JPWO2020189534A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JPWO2020189534A5
JPWO2020189534A5 JP2021507296A JP2021507296A JPWO2020189534A5 JP WO2020189534 A5 JPWO2020189534 A5 JP WO2020189534A5 JP 2021507296 A JP2021507296 A JP 2021507296A JP 2021507296 A JP2021507296 A JP 2021507296A JP WO2020189534 A5 JPWO2020189534 A5 JP WO2020189534A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate
parallel
shows
partial electrode
channel region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021507296A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2020189534A1 (https=
JP7642528B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/JP2020/010981 external-priority patent/WO2020189534A1/ja
Publication of JPWO2020189534A1 publication Critical patent/JPWO2020189534A1/ja
Publication of JPWO2020189534A5 publication Critical patent/JPWO2020189534A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7642528B2 publication Critical patent/JP7642528B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2021507296A 2019-03-15 2020-03-13 撮像素子および半導体素子 Active JP7642528B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019048551 2019-03-15
JP2019048551 2019-03-15
PCT/JP2020/010981 WO2020189534A1 (ja) 2019-03-15 2020-03-13 撮像素子および半導体素子

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JPWO2020189534A1 JPWO2020189534A1 (https=) 2020-09-24
JPWO2020189534A5 true JPWO2020189534A5 (https=) 2023-03-14
JP7642528B2 JP7642528B2 (ja) 2025-03-10

Family

ID=72519317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021507296A Active JP7642528B2 (ja) 2019-03-15 2020-03-13 撮像素子および半導体素子

Country Status (7)

Country Link
US (2) US12027562B2 (https=)
EP (1) EP3940752B1 (https=)
JP (1) JP7642528B2 (https=)
KR (2) KR102805549B1 (https=)
CN (1) CN113348535A (https=)
TW (1) TWI860337B (https=)
WO (1) WO2020189534A1 (https=)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230411429A1 (en) * 2020-10-23 2023-12-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and light-receiving element
JP2022083871A (ja) 2020-11-25 2022-06-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子及び撮像装置
US12514019B2 (en) * 2020-12-08 2025-12-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and electronic device
TWI912406B (zh) * 2020-12-11 2026-01-21 日商索尼半導體解決方案公司 受光元件、受光裝置及電子機器
JP7650654B2 (ja) * 2020-12-22 2025-03-25 日本放送協会 表示装置及びその製造方法
WO2022196189A1 (ja) * 2021-03-15 2022-09-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
EP4092453A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-23 Canon Kabushiki Kaisha Film, element, and equipment
EP4099387A3 (en) 2021-06-01 2023-04-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same
JP7421532B2 (ja) * 2021-11-12 2024-01-24 キヤノン株式会社 光電変換装置及び発光装置
JP2023116098A (ja) * 2022-02-09 2023-08-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器
JP2023130928A (ja) * 2022-03-08 2023-09-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置、光検出装置、及び電子機器
JPWO2024014209A1 (https=) * 2022-07-12 2024-01-18
KR20240060240A (ko) 2022-10-28 2024-05-08 삼성전자주식회사 적층형 이미지 센서
JP2024064783A (ja) * 2022-10-28 2024-05-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
CN118866914B (zh) * 2023-04-19 2025-10-03 长鑫存储技术有限公司 半导体结构、图像传感器及半导体结构的制备方法
JP2025056833A (ja) 2023-09-27 2025-04-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5111157B2 (ja) * 2008-02-27 2012-12-26 キヤノン株式会社 光電変換装置及び光電変換装置を用いた撮像システム
TWI433307B (zh) * 2008-10-22 2014-04-01 Sony Corp 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件
JP5985136B2 (ja) 2009-03-19 2016-09-06 ソニー株式会社 半導体装置とその製造方法、及び電子機器
JP5531580B2 (ja) * 2009-11-25 2014-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
DE112011106038B4 (de) * 2011-12-27 2017-08-10 Canon Kabushiki Kaisha Bildaufnahmevorrichtung
JP2014022561A (ja) * 2012-07-18 2014-02-03 Sony Corp 固体撮像装置、及び、電子機器
JP2015032687A (ja) * 2013-08-02 2015-02-16 ソニー株式会社 撮像素子、電子機器、および撮像素子の製造方法
JP2015162668A (ja) * 2014-02-28 2015-09-07 株式会社東芝 半導体デバイスの製造方法
JP6215246B2 (ja) 2014-05-16 2017-10-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに電子機器
JP6404697B2 (ja) * 2014-12-10 2018-10-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2017027982A (ja) 2015-07-16 2017-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP6631635B2 (ja) 2015-09-30 2020-01-15 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
US11961865B2 (en) * 2016-02-09 2024-04-16 Sony Group Corporation Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP2017183636A (ja) 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子、センサ装置、および電子機器
JP6836190B2 (ja) 2017-09-08 2021-02-24 豊田合成株式会社 両開き収納装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2020189534A5 (https=)
JP2025175013A5 (ja) 半導体装置
JP6348703B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2005150331A5 (https=)
JP6109931B2 (ja) 高電圧接合型電界効果トランジスタ
JP5283943B2 (ja) 半導体装置
JPS61256U (ja) プレ−ナｍｏｓトランジスタ
US20070267680A1 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2013175729A5 (ja) 電界効果トランジスタ
JP2004343118A5 (https=)
JP2013153189A5 (https=)
JP6532596B2 (ja) ２次元配列ｆｅｔセルを有するｆｅｔ
JP2007505501A5 (https=)
TW201413918A (zh) 半導體裝置及其製造方法
JP2011166128A5 (https=)
JP2019009308A5 (https=)
JP2015523723A5 (https=)
JP2009188223A5 (https=)
JPWO2019171198A5 (https=)
JPWO2023176312A5 (https=)
EP4191655A3 (en) Asymmetric gate structures and contacts for stacked transistors
JP2018524813A5 (https=)
JPWO2021033075A5 (https=)
JP2007141916A5 (https=)
TW200703666A (en) Thin film transistor