JP7421532B2 - 光電変換装置及び発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、光電変換装置及び発光装置に関する。
特許文献１には、光電変換部に蓄積された電荷に対応する信号を読み出す増幅トランジスタを有する固体撮像装置が開示されている。特許文献１には、複数の増幅トランジスタを並列接続して相互コンダクタンスを増大させることにより高フレームレート撮影を実現する技術が開示されている。
特開２０１６－５０６８号公報
トランジスタを有する装置において、性能向上のためにトランジスタの相互コンダクタンスの増大が要望される場合がある。その手法の一例としては、特許文献１に記載されているような複数のトランジスタを並列接続する手法が挙げられるが、この手法を適用することが適切でない場合もある。
そこで、本発明は、より性能が向上された光電変換装置及び発光装置を提供することを目的とする。
本発明の一観点によれば、基板と、入射光に応じた電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷が転送される浮遊拡散部と、前記基板に配され、複数の主電極と前記浮遊拡散部に接続されたゲートとを有し、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから出力するトランジスタと、を有し、前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、前記複数の主電極は、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号が出力される複数の第１主電極を有し、前記平面視において、前記複数の第１主電極の各々は、前記３つ以上の辺のうちの互いに異なる辺に隣接し、前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、前記平面視において、前記第２主電極は、前記３つ以上の辺のうちの１つの辺のみに隣接していることを特徴とする光電変換装置が提供される。
本発明の他の一観点によれば、基板と、発光素子と、前記基板に配され、複数の主電極とゲートとを有し、前記ゲートの電位に応じた電流を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから前記発光素子に供給するトランジスタと、を有し、前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、前記平面視において、前記第２主電極は、前記３つ以上の辺のうちの１つの辺のみに隣接していることを特徴とする発光装置が提供される。
本発明によれば、より性能が向上された光電変換装置及び発光装置が提供される。
第１実施形態に係る光電変換装置の概略構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係る画素の等価回路図である。 第１実施形態に係る画素の平面模式図である。 第１実施形態に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第１実施形態の変形例に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第１実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第１実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第１実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第１実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第１実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタの平面模式図である。 第２実施形態に係る画素の等価回路図である。 第２実施形態に係る画素の平面模式図である。 第３実施形態に係る機器のブロック図である。 第４実施形態に係る機器のブロック図である。 第５実施形態に係る発光装置の画素の等価回路図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。複数の図面にわたって同一の要素又は対応する要素には共通の符号が付されており、その説明は省略又は簡略化されることがある。
以下に述べる第１実施形態及び第２実施形態では、光電変換装置の一例として、撮像装置を中心に説明する。しかしながら、各実施形態における光電変換装置は撮像装置に限定されるものではなく、他の装置にも適用可能である。他の装置の例としては、測距装置、測光装置が挙げられる。測距装置は、例えば、焦点検出装置、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ－Ｏｆ－Ｆｌｉｇｈｔ）を用いた距離測定装置等であり得る。測光装置は、装置に入射する光の光量を測定する装置であり得る。
［第１実施形態］
図１は、本実施形態に係る光電変換装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の光電変換装置は、画素アレイ１００、垂直走査回路１０１、列読み出し回路１０２、水平走査回路１０３、出力回路１０４及び制御回路１０５を有している。光電変換装置を構成する回路は、１又は複数の半導体基板に形成され得る。
画素アレイ１００は、複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素２０を有している。複数の画素２０の各々は、入射光を光電変換して電荷を生成し、入射光に応じた信号を出力する。画素２０上にはマイクロレンズ及びカラーフィルタが配置され得る。
画素アレイ１００の各行には、第１の方向（図１におけるｘ方向）に延在して、複数の制御線３０が配されている。複数の制御線３０の各々は、第１の方向に並ぶ画素２０にそれぞれ接続され、これら画素２０に共通の信号線をなしている。制御線３０が延在する第１の方向は、行方向又は水平方向と呼ぶことがある。制御線３０は、垂直走査回路１０１に接続されている。
画素アレイ１００の各列には、第１の方向と交差する第２の方向（図１においてｙ方向）に延在して、出力線４０が配されている。出力線４０の各々は、第２の方向に並ぶ画素２０にそれぞれ接続され、これら画素２０に共通の信号線をなしている。出力線４０が延在する第２の方向は、列方向又は垂直方向と呼ぶことがある。出力線４０の各々は、図２において後述する電流源４１と列読み出し回路１０２とに接続されている。
