JPWO2020100400A1 - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
真空チャンバ内に設けられる可動防着板を簡単な構成で冷却できるようにした真空処理装置を提供する。真空チャンバ１を有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板Ｓｗに対して所定の真空処理を施す本発明の真空処理装置ＳＭは、真空チャンバ内に防着板８が設けられ、防着板が真空チャンバに固定配置される固定防着板８１と一方向に移動自在な可動防着板８２とで構成され、真空チャンバの内壁面１３に立設された金属製のブロック体９と、ブロック体を冷却する冷却手段１１とを更に備え、被成膜基板に対して所定の真空処理を施す可動防着板の処理位置にて、ブロック体の頂面９１が可動防着板に近接または当接するようにする。
Description
本発明は、真空チャンバを有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板に対して所定の真空処理を施す真空処理装置に関する。
例えば半導体デバイスの製造工程においては、真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバ内にてシリコンウエハなどの被処理基板に所定の真空処理を施す工程があり、このような真空処理には、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法またはプラズマＣＶＤ法による成膜装置、ドライエッチング装置や真空熱処理装置等が利用される。例えば、スパッタリング法による成膜を施す真空処理装置（スパッタリング装置）は例えば特許文献１で知られている。このものは、真空雰囲気の形成が可能な真空チャンバを有し、その上部にはスパッタリング用ターゲットが配置されている。真空チャンバ内の下部には、ターゲットに対向させて被処理基板が設置されるステージが設けられている。
上記スパッタリング装置を用いて所定の薄膜を成膜するのに際しては、ステージに一枚の被処理基板を設置した状態で真空雰囲気の真空チャンバ内に希ガス（及び反応ガス）を導入し、ターゲットに例えば負の電位を持った直流電力や所定周波数の交流電力を投入する。これにより、真空チャンバ内にプラズマ雰囲気が形成され、プラズマ中で電離した希ガスのイオンがターゲットに衝突してターゲットがスパッタリングされ、ターゲットから飛散したスパッタ粒子が被処理基板表面に付着、堆積して、ターゲット種に応じた所定の薄膜が成膜される。ターゲットをスパッタリングすると、ターゲット表面から所定の余弦則に従ってスパッタ粒子が飛散するが、スパッタ粒子の一部は被成膜物以外にも向けて飛散する。真空チャンバには、通常、その内壁面に対するスパッタ粒子の付着を防止するために、金属製の防着板が真空チャンバの内壁面から間隔を存して設けられる。
ここで、複数枚の被処理基板に対して順次成膜するような場合（所謂枚葉式の真空処理装置）、処理前の被処理基板をステージに搬送し、または、処理済みの被処理基板をステージから搬出する必要がある。上記従来例のスパッタリング装置では、防着板が、真空チャンバに固定配置される固定防着板と一方向に移動自在な可動防着板とで構成されている。そして、成膜時には、固定防着板と可動防着板とを部分的にオーバーラップさせることで、真空チャンバの内壁面に対するスパッタ粒子の付着を防止できる。一方、基板搬送時には、固定防着板に対して可動防着板を相対移動させて、例えば固定防着板と可動防着板との間に空間を形成することで、この空間を介して真空搬送ロボットの通過が許容され、ステージに対する被処理基板の搬出入が可能になる。なお、未使用の防着板を真空チャンバ内にセットした場合、被処理基板に対する成膜に先立って、真空雰囲気中で防着板を所定温度に加熱する所謂ベーキング処理が行われ、防着板等の脱ガスを実施することが一般的である。
ところで、スパッタリングによる成膜時、防着板は、プラズマの輻射熱等で加熱され、成膜される被処理基板の枚数が増加するのに従い、次第に高温になっていく。そして、ベーキング処理時の温度を超えて防着板が昇温すると、特に、スパッタ粒子が付着、堆積しない防着板の裏面から真空排気されずにその表面に残留する種々のガス（酸素や、水蒸気等）が放出されることになる。このような放出ガスが成膜時に薄膜中に取り込まれると、例えば膜質の劣化を招来するので、これを可及的に抑制する必要がある。このような放出ガスは、例えばドライエッチング装置により被処理基板をドライエッチングする際にも、エッチング形状を変化させる等の悪影響を与えることが考えられる。
従来では、防着板の裏面側に冷却管を蛇行して付設し、または、所定の厚みを持つ防着板内に冷媒の循環路を形成し、冷却管や循環路に冷媒を循環させて防着板の冷却を行うことが一般に知られている（例えば、特許文献２参照）。然し、このような防着板は、それ自体の構造が複雑でコスト高である。また、このような構成を可動防着板に適用する場合、真空チャンバ外に配置されるチラーユニットからの配管を、継手などを介して冷却管や循環路に接続すると共に、可動防着板の移動に伴って真空チャンバ内で配管自体も移動できるようにする必要があるので、真空処置装置の破損につながる、真空チャンバ内での水漏れを発生させる危険性が増大するといった問題が生じる。
本発明は、以上の点に鑑みなされたものであり、真空チャンバ内に設けられる可動防着板を簡単な構成で冷却できるようにした真空処理装置を提供することをその課題とするものである。
上記課題を解決するために、真空チャンバを有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板に対して所定の真空処理を施す本発明の真空処理装置は、真空チャンバ内に防着板が設けられ、防着板が真空チャンバに固定配置される固定防着板と一方向に移動自在な可動防着板とで構成され、真空チャンバの内壁面に立設された金属製のブロック体と、ブロック体を冷却する冷却手段とを更に備え、被成膜基板に対して所定の真空処理を施す可動防着板の処理位置にて、ブロック体の頂面が可動防着板に近接または当接するようにしたことを特徴とする。
本発明によれば、ブロック体を真空チャンバの内壁面に立設するだけという簡単な構成で、処理位置にある可動防着板をブロック体からの放射冷却や、防着板との接触面を介した伝熱により冷却することができ、結果として、真空処理中に可動防着板が所定温度以上に加熱されることを防止できる。この場合、ブロック体は、真空チャンバの内壁面に固定配置されたものであるため、真空処置装置の破損につながる、真空チャンバ内での水漏れを発生させる危険性を可及的に少なくできる。
ところで、例えば、真空チャンバの壁面には、真空チャンバ内での所定の真空処理に先立って実施されるベーキング用に、温媒を循環させるためのジャケットが設けられているものが多い。そこで、本発明においては、前記冷却手段が真空チャンバの壁面に設けたジャケットで構成され、ジャケットに冷媒を循環させたときの真空チャンバの壁面からの伝熱で前記ブロック体が冷却されるように構成を採用することが好ましい。これによれば、既存のジャケットを利用し、このジャケットに冷媒を循環させるだけで、真空チャンバの壁面からの伝熱でブロック体を冷却できる。このため、ブロック体を冷却するための配管などの部品を省略することができ、真空チャンバ内での水漏れを発生させる危険性を排除できる。この場合、真空チャンバの内壁面とブロック体との間に介在された熱伝導シートを更に備える構成を採用してもよい。
以下、図面を参照して、真空処理装置をマグネトロン方式のスパッタリング装置、被処理基板をシリコンウエハ（以下、「基板Ｓｗ」という）とし、基板Ｓｗ表面に所定の薄膜を成膜する場合を例に本発明の真空処理装置の実施形態を説明する。以下においては、方向を示す用語は、図１に示す真空処理装置としてのスパッタリング装置ＳＭの設置姿勢を基準とする。
図１を参照して、ＳＭは、本実施形態のスパッタリング装置である。スパッタリング装置ＳＭは、真空チャンバ１を備える。真空チャンバ１の側壁及び下壁には、図外の温媒または冷媒用の循環ユニットに配管を介して接続されるジャケット１１が設けられており、適宜、温媒や冷媒を循環させて真空チャンバ１の側壁及び下壁を加熱または冷却できるようにしている。真空チャンバ１の上面開口にはカソードユニット２が着脱自在に取付けられている。
