JPWO2022270309A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2022270309A5 JPWO2022270309A5 JP2023529812A JP2023529812A JPWO2022270309A5 JP WO2022270309 A5 JPWO2022270309 A5 JP WO2022270309A5 JP 2023529812 A JP2023529812 A JP 2023529812A JP 2023529812 A JP2023529812 A JP 2023529812A JP WO2022270309 A5 JPWO2022270309 A5 JP WO2022270309A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor device
- manufacturing
- substrate
- main substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 206010053759 Growth retardation Diseases 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021102585 | 2021-06-21 | ||
| JP2021102585 | 2021-06-21 | ||
| PCT/JP2022/023088 WO2022270309A1 (ja) | 2021-06-21 | 2022-06-08 | 半導体デバイスの製造方法および製造装置、半導体デバイスならびに電子機器 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2022270309A1 JPWO2022270309A1 (https=) | 2022-12-29 |
| JPWO2022270309A5 true JPWO2022270309A5 (https=) | 2024-03-21 |
| JP7637237B2 JP7637237B2 (ja) | 2025-02-27 |
Family
ID=84543915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023529812A Active JP7637237B2 (ja) | 2021-06-21 | 2022-06-08 | 半導体デバイスの製造方法および製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240313151A1 (https=) |
| EP (1) | EP4362115A1 (https=) |
| JP (1) | JP7637237B2 (https=) |
| KR (1) | KR20240010014A (https=) |
| WO (1) | WO2022270309A1 (https=) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218730A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4264992B2 (ja) | 1997-05-28 | 2009-05-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5065625B2 (ja) * | 1997-10-30 | 2012-11-07 | 住友電気工業株式会社 | ＧａＮ単結晶基板の製造方法 |
| JP2002231734A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Oki Data Corp | 基板ユニット、半導体素子、半導体素子の実装方法及びその製造方法 |
| JP4082409B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2008-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| WO2005106977A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2008226871A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5681937B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-03-11 | 株式会社パウデック | 半導体素子およびその製造方法 |
| JP2019134101A (ja) | 2018-01-31 | 2019-08-08 | 京セラ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| EP3794632A4 (en) * | 2018-05-17 | 2022-06-01 | The Regents of the University of California | PROCEDURE FOR SHARING A BAR FROM ONE OR MORE DEVICES |
| JP7052188B2 (ja) * | 2019-06-13 | 2022-04-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JPWO2021221055A1 (https=) | 2020-04-28 | 2021-11-04 | ||
| JP6986645B1 (ja) * | 2020-12-29 | 2021-12-22 | 京セラ株式会社 | 半導体基板、半導体デバイス、電子機器 |
-
2022
- 2022-06-08 US US18/572,005 patent/US20240313151A1/en active Pending
- 2022-06-08 WO PCT/JP2022/023088 patent/WO2022270309A1/ja not_active Ceased
- 2022-06-08 KR KR1020237043617A patent/KR20240010014A/ko active Pending
- 2022-06-08 EP EP22828226.5A patent/EP4362115A1/en not_active Withdrawn
- 2022-06-08 JP JP2023529812A patent/JP7637237B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10770350B2 (en) | Method of separating a back layer on a singulated semiconductor wafer attached to carrier substrate | |
| TW552676B (en) | Method of separating semiconductor dies from a wafer | |
| JPWO2022181686A5 (https=) | ||
| JP2005340423A5 (https=) | ||
| TWI720936B (zh) | 化合物半導體元件及其背面銅製程方法 | |
| CN106206423A (zh) | 芯片封装侧壁植球工艺 | |
| JPWO2022270309A5 (https=) | ||
| JP2922066B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001085453A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7371257B2 (ja) | 電気接点を形成するための方法および半導体デバイスを形成するための方法 | |
| TWI881798B (zh) | 晶圓除應力結構及製造方法 | |
| RU2102817C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковых структур | |
| JP2021077909A (ja) | 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法 | |
| TWI914884B (zh) | 形成晶圓的方法 | |
| CN115172146B (zh) | 化合物半导体晶圆的制作方法 | |
| CN110534423B (zh) | 半导体器件及其制作方法 | |
| TWI881455B (zh) | 於晶圓基板背面貼合異質材料的方法 | |
| JPH027435A (ja) | 金属パンプ電極を有する半導体装置 | |
| JP2592281B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003282596A (ja) | 窒化物半導体装置の製造方法および窒化物半導体装置 | |
| JPH05175325A (ja) | 誘電体分離基板及びその製造方法 | |
| JPWO2024135744A5 (ja) | ＧａＮ基板、及び、窒化物半導体デバイスとその製造方法 | |
| JPWO2025004788A5 (https=) | ||
| JP2001077145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0777265B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |