JP5411029B2 - 基準電流生成回路 - Google Patents
基準電流生成回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5411029B2 JP5411029B2 JP2010054211A JP2010054211A JP5411029B2 JP 5411029 B2 JP5411029 B2 JP 5411029B2 JP 2010054211 A JP2010054211 A JP 2010054211A JP 2010054211 A JP2010054211 A JP 2010054211A JP 5411029 B2 JP5411029 B2 JP 5411029B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- current
- gate
- current mirror
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
I1=I2=I3=I4 …(5)
V3=VD11+I3・R12=I4・R13 …(6)
を得る。ここで、ダイオードD11の順方向電圧をVD11と表している。
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る基準電流生成回路の構成を示す回路図である。第1の実施の形態に係る基準電流生成回路X2は、NチャネルMOSトランジスタM21〜M22と、PチャネルMOSトランジスタM23〜M26と、抵抗R21〜R22と、定電流源IIと、出力ノードCM1〜CM2と、電源電圧VDD、GNDとを具備する。全てのMOSトランジスタは、エンハンスメント(ノーマリーオン)型である。
本発明の第2の実施の形態に係る基準電流生成回路X3の構成が図3に示される。基準電流生成回路X3では、第1の実施の形態に係る基準電流生成回路X2のトランジスタM22、M24、抵抗R21、定電流源IIは、トランジスタM31〜M33、抵抗R31、キャパシタC31で置き換えられ、その他は同じである。基準電流生成回路X3において、トランジスタM31は、NチャネルMOSトランジスタであり、トランジスタM32〜M33は、PチャネルMOSトランジスタである。全てのMOSトランジスタは、エンハンスメント(ノーマリーオン)型である。
経路R22→M23→M21:
I5・R22+VDS23min+VGS31min …(31)
経路M33→R31:
VDS33min+VGS21min …(32)
経路M32→M31:
VGS32min+VDS31min …(33)
経路R22→M23→M21:
I5・R22+VDS23min+VGS22min+VGS21min …(35)
経路M24→M22→R21:
VDS24min+VDS22min+VGS21min …(36)
本発明の第3の実施の形態に係る基準電流生成回路X4の構成が図4に示される。基準電流生成回路X4では、第2の実施の形態に係る基準電流生成回路X3に、抵抗R41、キャパシタC41が追加され、その他の部分は同じである。ノードN1は、トランジスタM21、M23、M26のドレインが共通に接続される節点である。
M21、M22、M31 (NチャネルMOS)トランジスタ
M13、M14、M15 (PチャネルMOS)トランジスタ
M23、M24、M25、M26、M32、M33 (PチャネルMOS)トランジスタ
R11、R12、R13 抵抗
R21、R22、R31、R41 抵抗
C31、C41 キャパシタ
D11 ダイオード
CM1、CM2 出力ノード
II 定電流源
X1、X2、X3、X4 基準電流生成回路
Claims (8)
- 入力側トランジスタである第1極性の第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲートに制御電圧を印加する第1抵抗とを備える第1カレントミラー回路と、
入力側トランジスタである前記第1極性と相補の第2極性の第2トランジスタを備える第2カレントミラー回路と
を具備し、
前記第1カレントミラー回路の出力ノードは、前記第2カレントミラー回路の入力ノードに接続され、
前記第1カレントミラー回路の入力ノードは、前記第2カレントミラー回路の出力ノードに接続され、
前記第1トランジスタのゲートに印加される制御電圧を第1出力とし、
前記第2トランジスタのゲートに印加される制御電圧を第2出力とし、
前記第1カレントミラー回路は、出力側トランジスタとして前記第1極性の第3トランジスタをさらに備え、前記第3トランジスタのゲートは前記第1トランジスタのドレインに接続され、前記第3トランジスタのドレインは前記第1カレントミラー回路の出力ノードに接続され、
前記第2カレントミラー回路は、出力側トランジスタとして前記第2極性の第4トランジスタをさらに備え、前記第4トランジスタのゲートは前記第2トランジスタのドレインに接続され、前記第4トランジスタのドレインは前記第2カレントミラー回路の出力ノードに接続され、
前記第2カレントミラー回路は、ゲートが前記第2トランジスタのゲートに接続される前記第2極性の第5トランジスタをさらに備え、
前記第1抵抗は、前記第5トランジスタのドレインに接続され、前記第3トランジスタに流れる電流に応じた電圧を前記第1トランジスタのゲートに印加する
基準電流生成回路。 - 前記第1抵抗は、前記第3トランジスタのソースに接続され、前記第3トランジスタに流れる電流に応じた電圧を前記第1トランジスタのゲートに印加する
請求項1に記載の基準電流生成回路。 - 前記第2カレントミラー回路は、前記第4トランジスタのソースと電源電圧との間に接続される第2抵抗をさらに備える
請求項1又は2に記載の基準電流生成回路。 - 電源投入時に前記第1カレントミラー回路の入力ノードに電流を供給し、前記第1カレントミラー回路が動作を開始した後に、供給を停止する起動回路をさらに具備する
請求項1から請求項3のいずれかに記載の基準電流生成回路。 - 前記起動回路は、
電源投入時にオン状態になって前記第1カレントミラー回路の入力ノードに電流を供給する第6トランジスタと、
前記第1カレントミラー回路が動作を開始した後に、前記第6トランジスタをオフ状態にする第7トランジスタと
を備え、
