JP2002149250A - 定電流回路 - Google Patents

定電流回路

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JP2002149250A
JP2002149250A JP2000346541A JP2000346541A JP2002149250A JP 2002149250 A JP2002149250 A JP 2002149250A JP 2000346541 A JP2000346541 A JP 2000346541A JP 2000346541 A JP2000346541 A JP 2000346541A JP 2002149250 A JP2002149250 A JP 2002149250A
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transistor
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Takahisa Koyasu
貴久 子安
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Denso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 定常動作時における消費電力を低減すること
ができる定電流回路を提供する。 【解決手段】 定電流回路1は、起動回路24と自己バ
イアス回路15と定電流生成回路16とで構成されてい
る。定電流回路1に直流電圧Vが印加されると、電荷
量が減少した状態の蓄電手段たるコンデンサ18により
起動用スイッチング素子たるトランジスタ22がオン
し、起動電流が出力されて定電流生成回路16が起動す
る。この後、制御用スイッチング素子たるトランジスタ
17がオンすると、コンデンサ18に制御電流が流れ込
むことによりコンデンサ18の電荷量が増加してトラン
ジスタ22がオフし、起動電流の出力が停止する。これ
により定常動作時には、起動電流の出力が停止した状態
でトランジスタ25及び28から一定量の出力電流が出
力される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、自己バイアス方式
の定電流回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えば自動車には、エンジン
制御用、トランスミッション制御用、車窓開閉制御用等
の各種電子制御装置(ECU)が搭載されており、これ
らECUは、電子回路基板に電源IC、バックアップ用
RAMを内蔵したCPU、ゲートアレイ及びメモリ等の
電子部品が実装されて構成されている。各ECUは、エ
ンジン駆動時にはエンジン発電方式の電源から電力が供
給されて走行等に必要な各動作の制御が行われ、エンジ
ン停止時にはスタンバイ状態に移行し、バッテリー電源
から電力が供給されて例えば前記バックアップ用RAM
に記憶されたデータを保持するためのバックアップが行
われる。ここで、前記電源及びバッテリー電源を総称し
て外部電源と呼ぶこととする。
【0003】図5は、ECUに内蔵された電源IC12
3を構成する定電流回路100の従来構成を示すもので
ある。この図5において、外部電源の正極及び負極端子
は電源端子101a及び101bに接続され、電源端子
101a及び101bには母線102a及び102bが
接続されている。尚、母線102bは接地されている。
そして、母線102a及び102bには、pnp型バイ
ポーラトランジスタ(以下、単にトランジスタと称す)
103のコレクタとnpn型トランジスタ104のコレ
クタとを接続した直列回路が、トランジスタ103のエ
ミッタを母線102a側とし、トランジスタ104のエ
ミッタを母線102b側とするようにして接続されてい
る。
【0004】また、母線102a及び102b間には、
pnp型トランジスタ105のコレクタとnpn型トラ
ンジスタ106のコレクタとを接続し、トランジスタ1
06のエミッタと抵抗107の一方の端とを接続した直
列回路が、トランジスタ105のエミッタを母線102
a側とするようにして接続されている。そして、トラン
ジスタ103及び105のベースは共通母線108に接
続され、トランジスタ106のベースはトランジスタ1
03及び104の両コレクタ間の共通接続点109に接
続され、トランジスタ104のベースはトランジスタ1
06のエミッタ及び抵抗107の共通接続点110に接
続されている。
【0005】更に、共通母線108及び母線102b間
には、抵抗111の一方の端とpnp型トランジスタ1
12のエミッタとを接続した直列回路が、抵抗111の
もう一方の端を共通母線108側とし、トランジスタ1
12のコレクタを母線102b側とするようにして接続
されている。そして、トランジスタ112のベースはト
ランジスタ105及び106の両コレクタの共通接続点
113に接続されている。このようにしてトランジスタ
104及び106と抵抗107とで自己バイアス回路1
14が構成され、トランジスタ103、105及び11
2と抵抗111とで定電流生成回路115が構成されて
いる。
【0006】また、母線102aには抵抗116の一方
の端が接続され、抵抗116のもう一方の端は共通接続
点109に接続されており、この抵抗116により起動
回路117が構成されている。そして、これら起動回路
117、自己バイアス回路114及び定電流生成回路1
15で定電流回路100が構成されている。
【0007】さて、母線102a及び102b間には、
pnp型トランジスタ118のコレクタと電源回路11
9の図示しない定電流入力端子とを接続した回路が、ト
ランジスタ118のエミッタを母線102a側とし、電
源回路119の図示しない電源電圧出力端子を母線10
2b側とするようにして接続されている。そして、トラ
ンジスタ118のベースは共通母線108に接続されて
いる。また、母線102a及び102b間には、電源回
路120とトランジスタ121とが前記回路と同様にし
て接続されており、図示はしないがその他複数の電源回
路が同様にして接続されている。尚、トランジスタ10
3、105、118及び121は同等の特性になるよう
に形成されており、各ベースが共通母線108に接続さ
れてカレントミラー回路122が構成されている。そし
て、これら定電流回路100、トランジスタ118及び
121、及び、電源回路119及び120で電源IC1
23が構成されており、これら電源回路119及び12
0で生成される電源電圧がCPU124及び125に出
力されるようになっている。
【0008】次に、この定電流回路100の作用につい
て説明する。まず、外部電源がバッテリー電源に切り替
えられてバッテリー電源とECUとが接続されると、バ
ッテリー電源より電源端子101a及び101b間に直
流電圧V(例えば12V)が印加される。すると、抵
抗116及び107間に介在するトランジスタ106の
ベース、エミッタ間には順方向電圧が加えられ、抵抗1
16、トランジスタ106のベース、エミッタ間及び抵
抗107からなる直列回路が導通してこの直列回路に起
動電流が流れ始める。
【0009】自己バイアス回路114では、起動電流が
抵抗107に流れ込むことによって該共通接続点110
の電位が約0.6Vになるとトランジスタ104にベー
ス電流が流れてコレクタ、エミッタ間が導通する。そし
て、該共通接続点110の電位は常に一定(約0.6
V)に保持される。
【0010】また、トランジスタ106のベースにも起
動電流が流れているのでそのコレクタ、エミッタ間が導
通し、共通接続点113の電位は、母線102bの電位
(接地電位)に対して抵抗107の電圧降下分とトラン
ジスタ106のコレクタ、エミッタ間電圧(VCE)分
とを加算した分だけ高い電位となる。これにより、トラ
ンジスタ105及び112のエミッタ、ベース間には順
方向電圧が加えられ、抵抗111を介在させて夫々にベ
ース電流が流れ、エミッタ、コレクタ間が導通してコレ
クタ電流が流れる。このようにしてトランジスタ112
のエミッタ、コレクタ間が導通することにより定電流生
成回路115が起動する。
【0011】このとき、トランジスタ103、105、
118及び121はカレントミラー回路122を構成し
ているので、トランジスタ105に流れるベース電流と
同量のベース電流が他のトランジスタ103、118及
び121にも流れてエミッタ、コレクタ間が導通し、ト
ランジスタ103、118及び121にはトランジスタ
105のコレクタ電流と同量のコレクタ電流が流れるこ
ととなる。そして、トランジスタ103のコレクタ電流
は基準電流として自己バイアス回路114に出力され、
トランジスタ118及び121のコレクタ電流は出力電
流として電源回路119及び120に出力される。電源
回路119及び120では、これらの出力電流に基づい
て電源電圧が生成され、CPU124及び125に出力
される。
【0012】以上のようにして定電流生成回路115か
ら基準電流が出力されると、自己バイアス回路114内
のトランジスタ104のコレクタ、エミッタ間にも基準
電流が流れるようになる。そして、共通接続点110の
電位が常に一定(0.6V付近)に保持されることによ
り、トランジスタ104のベース電流が常に一定量に保
持され、これにより基準電流が常に一定量に保持される
ような帰還ループが形成される。このようにして定電流
回路100は定常動作となり、トランジスタ118及び
121からは常に一定量の出力電流がスタンバイ電流と
して電源回路119及び120に出力され、CPU12
4及び125に電源電圧を印加することによりCPU1
24及び125に内蔵されたバックアップ用RAMに記
憶されたデータのバックアップが行われる。
【0013】このような構成の定電流回路100では、
定電流生成回路115より出力される基準電流が自己バ
イアス回路114にて常に一定量に保持されて自己バイ
アス方式の帰還ループが形成されるので、バッテリー電
源から出力される直流電圧V に変動が生じても、その
