JP7262672B2 - 半導体装置および電力変換装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 137
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 62
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 114
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 84
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 43
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 139
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 104
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 description 41
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 11
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- -1 hydroxide ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical class [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N [[(2r,3s,4r,5r)-5-(6-aminopurin-9-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [(2r,3s,4r,5r)-5-(4-carbamoyl-1,3-thiazol-2-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methyl hydrogen phosphate Chemical compound NC(=O)C1=CSC([C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](COP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@@H](O3)N3C4=NC=NC(N)=C4N=C3)O)O2)O)=N1 INQLNSVYIFCUML-QZTLEVGFSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
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- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41775—Source or drain electrodes for field effect devices characterised by the proximity or the relative position of the source or drain electrode and the gate electrode, e.g. the source or drain electrode separated from the gate electrode by side-walls or spreading around or above the gate electrode
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
- H01L21/048—Making electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Description
以下、本実施の形態に関する半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。
図1は、本実施の形態に関する半導体装置であるMOSFET100の構成の例を示す断面図である。また、図2は、MOSFET100の平面図である。図2のA-A’線に沿う断面が図1に相当する。また、図3は、図1に示される活性領域である内側領域RIに形成される、MOSFET100の最小単位構造であるユニットセルUCの構成の例を示す断面図である。MOSFET100の内側領域RIには、図3に示されるユニットセルUCが複数配列されている。図1の左端に示されている構造は、内側領域RIにおける最外周のユニットセルUCである。
図1および図2に例が示された本実施の形態に関するMOSFET100の動作について、2つの状態に分けて以下説明する。
次に、本実施の形態に関する半導体装置としてのMOSFET100の製造方法について説明する。
本実施の形態に関する半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図7は、本実施の形態に関する半導体装置であるMOSFET200の構成の例を示す平面図である。また、図8は、MOSFET200の断面図である。図8は、図7のB-B’線に沿う断面に相当する。
次に、本実施の形態に関するMOSFET200の動作について説明する。
次に、本実施の形態に関する半導体装置としてのMOSFET200の製造方法について説明する。
本実施の形態に関する半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図9は、本実施の形態に関する半導体装置であるMOSFET300の構成の例を示す平面図である。また、図10は、MOSFET300の断面図である。図10は、図9のC-C’線に沿う断面に相当する。
次に、本実施の形態に関するMOSFET300の動作について説明する。
次に、本実施の形態に関する半導体装置としてのMOSFET300の製造方法について説明する。
本実施の形態に関する半導体装置および半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図11は、本実施の形態に関する半導体装置であるMOSFET400の構成の例を示す平面図である。また、図12は、MOSFET400の断面図である。図12は、図11のD-D’線に沿う断面に相当する。
次に、本実施の形態に関するMOSFET400の動作について説明する。
次に、本実施の形態に関する半導体装置としてのMOSFET400の製造方法について説明する。
本実施の形態に関する電力変換装置、および、電力変換装置の製造方法について説明する。以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
本実施の形態は、以上に記載された実施の形態に関する半導体装置を電力変換装置に適用するものである。適用する電力変換装置は特定の用途のものに限定されるものではないが、以下では、三相のインバータに適用する場合について説明する。