前記起動回路は、前記第1電源電圧と、前記第6トランジスタのドレインとの間に直列に接続される第3抵抗と第2キャパシタとを含む位相補償回路をさらに備える
請求項4に記載の基準電流生成回路。 - 前記第6トランジスタのソースは第1電源電圧に接続され、前記第6トランジスタのドレインは前記第1カレントミラー回路の入力ノードに接続され、
前記第7トランジスタのソースは第1電源電圧に接続され、前記第7トランジスタのドレインは前記第6トランジスタのゲートに接続され、前記第7トランジスタのゲートは前記第2カレントミラー回路の入力ノードに接続される
請求項5に記載の基準電流生成回路。 - 前記起動回路は、前記第6トランジスタのゲートと第2電源電圧との間に接続される第1キャパシタを備え、
前記第1カレントミラー回路が動作を開始したとき、前記第7トランジスタは、前記第1キャパシタを充電して前記第6トランジスタをオフ状態にする
請求項6に記載の基準電流生成回路。 - 前記起動回路は、前記第6トランジスタのゲートと第2電源電圧との間に接続される定電流源を備え、
前記第1カレントミラー回路が動作を開始したとき、前記第7トランジスタは、前記定電流源が流す定電流より大きな電流を流す能力を有する
請求項6に記載の基準電流生成回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010054211A JP5411029B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 基準電流生成回路 |
US13/044,316 US8441312B2 (en) | 2010-03-11 | 2011-03-09 | Reference current generating circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010054211A JP5411029B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 基準電流生成回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011186987A JP2011186987A (ja) | 2011-09-22 |
JP5411029B2 true JP5411029B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=44559402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010054211A Expired - Fee Related JP5411029B2 (ja) | 2010-03-11 | 2010-03-11 | 基準電流生成回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8441312B2 (ja) |
JP (1) | JP5411029B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101950839B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2019-02-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전류 기준 회로 |
TWI646658B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-01-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
CN106444953B (zh) * | 2016-12-26 | 2018-01-23 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 低温漂精密电流产生电路 |
CN111142606A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-12 | 深圳市芯天下技术有限公司 | 一种电流源启动电路 |
CN115298634B (zh) * | 2020-03-24 | 2023-10-31 | 三菱电机株式会社 | 偏置电路、传感器设备以及无线传感器设备 |
CN114690824B (zh) * | 2020-12-25 | 2024-01-30 | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 | 一种温度补偿电压调节器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0290306A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-03-29 | Texas Instr Inc <Ti> | 温度に無関係な電流基準回路 |
US5481179A (en) * | 1993-10-14 | 1996-01-02 | Micron Technology, Inc. | Voltage reference circuit with a common gate output stage |
US6107868A (en) * | 1998-08-11 | 2000-08-22 | Analog Devices, Inc. | Temperature, supply and process-insensitive CMOS reference structures |
JP3373179B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2003-02-04 | 沖電気工業株式会社 | 半導体集積回路 |
JP2001142552A (ja) | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 温度補償型定電流回路 |
JP4669105B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2011-04-13 | 新日本無線株式会社 | 基準電流源回路 |
