JP6995209B2 - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
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Description
<構成>
図1は、本実施の形態1におけるSBD100(半導体装置)の構成を、図2の線I-Iに沿って概略的に示す部分断面図である。図2は、SBD100の構成を概略的に示す上面図である。なお図1において、右側がSBD100の終端側であり、左側がオン状態において主電流が流れる活性領域側である。
図4は、SBD100(図1)の第1の変形例としてのSBD101を示す部分断面図である。SBD101は、表面電極5と表面保護膜6との間に耐湿絶縁膜15を有している。具体的には、耐湿絶縁膜15は、電極パッド5bの外周端と、周辺構造7と、エピタキシャル層32の一部との上に配置されている。なお表面保護膜6は、耐湿絶縁膜15を完全に覆ってもよく、あるいは一部を覆わなくてもよい。耐湿絶縁膜15は、表面保護膜6の材料とは異なる材料からなり、具体的には、表面保護膜6に比して透湿しにくい材料からなる。耐湿絶縁膜15の材料は、SiO2に比して透湿しにくい材料であることが好ましく、例えばSiNである。SiNとしては、Siリッチであることによって半絶縁性を有するものではなく、10×1012Ωcm以上の抵抗率を有するものであることが好ましい。耐湿絶縁膜15の厚みは、例えば100nm以上である。
次に、本実施の形態1のSBD100の製造方法の例について説明する。
次に、本実施の形態のSBD100(図1)の動作について、以下に説明する。
H2O + e- → OH- + 1/2H2 ・・・(2)
表面保護膜6は、周辺構造7の材料と異なる材料からなる。これにより、表面保護膜6の材料として、外部環境からの影響によって生じる応力を緩和する能力に優れた材料が適宜選択され得る。一方、周辺構造7の材料は、表面保護膜6の材料と異なってよいので、エピタキシャル基板30からの周辺構造7の剥離を生じにくくすることを優先して選択し得る。ここで、周辺構造7が表面保護膜6に食い込んでいるので、周辺構造7からの表面保護膜6の剥離は生じにくい。よって、表面電極5の外周端近傍において表面保護膜6が剥離し始めたとしても、この剥離が周辺構造7近傍を超えて外側へ伸展することが防止される。よって、周辺構造7から外側において、表面保護膜6による絶縁保護が維持される。よって、SBD100の絶縁信頼性を高めることができる。
<構成>
図7は、本実施の形態2におけるSBD200(半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。SBD200はフィールド絶縁膜3を有している。フィールド絶縁膜3は、本実施の形態においては、エピタキシャル基板30の内側領域RIと外側領域ROとに跨ってエピタキシャル基板30の表面S2上に設けられている。よってフィールド絶縁膜3は外側領域RO上に配置された部分を有している。周辺構造7の外周端(図中、右端)は、終端ウェル領域2の外周端(図中、右端)よりも内周側(図中、左側)に位置している。よって周辺構造7はフィールド絶縁膜3を介して終端ウェル領域2上に配置されている。表面電極5の縁はフィールド絶縁膜3を介してエピタキシャル基板30の表面S2上に位置している。周辺構造7はフィールド絶縁膜3上に位置している。ショットキー電極5aおよび電極パッド5bの少なくともいずれか(図中においてはそれら両方)はフィールド絶縁膜3に乗り上げている。フィールド絶縁膜3は、SiO2またはSiN等の絶縁材料からなり、好ましくは10nm以上の厚みを有している。フィールド絶縁膜3は、例えば、厚み1μmのSiO2膜である。
図8は、SBD200の第1の変形例としてのSBD201を示す部分断面図である。フィールド絶縁膜3は、表面電極5と周辺構造7との間において、表面保護膜6によって食い込まれた内側開口部3iを有している。内側開口部3iの幅はフィールド絶縁膜3の厚み以下であることが好ましい。なお、内側開口部3iは、平面視において表面電極5を完全に取り囲んでいてよい。あるいは、互いに離れた複数の内側開口部3iが表面電極5の周りに設けられてもよく、その場合、内側開口部3iは平面視において表面電極5を完全には取り囲まない。
次に、本実施の形態2のSBD200の製造方法の例について説明する。なお、単結晶基板31と、ドリフト層1と、終端ウェル領域2とを有するエピタキシャル基板30を形成する工程までは、前述した実施の形態1と同様であるため、その説明を省略する。
次に、SBD200(図7)の動作について、以下に説明する。なお、実施の形態1においてSBD100について説明した「オン状態」および「オフ状態」に関する基本的な動作は、本実施の形態のSBD200についても同じであるため、その説明を省略する。
本実施の形態2によれば、表面電極5の外周側において周辺構造7が設けられている。これにより、実施の形態1とほぼ同様の理由で、表面電極5の外周端からドリフト層1の外周側に向かって生じるフィールド絶縁膜3からの表面保護膜6の剥がれを、周辺構造7により止めることができる。よって、周辺構造7から外側において、表面保護膜6による絶縁保護が維持される。よって、SBD200の絶縁信頼性を高めることができる。
<構成>