カソードユニット２は、ターゲット２１と、このターゲット２１の上方に配置される磁石ユニット２２とで構成されている。ターゲット２１としては、基板Ｓｗ表面に成膜しようとする薄膜に応じて、アルミニウム、銅、チタンやアルミナなど公知のものが利用される。そして、ターゲット２１は、バッキングプレート２１ａに装着した状態で、そのスパッタ面２１ｂを下方にした姿勢で、真空チャンバ１の上壁に設けた真空シール兼用の絶縁体３１を介して真空チャンバ１の上部に取り付けられる。ターゲット２１には、ターゲット種に応じて直流電源や交流電源などから構成されるスパッタ電源２１ｃからの出力２１ｄが接続され、ターゲット種に応じて、例えば負の電位を持つ所定電力や所定周波数の高周波電力が投入できるようになっている。磁石ユニット２２は、ターゲット２１のスパッタ面２１ｂの下方空間に磁場を発生させ、スパッタ時にスパッタ面２１ｂの下方で電離した電子等を捕捉してターゲット２１から飛散したスパッタ粒子を効率よくイオン化する公知の閉鎖磁場若しくはカスプ磁場構造を有するものであり、ここでは詳細な説明を省略する。
真空チャンバ１の下部には、ターゲット２１に対向させてステージ４が配置されている。ステージ４は、真空チャンバ１下部に設けた絶縁体３２を介して設置される、筒状の輪郭を持つ金属製の基台４１と、この基台４１の上面に接着したチャックプレート４２とで構成されている。チャックプレート４２は、例えば窒化アルミニウム製で基台４１の上面より一回り小さい外径を有し、特に図示して説明しないが、静電チャック用の電極が埋設されている。そして、図外のチャック電源から電極に電圧を印加すると、チャックプレート４２上面に基板Ｓｗが静電吸着されるようになっている。基台４１にはまた、図外のチラーユニットからの冷媒を循環させる冷媒循環路４１ａが形成されている。基台４１とチャックプレート４２と間には、例えば窒化アルミニウム製のホットプレート４３が介在され、通電により所定温度（例えば、３００℃〜５００℃）に加熱できるようになっている。この場合、チャックプレート４２にヒータを内蔵してチャックプレート４２とホットプレート４３とが一体に形成することもできる。そして、ホットプレート４３による加熱と、冷媒循環路４１ａへの冷媒の循環による基台４１の冷却とによって基板Ｓｗを室温以上の所定温度範囲に制御できるようにしている。
真空チャンバ１の側壁には、スパッタガスを導入するガス管５が接続され、ガス管５がマスフローコントローラ５１を介して図示省略のガス源に連通している。スパッタガスには、真空チャンバ１にプラズマを形成する際に導入されるアルゴンガス等の希ガスだけでなく、酸素ガスや窒素ガスなどの反応ガスが含まれる。真空チャンバ１の下壁にはまた、ターボ分子ポンプやロータリポンプなどで構成される真空ポンプ６１に通じる排気管６２が接続され、真空チャンバ１内を一定速度で真空引きし、スパッタリング時にはスパッタガスを導入した状態で真空チャンバ１を所定圧力に保持できるようにしている。
真空チャンバ１内でステージ４の周囲には、径方向外方に露出する基台４１、ひいてはホットプレート４３の上面部分４３ａを覆うように、防着板として機能するプラテンリング７が間隔を存して設けられている。プラテンリング７は、アルミナ、ステンレス等の公知の材料製であり、基台４１の上面に設けた絶縁体３３を介して設けられている。プラテンリング７の上面は、チャックプレート４２の上面と略面一になるようにしている。また、真空チャンバ１内には、ターゲット２１のスパッタリングにより発生する物質としてのスパッタ粒子の真空チャンバ１の内壁面への付着を防止する金属製の防着板８が設けられている。
防着板８は、夫々がアルミナ、ステンレス等の公知の材料製である上防着板８１と下防着板８２とで構成され、本実施形態では、上防着板８１が固定防着板を、下防着板８２が可動防着板を夫々構成する。上防着板８１は、筒状の輪郭を持ち、真空チャンバ１の上部に設けた係止部１２を介して吊設されている。下防着板８２もまた、筒状の輪郭を持ち、その径方向外側の自由端には、上方に向けて起立した起立壁部８２ａが形成されている。下防着板８２には、真空チャンバ１の下壁を貫通してのびる、モータやエアシリンダなどの駆動手段８３からの駆動軸８３ａが連結され、駆動手段８３によって下防着板８２は、一方向としての真空チャンバ１の上下方向に移動自在となっている。