KR100344222B1 (ko) * | 2000-09-30 | 2002-07-20 | 삼성전자 주식회사 | 능동저항소자를 사용한 기준전압 발생회로 |
JP2002124637A (ja) * | 2000-10-18 | 2002-04-26 | Oki Micro Design Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP2002149250A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Denso Corp | 定電流回路 |
US6737909B2 (en) * | 2001-11-26 | 2004-05-18 | Intel Corporation | Integrated circuit current reference |
JP3811141B2 (ja) * | 2003-06-06 | 2006-08-16 | 東光株式会社 | 出力可変型定電流源回路 |
KR100558046B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-03-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도에 둔감한 포화전류를 갖는 모스트랜지스터 및 그를이용한 정전압 발생기 |
DE102006043452A1 (de) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Referenzstromquelle |
TW200715092A (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-16 | Denmos Technology Inc | Current bias circuit and current bias start-up circuit thereof |
JP4906093B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8188785B2 (en) * | 2010-02-04 | 2012-05-29 | Semiconductor Components Industries, Llc | Mixed-mode circuits and methods of producing a reference current and a reference voltage |
-
2010
- 2010-03-11 JP JP2010054211A patent/JP5411029B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-09 US US13/044,316 patent/US8441312B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8441312B2 (en) | 2013-05-14 |
US20110221517A1 (en) | 2011-09-15 |
JP2011186987A (ja) | 2011-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5411029B2 (ja) | 基準電流生成回路 | |
US8614570B2 (en) | Reference current source circuit including added bias voltage generator circuit | |
US8358119B2 (en) | Current reference circuit utilizing a current replication circuit | |
JP5475598B2 (ja) | 基準電流発生回路 | |
JP6632400B2 (ja) | 電圧電流変換回路及びこれを備えたスイッチングレギュレータ | |
KR20080019540A (ko) | 정전류회로 | |
JP2009059149A (ja) | 基準電圧回路 | |
CN105099368B (zh) | 振荡电路、电流生成电路以及振荡方法 | |
US20120319793A1 (en) | Oscillation circuit | |
JPH05233084A (ja) | 定電圧発生回路 | |
US9946291B2 (en) | Reference voltage generation circuit and method for driving the same | |
JP2011134347A (ja) | 低消費電力回路 | |
KR101980526B1 (ko) | 기준 전류 발생 회로 및 기준 전압 발생 회로 | |
KR101443178B1 (ko) | 전압제어회로 | |
JP2004015423A (ja) | 定電流発生回路 | |
JP6320047B2 (ja) | 定電圧源回路 | |
CN107783584B (zh) | 和绝对温度成比例的参考电路和电压参考电路 | |
JP2002318626A (ja) | 定電圧回路 | |
KR100825956B1 (ko) | 기준전압 발생기 | |
JP5040397B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
JP2018197975A (ja) | 過電流保護回路 | |
JP5801333B2 (ja) | 電源回路 | |
JP4658838B2 (ja) | 基準電位発生回路 | |
JP6767330B2 (ja) | レギュレータアンプ回路 | |
JP2010108419A (ja) | 基準電圧発生回路およびそれを用いたレギュレータ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120726 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131028 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5411029 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |