JPWO2021245992A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2024016733A (ja) * 2022-07-26 2024-02-07 株式会社デンソー 半導体装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003017698A (ja) 2001-07-04 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4140232B2 (ja) 2001-12-07 2008-08-27 株式会社デンソー 半導体装置
JP2007115888A (ja) 2005-10-20 2007-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2008085188A (ja) 2006-09-28 2008-04-10 Sanyo Electric Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置
JP5285874B2 (ja) 2007-07-03 2013-09-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2010056380A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Panasonic Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2010238885A (ja) 2009-03-31 2010-10-21 Renesas Electronics Corp 半導体装置とその製造方法
CN102473723B (zh) * 2009-07-15 2014-12-03 三菱电机株式会社 功率用半导体装置及其制造方法
CN102576728B (zh) * 2009-10-14 2015-06-24 三菱电机株式会社 功率用半导体装置
JP5677222B2 (ja) * 2011-07-25 2015-02-25 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置
JP5742668B2 (ja) * 2011-10-31 2015-07-01 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置
US9324782B2 (en) * 2012-01-06 2016-04-26 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JP6351547B2 (ja) 2015-06-18 2018-07-04 三菱電機株式会社 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法
CN108886038B (zh) * 2016-04-11 2023-05-02 三菱电机株式会社 半导体装置
WO2018155553A1 (ja) * 2017-02-24 2018-08-30 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置および電力変換装置
CN111480239B (zh) 2017-12-19 2023-09-15 三菱电机株式会社 碳化硅半导体装置以及电力变换装置

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