JP2018125620A - 固体撮像装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 116
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 28
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 3
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 3
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/617—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for reducing electromagnetic interference, e.g. clocking noise
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/778—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
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Abstract
Description
図1(a)及び図1(b)は、第1の実施形態に係る固体撮像装置100の回路図である。図1(a)は固体撮像装置100に含まれる画素10の回路図であり、図1(b)は、画素10が行方向及び列方向に配列された画素アレイ及び読み出し回路を含む固体撮像装置100の回路図である。
図7は、第2の実施形態に係る固体撮像装置120の回路図である。図7は、画素アレイ及び読み出し回路を含む固体撮像装置120の回路図であり、第1の実施形態の図1(b)に対応するものである。その他の構成は、第1の実施形態と同様であるため図示及び説明を省略する。行位置A〜Dは、平面視において、画素ウェル領域W3の内側に位置している。
第1の実施形態に係る固体撮像装置100の具体的な素子構造の例を第3の実施形態として説明する。図8は、第3の実施形態に係る固体撮像装置100の構造を示す模式図である。回路構成は図1と同様であるため説明を省略する。また、図8において、差動増幅回路30−1等の一部の素子については図示を省略している。固体撮像装置100は、第1の半導体基板132、絶縁体134、第2の半導体基板136が積層された構造を有している。画素10、行選択信号線24、垂直シフトレジスタ26、垂直信号線28、グラウンド配線32、グラウンドパッド34等は第1の半導体基板132の上に形成されている。差動増幅回路30、保持容量38等は第2の半導体基板136の上に形成されている。
図9は、本実施形態による撮像システム500の構成を示すブロック図である。本実施形態の撮像システム500は、上述の第1乃至第3の実施形態で述べた固体撮像装置100、120のいずれかの構成を適用した固体撮像装置200を含む。撮像システム500の具体例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラ等が挙げられる。図9に、第1乃至第3の実施形態のいずれかの構成が適用された固体撮像装置200を含むデジタルスチルカメラの構成例を示す。
図10(a)及び図10(b)は、本実施形態による撮像システム600及び移動体の構成を示す図である。図10(a)は、車戴カメラに関する撮像システム600の一例を示したものである。撮像システム600は、固体撮像装置200を有する。固体撮像装置200は、上述の第1乃至第3の実施形態に記載の固体撮像装置100、120のいずれかである。撮像システム600は、固体撮像装置200により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部612と、撮像システム600により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差算出部614を有する。また、撮像システム600は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部616と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部618と、を有する。ここで、視差算出部614や距離計測部616は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部618はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
上述の実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらの例示によって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならない。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な態様で実施することができる。また、これまで述べた各実施形態を種々組み合わせて実施することができる。
12 フォトダイオード
28 垂直信号線
30(30−1、30−2) 差動増幅回路
32 グラウンド配線
100 固体撮像装置
Claims (10)
- 光電変換素子と、前記光電変換素子が生成する信号に基づく画素信号を出力する画素出力部とをそれぞれが有し、第1の方向に配列され、画素ウェル領域に設けられた複数の画素と、
前記複数の画素の各々の前記画素出力部に接続され、前記第1の方向に沿って配された第1の配線と、
前記第1の方向に対応する方向に沿って配された第2の配線と、
平面視において前記画素ウェル領域の内部に位置する接続部で、前記第2の配線と接続する第3の配線と、
2つの入力端子を有し、一方の入力端子には、前記第1の配線を介して前記画素信号が入力され、他方の入力端子には、前記第3の配線の電位が入力される差動増幅回路と
を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第2の配線は、前記複数の画素の各々の前記光電変換素子に接続されており、
前記画素信号の基準となる電位は、前記接続部から前記光電変換素子に供給されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素は、前記第1の方向及び第2の方向に二次元状に配列され、
前記接続部は、前記第2の方向に並ぶ複数の画素の間に位置することを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 2つの端子を有し、前記接続部に一方の端子が接続され、前記差動増幅回路の前記他方の入力端子に他方の端子が接続される保持容量を更に有し、前記第3の配線と前記他方の入力端子が、前記保持容量を介して接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- オン状態において前記保持容量の前記他方の端子に所定の電位を供給するよう構成されたスイッチを更に有し、
前記保持容量及び前記スイッチは、基準電圧を保持し、前記基準電圧を前記差動増幅回路に入力させるサンプルホールド回路を構成することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記複数の画素が配された第1の半導体基板と、
前記差動増幅回路及び前記保持容量が配された第2の半導体基板と、
前記第1の配線と前記差動増幅回路の前記一方の入力端子との間の電気的経路に配された第1のビアと、
前記接続部と前記保持容量の前記一方の端子との間の電気的経路に配された第2のビアと
を有することを特徴とする請求項4又は5に記載の固体撮像装置。 - 前記第1の配線の上の第2の接続部から前記差動増幅回路の前記一方の入力端子に前記画素信号を引き出す第4の配線を更に有し、
前記接続部と前記第2の接続部とは、前記第1の方向に対して垂直な第2の方向に並ぶ位置に配されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の配線に接続された第1のパッド及び第2のパッドを更に有し、
前記接続部は、前記第1のパッドと前記第2のパッドの間の電気的経路にあることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の前記複数の画素から出力される信号を処理する信号処理部と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する移動体制御手段と
を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017014651A JP6833531B2 (ja) | 2017-01-30 | 2017-01-30 | 固体撮像装置 |
US15/862,020 US10425600B2 (en) | 2017-01-30 | 2018-01-04 | Solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017014651A JP6833531B2 (ja) | 2017-01-30 | 2017-01-30 | 固体撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018125620A true JP2018125620A (ja) | 2018-08-09 |
JP2018125620A5 JP2018125620A5 (ja) | 2020-03-05 |
JP6833531B2 JP6833531B2 (ja) | 2021-02-24 |
Family
ID=62980934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017014651A Active JP6833531B2 (ja) | 2017-01-30 | 2017-01-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10425600B2 (ja) |
JP (1) | JP6833531B2 (ja) |
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JP5645543B2 (ja) | 2010-08-20 | 2014-12-24 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5814539B2 (ja) | 2010-11-17 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
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JP6300488B2 (ja) | 2013-10-22 | 2018-03-28 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、固体撮像素子及びカメラ |
JP6391290B2 (ja) | 2014-05-08 | 2018-09-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US9979916B2 (en) | 2014-11-21 | 2018-05-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging apparatus and imaging system |
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-
2017
- 2017-01-30 JP JP2017014651A patent/JP6833531B2/ja active Active
-
2018
- 2018-01-04 US US15/862,020 patent/US10425600B2/en active Active
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JP7374639B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-11-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6833531B2 (ja) | 2021-02-24 |
US20180220089A1 (en) | 2018-08-02 |
US10425600B2 (en) | 2019-09-24 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20171214 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180126 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210203 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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