制御回路１０５は、垂直走査回路１０１、列読み出し回路１０２及び水平走査回路１０３に垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号等の制御信号を出力する。これにより、制御回路１０５は、これらの回路の動作を制御する。
垂直走査回路１０１は、シフトレジスタ、ゲート回路、バッファ回路等の論理回路を含む走査回路である。垂直走査回路１０１は、垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号等に基づいて、制御線３０を介して制御信号を画素２０に出力し、画素２０から行ごとに順次信号を出力させる走査を行う。また、垂直走査回路１０１は、画素２０における電荷の蓄積期間を制御する。
画素２０で生成された信号は、対応する列の出力線４０を介して列読み出し回路１０２に出力される。列読み出し回路１０２は、各列に対応する列回路を有する。列回路は、出力線４０を介して入力された信号に対し、増幅、ＡＤ変換等の処理を行って、処理後の信号を列ごとに保持する。
水平走査回路１０３は、シフトレジスタ、ゲート回路、バッファ回路等の論理回路を含む走査回路である。水平走査回路１０３は、列読み出し回路１０２の複数の列回路を順次選択する。これにより、複数の列回路の各々は、保持している信号を、順次、出力回路１０４に出力する。出力回路１０４は、光電変換装置の外部に信号を所定の形式で出力する。
図２は、本実施形態に係る画素２０の等価回路図である。以下の説明では、画素２０内の光電変換部が蓄積する電荷が電子であるものとする。また、画素２０が備えるトランジスタは、すべてＮ型のＭＯＳトランジスタであるものとする。しかしながら、光電変換部が蓄積する電荷が正孔であってもよく、この場合には、画素２０のトランジスタがＰ型のＭＯＳトランジスタであってもよい。つまり、信号として取り扱われる電荷の極性に応じて、トランジスタ等の導電型は適宜変更することができる。
画素２０は、光電変換部ＰＤ、転送トランジスタＭ１、リセットトランジスタＭ２、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４を有している。光電変換部ＰＤは、例えばフォトダイオードである。光電変換部ＰＤのアノードは接地ノードに接続されており、光電変換部ＰＤのカソードは転送トランジスタＭ１のソースに接続されている。転送トランジスタＭ１のドレインは、リセットトランジスタＭ２のソース及び増幅トランジスタＭ３のゲートに接続されている。転送トランジスタＭ１のドレイン、リセットトランジスタＭ２のソース及び増幅トランジスタＭ３のゲートが接続されるノードは、浮遊拡散部ＦＤである。浮遊拡散部ＦＤは、容量成分（浮遊拡散容量）を含み、電荷保持部としての機能を備える。浮遊拡散容量には、転送トランジスタＭ１から浮遊拡散部ＦＤを介して増幅トランジスタＭ３に至る電気的経路の寄生容量が含まれる。
リセットトランジスタＭ２のドレイン及び増幅トランジスタＭ３のドレインは、電圧ＶＤＤが供給される電源電圧ノードに接続されている。増幅トランジスタＭ３のソースは、選択トランジスタＭ４のドレインに接続されている。選択トランジスタＭ４のソースは、出力線４０に接続されている。
出力線４０には、電流源４１が接続されている。電流源４１は、電流値が切り替え可能な電流源であってもよいし、電流値が一定の定電流源であってもよい。
図２の画素構成の場合、各行の制御線３０は、転送トランジスタＭ１のゲートに接続された信号線と、リセットトランジスタＭ２のゲートに接続された信号線と、選択トランジスタＭ４のゲートに接続された信号線と、を含む。転送トランジスタＭ１のゲートには、垂直走査回路１０１から制御信号ｐＴＸが供給される。リセットトランジスタＭ２のゲートには、垂直走査回路１０１から制御信号ｐＲＥＳが供給される。選択トランジスタＭ４のゲートには、垂直走査回路１０１から制御信号ｐＳＥＬが供給される。同じ行の複数の画素２０は、共通の信号線に接続されており、共通の制御信号により同時に制御される。
本実施形態では、画素２０を構成する各トランジスタはＮ型のＭＯＳトランジスタであるものとしている。したがって、垂直走査回路１０１からハイレベルの制御信号が供給されると対応するトランジスタがオンになる。また、垂直走査回路１０１からローレベルの制御信号が供給されると対応するトランジスタがオフになる。また、ＭＯＳトランジスタのソース及びドレインの呼称はトランジスタの導電型又は着目する機能によって異なることがある。本実施形態において使用するソース及びドレインの名称の一部又は全部は、逆の名称で呼ばれることもある。
光電変換部ＰＤは、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換（光電変換）する。転送トランジスタＭ１は、オンになることにより光電変換部ＰＤが保持する電荷を浮遊拡散部ＦＤに転送する。光電変換部ＰＤから転送された電荷は、浮遊拡散部ＦＤの容量（浮遊拡散容量）に保持される。その結果、浮遊拡散部ＦＤは、浮遊拡散容量による電荷電圧変換によって、光電変換部ＰＤから転送された電荷の量に応じた電位となる。
選択トランジスタＭ４は、オンになることにより増幅トランジスタＭ３を出力線４０に接続する。増幅トランジスタＭ３は、ドレインに電圧ＶＤＤが供給され、ソースに選択トランジスタＭ４を介して電流源４１からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部（ソースフォロワ回路）を構成する。これにより増幅トランジスタＭ３は、浮遊拡散部ＦＤの電位に基づく信号を、選択トランジスタＭ４を介して出力線４０に出力する。この意味で、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４は、浮遊拡散部ＦＤに保持された電荷の量に応じた画素信号を出力する出力部である。
リセットトランジスタＭ２は、電圧（電圧ＶＤＤ）の浮遊拡散部ＦＤへの供給を制御することにより浮遊拡散部ＦＤをリセットする機能を備える。リセットトランジスタＭ２はオンになることにより浮遊拡散部ＦＤを電圧ＶＤＤに応じた電圧にリセットする。
なお、図２においては、１つの選択トランジスタＭ４を介して対応する出力線４０に信号が出力される構成を示しているが、選択トランジスタＭ４及び出力線４０の構成はこれに限られない。例えば、１つの画素２０に対して複数の選択トランジスタＭ４と複数の出力線４０が配される構成において、複数の選択トランジスタＭ４を個別に制御することにより、信号を出力する出力線４０を選択可能な構成が採用されてもよい。