図10は、本実施の形態3におけるSBD300(半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。SBD300は、絶縁材料からなる周辺構造7(図1:実施の形態1)に代わって、導電性を有する材料からなる周辺構造7Mを有している。導電性を有する材料としては、例えば、Ti、Au、W、Al、Cu、Mo、Niのいずれかを含む金属、Al-SiのようなAl合金、または、ポリシリコンのような半導体材料を用い得る。周辺構造7Mの材料は、表面電極5の少なくとも一部の材料と同じであってよい。言い換えれば、周辺構造7Mの材料は、ショットキー電極5aの材料、または、電極パッド5bの材料であってよい。あるいは、周辺構造7Mの材料は表面電極5の材料と同じであってよい。言い換えれば、周辺構造7Mの材料は、ショットキー電極5aの材料と電極パッド5bの材料との積層材料であってよい。言い換えれば、周辺構造7Mは、表面電極5が有する積層構造と同じ積層構造を有していてよい。
図11は、SBD300の変形例としてのSBD301を示す部分断面図である。SBD301においては、終端ウェル領域2は、エピタキシャル基板30の表面S2において、低濃度部分2a(第1の部分)と、低濃度部分2aの不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度部分2b(第2の部分)とを含む。高濃度部分2bは、図示されているように、低濃度部分2aによってドリフト層1から隔てられていてもよい。あるいは、高濃度部分2bは、深さ方向においてドリフト層1に達していてもよい。言い換えれば、高濃度部分2bが低濃度部分2aより深くてもよい。ショットキー電極5aは、高濃度部分2bに接続していてもよく、していなくてもよい。高濃度部分2bは、互いに離れた複数の部分から構成されていてもよい。周辺構造7Mの外周端(図中、右端)は、高濃度部分2bの外周端(図中右端)よりも内周側に位置していることが好ましい。
次に、本実施の形態3のSBD300の製造方法の例について説明する。なお、単結晶基板31と、ドリフト層1と、終端ウェル領域2とを有するエピタキシャル基板30を形成する工程までは、前述した実施の形態1と同様であるため、その説明を省略する。なお、変形例のSBD301(図11)を製造する場合は、低濃度部分2aのためのフォトリソグラフィー工程およびイオン注入と、高濃度部分2bのためのフォトリソグラフィー工程およびイオン注入とが行われればよい。
次に、SBD300(図10)の動作について、以下に説明する。なお、実施の形態1においてSBD100について説明した「オン状態」および「オフ状態」に関する基本的な動作は、本実施の形態のSBD300についても同じであるため、その説明を省略する。
本実施の形態3によれば、表面電極5の外周側において周辺構造7Mが設けられている。これにより、実施の形態1とほぼ同様の理由で、表面電極5の外周端からドリフト層1の外周側に向かって生じるフィールド絶縁膜3からの表面保護膜6の剥がれを、周辺構造7Mにより止めることができる。よって、周辺構造7Mから外側において、表面保護膜6による絶縁保護が維持される。よって、SBD300の絶縁信頼性を高めることができる。
<構成>
図12は、本実施の形態4におけるSBD400(半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。SBD400は、実施の形態2とほぼ同様のフィールド絶縁膜3を有している。これ以外の構成については、上述した実施の形態3(図10)の構成とほぼ同じである。よって本実施の形態においては、エピタキシャル基板30の外側領域RO上に周辺構造7Mがフィールド絶縁膜3を介して配置されている。また、周辺構造7Mは、最大空乏層MDL(図3)が表面S2に達している領域から、面内方向(図中、横方向)において離されていることが好ましい。
図13は、SBD400の第1の変形例としてのSBD401を示す部分断面図である。SBD401においては、SBD301(図11:実施の形態3の変形例)と同様に、終端ウェル領域2は、低濃度部分2aと、高濃度部分2bとを含む。周辺構造7Mの外周端(図中、右端)は、高濃度部分2bの外周端(図中、右端)よりも内周側(図中、左側)に位置している。ショットキー電極5aは、高濃度部分2bに接続していてもよく、していなくてもよい。
次に、本実施の形態4のSBD400の製造方法の例について説明する。
次に、SBD400(図12)の動作について、以下に説明する。なお、実施の形態1においてSBD100について説明した「オン状態」および「オフ状態」に関する基本的な動作は、本実施の形態のSBD400についても同じであるため、その説明を省略する。
本実施の形態4によれば、表面電極5の外周側において周辺構造7Mが設けられている。これにより、実施の形態1とほぼ同様の理由で、表面電極5の外周端からドリフト層1の外周側に向かって生じるフィールド絶縁膜3からの表面保護膜6の剥がれを、周辺構造7Mにより止めることができる。よって、周辺構造7Mから外側において、表面保護膜6による絶縁保護が維持される。よって、SBD400の絶縁信頼性を高めることができる。
<構成>
図15は、本実施の形態5におけるMOSFET500(半導体装置)の構成を、図16の線XV-XVに沿って概略的に示す部分断面図である。図16は、MOSFET500の構成を概略的に示す上面図である。図17は、図15の構成に含まれるユニットセルUCの構成を概略的に示す部分断面図である。なお図15において、右側がMOSFET500の終端側であり、左側がオン状態において主電流が流れる活性領域側である。
