JPWO2024204391A5 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPWO2024204391A5 JPWO2024204391A5 JP2025511048A JP2025511048A JPWO2024204391A5 JP WO2024204391 A5 JPWO2024204391 A5 JP WO2024204391A5 JP 2025511048 A JP2025511048 A JP 2025511048A JP 2025511048 A JP2025511048 A JP 2025511048A JP WO2024204391 A5 JPWO2024204391 A5 JP WO2024204391A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- region
- underlayer
- semiconductor substrate
- substrate according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2023/012079 WO2024201629A1 (ja) | 2023-03-27 | 2023-03-27 | 半導体成長用テンプレート基板、半導体基板、半導体成長用テンプレート基板の製造方法および製造装置、並びに半導体基板の製造方法および製造装置 |
| PCT/JP2024/012324 WO2024204391A1 (ja) | 2023-03-27 | 2024-03-27 | 半導体基板、および半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2024204391A1 JPWO2024204391A1 (https=) | 2024-10-03 |
| JPWO2024204391A5 true JPWO2024204391A5 (https=) | 2025-12-08 |
Family
ID=92904187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2025511048A Pending JPWO2024204391A1 (https=) | 2023-03-27 | 2024-03-27 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPWO2024204391A1 (https=) |
| CN (1) | CN120958553A (https=) |
| WO (2) | WO2024201629A1 (https=) |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3139445B2 (ja) * | 1997-03-13 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 |
| JP2000077336A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sony Corp | 半導体成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| JP3791246B2 (ja) * | 1999-06-15 | 2006-06-28 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体の成長方法、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2002100579A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-04-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板及びその製造方法 |
| JP3705142B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2005-10-12 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体素子及びその作製方法 |
| JP4092927B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-05-28 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体、iii族窒化物系化合物半導体素子及びiii族窒化物系化合物半導体基板の製造方法 |
| JP4747319B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-08-17 | 学校法人 名城大学 | ヘテロエピタキシャル成長方法 |
| JPWO2005106977A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2008-03-21 | 松下電器産業株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2009177168A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス |
| KR20100123680A (ko) * | 2008-03-01 | 2010-11-24 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 반도체 기판의 제조방법 및 전자 디바이스 |
| JP6120204B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2017-04-26 | パナソニック株式会社 | エピタキシャルウェハ及びその製造方法、紫外発光デバイス |
| WO2017159682A1 (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置を生産する方法 |
| WO2019191760A1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | The Regents Of The University Of California | Method of fabricating non-polar and semi-polar devices using epitaxial lateral overgrowth |
| US20240234141A9 (en) * | 2021-02-26 | 2024-07-11 | Kyocera Corporation | Semiconductor substrate, method for manufacturing the same, apparatus for manufacturing the same, and template substrate |
| JP7779906B2 (ja) * | 2021-04-16 | 2025-12-03 | 京セラ株式会社 | 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、GaN系結晶体、半導体デバイス、電子機器 |
| US12463033B2 (en) * | 2022-10-19 | 2025-11-04 | Kyocera Corporation | Semiconductor substrate, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate |
-
2023
- 2023-03-27 WO PCT/JP2023/012079 patent/WO2024201629A1/ja not_active Ceased
-
2024
- 2024-03-27 CN CN202480020914.6A patent/CN120958553A/zh active Pending
- 2024-03-27 WO PCT/JP2024/012324 patent/WO2024204391A1/ja not_active Ceased
- 2024-03-27 JP JP2025511048A patent/JPWO2024204391A1/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3886341B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板 | |
| JPWO2022145454A5 (https=) | ||
| JP4790909B2 (ja) | 横方向成長による窒化ガリウム層の製造 | |
| US6403451B1 (en) | Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts | |
| JP4597259B2 (ja) | Iii族窒化物半導体成長用基板、iii族窒化物半導体エピタキシャル基板、iii族窒化物半導体素子およびiii族窒化物半導体自立基板、ならびに、これらの製造方法 | |
| JP5323792B2 (ja) | 窒化ガリウム半導体構造体の製造方法、半導体構造体の製造方法および半導体構造体 | |
| JP2010153450A (ja) | 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。 | |
| JPWO2022181686A5 (https=) | ||
| CN113066911B (zh) | Led外延片衬底结构及其制备方法、led芯片及其制备方法 | |
| CN115295697B (zh) | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 | |
| KR101166954B1 (ko) | 실리콘 기판상에 인듐 갈륨 알루미늄 나이트라이드 박막을제조하는 방법 | |
| JP5620724B2 (ja) | 半導体素子の製造方法、積層構造体の製造方法、半導体ウエハおよび積層構造体。 | |
| CN101764055A (zh) | 一种提高氮化镓薄膜质量的外延方法 | |
| CN113279054A (zh) | 提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料 | |
| WO2004079803A1 (ja) | 窒化物系半導体装置およびその製造方法 | |
| CN116169222A (zh) | 一种AlN模板及其制备方法 | |
| TWI725418B (zh) | 磊晶於異質基板之結構及其製備方法 | |
| CN114141915B (zh) | 氮化镓发光二极管的制备方法 | |
| JPWO2024204391A5 (https=) | ||
| JP7519072B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| CN115341277B (zh) | 一种AlN薄膜及其制备方法和应用 | |
| JP2012131705A (ja) | Iii族窒化物半導体及びiii族窒化物半導体成長用基板 | |
| JP4247413B1 (ja) | デバイスの製造方法 | |
| CN113517173B (zh) | 一种同质外延β-Ga2O3薄膜及其制备方法 | |
| CN106887495A (zh) | 发光二极管的外延片及其制作方法 |