JPWO2021192040A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114661649B (zh) * 2022-04-12 2024-12-06 湖南国科微电子股份有限公司 一种偏置电路

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002328732A (ja) * 2001-05-07 2002-11-15 Texas Instr Japan Ltd 基準電圧発生回路
JP4374254B2 (ja) * 2004-01-27 2009-12-02 Okiセミコンダクタ株式会社 バイアス電圧発生回路
EP1812842A2 (en) 2004-11-11 2007-08-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. All npn-transistor ptat current source
JP2008197994A (ja) * 2007-02-14 2008-08-28 Oki Electric Ind Co Ltd 起動回路
TW200903213A (en) * 2007-07-02 2009-01-16 Beyond Innovation Tech Co Ltd Bias supply, start-up circuit, and start-up method for bias circuit
JP2009093483A (ja) * 2007-10-10 2009-04-30 Kobe Univ 温度補償バイアス回路
JP5202980B2 (ja) * 2008-02-13 2013-06-05 セイコーインスツル株式会社 定電流回路
JP5219876B2 (ja) * 2009-02-13 2013-06-26 新日本無線株式会社 バイアス電流発生回路
US8669808B2 (en) * 2009-09-14 2014-03-11 Mediatek Inc. Bias circuit and phase-locked loop circuit using the same
JP5411029B2 (ja) * 2010-03-11 2014-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 基準電流生成回路
US8400219B2 (en) * 2011-03-24 2013-03-19 Suvolta, Inc. Analog circuits having improved transistors, and methods therefor
JP2012252508A (ja) * 2011-06-02 2012-12-20 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体集積回路
JP5762205B2 (ja) * 2011-08-04 2015-08-12 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体集積回路
CN104898760B (zh) * 2015-04-30 2016-08-17 中国电子科技集团公司第三十八研究所 适用于低电压环境的电流镜电路
JP6782614B2 (ja) * 2016-11-21 2020-11-11 ラピスセミコンダクタ株式会社 出力回路及び液晶表示装置のデータドライバ
US10033364B1 (en) * 2017-05-31 2018-07-24 Silicon Laboratories Inc. Low power compact peak detector with improved accuracy

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