変動に応じない常に一定量の安定した出力電流を出力す
ることができる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の定電流回路100では、定電流生成回路11
5を起動させるための起動電流は定電流生成回路115
を起動させた後の定常動作時にも出力されてしまうの
で、定電流回路100の動作中には常に抵抗116に電
流が流れることとなり、定常動作時に抵抗116に流れ
る電流分だけスタンバイ状態での消費電力を上げてしま
うという問題が発生していた。しかも、近年では自動車
に搭載される電子制御システムの大規模化に伴い、EC
U数の増加や各ECU内の電子回路の大規模化が進み、
スタンバイ状態における電子制御システム全体の消費電
力も増加傾向にある。このため、スタンバイ状態におけ
る電子制御システム全体の消費電力を低減することによ
り、スタンバイ状態が長時間継続した場合にバッテリー
上がりが発生するのを未然に防止するための対策が望ま
れていた。本発明は上述の事情に鑑みてなされたもので
あり、従ってその目的は、定常動作時における消費電力
を低減することができる定電流回路を提供することにあ
る。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために請求項1に記載した手段を採用できる。この手段
によれば、起動時には起動用スイッチング素子をオンし
て自己バイアス回路に起動電流を出力し、定常動作時に
は起動用スイッチング素子をオフして起動電流の出力を
停止するようにしたので、定常動作時における起動回路
の消費電力を低減することができる。
【0016】請求項2に記載した手段によれば、スイッ
チング制御手段において、起動時には、蓄電手段の電荷
量を減少させた状態にして起動用スイッチング素子をオ
ンした後、定電流生成回路の起動と共に制御用スイッチ
ング素子をオンして蓄電手段を充電し、蓄電手段の電荷
量を増加させることにより前記起動用スイッチング素子
をオフするようにしたので、起動用スイッチング素子の
オンオフ制御を容易に行うことができる。また、定常動
作時には、直流電源の電圧低下に応じて蓄電手段内に充
電された電荷を放電手段より放電するようにしたので、
定電流回路を動作可能状態に速やかに復帰させることが
できる。
【0017】請求項3に記載した手段によれば、起動用
スイッチング素子は、2つのトランジスタをダーリント
ン接続して構成するようにしたので、起動用スイッチン
グ素子より蓄電手段に流す制御電流の単位時間当たりの
電流量を減少させることができる。これにより起動用ス
イッチング素子のオン時間即ち起動時間を充分に確保す
ることができ、定電流生成回路の起動を安定に行うこと
ができる。
【0018】請求項4に記載した手段によれば、蓄電手
段は、トランジスタの接合容量により構成するようにし
たので、例えば集積回路内にコンデンサを実装する場合
に比べてチップ面積を小さくすることができる。これに
より、集積回路のチップサイズを縮小することができ、
集積回路の製造コストを下げることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】[第1の実施例]以下、本発明の
定電流回路をECUに内蔵された電源ICに適用した第
1の実施例について、図1を参照して説明する。図1
は、電源IC30に適用された本実施例の定電流回路1
の構成を示すものである。この図1において、外部電源
の正極及び負極端子は電源端子2a及び2bに接続さ
れ、電源端子2a及び2bには、母線3a及び3bが接
続されている。尚、母線3bは接地されている。そし
て、母線3a及び3bには、pnp型バイポーラトラン
ジスタ(以下、単にトランジスタと称す)4のコレクタ
とnpn型トランジスタ5のコレクタとを接続した直列
回路が、トランジスタ4のエミッタを母線3a側とし、
トランジスタ5のエミッタを母線3b側とするようにし
て接続されている。
【0020】また、母線3a及び3b間には、pnp型
トランジスタ6のコレクタとnpn型トランジスタ7の
コレクタとを接続し、トランジスタ7のエミッタと抵抗
8の一方の端とを接続した直列回路が、トランジスタ6
のエミッタを母線3a側とするようにして接続されてい
る。そして、トランジスタ4及び6のベースは共通母線
11に接続され、トランジスタ7のベースはトランジス
タ4及び5の両コレクタ間の共通接続点9に接続され、
トランジスタ5のベースはトランジスタ7のエミッタ及
び抵抗8間の共通接続点10に接続されている。
【0021】更に、共通母線11及び母線3b間には、
抵抗12の一方の端とpnp型トランジスタ13のエミ
ッタとを接続した直列回路が、抵抗12のもう一方の端
を共通母線11側とし、トランジスタ13のコレクタを
母線3b側とするようにして接続されている。そして、
トランジスタ13のベースはトランジスタ6及び7の両
コレクタ間の共通接続点14に接続されている。このよ
うにしてトランジスタ5及び7と抵抗8とで自己バイア
ス回路15が構成され、トランジスタ4、6及び13と
