JPWO2022181686A5 - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021031036 | 2021-02-26 | ||
| JP2021031036 | 2021-02-26 | ||
| PCT/JP2022/007587 WO2022181686A1 (ja) | 2021-02-26 | 2022-02-24 | 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、テンプレート基板 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022181686A1 JPWO2022181686A1 (https=) | 2022-09-01 |
| JPWO2022181686A5 true JPWO2022181686A5 (https=) | 2023-11-10 |
| JP7646806B2 JP7646806B2 (ja) | 2025-03-17 |
Family
ID=83049034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023502483A Active JP7646806B2 (ja) | 2021-02-26 | 2022-02-24 | 半導体基板、並びに半導体基板の製造方法および製造装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240234141A9 (https=) |
| EP (1) | EP4300605A4 (https=) |
| JP (1) | JP7646806B2 (https=) |
| KR (2) | KR102869418B1 (https=) |
| CN (1) | CN116941016A (https=) |
| TW (2) | TWI897836B (https=) |
| WO (1) | WO2022181686A1 (https=) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12463033B2 (en) | 2022-10-19 | 2025-11-04 | Kyocera Corporation | Semiconductor substrate, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate |
| WO2024084634A1 (ja) * | 2022-10-19 | 2024-04-25 | 京セラ株式会社 | 半導体基板、半導体基板の製造方法および製造装置 |
| WO2024084664A1 (ja) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | 京セラ株式会社 | 半導体基板、テンプレート基板、並びにテンプレート基板の製造方法および製造装置 |
| WO2024201629A1 (ja) * | 2023-03-27 | 2024-10-03 | 京セラ株式会社 | 半導体成長用テンプレート基板、半導体基板、半導体成長用テンプレート基板の製造方法および製造装置、並びに半導体基板の製造方法および製造装置 |
| TW202528574A (zh) * | 2023-09-22 | 2025-07-16 | 日商京瓷股份有限公司 | 模片基板及其製造方法、半導體基板及其製造方法、模片基板之製造裝置以及半導體裝置之製造方法 |
| WO2025115743A1 (ja) * | 2023-11-30 | 2025-06-05 | 京セラ株式会社 | 半導体基板並びにその製造方法および製造装置、半導体デバイス |
| WO2025115999A1 (ja) * | 2023-12-01 | 2025-06-05 | 京セラ株式会社 | 半導体基板およびその製造方法、半導体基板の製造装置、並びに半導体デバイス |
| TW202537182A (zh) * | 2023-12-11 | 2025-09-16 | 日商京瓷股份有限公司 | 半導體基板以及其製造方法及製造裝置、半導體器件 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575163A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
| CA2311132C (en) * | 1997-10-30 | 2004-12-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gan single crystalline substrate and method of producing the same |
| JP5065625B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2012-11-07 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
| JP4406999B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2010-02-03 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
| JP3679720B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2005-08-03 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法 |
| JP4115187B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2008-07-09 | 豊田合成株式会社 | 半導体結晶の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
| JP2007184433A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体積層構造及びその上に形成された半導体素子 |
| JP4807081B2 (ja) * | 2006-01-16 | 2011-11-02 | ソニー株式会社 | GaN系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、GaN系半導体発光素子の製造方法 |
| JP2007317752A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | テンプレート基板 |
| JP4556983B2 (ja) | 2007-10-03 | 2010-10-06 | 日立電線株式会社 | GaN単結晶基板 |
| CN101853808B (zh) * | 2008-08-11 | 2014-01-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 形成电路结构的方法 |
| JP4638958B1 (ja) | 2009-08-20 | 2011-02-23 | 株式会社パウデック | 半導体素子の製造方法 |
| KR20130095527A (ko) * | 2012-02-20 | 2013-08-28 | 서울옵토디바이스주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| EP2837021A4 (en) | 2012-04-13 | 2016-03-23 | Tandem Sun Ab | METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BASED ON EPITAXIAL GROWTH |
| DE102012107001A1 (de) | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
| US9640422B2 (en) * | 2014-01-23 | 2017-05-02 | Intel Corporation | III-N devices in Si trenches |
| KR20150103800A (ko) * | 2014-03-04 | 2015-09-14 | 전북대학교산학협력단 | 고효율 이종접합 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법 |
| US11466384B2 (en) | 2019-01-08 | 2022-10-11 | Slt Technologies, Inc. | Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate |
| JP7221493B2 (ja) * | 2019-02-18 | 2023-02-14 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
-
2022
- 2022-02-24 US US18/278,795 patent/US20240234141A9/en active Pending
- 2022-02-24 KR KR1020237029293A patent/KR102869418B1/ko active Active
- 2022-02-24 KR KR1020257033024A patent/KR20250151589A/ko active Pending
- 2022-02-24 WO PCT/JP2022/007587 patent/WO2022181686A1/ja not_active Ceased
- 2022-02-24 JP JP2023502483A patent/JP7646806B2/ja active Active
- 2022-02-24 TW TW114116969A patent/TWI897836B/zh active
- 2022-02-24 TW TW111106737A patent/TWI886379B/zh active
- 2022-02-24 CN CN202280016192.8A patent/CN116941016A/zh active Pending
- 2022-02-24 EP EP22759721.8A patent/EP4300605A4/en active Pending
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