트(1)에 영향을 미치지 않고 헤드 서브스트레이트(4)가 온도 변화로 인해 구부러지는 것을 방지한다.

베이스 플레이트(1)와 헤드 서브스트레이트(3)는 높은 열전도도를 갖는 실리콘 접착제(2)에 의해 서로 완전히 결합되어 있어서 헤드 서브스트레이트(3)로부터 열 방사를 확실하게 하는 것이 가능하다.

제10도에 나타낸 것처럼, 베이스 플레이트(1)와 배선 보드(31)는 접착제(2)에 의해 서로 완전히 결합되어 있다.

접착제(2) 대신에 자체 접착제를 사용하여 그것에 의해 전체 표면을 결합시키는 것도 가능하다.

바람직하게 배선보드(31)는 헤드 서브스트레이트(3)와 유사한 선형 팽창계수를 갖는다.

베이스 플레이트(1)와 배선 보드(31)는 서로 완전히 결합되어 있고, 배선 보드(31)는 헤드 서브스트레이트(3)와 공통인 베이스 플레이트(1) 위에 있기 때문에, 배선 보드(31)와 헤드 서브스트레이트(3)의 상호 위치는 벗어나지 않는 것처럼 보인다.

이것은 드라이버 IC(32)용 결합 와이어를 헤드 서브스트레이트(3)에 브리징하기 편리하다.

본 실시예에서는 드라이버 IC(32)가 배선보드(31)위에 설치되어 있지만 헤드 서브스트레이트(3) 위에 설치될 수도 있다.

베이스 플레이트(1)로 사용된 세라믹 플레이트는 유사한 선형 팽창 계수를 갖는 다른 금속으로된 플레이트로 대치시킬 수 있다.

본 실시예의 써멀헤드는 팩시밀리, 프린터 또는 플롯터와 같은 전기 기구의 프린트 부분에 사용될 수 있다.

제11도는 본 발명에 따른 써멀헤드의 또다른 실시예를 나타내는 투시도이다.

써멀헤드는 열저항체(3c)의 대열과 함께 제공된 헤드 서브스트레이트(3), 플렉시블 서브스트레이트(41)과 함께 제공된 보조 플레이트(42), 방사 플레이트(16)로 구성된다.

다수의 드라이버 IC는 헤드 서브스트레이트(3) 위에 설치되어 있고, 공통 전극 패턴, 개별 전극 패턴, 다른 리드 패턴은 헤드 서브스트레이트(3) 위에 형성되어 있다.

헤드 서브스트레이트(3)와 보조 플레이트(42)는 방사 플레이트(16)의 위쪽 표면에 설치되어 있고, 플렉시블 서브스트레이트(41)의 말단부는 베이스 플레이트(1)위의 전극 위에 겹쳐 놓여져 있다.

이러한 상태에서 헤드 서브스트레이트(3)와 보조 플레이트(42)는 누름 덮개에 의해 위로부터 방사플레이트에 대해 눌려지고 고정된다.

헤드 서브스트레이트(3)로써, 복수의 짧은 헤드 서브스트레이트(3)가 직렬로 설치된다.

복수의 헤드 서브스트레이트(3)는 베이스 플레이트(1)를 통해 접착에 의해 방사 플레이트(16)에 결합된다.

제12도에 나타낸 것처럼 본 실시예에서 접착제(17)는 길고 좁은 방사 플레이트(16)의 위쪽표면의 소정 영역에 적용되고, 실리콘 화합물(50)은 접착제(17)의 양쪽면에 적용된다.

두개의 세라믹 베이스 플레이트(1a)(1b)(각각의 길이는 방사 플레이트(16) 길이의 1/2이다)들은 본 실시예에서 베이스 플레이트(1)로 사용되었다.

두개의 베이스 플레이트(1a)(1b)는 방사 플레이트(16) 위에 설치되어서, 두개의 베이스 플레이트(1a)(1b)의 인접한 표면은 접착제(17)의 중앙부분에 있고, 베이스 플레이트(1a)(1b)는 접착제(17)에 의해 방사 플레이트(16)에 결합되게 된다.

다시 말하면 방사 플레이트(16)와 세라믹 베이스 플레이트(1a)(1b)는 접착제에 의해 단 한 부분이 서로 결합되어 있다.

따라서 접착제(2)에 의해 복수(본 설시예에서는 3개)의 세라믹 헤드 서브스트레이트(3)에 세라믹 베이스 플레이트(1)가 결합하도록, 접착제는 세라믹 베이스 플레이트(1a)(1b)의 위쪽 표면 전체에 적용된다.

또 다른 말로 베이스 플레이트(1)와 짧은 세라믹 서브스트레이트(3')는 서로 완전히 고정되어 있다.

상기 기술한 구조를 갖는 써멀헤드에서, 복수의 짧은 세라믹 헤드 서브스트레이트(3)는 방사 플레이트에 직접 결합되지 않고 세라믹 베이스 플레이트(1a)(1b)를 통해 결합되어 있다.

베이스 플레이트(1a)(1b)는 방사 표면의 전체 표면이 아닌 일부분에만 결합되어 있다.