抵抗12とで定電流生成回路16が構成されている。
【0022】ところで、母線3a及び3b間には、制御
用スイッチング素子たるpnp型トランジスタ17のコ
レクタと蓄電手段たるコンデンサ18の一方の端とを接
続した直列回路が、トランジスタ17のエミッタを母線
3a側とするようにして接続されている。そして、トラ
ンジスタ17のベースは共通母線11に接続されてい
る。また、母線3aには放電手段たるダイオード19の
カソードが接続され、ダイオード19のアノードはトラ
ンジスタ17のコレクタとコンデンサ18との共通接続
点20に接続されている。これらトランジスタ17、コ
ンデンサ18及びダイオード19でスイッチング制御手
段21が構成されている。
【0023】また、母線3aと共通接続点9との間に
は、起動用スイッチング素子たるpnp型トランジスタ
22のコレクタと起動用抵抗23の一方の端とを接続し
た直列回路が、トランジスタ22のエミッタを母線3a
側とするようにして接続されている。そして、トランジ
スタ22のベースは、共通接続点20に接続されてい
る。このようにしてスイッチング制御手段21、トラン
ジスタ22及び起動用抵抗23で起動回路24が構成さ
れている。そして、これら起動回路24、自己バイアス
回路15及び定電流生成回路16で定電流回路1が構成
されている。
【0024】さて、母線3a及び3b間には、pnp型
トランジスタ25のコレクタと電源回路26の図示しな
い定電流入力端子とを接続した回路が、トランジスタ2
5のエミッタを母線3a側とし、電源回路26の図示し
ない電源電圧出力端子を母線3b側とするようにして接
続されている。そして、トランジスタ25のベースは共
通母線11に接続されている。また、母線3a及び3b
間には、電源回路27とトランジスタ28とが前記回路
と同様にして接続されており、図示はしないがその他複
数の電源回路が同様にして接続されている。尚、トラン
ジスタ17、4、6、25及び28は同等の特性になる
ように形成されており、各ベースが共通母線11に接続
されてカレントミラー回路29が構成されている。そし
て、これら定電流回路1、トランジスタ25及び28、
及び、電源回路26及び27で電源IC30が構成され
ており、これら電源回路26及び27で生成される電源
電圧がCPU31及び32に出力されるようになってい
る。
【0025】<起動時から定常動作時に至るまでの作用
説明>次に、この定電流回路1の起動時から定常動作時
に移行する迄の作用について説明する。ここで、起動時
とは定電流回路1に直流電圧Vが印加されてから定電
流回路1より一定量のスタンバイ電流が出力されるに至
る迄の期間とし、定常動作時とは定電流回路1より一定
量のスタンバイ電流が出力されている期間とする。ま
た、起動時において定電流回路1に直流電圧Vの印加
が開始される時点ではコンデンサ18には電荷が充電さ
れていないものとする。尚、ここでは各回路素子の作用
について順を追って説明するが、実際には起動時から定
常動作時に移行する迄の作用は瞬間的に行われるもので
ある。
【0026】まず、外部電源がバッテリー電源に切り替
えられてバッテリー電源とECUとが接続されると、バ
ッテリー電源より電源端子2a及び2b間に直流電圧V
(例えば12V)が印加される。すると、母線3a及
び共通接続点20間に電位差が生じ、トランジスタ22
のエミッタ、ベース間には順方向電圧が加えられ、この
エミッタ、ベース間が導通してコンデンサ18に制御電
流が流れ始める。これにより、トランジスタ22のエミ
ッタ、コレクタ間も導通し、起動用抵抗23及び抵抗8
に介在するトランジスタ7のベース、エミッタ間にも順
方向電圧が加えられ、トランジスタ22のエミッタ、コ
レクタ間、起動用抵抗23、トランジスタ7のベース、
エミッタ間及び抵抗8からなる直列回路が導通してこの
直列回路に起動電流が流れ始める。即ち、スイッチング
制御手段21によりトランジスタ22がオンされ、起動
回路24から出力された起動電流が自己バイアス回路1
5に流れ込む。
【0027】そして、コンデンサ18には電荷が充電さ
れ、共通接続点20の電位は、直流電圧Vよりもトラ
ンジスタ22のエミッタ、ベース間電圧(約0.6V)
分だけ低い電位(V−約0.6[V])となる。尚、
ダイオード19には最大で12Vの逆方向電圧が印加さ
れることになるが、このダイオード19の降伏電圧は例
えば60Vに設定されているのでダイオードには電流は
流れない。
【0028】次に、自己バイアス回路15では、起動電
流が抵抗8に流れ込むことによって該共通接続点10の
電位が約0.6Vになるとトランジスタ5にベース電流
が流れてコレクタ、エミッタ間が導通する。そして、定
常動作時には該共通接続点10の電位は常に一定(約
0.6V)に保持される。
【0029】また、トランジスタ7は、ベース、エミッ
タ間に流れる起動電流によってコレクタ、エミッタ間が
導通するので、共通接続点14の電位は、母線3bの電
位(接地電位)に対して抵抗8の電圧降下分(約0.6
V)とトランジスタ7のコレクタ、エミッタ間電圧(V