第1の変形例として、本実施の形態5へ耐湿絶縁膜15(図4:実施の形態1の変形例)が適用されてよい。本実施の形態への適用においては、耐湿絶縁膜15は、表面電極50(ソース電極51およびゲート配線電極52)の外周端の上と、層間絶縁膜14の上と、周辺構造7の上と、フィールド絶縁膜3の上とに配置される。第2の変形例として、周辺構造7が、外側部分7oと、内側部分7iとを有していてよい(図5:実施の形態1の変形例を参照)。第3の変形例として、図6(実施の形態1の変形例)に示された形状を有する周辺構造7が適用されてもよく、その場合、表面電極50が平面視で曲率を有するコーナー部の近傍においては連通領域を設けないことが好ましい。これら他の変形例によれは、これらが実施の形態1へ適用された場合とほぼ同様の効果が得られる。
次に、本実施の形態5のMOSFET500の製造方法の例について、以下に説明する。
次に、MOSFET500(図15)の動作について、2つの状態に分けて、以下に説明する。
表面保護膜6は、周辺構造7の材料と異なる材料からなる。これにより、表面保護膜6の材料として、外部環境からの影響によって生じる応力を緩和する能力に優れた材料が適宜選択され得る。一方、周辺構造7の材料は、表面保護膜6の材料と異なってよいので、エピタキシャル基板30からの周辺構造7の剥離を生じにくくすることを優先して選択し得る。ここで、周辺構造7が表面保護膜6に食い込んでいるので、周辺構造7からの表面保護膜6の剥離は生じにくい。よって、表面電極50の外周端近傍において表面保護膜6が剥離し始めたとしても、この剥離が周辺構造7近傍を超えて外側へ伸展することが防止される。よって、周辺構造7から外側において、表面保護膜6による絶縁保護が維持される。よって、MOSFET500の絶縁信頼性を高めることができる。
<構成>
図18は、本実施の形態6におけるMOSFET600(半導体装置)の構成を概略的に示す部分断面図である。MOSFET600は、絶縁材料からなる周辺構造7(図15:実施の形態5)に代わって、導電性を有する材料からなる周辺構造7Mを有している。周辺構造7Mの材料は、前述した実施の形態3において説明された材料であってよい。また周辺構造7Mの配置は周辺構造7の配置と同様であってよい。
図19は、MOSFET600の変形例としてのMOSFET601を示す部分断面図である。MOSFET601においては、フィールド絶縁膜3は、周辺構造7Mによって食い込まれた外側開口部3oを有している。本変形例においては、終端ウェル領域20の境界部分21の高濃度部分21bと、周辺構造7Mとが、電気的に接続されている。本変形例によれば、SBD402(図14:実施の形態4の変形例)の場合と同様の理由で、表面保護膜6の剥離が周辺構造7M近傍を超えて外側へ伸展することが、より確実に防止される。
次に、本実施の形態6のMOSFET600の製造方法の例について、以下に説明する。なお、ゲート電極13を形成する工程までは、前述した実施の形態5と同様であるため、その説明を省略する。
次に、MOSFET600(図18)の動作について、以下に説明する。なお、実施の形態5のMOSFET500について説明した「オン状態」および「オフ状態」に関する基本的な動作は、本実施の形態のMOSFET600についても同じであるため、その説明を省略する。
本実施の形態6によれば、表面電極50の外周側において周辺構造7Mが設けられている。これにより、実施の形態5とほぼ同様の理由で、表面電極50の外周端からドリフト層1の外周側に向かって生じる表面保護膜6の剥がれを、周辺構造7Mにより止めることができる。よって、周辺構造7Mから外側において、表面保護膜6による絶縁保護が維持される。よって、MOSFET600の絶縁信頼性を高めることができる。
本実施の形態は、上述した実施の形態1から6に係る半導体装置を電力変換装置に適用したものである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態7として、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
Claims (17)
- 半導体装置であって、
第1の面と、前記第1の面の反対であって内側領域と前記内側領域の外側の外側領域とを有する第2の面と、を有する半導体基板を備え、前記半導体基板は、
第1の導電型を有するドリフト層と、
前記第1の導電型と異なる第2の導電型を有し、前記第2の面上において前記内側領域と前記外側領域との間から前記外側領域の方へ延びる部分を有する終端ウェル領域と、
を含み、前記半導体装置はさらに、
前記半導体基板の前記第1の面上に設けられた第1の電極と、
前記半導体基板の前記内側領域の少なくとも一部の上に設けられ、前記終端ウェル領域へ電気的に接続され、前記内側領域と前記外側領域との境界上に位置する縁を有する第2の電極と、
前記第2の電極から離れて前記半導体基板の前記外側領域の一部の上に設けられた周辺構造と、
前記第2の電極の前記縁を覆い、前記半導体基板の前記外側領域を少なくとも部分的に覆い、前記周辺構造によって食い込まれ、前記周辺構造の材料と異なる絶縁材料からなる表面保護膜と、
を備え、前記周辺構造の外周端が前記終端ウェル領域の外周端よりも内周側に位置していることを特徴とする、半導体装置。 - 前記周辺構造が、導電性を有する材料からなることを特徴とした、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置へ最大電圧が印加されたときに前記ドリフト層と前記終端ウェル領域との境界から延びることになる空乏層を最大空乏層と定義し、
前記周辺構造は前記最大空乏層から離されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記終端ウェル領域は前記半導体基板の前記第2の面において、第1の部分と、前記第1の部分の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第2の部分とを含み、