図３は、本実施形態に係る画素２０の平面模式図である。図３には、基板に対する平面視における、光電変換部ＰＤ、浮遊拡散部ＦＤ、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインの配置が示されている。図３に示されているゲート２１、２２、２３、２４は、それぞれ、転送トランジスタＭ１、リセットトランジスタＭ２、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４のゲート電極の配置を示している。
図３に示されているように、画素２０の中央付近には光電変換部ＰＤが配されている。光電変換部ＰＤよりも外側には浮遊拡散部ＦＤが配されており、光電変換部ＰＤと浮遊拡散部ＦＤの間にはゲート２１が配されている。光電変換部ＰＤに対して浮遊拡散部ＦＤとは反対側にゲート２２、２３、２４が並んで配されている。
なお、図３のレイアウトにおいて、増幅トランジスタＭ３と選択トランジスタＭ４は、同一のアクティブ領域上に形成されているが、これに限られない。複数のアクティブ領域の間には、素子分離領域が形成されているものとする。
図４は、本実施形態に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。言い換えると、図４は、図３における増幅トランジスタＭ３を拡大して示したものである。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び２つのソース２６ａ、２６ｂを有している。図４に示されているように、ゲート２３は４つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を有する四角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６ａは辺Ｓ２に隣接しており、ソース２６ｂは、辺Ｓ４に隣接している。このように、互いに向かい合う２つの辺Ｓ２、Ｓ４にソース２６ａ、２６ｂが隣接しており、辺Ｓ２、Ｓ４とは互いに向かい合わない辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本実施形態では、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して２つのソース２６ａ、２６ｂのノードを有している。これらの２つのソース２６ａ、２６ｂのノードは、例えばコンタクトプラグ及び金属配線を介して電気的に接続されていてもよい。しかしながら、２つのソース２６ａ、２６ｂのノードは、電気的に独立していてもよい。
以上のように、本実施形態の増幅トランジスタＭ３においては、平面視において、ゲート２３は４つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を有している。そして、２つのソース２６ａ、２６ｂ（複数の第１主電極）及びドレイン２５（第２主電極）を含む複数の主電極は、ゲート２３の３つの辺Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４に隣接している。以下、増幅トランジスタＭ３がこのような構成を有することによる効果について説明する。
高フレームレート撮影を実現するためには、増幅トランジスタＭ３の動作の高速化が要求される。高速化を実現するための手法の１つとして、増幅トランジスタＭ３の相互コンダクタンスｇｍを増大させる手法が挙げられる。増幅トランジスタＭ３の相互コンダクタンスｇｍは、ゲート長Ｌを短くするか、又はゲート幅Ｗを広くすることにより増大する。
一般的に、増幅トランジスタＭ３のランダムノイズは、増幅トランジスタＭ３のゲート長Ｌとゲート幅Ｗの積に反比例する。そのため、増幅トランジスタＭ３のゲート長Ｌを短くした場合、増幅トランジスタＭ３のランダムノイズが増大する。
一方、増幅トランジスタＭ３のゲート幅Ｗを広くした場合、ゲート２３の面積の確保のために増幅トランジスタＭ３の近傍に配されている光電変換部ＰＤの領域の面積を小さくする必要が生じる場合があり、これにより、画素２０の飽和信号量が減少し得る。
このように、相互コンダクタンスｇｍを大きくするために、増幅トランジスタＭ３のゲート長Ｌを短くするか、又はゲート幅Ｗを広くする設計を採用すると、出力される信号の品質が劣化する可能性がある。
これに対して、本実施形態では、増幅トランジスタＭ３の２つのソース２６ａ、２６ｂがゲート２３の２つの辺Ｓ２、Ｓ４に隣接するように構成されている。このように、ゲート２３の２つ以上の辺にソース２６ａ、２６ｂを配することにより、増幅トランジスタＭ３のゲート幅Ｗを広げた状態と等価な状態が実現される。これにより、相互コンダクタンスｇｍが増大する。しかしながら、増幅トランジスタＭ３のゲート２３の実寸法の観点では、ゲート長Ｌを短くすることも、ゲート幅Ｗを広くすることもしていないため、上述のような信号品質の劣化は生じにくい。以上のように、増幅トランジスタＭ３のゲート幅Ｗを実効的に広げつつ、実際の寸法は変えていない状態が実現されるため、信号品質と相互コンダクタンスｇｍとを両立することができる。したがって、本実施形態によれば、より性能が向上された光電変換装置を提供することができる。
また、光電変換装置のＳ／Ｎ比を上げるための一手法として、浮遊拡散部ＦＤの寄生容量を低減することにより光電変換効率を向上させ、出力信号に重畳するランダムノイズを低減させる方法がある。したがって、浮遊拡散部ＦＤの寄生容量は、ランダムノイズの低減によるＳ／Ｎ比の向上の観点から、低減されていることが望ましい。
増幅トランジスタの相互コンダクタンスｇｍを増大させる別の手法として、増幅トランジスタのゲート幅Ｗを広くすること、又は複数の増幅トランジスタを並列に接続するといった手法も考えられる。これらの手法を採用する場合、浮遊拡散部ＦＤと増幅トランジスタＭ３のゲート２３との間に生じる寄生容量が大きなものとなり得る。この寄生容量によって浮遊拡散部ＦＤの容量が大きくなると、光電変換効率が低下し、出力信号に重畳されるランダムノイズが増大し得る。
これに対し、本実施形態の光電変換装置では、ドレイン２５はゲート２３の１つの辺のみに隣接しており、実効的に増幅トランジスタＭ３のドレイン２５のゲート幅Ｗを狭くした状態と等価な状態が実現される。これにより、電圧ＶＤＤが供給される電源電圧ノードと増幅トランジスタＭ３のゲート２３との間の寄生容量を低減することができる。したがって、浮遊拡散部ＦＤの容量が低減され、光電変換効率が向上するため、出力信号に重畳されるランダムノイズが低減される効果が得られる。
増幅トランジスタＭ３のレイアウトは、図３及び図４に示されているものに限られない。以下では、図５から図１０を参照しつつ、増幅トランジスタＭ３のレイアウトの変形例を説明する。
