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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12463033B2 (en) 2022-10-19 2025-11-04 Kyocera Corporation Semiconductor substrate, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate
WO2024084634A1 (ja) * 2022-10-19 2024-04-25 京セラ株式会社 半導体基板、半導体基板の製造方法および製造装置
WO2024084664A1 (ja) * 2022-10-20 2024-04-25 京セラ株式会社 半導体基板、テンプレート基板、並びにテンプレート基板の製造方法および製造装置
WO2024201629A1 (ja) * 2023-03-27 2024-10-03 京セラ株式会社 半導体成長用テンプレート基板、半導体基板、半導体成長用テンプレート基板の製造方法および製造装置、並びに半導体基板の製造方法および製造装置
TW202528574A (zh) * 2023-09-22 2025-07-16 日商京瓷股份有限公司 模片基板及其製造方法、半導體基板及其製造方法、模片基板之製造裝置以及半導體裝置之製造方法
WO2025115743A1 (ja) * 2023-11-30 2025-06-05 京セラ株式会社 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、半導体デバイス
WO2025115999A1 (ja) * 2023-12-01 2025-06-05 京セラ株式会社 半導体基板およびその製造方法、半導体基板の製造装置、並びに半導体デバイス
TW202537182A (zh) * 2023-12-11 2025-09-16 日商京瓷股份有限公司 半導體基板以及其製造方法及製造裝置、半導體器件

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0575163A (ja) * 1991-09-13 1993-03-26 Canon Inc 半導体装置の製造方法
CA2311132C (en) * 1997-10-30 2004-12-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gan single crystalline substrate and method of producing the same
JP5065625B2 (ja) * 1997-10-30 2012-11-07 住友電気工業株式会社 GaN単結晶基板の製造方法
JP4406999B2 (ja) * 2000-03-31 2010-02-03 豊田合成株式会社 Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子
JP3679720B2 (ja) * 2001-02-27 2005-08-03 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
JP4115187B2 (ja) * 2002-07-19 2008-07-09 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子
JP2007184433A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体積層構造及びその上に形成された半導体素子
JP4807081B2 (ja) * 2006-01-16 2011-11-02 ソニー株式会社 GaN系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、GaN系半導体発光素子の製造方法
JP2007317752A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Mitsubishi Cable Ind Ltd テンプレート基板
JP4556983B2 (ja) 2007-10-03 2010-10-06 日立電線株式会社 GaN単結晶基板
CN101853808B (zh) * 2008-08-11 2014-01-29 台湾积体电路制造股份有限公司 形成电路结构的方法
JP4638958B1 (ja) 2009-08-20 2011-02-23 株式会社パウデック 半導体素子の製造方法
KR20130095527A (ko) * 2012-02-20 2013-08-28 서울옵토디바이스주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
EP2837021A4 (en) 2012-04-13 2016-03-23 Tandem Sun Ab METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BASED ON EPITAXIAL GROWTH
DE102012107001A1 (de) 2012-07-31 2014-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
US9640422B2 (en) * 2014-01-23 2017-05-02 Intel Corporation III-N devices in Si trenches
KR20150103800A (ko) * 2014-03-04 2015-09-14 전북대학교산학협력단 고효율 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
JP7221493B2 (ja) * 2019-02-18 2023-02-14 国立大学法人大阪大学 Iii族窒化物結晶の製造方法

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