前記周辺構造の外周端が前記終端ウェル領域の前記第2の部分の外周端よりも内周側に位置していることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2の電極と前記周辺構造との間の距離が、前記第2の電極および前記周辺構造の少なくともいずれかの厚み以下であることを特徴とした、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記周辺構造が、外側部分と、前記外側部分から離れて前記外側部分と前記第2の電極との間に位置する内側部分とを有しており、前記表面保護膜が前記内側部分と前記外側部分との間とに食い込んでいることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記周辺構造が、第1の部分と、前記第1の部分から離れた第2の部分とを有しており、前記表面保護膜が、前記第2の電極と前記周辺構造の前記第1の部分との間と、前記第2の電極と前記周辺構造の前記第2の部分との間と、前記周辺構造の前記第1の部分と前記周辺構造の前記第2の部分との間とに食い込んでいることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記周辺構造の前記第1の部分と、前記周辺構造の前記第2の部分との間の距離が、前記周辺構造の厚み以下であることを特徴とする、請求項7に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板の前記第2の面の前記外側領域上に配置された部分を有するフィールド絶縁膜をさらに備え、前記第2の電極の前記縁は前記フィールド絶縁膜を介して前記半導体基板の前記第2の面上に位置しており、前記周辺構造が前記フィールド絶縁膜上に位置していることを特徴とする、請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記フィールド絶縁膜が、少なくとも1つの前記第2の電極と前記周辺構造との間において、前記表面保護膜によって食い込まれた内側開口部を有していることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記フィールド絶縁膜の前記内側開口部の幅が前記フィールド絶縁膜の厚み以下であることを特徴とする、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記フィールド絶縁膜が、前記周辺構造によって食い込まれた外側開口部を有していることを特徴とする、請求項9から11のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記フィールド絶縁膜の前記外側開口部の幅が前記フィールド絶縁膜の厚み以下であることを特徴とする、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記第2の電極は、
前記終端ウェル領域へ電気的に接続された主電極部と、
前記主電極部と前記第1の電極との間の電気的経路を制御するための制御信号を受けるための、前記主電極部から離れた制御配線電極部と、
を含む、請求項1から13のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2の電極と前記表面保護膜との間に、前記表面保護膜の材料とは異なる材料からなる耐湿絶縁膜をさらに備えた、請求項1から14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板が炭化珪素からなることを特徴とする、請求項1から15のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1から16のいずれか1項に記載の半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記半導体装置を駆動する駆動信号を前記半導体装置に出力する駆動回路と、
前記駆動回路を制御する制御信号を前記駆動回路に出力する制御回路と、
を備えた、電力変換装置。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230369392A1 (en) * | 2020-11-27 | 2023-11-16 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7487094B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-05-20 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
CN113257888A (zh) | 2021-03-31 | 2021-08-13 | 华为技术有限公司 | 一种功率半导体器件、封装结构及电子设备 |
WO2023007650A1 (ja) * | 2021-07-29 | 2023-02-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003158258A (ja) | 2001-11-26 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | フィールドプレートを備えた半導体装置 |
WO2015166608A1 (ja) | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