図５は、本実施形態の変形例に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び２つのソース２６ａ、２６ｂを有している。図５に示されているように、ゲート２３は４つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を有する四角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６ａは辺Ｓ２に隣接しており、ソース２６ｂは、辺Ｓ１に隣接している。このように、互いに向かい合わない２つの辺Ｓ２、Ｓ１にソース２６ａ、２６ｂが隣接しており、辺Ｓ１と互いに向かい合う辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本変形例においても、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して２つのソース２６ａ、２６ｂのノードを有している。この２つのソース２６ａ、２６ｂのノードは、例えばコンタクトプラグ及び金属配線を介して電気的に接続されていてもよい。しかしながら、２つのソース２６ａ、２６ｂのノードは、電気的に独立していてもよい。本変形例においても、図４に示されている構成と同様の効果が得られる。このように、２つのソース２６ａ、２６ｂが隣接するゲート２３の辺の位置は図４に示すものに限られない。
図６は、本実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び１つのソース２６を有している。図６に示されているように、ゲート２３は４つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を有する四角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６は、辺Ｓ１及び辺Ｓ２に隣接している。このように、互いに向かい合わない２つの辺Ｓ１、Ｓ２にソース２６が隣接しており、辺Ｓ１と互いに向かい合い、かつ、辺Ｓ２とは互いに向かい合わない辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本変形例においては、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して２辺に隣接したソース２６のノードを有している。本変形例においても、図４に示されている構成と同様の効果が得られる。このように、本実施形態の増幅トランジスタＭ３は、１つのソース２６がゲート２３の２つ以上の辺に隣接する構成であってもよい。
図７は、本実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び３つのソース２６ａ、２６ｂ、２６ｃを有している。図７に示されているように、ゲート２３は４つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を有する四角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６ａは辺Ｓ２に隣接しており、ソース２６ｂは、辺Ｓ４に隣接しており、ソース２６ｃは辺Ｓ１に隣接している。このように、互いに向かい合う２つの辺Ｓ２、Ｓ４にソース２６ａ、２６ｂが隣接しており、これらの辺とは互いに向かい合わない辺Ｓ１にソース２６ｃが隣接している。また、辺Ｓ１と互いに向かい合う辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本変形例においては、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して３つのソース２６ａ、２６ｂ、２６ｃのノードを有している。この３つのソース２６ａ、２６ｂ、２６ｃのノードは、例えばコンタクトプラグ及び金属配線を介して電気的に接続されていてもよい。しかしながら、２つのソース２６ａ、２６ｂのノードは、電気的に独立していてもよい。本変形例においても、図４に示されている構成と同様の効果が得られる。このように、ソースが隣接するゲート２３の辺の個数は、図４のような２つには限られず、３つ以上であってもよい。
図８は、本実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び１つのソース２６を有している。図８に示されているように、ゲート２３は４つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を有する四角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６は、辺Ｓ１、辺Ｓ２及び辺Ｓ４に隣接している。このように、３つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４にソース２６が隣接しており、辺Ｓ１と互いに向かい合い、かつ、辺Ｓ２、Ｓ４とは互いに向かい合わない辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本変形例においては、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して３辺に隣接したソース２６のノードを有している。本変形例においても、図４に示されている構成と同様の効果が得られる。このように、本実施形態の増幅トランジスタＭ３は、１つのソース２６がゲート２３の３つ以上の辺に隣接する構成であってもよい。
図９は、本実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び１つのソース２６を有している。図９に示されているように、ゲート２３は６つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を有する六角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６は、辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６に隣接している。このように、５つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６にソース２６が隣接しており、辺Ｓ１と互いに向かい合い、かつ、辺Ｓ２、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６とは互いに向かい合わない辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本変形例においては、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して５辺に隣接したソース２６のノードを有している。本変形例においても、図４に示されている構成と同様の効果が得られる。このように、本実施形態の増幅トランジスタＭ３は、４つよりも多い辺を有する多角形であってもよく、１つのソース２６がゲート２３の４つよりも多い辺に隣接する構成であってもよい。