次に、本実施の形態に関する電力変換装置の製造方法を説明する。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
Claims (15)
- 第1の導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上面の表層に形成される第2の導電型の第1のウェル領域と、
前記第1のウェル領域の表層に形成される第1の導電型のソース領域と、
前記ソース領域と前記ドリフト層とに挟まれる前記第1のウェル領域に接触して形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接触して形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記ドリフト層の前記上面において露出する前記ソース領域、および、前記層間絶縁膜を覆うソース電極と、
前記ドリフト層の下面側に形成される裏面電極と、
前記ドリフト層の前記上面の前記表層に形成され、かつ、平面視において前記第1のウェル領域を囲む第2の導電型の第2のウェル領域と、
前記第2のウェル領域を部分的に覆うフィールド絶縁膜とを備え、
前記ゲート電極は、前記フィールド絶縁膜の上面まで延びて形成され、
前記層間絶縁膜は、前記フィールド絶縁膜の前記上面における前記ゲート電極を部分的に覆い、
前記フィールド絶縁膜と平面視において重なり、前記ソース電極とは離間し、かつ、前記層間絶縁膜と前記層間絶縁膜から露出する前記ゲート電極とを覆うゲート部をさらに備え、
平面視において、前記第1のウェル領域から離れる方向の端部を外側端部とし、
前記ゲート電極の前記外側端部は、前記ゲート部の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から遠く、かつ、前記第2のウェル領域の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から近く、
前記フィールド絶縁膜の前記上面まで延びて形成される前記ゲート電極には、前記ゲート部の下部で開口が形成される、
半導体装置。 - 第1の導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上面の表層に形成される第2の導電型の第1のウェル領域と、
前記第1のウェル領域の表層に形成される第1の導電型のソース領域と、
前記ソース領域と前記ドリフト層とに挟まれる前記第1のウェル領域に接触して形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接触して形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記ドリフト層の前記上面において露出する前記ソース領域、および、前記層間絶縁膜を覆うソース電極と、
前記ドリフト層の下面側に形成される裏面電極と、
前記ドリフト層の前記上面の前記表層に形成され、かつ、平面視において前記第1のウェル領域を囲む第2の導電型の第2のウェル領域と、
前記第2のウェル領域を部分的に覆うフィールド絶縁膜とを備え、
前記ゲート電極は、前記フィールド絶縁膜の上面まで延びて形成され、
前記層間絶縁膜は、前記フィールド絶縁膜の前記上面における前記ゲート電極を部分的に覆い、
前記フィールド絶縁膜と平面視において重なり、前記ソース電極とは離間し、かつ、前記層間絶縁膜と前記層間絶縁膜から露出する前記ゲート電極とを覆うゲート部をさらに備え、
平面視において、前記第1のウェル領域から離れる方向の端部を外側端部とし、
前記ゲート電極の前記外側端部は、前記ゲート部の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から遠く、かつ、前記第2のウェル領域の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から近く、
前記層間絶縁膜は、前記ゲート部の最外周の位置の前記ゲート電極を露出させつつ、前記ゲート電極を部分的に覆い、
前記ゲート部は、前記ゲート部の最外周の位置で前記層間絶縁膜から露出する前記ゲート電極と少なくとも接続される、
半導体装置。 - 請求項1または2に記載の半導体装置であり、
前記ゲート部は、
ゲートパッドと、
前記ゲートパッドと接続されるゲート配線とを備える、
半導体装置。 - 請求項3に記載の半導体装置であり、
前記ゲート配線は、平面視において前記ソース電極を囲んで設けられる、
半導体装置。 - 第1の導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上面の表層に形成される第2の導電型の第1のウェル領域と、
前記第1のウェル領域の表層に形成される第1の導電型のソース領域と、
前記ソース領域と前記ドリフト層とに挟まれる前記第1のウェル領域に接触して形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接触して形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記ドリフト層の前記上面において露出する前記ソース領域、および、前記層間絶縁膜を覆うソース電極と、
前記ドリフト層の下面側に形成される裏面電極と、
前記ドリフト層の前記上面の前記表層に形成され、かつ、平面視において前記第1のウェル領域を囲む第2の導電型の第2のウェル領域と、
前記第2のウェル領域を部分的に覆うフィールド絶縁膜とを備え、
前記ゲート電極は、前記フィールド絶縁膜の上面まで延びて形成され、
前記層間絶縁膜は、前記フィールド絶縁膜の前記上面における前記ゲート電極を部分的に覆い、
前記フィールド絶縁膜と平面視において重なり、前記ソース電極とは離間し、かつ、前記層間絶縁膜と前記層間絶縁膜から露出する前記ゲート電極とを覆うゲート部をさらに備え、
平面視において、前記第1のウェル領域から離れる方向の端部を外側端部とし、
前記ゲート電極の前記外側端部は、前記ゲート部の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から遠く、かつ、前記第2のウェル領域の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から近く、
前記ゲート部は、
ゲートパッドと、
前記ゲートパッドとは離間するゲート配線とを備える、
半導体装置。 - 請求項5に記載の半導体装置であり、
前記ゲート配線は、平面視において前記ソース電極を囲んで設けられる、
半導体装置。 - 請求項5または6に記載の半導体装置であり、
前記フィールド絶縁膜の前記上面まで延びて形成される前記ゲート電極には、平面視において前記ゲートパッドおよび前記ゲート配線とは重ならない領域の一部に開口が形成される、
