JPWO2022097262A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2022097262A5
JPWO2022097262A5 JP2022560592A JP2022560592A JPWO2022097262A5 JP WO2022097262 A5 JPWO2022097262 A5 JP WO2022097262A5 JP 2022560592 A JP2022560592 A JP 2022560592A JP 2022560592 A JP2022560592 A JP 2022560592A JP WO2022097262 A5 JPWO2022097262 A5 JP WO2022097262A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
insulating film
semiconductor device
interlayer insulating
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022560592A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2022097262A1 (https=
JP7459292B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2020/041487 external-priority patent/WO2022097262A1/ja
Publication of JPWO2022097262A1 publication Critical patent/JPWO2022097262A1/ja
Publication of JPWO2022097262A5 publication Critical patent/JPWO2022097262A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7459292B2 publication Critical patent/JP7459292B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022560592A 2020-11-06 2020-11-06 半導体装置および電力変換装置 Active JP7459292B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/041487 WO2022097262A1 (ja) 2020-11-06 2020-11-06 半導体装置および電力変換装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2022097262A1 JPWO2022097262A1 (https=) 2022-05-12
JPWO2022097262A5 true JPWO2022097262A5 (https=) 2023-01-10
JP7459292B2 JP7459292B2 (ja) 2024-04-01

Family

ID=81457053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022560592A Active JP7459292B2 (ja) 2020-11-06 2020-11-06 半導体装置および電力変換装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12464767B2 (https=)
JP (1) JP7459292B2 (https=)
CN (1) CN116368623B (https=)
DE (1) DE112020007758T5 (https=)
WO (1) WO2022097262A1 (https=)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025074874A1 (ja) * 2023-10-05 2025-04-10 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5026019B2 (ja) * 2006-08-08 2012-09-12 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ基板、薄膜トランジスタの製造方法、及び表示装置
JP4793293B2 (ja) 2007-03-16 2011-10-12 日産自動車株式会社 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP5370480B2 (ja) 2009-04-30 2013-12-18 三菱電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5751763B2 (ja) * 2010-06-07 2015-07-22 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5687128B2 (ja) * 2011-05-06 2015-03-18 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5677222B2 (ja) 2011-07-25 2015-02-25 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置
JP5640969B2 (ja) 2011-12-26 2014-12-17 三菱電機株式会社 半導体素子
WO2014087600A1 (ja) 2012-12-04 2014-06-12 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP6617292B2 (ja) * 2014-05-23 2019-12-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 炭化珪素半導体装置
WO2018038133A1 (ja) 2016-08-25 2018-03-01 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置
US11094790B2 (en) * 2016-09-23 2021-08-17 Mitsubishi Electric Corporation Silicon carbide semiconductor device
US9985125B1 (en) 2016-11-25 2018-05-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Silicon carbide semiconductor device
CN110337725B (zh) 2017-02-24 2022-08-05 三菱电机株式会社 碳化硅半导体装置以及电力变换装置
US11355629B2 (en) 2017-03-07 2022-06-07 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and power converter
JP7013735B2 (ja) * 2017-09-05 2022-02-01 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP7000240B2 (ja) * 2018-04-18 2022-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP7085959B2 (ja) * 2018-10-22 2022-06-17 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6870119B2 (ja) * 2019-04-11 2021-05-12 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5048273B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体装置
US9570603B2 (en) Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device
TWI550866B (zh) 半導體裝置、半導體裝置之製造方法及電子裝置
JP5959162B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2008235405A (ja) 半導体装置
JP2011211187A5 (ja) 半導体装置
JP2026034497A5 (https=)
JP5893471B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20160172301A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2017104516A1 (ja) 半導体装置
JP2019165180A5 (https=)
US8183645B2 (en) Power semiconductor device including gate lead-out electrode
JPWO2022097262A5 (https=)
JP5422930B2 (ja) 半導体装置
CN105679813A (zh) 半导体装置及其制造方法
JP4835773B2 (ja) 半導体装置
JP2010287786A (ja) 半導体装置
JP2004014707A (ja) 半導体装置
JP5884557B2 (ja) 半導体装置
JP2009146994A (ja) トレンチゲート型半導体装置
JPWO2021245992A5 (https=)
JP2009004707A (ja) 絶縁ゲート型半導体装置
JP7703985B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPWO2023189754A5 (https=)
JPWO2024101131A5 (https=)