図１０は、本実施形態の他の変形例に係る増幅トランジスタＭ３の平面模式図である。増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３、１つのドレイン２５及び１つのソース２６を有している。図１０に示されているように、ゲート２３は６つの辺Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、Ｓ５、Ｓ６を有する六角形をなしている。ドレイン２５は、辺Ｓ３に隣接している。ソース２６は、辺Ｓ１、辺Ｓ５、辺Ｓ６に隣接している。このように、３つの辺Ｓ１、Ｓ５、Ｓ６にソース２６が隣接しており、辺Ｓ１と互いに向かい合い、かつ、辺Ｓ２、Ｓ４とは互いに向かい合わない辺Ｓ３にドレイン２５が隣接している。以上のように、本変形例においては、増幅トランジスタＭ３は、１つのゲート２３に対して３辺に隣接したソース２６のノードを有している。本変形例においても、図４に示されている構成と同様の効果が得られる。このように、本実施形態の増幅トランジスタＭ３は、４つよりも多い辺を有する多角形であり、かつ１つのソース２６がゲート２３の４つよりも少ない辺に隣接する構成であってもよい。
［第２実施形態］
本実施形態に係る光電変換装置について説明する。第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号が付されており、これらの構成要素についての説明は省略又は簡略化されることがある。
図１１は、本実施形態に係る画素２０の等価回路図である。図１１に示されているように、画素２０は、光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤ、転送トランジスタＭ１Ａ、Ｍ１Ｂ、Ｍ１Ｃ、Ｍ１Ｄ、リセットトランジスタＭ２、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４を有している。光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤのアノードは接地ノードに接続されている。光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤのカソードは、転送トランジスタＭ１Ａ、Ｍ１Ｂ、Ｍ１Ｃ、Ｍ１Ｄのソースにそれぞれ接続されている。転送トランジスタＭ１Ａ、Ｍ１Ｂ、Ｍ１Ｃ、Ｍ１Ｄのドレインは、浮遊拡散部ＦＤに接続されている。転送トランジスタＭ１Ａ、Ｍ１Ｂ、Ｍ１Ｃ、Ｍ１Ｄのゲートには、垂直走査回路１０１から制御信号ｐＴＸＡ、ｐＴＸＢ、ｐＴＸＣ、ｐＴＸＤがそれぞれ供給される。
本実施形態においては、４つの転送トランジスタＭ１Ａ、Ｍ１Ｂ、Ｍ１Ｃ、Ｍ１Ｄから１つの浮遊拡散部ＦＤに電荷が転送され得る。これにより、リセットトランジスタＭ２、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４は、４つの光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤに共有されている。
図１２は、本実施形態に係る画素２０の平面模式図である。図１２には、基板に対する平面視における、光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤ、浮遊拡散部ＦＤ、各トランジスタのゲート、ソース、ドレインの配置が示されている。図１２に示されているゲート２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄは、それぞれ、転送トランジスタＭ１Ａ、Ｍ１Ｂ、Ｍ１Ｃ、Ｍ１Ｄのゲート電極の配置を示している。図１２に示されているゲート２２、２３、２４は、それぞれ、リセットトランジスタＭ２、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４のゲート電極の配置を示している。
図１２に示されているように、４つの光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤは２行及び２列をなすように配されている。４つの光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤの中心付近には、浮遊拡散部ＦＤが配されている。ゲート２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄは、それぞれ、光電変換部ＰＤＡ、ＰＤＢ、ＰＤＣ、ＰＤＤと浮遊拡散部ＦＤの間に配されている。リセットトランジスタＭ２、増幅トランジスタＭ３及び選択トランジスタＭ４の配置は図３と同様である。
増幅トランジスタＭ３におけるゲート、ソース、ドレインの配置には、図４から図１０の構成のいずれも適用可能である。すなわち、第１実施形態と同様に、増幅トランジスタＭ３においては、ソースがゲート２３の複数の辺に隣接するように構成されている。したがって、本実施形態においても第１実施形態と同様に、より性能が向上された光電変換装置を提供することができる。
なお、本実施形態においては、２行及び２列をなすように配された４つの光電変換部が１つの浮遊拡散部ＦＤを共有する構成を例示しているが、これに限られない。光電変換部の個数、配列等は適宜変更可能である。
図１１及び図１２に示している構成において、１つのマイクロレンズに対して、１つの浮遊拡散部ＦＤを共有する複数の光電変換部が対応するように配されていてもよい。この構成においては、１つのマイクロレンズを透過した光が、複数の光電変換部に入射する。複数の光電変換部に蓄積された信号を用いることにより、位相差検出方式の焦点検出を行うことができる。この焦点検出のための信号処理は、光電変換装置を備える光電変換システム内の信号処理部等で行われ得る。
［第３実施形態］
上述の実施形態における光電変換装置は種々の機器に適用可能である。機器として、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、カメラヘッド、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星、監視カメラ等があげられる。図１３に、機器の例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。