CE)分とを加算した分だけ高い電位となる。これによ
り、トランジスタ6及び13のエミッタ、ベース間には
順方向電圧が加えられ、抵抗12を介在させて夫々にベ
ース電流が流れてエミッタ、コレクタ間が導通し、コレ
クタ電流が流れる。そして、トランジスタ6及び13の
導通により、共通接続点14の電位は略(V−2V
BE)となる。このようにしてトランジスタ13のエミ
ッタ、コレクタ間が導通することにより定電流生成回路
16が起動する。
【0030】このとき、トランジスタ17、4、6、2
5及び28はカレントミラー回路29を構成しているの
で、トランジスタ6に流れるベース電流と同量のベース
電流がトランジスタ17、4、25及び28にも流れて
エミッタ、コレクタ間が導通し、トランジスタ4、25
及び28にはトランジスタ6のコレクタ電流と同量のコ
レクタ電流が流れることとなる。そして、トランジスタ
4のコレクタ電流は基準電流として自己バイアス回路1
5に出力され、トランジスタ25及び28のコレクタ電
流はスタンバイ電流としてECU26及び27に出力さ
れる。
【0031】また、トランジスタ17のエミッタ、コレ
クタ間が導通することにより、コンデンサ18にはトラ
ンジスタ17のコレクタから更に電流が流れ込み、トラ
ンジスタ17が飽和状態になってそのコレクタ、エミッ
タ間電圧(VCE)が略ゼロVになる迄、コンデンサ1
8に充電される電荷量が増加する。これにより、トラン
ジスタ22のエミッタ、ベース間電圧も略ゼロVになり
導通電位(約0.6V)よりも小さくなるので、トラン
ジスタ22のエミッタ、コレクタ間は遮断されて起動電
流の出力が停止する。即ち、スイッチング制御手段21
によりトランジスタ22はオフされる。
【0032】さて、定電流生成回路1が起動すると、自
己バイアス回路15のトランジスタ5のコレクタ、エミ
ッタ間にも基準電流が流れるようになる。そして、共通
接続点10の電位が常に一定(約0.6V)に保持され
ることにより、トランジスタ5のベース電流が常に一定
量に保持され、これにより基準電流が常に一定量に保持
されるような帰還ループが形成される。このようにして
定電流回路1は定常動作となり、トランジスタ25及び
28からは常に一定量のスタンバイ電流が各電源回路2
6及び27に出力され、CPU31及び32に電源電圧
を印加することによりCPU31及び32に内蔵された
バックアップ用RAMに記憶されたデータのバックアッ
プが行われる。
【0033】このような構成の定電流回路1では、定電
流生成回路16より出力される基準電流が自己バイアス
回路15にて常に一定量に保持されて自己バイアス方式
の帰還ループが形成されるので、直流電圧Vの変動が
生じても、その変動に応じない常に一定量の安定したス
タンバイ電流を出力することができる。
【0034】<定常動作時に直流電圧Vが低下した場
合の作用説明>次に、定常動作時にバッテリー電源から
出力される直流電圧Vが低下した場合の定電流回路1
の作用について説明する。まず、定常動作時には、トラ
ンジスタ17のエミッタ、コレクタ間が導通しているの
で、共通接続点20の電位は、直流電圧Vよりもトラ
ンジスタ22のエミッタ、ベース間電圧VCE(略ゼロ
V)分だけ低い電位(約12V)となっており、コンデ
ンサ18には該電位(約12V)に応じた電荷が充電さ
れている。
【0035】ここで、例えばバッテリー電源とECUと
が切り離されることにより電源端子2a、2b間の印加
電圧がゼロV迄低下したとする。すると、全てのトラン
ジスタ4乃至7、13、17、22、25及び28のベ
ース、エミッタ間電圧は導通電位(約0.6V)を維持
できなくなり、各コレクタ、エミッタ間が遮断され、こ
れにより自己バイアス回路15、定電流生成回路16の
機能が停止してスタンバイ電流の出力が停止する。
【0036】また、トランジスタ17のエミッタ、コレ
クタ間が遮断された時点での共通接続点20の電位は約
12Vであり、電源端子3aの電位はゼロVなので、ダ
イオード19には順方向の導通電位である約0.6Vを
超える順方向電圧が印加されることとなり、コンデンサ
18に充電された電荷がダイオード19を通して電源端
子3a側に放電される。尚、この放電は、共通接続点2
0の電位が約0.6Vになるまで続く。
【0037】このようにして直流電圧Vが低下した場
合には、ダイオード19を通してコンデンサ18に充電
された電荷が放電されて、共通接続点20の電位が(低
下した直流電圧Vの電位+約0.6[V])まで低下
し、定電流回路1が動作可能な状態に復帰する。これに
より、再び十分大きな直流電圧Vが電源端子2a及び
2b間に印加された場合には、トランジスタ22のエミ
ッタ、ベース間に導通電位(約0.6V)以上の順方向
電圧が印加されることとなり、起動回路24から起動電
流が出力され、前記のようにして定電流生成回路16の
起動が行われる。
【0038】以上説明したように本実施例によれば、定
常動作時には起動電流の出力を停止することにより起動
用抵抗23に電流が流れないようにしたので、定常動作