WO2016162987A1 (ja) | 2015-04-08 | 2016-10-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および半導体モジュール |
WO2016166808A1 (ja) | 2015-04-14 | 2016-10-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2017168669A (ja) | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
WO2018084020A1 (ja) | 2016-11-01 | 2018-05-11 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
JP2018093177A (ja) | 2016-11-25 | 2018-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0478539A (ja) | 1990-07-21 | 1992-03-12 | Fuji Xerox Co Ltd | サーマルインクジェットヘッド |
JP4537702B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-09-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009224642A (ja) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Denso Corp | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
DE112011103926B4 (de) * | 2010-11-25 | 2018-03-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
JP5810522B2 (ja) * | 2010-12-14 | 2015-11-11 | 日産自動車株式会社 | 異種材料接合型ダイオード及びその製造方法 |
JP5928101B2 (ja) | 2012-03-30 | 2016-06-01 | 富士電機株式会社 | SiC半導体デバイスの製造方法 |
US9425153B2 (en) * | 2013-04-04 | 2016-08-23 | Monolith Semiconductor Inc. | Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same |
US10109549B2 (en) * | 2014-12-24 | 2018-10-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and power conversion device using same |
JP6416934B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-10-31 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法、並びに半導体モジュール |
US9922944B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-03-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
CN105448961B (zh) * | 2015-11-17 | 2019-05-21 | 深圳尚阳通科技有限公司 | 超结器件的终端保护结构 |
US10546780B2 (en) * | 2016-09-07 | 2020-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for scribe seal structures |
US9985125B1 (en) * | 2016-11-25 | 2018-05-29 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
JP6551432B2 (ja) * | 2017-02-08 | 2019-07-31 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
-
2018
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003158258A (ja) | 2001-11-26 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | フィールドプレートを備えた半導体装置 |
WO2015166608A1 (ja) | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
WO2016162987A1 (ja) | 2015-04-08 | 2016-10-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置および半導体モジュール |
WO2016166808A1 (ja) | 2015-04-14 | 2016-10-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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