図１３に示す機器７０は、バリア７０６、レンズ７０２、絞り７０４、撮像装置７００（光電変換装置の一例）を含む。また、機器７０は、更に、信号処理部（処理装置）７０８、タイミング発生部７２０、全体制御・演算部７１８（制御装置）、メモリ部７１０（記憶装置）、記録媒体制御Ｉ／Ｆ部７１６、記録媒体７１４、外部Ｉ／Ｆ部７１２を含む。バリア７０６、レンズ７０２、絞り７０４の少なくとも１つは、機器に対応する光学装置である。バリア７０６はレンズ７０２を保護し、レンズ７０２は被写体の光学像を撮像装置７００に結像させる。絞り７０４はレンズ７０２を通った光量を可変にする。撮像装置７００は上述の実施形態のように構成され、レンズ７０２により結像された光学像を画像データ（画像信号）に変換する。信号処理部７０８は撮像装置７００より出力された撮像データに対し各種の補正、データ圧縮等を行う。タイミング発生部７２０は撮像装置７００及び信号処理部７０８に、各種タイミング信号を出力する。全体制御・演算部７１８はデジタルスチルカメラ全体を制御し、メモリ部７１０は画像データを一時的に記憶する。記録媒体制御Ｉ／Ｆ部７１６は記録媒体７１４に画像データの記録又は読み出しを行うためのインターフェースであり、記録媒体７１４は撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体である。外部Ｉ／Ｆ部７１２は外部コンピュータ等と通信するためのインターフェースである。タイミング信号等は機器の外部から入力されてもよい。また、更に機器７０は光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置（モニター、電子ビューファインダー等）を備えてもよい。機器は少なくとも光電変換装置を備える。更に、機器７０は、光学装置、制御装置、処理装置、表示装置、記憶装置、及び光電変換装置で得られた情報に基づいて動作する機械装置の少なくともいずれかを備える。機械装置は、光電変換装置の信号を受けて動作する可動部（たとえばロボットアーム）である。
それぞれの画素が、複数の光電変換部（第１の光電変換部と、第２の光電変換部）を含んでもよい。信号処理部７０８は、第１の光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号と、第２の光電変換部で生じた電荷に基づく画素信号とを処理し、撮像装置７００から被写体までの距離情報を取得するように構成されてもよい。
［第４実施形態］
図１４（ａ）、図１４（ｂ）は、本実施形態における車載カメラに関する機器のブロック図である。機器８０は、上述した実施形態の撮像装置８００（光電変換装置の一例）と、撮像装置８００からの信号を処理する信号処理装置（処理装置）を有する。機器８０は、撮像装置８００により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部８０１と、機器８０より取得された複数の画像データから視差（視差画像の位相差）の算出を行う視差算出部８０２を有する。また、機器８０は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部８０３と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部８０４とを有する。ここで、視差算出部８０２、距離計測部８０３は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部８０４はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
機器８０は車両情報取得装置８１０と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、機器８０には、衝突判定部８０４での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ＥＣＵ８２０が接続されている。また、機器８０は、衝突判定部８０４での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置８３０とも接続されている。例えば、衝突判定部８０４の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ＥＣＵ８２０はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置８３０は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステム等の画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。機器８０は上述のように車両を制御する動作の制御を行う制御手段として機能する。
本実施形態では車両の周囲、例えば前方又は後方を機器８０で撮像する。図１４（ｂ）は、車両前方（撮像範囲８５０）を撮像する場合の機器を示している。撮像制御手段としての車両情報取得装置８１０が、撮像動作を行うように機器８０又は撮像装置８００に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上述では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御、車線からはみ出さないように自動運転する制御等にも適用可能である。更に、機器は、自動車等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機、人工衛星、産業用ロボット及び民生用ロボット等の移動体（移動装置）に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム（ＩＴＳ）、監視システム等、広く物体認識又は生体認識を利用する機器に適用することができる。
［第５実施形態］
第１実施形態及び第２実施形態において述べた増幅トランジスタＭ３の構造は、撮像装置以外の装置にも適用可能である。本実施形態では、増幅トランジスタＭ３と同様の構造を有するトランジスタを発光装置に適用した例について述べる。第１実施形態と同様の構成要素には同一の符号が付されており、これらの構成要素についての説明は省略又は簡略化されることがある。
本実施形態の発光装置は、画像の表示装置、電子機器の表示部、照明装置等に用いられ得る。表示装置の例としては、例えば、テレビジョン受信機、ＰＣモニタ等が挙げられる。電子機器の例としては、スマートフォン、携帯電話、カメラ等が挙げられる。電子機器がカメラである場合には、本実施形態の発光装置はカメラの電子ビューファインダー等の表示部に適用され得る。
図１５は、本実施形態に係る発光装置の画素５０の等価回路図である。本実施形態の画素５０は、発光装置における発光部の一単位である。表示装置において、画素５０は、１つであってもよく、一列に配されていてもよく、複数の行及び複数の列をなすように配されていてもよい。
画素５０は、選択トランジスタＭ５、駆動トランジスタＭ６及び発光素子ＬＤを有している。各トランジスタはＰ型のＭＯＳトランジスタであるものとするが、Ｎ型のＭＯＳトランジスタであってもよい。