時における起動回路24の消費電力を低減することがで
きる。従って、定電流回路1は、総消費電力を低減する
ことができると共にバッテリー電源の電圧変動に応じな
い安定な出力電流を出力することができる。
【0039】また、起動回路24において、起動時には
起動用のトランジスタ22をオンして自己バイアス回路
15に起動電流を出力し、定常動作時にはトランジスタ
22をオフして起動電流の出力を停止するようにしたの
で、起動時と定常動作時との切替を短時間で正確に行う
ことができる。これにより、定常動作時における起動回
路24の消費電力を効率よく低減することができる。
【0040】また、スイッチング制御手段21におい
て、起動時には、コンデンサ18の電荷量を減少させた
状態にして起動用のトランジスタ22をオンした後、定
電流生成回路16の起動と共に制御用のトランジスタ1
7をオンしてコンデンサ18を更に充電し、コンデンサ
18の電荷量を更に増加させることにより起動用のトラ
ンジスタ22をオフするようにしたので、起動用のトラ
ンジスタ22のオンオフ制御を容易に行うことができ
る。また、定常動作時には、直流電圧Vの低下に応じ
てコンデンサ18内に充電された電荷をダイオード19
より放電するようにしたので、定電流回路1を動作可能
状態に速やかに復帰させることができる。
【0041】[第2の実施例]次に、本発明の第2の実
施例について、図2を参照して説明する。尚、第1の実
施例と同一部分については同一符号を付して説明を省略
し、以下異なる部分についてのみ説明する。
【0042】図2に示す定電流回路40は、起動回路4
1の構成が第1の実施例で示すものと異なるものであ
る。起動回路41において、母線3aと共通接続点9と
の間には、pnp型トランジスタ42のエミッタと起動
用抵抗43の一方の端とを接続した直列回路が、トラン
ジスタ42のエミッタを母線3a側とするようにして接
続されている。そして、トランジスタ42のベースはp
npトランジスタ44のエミッタに接続され、トランジ
スタ44のコレクタはトランジスタ42のコレクタと起
動用抵抗43との共通接続点45に接続されている。ま
た、トランジスタ44のベースは共通接続点20に接続
されている。このようにしてトランジスタ42及び44
をダーリントン接続することにより起動用スイッチング
素子が構成されている。
【0043】次に、この起動回路41の起動時の作用に
ついて説明する。バッテリー電源より電源端子2a及び
2b間に直流電圧V(例えば12V)が印加される
と、母線2a及び共通接続点20間に電位差が生じ、ト
ランジスタ42及び44のエミッタ、ベース間には順方
向電圧が加えられ、夫々のエミッタ、ベース間が導通し
てコンデンサ18に制御電流が流れ始める。これによ
り、トランジスタ42及び44のエミッタ、コレクタ間
も導通し、起動用抵抗43及び抵抗8に介在するトラン
ジスタ7のベース、エミッタ間にも順方向電圧が加えら
れ、トランジスタ42のエミッタ、コレクタ間、起動用
抵抗43、トランジスタ7のベース、エミッタ間及び抵
抗8からなる直列回路が導通してこの直列回路に起動電
流が流れ始める。尚、この起動電流により自己バイアス
回路15及び定電流生成回路16が起動して定常動作に
移行する迄の作用については第1の実施例と同様である
ので説明は省略する。
【0044】ところで、トランジスタ42及び44のエ
ミッタ、ベース間が導通することによりコンデンサ18
に流れ込む制御電流の単位時間当たりの電流量は、トラ
ンジスタ42及び44がダーリントン接続されているた
めに非常に少なくなる。例えば、トランジスタ42及び
44と、第1の実施例で示したトランジスタ22の組成
が全て同一であるとすると、本第2の実施例においてコ
ンデンサ18に流れ込む制御電流の単位時間当たりの電
流量は、第1の実施例のそれに比べて1/h 倍(h
FE:エミッタ接地電流増幅率)に減少する。
【0045】以上説明したように、本第2の実施例によ
れば、コンデンサ18の充電を開始してからコンデンサ
18が充電されて共通接続点20の電位が(V−約
1.2[V])に上昇する迄の所要時間を長くすること
ができるので、トランジスタ42のコレクタ、エミッタ
間の導通時間を長くすることができる。これにより起動
電流の出力時間即ち起動時間を充分に確保することがで
き、定電流生成回路16の起動をより安定に行うことが
できる。
【0046】[第3の実施例]次に、本発明の第3の実
施例について、図3を参照して説明する。尚、第1の実
施例と同一部分については同一符号を付して説明を省略
し、以下異なる部分についてのみ説明する。
【0047】図3に示す定電流回路50は、起動回路5
1の構成が第1の実施例で示すものと異なるものであ
る。起動回路51において、トランジスタ17のコレク
タにはnpn型トランジスタ52のコレクタが接続さ
れ、トランジスタ52のエミッタは母線3bに接続さ
れ、トランジスタ52のベースは自身のエミッタに接続
されている。このようにしてトランジスタ52のベー
ス、コレクタ間の接合容量を以て蓄電手段が構成されて