半導体装置。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記フィールド絶縁膜の前記上面まで延びて形成される前記ゲート電極の前記外側端部は、前記第1のウェル領域を囲む全周において、前記ゲート部の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から遠く、かつ、前記第2のウェル領域の前記外側端部よりも前記第1のウェル領域から近い、
半導体装置。 - 請求項1から8のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記ドリフト層は、炭化珪素を含む、
半導体装置。 - 請求項1から9のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記フィールド絶縁膜の膜厚は、前記ゲート絶縁膜の膜厚よりも厚い、
半導体装置。 - 請求項1から10のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記ソース電極および前記ゲート部は、Al、Cu、Mo、NiおよびTiのうちの少なくとも1つを含む金属、または、Al合金を材料とする、
半導体装置。 - 請求項1から11のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記層間絶縁膜は、ホウ素またはリンの元素組成を有する、
半導体装置。 - 請求項1から12のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記第2のウェル領域の単位面積当たりの不純物濃度は、2×1013cm-2以上である、
半導体装置。 - 請求項1から13のうちのいずれか1つに記載の半導体装置であり、
前記ドリフト層の前記上面の前記表層に形成され、かつ、平面視において前記第2のウェル領域を囲む第2の導電型の第3のウェル領域をさらに備え、
前記第3のウェル領域の不純物濃度は、前記第2のウェル領域の不純物濃度以下である、
半導体装置。 - 請求項1から請求項14のうちのいずれか1項に記載の半導体装置を有し、かつ、入力される電力を変換して出力する変換回路と、
前記半導体装置を駆動するための駆動信号を前記半導体装置に出力する駆動回路と、
前記駆動回路を制御するための制御信号を前記駆動回路に出力する制御回路とを備える、
電力変換装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020097541 | 2020-06-04 | ||
JP2020097541 | 2020-06-04 | ||
PCT/JP2021/005821 WO2021245992A1 (ja) | 2020-06-04 | 2021-02-17 | 半導体装置および電力変換装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2021245992A1 JPWO2021245992A1 (ja) | 2021-12-09 |
JPWO2021245992A5 JPWO2021245992A5 (ja) | 2022-07-27 |
JP7262672B2 true JP7262672B2 (ja) | 2023-04-21 |
Family
ID=78830780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022528430A Active JP7262672B2 (ja) | 2020-06-04 | 2021-02-17 | 半導体装置および電力変換装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230253492A1 (ja) |
JP (1) | JP7262672B2 (ja) |
CN (1) | CN115699329A (ja) |
DE (1) | DE112021003165T5 (ja) |
WO (1) | WO2021245992A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003017698A (ja) | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2017011007A (ja) | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
WO2019124384A1 (ja) | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085188A (ja) | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型半導体装置 |
-
2021
- 2021-02-17 CN CN202180038495.5A patent/CN115699329A/zh active Pending
- 2021-02-17 JP JP2022528430A patent/JP7262672B2/ja active Active
- 2021-02-17 DE DE112021003165.1T patent/DE112021003165T5/de active Pending
- 2021-02-17 US US17/918,117 patent/US20230253492A1/en active Pending
- 2021-02-17 WO PCT/JP2021/005821 patent/WO2021245992A1/ja active Application Filing
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WO2011045834A1 (ja) | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP2013026563A (ja) | 2011-07-25 | 2013-02-04 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置 |
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JP2017011007A (ja) | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
WO2019124384A1 (ja) | 2017-12-19 | 2019-06-27 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021245992A1 (ja) | 2021-12-09 |
JPWO2021245992A1 (ja) | 2021-12-09 |
CN115699329A (zh) | 2023-02-03 |
DE112021003165T5 (de) | 2023-04-13 |
US20230253492A1 (en) | 2023-08-10 |
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