発光素子ＬＤは、例えば、有機発光ダイオード等の発光ダイオードである。発光素子ＬＤのカソードは、接地ノードに接続されており、発光素子ＬＤのアノードは駆動トランジスタＭ６のドレインに接続されている。駆動トランジスタＭ６のソースは、電圧ＶＤＤが供給される電源電圧ノードに接続されている。駆動トランジスタＭ６のゲートは、選択トランジスタＭ５のドレインに接続されている。選択トランジスタＭ５のソースは、信号線５１に接続されている。信号線５１は、不図示の信号出力回路に接続されている。
信号出力回路は、発光素子ＬＤの輝度に対応する電圧を信号線５１に供給する。選択トランジスタＭ５のゲートには、不図示の走査回路から制御信号ｐＳＣが入力される。この制御信号ｐＳＣに応じて選択トランジスタＭ５がオンになると、信号線５１の電圧に応じた電圧が駆動トランジスタＭ６のゲートに印加される。これにより、駆動トランジスタＭ６を電流が流れ、発光素子ＬＤのアノード－カソード間の容量に電圧が充電されることにより、発光素子ＬＤが信号線５１の電圧に応じた輝度で発光する。
ここで、駆動トランジスタＭ６におけるゲート、ソース、ドレインの配置には、図４から図１０の構成のいずれも適用可能である。すなわち、第１実施形態の増幅トランジスタＭ３と同様に、駆動トランジスタＭ６は、複数のソースがゲート２３の複数の辺に隣接するように構成されている。これにより、相互コンダクタンスｇｍを増大させることができ、より性能が向上された発光装置を提供することができる。
また、駆動トランジスタＭ６のドレインのゲート幅Ｗを狭くした状態と等価な状態が実現されるため、駆動トランジスタＭ６がオフのときのドレイン電流を低減することができ、発光装置のオン時とオフ時のコントラスト比を向上させる効果が得られる。
［変形実施形態］
本発明は、上述の実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
本明細書の開示内容は、本明細書に記載した概念の補集合を含んでいる。すなわち、本明細書に例えば「ＡはＢである」旨（Ａ＝Ｂ）の記載があれば、「ＡはＢではない」旨（Ａ≠Ｂ）の記載を省略しても、本明細書は「ＡはＢではない」旨を開示又は示唆しているものとする。なぜなら、「ＡはＢである」旨を記載している場合には、「ＡはＢではない」場合を考慮していることが前提だからである。
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読み出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
なお、上述の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
２３ ゲート
２５ ドレイン
２６ａ、２６ｂ ソース
ＦＤ 浮遊拡散部
Ｍ３ 増幅トランジスタ
ＰＤ 光電変換部

Claims (20)

  1. 基板と、
    入射光に応じた電荷を生成する光電変換部と、
    前記光電変換部で生成された電荷が転送される浮遊拡散部と、
    前記基板に配され、複数の主電極と前記浮遊拡散部に接続されたゲートとを有し、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから出力するトランジスタと、
    を有し、
    前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、
    前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号が出力される複数の第１主電極を有し、
    前記平面視において、前記複数の第１主電極の各々は、前記３つ以上の辺のうちの互いに異なる辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、
    前記平面視において、前記第２主電極は、前記３つ以上の辺のうちの１つの辺のみに隣接している
    ことを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記平面視において、前記複数の第１主電極のうちの２つの第１主電極の中心同士を結ぶ直線と、前記２つの第１主電極のうちの１つの第１主電極の中心と前記第２主電極の中心とを結ぶ直線と、がなす角は鋭角である
    ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
  3. 基板と、
    入射光に応じた電荷を生成する光電変換部と、
    前記光電変換部で生成された電荷が転送される浮遊拡散部と、
    前記基板に配され、複数の主電極と前記浮遊拡散部に接続されたゲートとを有し、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから出力するトランジスタと、
    を有し、
    前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、
    前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号が出力される複数の第１主電極を有し、
    前記平面視において、前記複数の第１主電極の各々は、前記３つ以上の辺のうちの互いに異なる辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、
    前記平面視において、前記複数の第１主電極のうちの２つの第１主電極の中心同士を結ぶ直線と、前記２つの第１主電極のうちの１つの第１主電極の中心と前記第２主電極の中心とを結ぶ直線と、がなす角は鋭角である
    ことを特徴とする光電変換装置。
  4. 前記複数の第１主電極の各々は、コンタクトプラグを有する
    ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  5. 前記複数の第１主電極は、配線により互いに電気的に接続されている
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  6. 基板と、
    入射光に応じた電荷を生成する光電変換部と、
    前記光電変換部で生成された電荷が転送される浮遊拡散部と、
    前記基板に配され、複数の主電極と前記浮遊拡散部に接続されたゲートとを有し、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから出力するトランジスタと、
    を有し、
    前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、