いる。そして、これらトランジスタ17及び52、ダイ
オード19でスイッチング制御手段53が構成されてい
る。尚、本第3の実施例の定電流回路50の作用につい
ては、第1の実施例と同様であるので説明は省略する。
【0048】以上説明したように、本第3の実施例によ
れば、蓄電手段は、トランジスタ52のベース、コレク
タ間の接合容量により構成するようにした。これによ
り、例えば集積回路内にコンデンサを実装する場合に比
べて、チップ面積を小さくすることができる。これによ
り、集積回路のチップサイズを縮小することができ、集
積回路の製造コストを下げることができる。
【0049】[第4の実施例]次に、本発明の第4の実
施例について、図4を参照して説明する。尚、第1の実
施例と同一部分については同一符号を付して説明を省略
し、以下異なる部分についてのみ説明する。
【0050】図4に示す定電流回路60は、起動回路6
1の構成が第1の実施例で示すものと異なるものであ
る。起動回路61において、トランジスタ17のコレク
タにはPチャネル型MOSトランジスタ62のゲートが
接続されている。そして、MOSトランジスタ62のド
レイン及びソースは母線3bに接続されている。また、
MOSトランジスタ62のn層基板は母線3aに接続さ
れている。このようにしてMOSトランジスタ62のゲ
ートとドレイン及びソースとの間の接合容量を以て蓄電
手段が構成されている。そして、これらトランジスタ1
7、MOSトランジスタ62及びダイオード19でスイ
ッチング制御手段63が構成されている。
【0051】また、母線3aと共通接続点9との間に
は、スイッチング素子たるPチャネル型MOSトランジ
スタ64のドレインと起動用抵抗65の一方の端とを接
続した直列回路が、MOSトランジスタ64のソースが
母線3a側となるようにして接続されている。そして、
MOSトランジスタ64のゲートはトランジスタ17の
コレクタとMOSトランジスタ62のゲートとの共通接
続点66に接続されている。また、MOSトランジスタ
64のn層基板は母線3aに接続されている。
【0052】次に、この起動回路60の起動時の作用に
ついて説明する。バッテリー電源より電源端子2a及び
2b間に直流電圧V(例えば12V)が印加される
と、母線3a及びMOSトランジスタ62のゲート間に
電位差が生じ、MOSトランジスタ64のゲート電位が
ソース電位よりも低くなるので、ソース、ドレイン間が
導通する。これにより、起動用抵抗65及び抵抗8に介
在するトランジスタ7のベース、エミッタ間に順方向電
圧が加えられ、MOSトランジスタ64のソース、ドレ
イン間、起動用抵抗65、トランジスタ7のベース、エ
ミッタ間及び抵抗8からなる直列回路が導通してこの直
列回路に起動電流が流れ始める。尚、この起動電流によ
り自己バイアス回路15及び定電流生成回路16が起動
して定常動作に移行する迄の作用については第1の実施
例と同様であるので説明は省略する。
【0053】ところで、トランジスタ17のコレクタ、
エミッタ間が導通すると、MOSトランジスタ62のゲ
ートにはトランジスタ17のコレクタから制御電流が流
れ込み、MOSトランジスタ62のゲートとドレイン及
びソースとの間に電荷が充電されて、共通接続点66の
電位が上昇する。このとき、トランジスタ17は飽和状
態となるので、トランジスタ17のコレクタ、エミッタ
間電圧VCEは略ゼロVとなり、共通接続点66の電位
は(約12V)まで上昇する。これにより、MOSトラ
ンジスタ64のゲート、ソース間電圧が略ゼロVになる
ので、ソース、ドレイン間は遮断されて起動電流の出力
が停止する。即ち、スイッチング制御手段63によりM
OSトランジスタ54はオフされる。
【0054】以上説明したように、スイッチング素子に
MOSトランジスタを適用し、蓄電手段にMOSトラン
ジスタの接合容量を使用するようにしても、第1の実施
例及び第3の実施例と同様の効果が得られる。
【0055】尚、本発明は、上記実施例に限定されるも
のではなく、次のような変形、拡張が可能である。本発
明の実施例では、主にバイポーラ型のトランジスタを使
用して定電流回路を構成したが、これに限定されるもの
ではなく、例えばFETやIGBTを使用して定電流回
路を構成してもよい。
【0056】本発明の第3の実施例では、バイポーラ型
トランジスタのベース、コレクタ間の接合容量により蓄
電手段を構成し、本発明の第4の実施例では、Pチャネ
ル型MOSトランジスタのゲートとドレイン及びソース
間との接合容量により蓄電手段を構成したが、これらに
限定されるものではなく、例えばバイポーラ型トランジ
スタのベース、エミッタ間の接合容量やNチャネル型M
OSトランジスタの接合容量を利用して蓄電手段を構成
してもよい。また、例えばFETやIGBTの接合容量
を利用して蓄電手段を構成してもよい。
【0057】本発明の実施例では、定電流回路を集積回
路に実装するものに適用したが、これに限定されるもの
ではなく、電子部品を個別に接続して構成するものに適
用してもよい。本発明の実施例では、定電流回路を電源