이러한 구조에 있어서, 방사 플레이트(16)가 열에 의해 팽창될때, 인장력은 열에 의해 팽창하지 않는 베이스 플레이트(1a)(1b)에 적용되지만, 베이스 플레이트(1a)(1b)와 방사 플레이트(16)가 서로 단지한 부위(부착 영역이 좁다)에서 서로 결합되어 있기 때문에 인장력은 작게 된다.

반면, 베이스 플레이트(1a)(1b)는 헤드 서브스트레이트(3)에 완전히 결합되어 있고, 따라서 베이스 플레이트(1a)(1b)와 헤드 서브스트레이트(3) 사이의 부착강도는 높고, 그 결과 베이스 플레이트(1a)(1b)에 적용된 작은 인장 강도는 흡수된다.

따라서 방사 플레이트(16)의 열팽창은 복수의 짧은 헤드 서브스트레이트에 전혀 영향을 미치지 않게 되고, 그결과 헤드 서브스트레이트(3)의 열 저항체(3c)대열 사이에 갭이 없어서 프린트의 질이 저하될 우려를 없앨 수 있다.

본 실시예에서는 두개의 세라믹 베이스 플레이트(1a)(1b)가 사용되었지만, 하나의 길고 좁은 베이스플레이트도 사용될 수 있다.

상기에 기술한 내용이 본 발명의 바람직한 실시예로 생각되지만, 다양한 변화 또한 가능하고, 하기 특허청구범위도 본 발명의 진정한 의미와 영역내의 모든 변화를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.

Claims (13)

1. 그들 사이에 소정 공간을 갖는 한쌍의 홀을 갖는 베이스 플레이트에 접착제를 적용시키고 ; 상기 한쌍의 홀 사이에 헤드 서브스트레이트의 조인트를 위치시키기 위해 상기 접착제 위에 복수의 길고 좁은 헤드 서브스트레이트를 위치시키고 ; 상기 한쌍의 홀에 삽입된 미는 수단에 의해 헤드 서브스트레이트가 위쪽으로 밀어지는 동시에, 상기 베이스 플레이트는 하단으로부터 지탱되고 헤드 서브스트레이트는 위로부터 눌려지는 상태에서 상기 접착제가 굳어지는 단계로 구성된 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 헤드 서브스트레이트가 그것의 세로 방향으로 열 저항체의 대열을 갖는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
3. 제2항에 있어서, 베이스 플레이트가 세라믹 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조방법,
4. 제3항에 있어서, 접착제가 실리콘 접착제인 것을 특징으로 하는 전자 부품의 제조방법.
5. 제1항에 있어서, 접착제가 굳어져서 서로 결합된 복수의 헤드 서브스트레이트를 갖는 베이스 플레이트가 다른 접착제에 의해 방사 플레이트에 결합되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
6. 제5항에 있어서, 베이스 플레이트의 중앙부분만이 접착제에 의해 방사 플레이트에 결합되는 것을 특징으로 하는 전자부품의 제조방법.
7. 그 표면위에 열 저항체의 대열을 갖는 복수의 헤드 서브스트레이트가 설치되어 있고; 접착제에 의해 상기 헤드 서브스트레이트가 고정되어 있으며, 그들 사이에 소정 공간이 있는 한 쌍의 홀과 함께 제공된 베이스 플레이트가 설치되어 있고; 상기 헤드 서브스트레이트는 헤드 서브스트레이트의 조인트가 상기한 쌍을 이룬 홀 사이에 위치하도록 베이스 플레이트위에 배열되어 있고; 각 헤드 서브스트레이트의 조인트에 실질적으로 레벨차가 없도록 하기 위해서, 쌍을 이룬 홀에 삽입된 미는 수단에 의해 헤드 서브스트레이트가 위쪽으로 밀어지는 동시에, 베이스 플레이트는 아래로부터 지탱되고 헤드 서브스트레이트는 위로부터 밀어지는 상태에서 굳어지는 접착제에 의해 베이스 플레이트에 결합된 헤드 서브스트레이트가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 서브스트레이트.
8. 제7항에 있어서, 각 헤드 서브스트레이트 위에 제공된 열 저항체의 각 대열 아래로부터 이동된 지점에서 쌍을 이룬 홀이 베이스 플레이트에 제공되는 것을 특징으로 하는 서브스트레이트.
9. 제7항에 있어서, 베이스 플레이트는 또다른 접착제에 의해 방사 플레이트에 결합되는 것을 특징으로 하는 써멀헤드.
10. 제9항에 있어서, 베이스 플레이트의 중앙부분만이 접착제에 의해 방사 플레이트에 결합되는 것을 특징으로 한느 써멀헤드.
11. 제10항에 있어서, 헤드 서브스트레이트의 전체 표면과 베이스 플레이트의 전체 표면이 서로 결합되는 것을 특징으로 하는 써멀헤드.
12. 제7항에 있어서, 헤드 서브스트레이트 위의 열 저항체의 대열에 전류를 공급하는 배선보드가 접착제에 의해 상기 헤드 서브스트레이트와 함께 베이스 플레이트에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 써멀헤드.
13. 제12항에 있어서, 헤드 서브스트레이트와 배선 보드가 전체 표면에 걸쳐서 베이스 플레이트에 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 써멀헤드.