    前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号が出力される複数の第１主電極を有し、
    前記複数の第１主電極の各々は、コンタクトプラグを有し、
    前記複数の第１主電極は、配線により互いに電気的に接続され、
    前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、
    前記平面視において、前記第２主電極は、前記３つ以上の辺のうちの１つの辺のみに隣接している
    ことを特徴とする光電変換装置。
  7. 前記平面視において、前記複数の第１主電極のうちの２つの第１主電極の中心同士を結ぶ直線と、前記２つの第１主電極のうちの１つの第１主電極の中心と前記第２主電極の中心とを結ぶ直線と、がなす角は鋭角である
    ことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
  8. 前記平面視において、前記複数の第１主電極の各々は、前記３つ以上の辺のうちの互いに異なる辺に隣接している
    ことを特徴とする請求項６または７に記載の光電変換装置。
  9. 基板と、
    入射光に応じた電荷を生成する光電変換部と、
    前記光電変換部で生成された電荷が転送される浮遊拡散部と、
    前記基板に配され、複数の主電極と前記浮遊拡散部に接続されたゲートとを有し、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから出力するトランジスタと、
    を有し、
    前記複数の主電極は、前記浮遊拡散部の電位に応じた信号が出力される複数の第１主電極を有し、
    前記複数の第１主電極の各々は、コンタクトプラグを有し、
    前記複数の第１主電極は、配線により互いに電気的に接続され、
    前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、
    前記基板に対する平面視において、前記複数の第１主電極のうちの２つの第１主電極の中心同士を結ぶ直線と、前記２つの第１主電極のうちの１つの第１主電極の中心と前記第２主電極の中心とを結ぶ直線と、がなす角は鋭角である
    ことを特徴とする光電変換装置。
  10. 前記複数の第１主電極は、互いに電気的に独立している
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  11. 前記複数の第１主電極のうちの１つが、前記３つ以上の辺のうちの２つ以上の辺に隣接している
    ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  12. 前記平面視において、前記複数の第１主電極同士を通過する全ての仮想線で定義された領域の外部に、前記第２主電極は配される
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  13. 前記所定の電位は電源電位である
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  14. 前記浮遊拡散部には、複数の前記光電変換部から電荷が転送される
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
  15. 請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置に対応した光学装置、
    前記光電変換装置を制御する制御装置、
    前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、
    前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、
    前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置、及び
    前記光電変換装置で得られた情報に基づいて動作する機械装置、の少なくともいずれかと、を備えることを特徴とする機器。
  16. 前記処理装置は、複数の光電変換部にて生成された画像信号をそれぞれ処理し、前記光電変換装置から被写体までの距離情報を取得することを特徴とする請求項１５に記載の機器。
  17. 基板と、
    発光素子と、
    前記基板に配され、複数の主電極とゲートとを有し、前記ゲートの電位に応じた電流を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから前記発光素子に供給するトランジスタと、
    を有し、
    前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、
    前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、
    前記平面視において、前記第２主電極は、前記３つ以上の辺のうちの１つの辺のみに隣接している
    ことを特徴とする発光装置。
  18. 前記複数の主電極は、前記ゲートの電位に応じた電流を前記発光素子に供給する複数の第１主電極を有し、前記平面視において、前記複数の第１主電極のうちの２つの第１主電極の中心同士を結ぶ直線と、前記２つの第１主電極のうちの１つの第１主電極の中心と前記第２主電極の中心とを結ぶ直線と、がなす角は鋭角である
    ことを特徴とする請求項１７に記載の発光装置。
  19. 基板と、
    発光素子と、
    前記基板に配され、複数の主電極とゲートとを有し、前記ゲートの電位に応じた電流を前記複数の主電極のうちの少なくとも１つから前記発光素子に供給するトランジスタと、
    を有し、
    前記基板に対する平面視において、前記ゲートは４つ以上の辺を有し、
    前記平面視において、前記複数の主電極は前記ゲートの３つ以上の辺に隣接し、
    前記複数の主電極は、前記ゲートの電位に応じた電流を前記発光素子に供給する複数の第１主電極を有し、
    前記複数の主電極は、所定の電位が与えられる第２主電極を有し、
    前記平面視において、前記複数の第１主電極のうちの２つの第１主電極の中心同士を結ぶ直線と、前記２つの第１主電極のうちの１つの第１主電極の中心と前記第２主電極の中心とを結ぶ直線と、がなす角は鋭角である
    ことを特徴とする発光装置。
  20. 前記平面視において、前記複数の第１主電極の各々は、前記３つ以上の辺のうちの互いに異なる辺に隣接している
    ことを特徴とする請求項１８または１９に記載の発光装置。
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