ICに適用したが、これに限定されるものではなく、直
流電源より所定量の定電流を生成して出力する用途の定
電流回路全般に適用できる。本発明の実施例では説明し
なかったが、起動用スイッチング素子をダーリントン接
続したトランジスタで構成したものと、蓄電手段をトラ
ンジスタの接合容量で構成したものを組み合わせて定電
流回路を構成してもよい。
【0058】本発明の実施例では、スイッチング制御手
段は、蓄電手段に充電される電荷量に応じて起動用スイ
ッチング素子のオンオフ制御を行うように構成したが、
これに限定されるものではなく、自己バイアス回路及び
定電流生成回路が起動するまでの所定時間だけ起動用ス
イッチング素子がオンするような制御が可能な構成であ
ればよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す定電流回路の回路
【図2】本発明の第2の実施例を示す図1相当図
【図3】本発明の第3の実施例を示す図1相当図
【図4】本発明の第4の実施例を示す図1相当図
【図5】従来例を示す図1相当図
【符号の説明】
図面中、1,40,50,60は定電流回路、15は自
己バイアス回路、16は定電流生成回路、17はトラン
ジスタ(制御用スイッチング素子)、18はコンデンサ
(蓄電手段)、19はダイオード(放電手段)、21,
43,53はスイッチング制御手段、22,42,5
4,64はトランジスタ(起動用スイッチング素子)、
23,43,65は起動用抵抗、24,41,51,6
1は起動回路、26,27は電源回路、29はカレント
ミラー回路、30は電源IC、31,32はCPU、5
2,62はトランジスタ(蓄電手段)を示す。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 起動電流を出力する起動回路と、直流電
    源より一定量の基準電流を生成して出力する定電流生成
    回路と、前記起動電流に基づいて前記定電流生成回路を
    起動させ、前記定電流生成回路より出力される前記基準
    電流を一定量に保持する自己バイアス回路とを具備する
    定電流回路において、 前記起動回路は、前記自己バイアス回路に前記起動電流
    を出力するための起動用スイッチング素子及び起動用抵
    抗と、前記起動用スイッチング素子のオンオフを制御す
    るスイッチング制御手段とを備え、 前記スイッチング制御手段は、起動時には前記起動用ス
    イッチング素子をオンして前記自己バイアス回路に前記
    起動電流を出力する制御を行い、定常動作時には前記起
    動用スイッチング素子をオフして前記起動電流の出力を
    停止する制御を行うことを特徴とする定電流回路。
  2. 【請求項2】 前記スイッチング制御手段は、 充電された電荷量に応じて前記起動用スイッチング素子
    をオンオフする蓄電手段と、この蓄電手段の電荷量を制
    御する制御用スイッチング素子と、前記蓄電手段に充電
    された電荷を放電するための放電手段とで構成され、 起動時には、前記蓄電手段の充電電荷量を減少させた状
    態にして前記起動用スイッチング素子をオンした後、前
    記定電流生成回路の起動と共に前記制御用スイッチング
    素子をオンして前記蓄電手段を充電して、前記蓄電手段
    の電荷量を増加させることにより前記起動用スイッチン
    グ素子をオフする制御を行い、 前記直流電源の電圧の低下時には、前記蓄電手段に充電
    された電荷を前記放電手段より放電する制御を行うこと
    を特徴とする請求項1記載の定電流回路。
  3. 【請求項3】 前記起動用スイッチング素子は、2つの
    トランジスタをダーリントン接続することにより構成さ
    れていることを特徴とする請求項1又は2記載の定電流
    回路。
  4. 【請求項4】 前記蓄電手段は、トランジスタの接合容
    量により構成されていることを特徴とする請求項2記載
    の定電流回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7554314B2 (en) 2005-11-04 2009-06-30 Denso Corporation Current mirror circuit for reducing chip size
JP2011186987A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 Renesas Electronics Corp 基準電流生成回路
JP2020042776A (ja) * 2018-08-10 2020-03-19 ローム株式会社 基準電流源および半導体装置

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JP7316116B2 (ja) 2018-08-10 2023-07-27 ローム株式会社 半導体装置

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