駆動手段８３によって下防着板８２が最下側まで移動（下動）した位置（処理位置）では、上防着板８１の下端部と起立壁部８２ａの上端部とが上下方向で互いにオーバーラップするようなっており、上防着板８１の下端部と起立壁部８２ａの上端部とで所謂ラビリングシールを形成して、スパッタリングによる成膜時、スパッタ粒子の真空チャンバ１の内壁面への付着を防止する。一方、駆動手段８３によって処理位置から下防着板８２を所定の高さ位置まで移動（上動）した位置（搬送位置）では、下防着板８２の下方に所定の空間が形成される。この場合、特に図示して説明しないが、真空チャンバ１の側壁には、ゲートバルブを備える、上記空間を臨む受渡開口が形成され、受渡開口を介して図外の真空搬送ロボットによるステージ４への基板Ｓｗの受渡を行うことができるようになっている。
上下方向と直交してのびる下防着板８２の平坦部８２ｂは、その径方向（図１中、左右方向）の内方部がプラテンリング７と対向するように定寸されている。平坦部８２ｂ下面の所定位置には、環状の突条８２ｃが形成されている。突条８２ｃに対応させてプラテンリング７の上面には、環状の凹溝７１が形成されている。そして、駆動手段８３によって下防着板８２が処理位置に移動された状態（この場合、下防着板８２の平坦部８２ｂは、真空チャンバの内壁面、具体的にはその下壁内面に対して近接離間方向に移動することになる）では、平坦部８２ｂの突条８２ｃとプラテンリング７の凹溝７１とにより所謂ラビリンスシールが形成され、基板Ｓｗの周囲で下防着板８２の下方に位置する真空チャンバ１内の空間へのスパッタ粒子の回り込みを防止できるようにしている。 以下に、ターゲットをアルミニウムとし、上記スパッタリング装置ＳＭによって基板Ｓｗ表面にアルミニウム膜を成膜する場合を例に成膜方法を説明する。
真空チャンバ１内に、ターゲット２１、プラテンリング７や防着板８などの各種の部品をセットした後、真空ポンプ６１を作動させて気密保持された真空チャンバ１を真空排気する。これに併せて、ジャケット１１に所定温度の温媒を流通させ、真空雰囲気中で真空チャンバ１の壁面、プラテンリング７を含む防着板などの部品を所定温度に加熱する所謂ベーキング処理が行われる。そして、下防着板８２の搬送位置にて、図外の真空搬送ロボットによりステージ４上へと基板Ｓｗを搬入し、ステージ４のチャックプレート４２上面に基板Ｗを載置する。真空搬送ロボットが退避すると、下防着板８２が処理位置に移動され、真空チャンバ１内壁へのスパッタ粒子の付着を防止する。そして、静電チャック用の電極に対してチャック電源から所定電圧を印加し、チャックプレート４２に基板Ｓｗを静電吸着する。これに併せて、ホットプレート４３による加熱と、冷媒循環路４１ａへの冷媒の循環による基台４１の冷却とによって基板Ｓｗが室温以上の所定温度（例えば、３５０℃）に制御される。
真空チャンバ１内が所定圧力（例えば、１０−５Ｐａ）まで真空引きされると共に、基板Ｓｗが所定温度になると、ガス管５を介してスパッタガスとしてのアルゴンガスを一定の流量（例えば、アルゴン分圧が０．１Ｐａ）で導入し、これに併せてターゲット２１にスパッタ電源２１ｃから負の電位を持つ所定電力（例えば、３〜５０ｋＷ）を投入する。これにより、真空チャンバ１内にプラズマが形成され、プラズマ中のアルゴンガスのイオンでターゲットのスパッタ面２１ｂがスパッタリングされ、ターゲット２１からのスパッタ粒子が基板Ｓｗに付着、堆積してアルミニウム膜が成膜される。成膜が終了すると、ガス導入及びターゲットへの電力投入が一旦停止され、下防着板８２が搬送位置に移動させ、図外の真空搬送ロボットによりステージ４から処理済みの基板Ｓｗが搬出される。以上の操作を繰り返して、複数枚の基板Ｓｗに対して成膜（真空処理）が行われる。
ここで、スパッタリングによる成膜時、上防着板８１や下防着板８２は、プラズマの輻射熱等で加熱され、成膜される基板Ｓｗの枚数が増加するのに従い、次第に高温になっていく。本実施形態のような構成では、ホットプレート４３からの放射で加熱されるプラテンリング７に下防着板８２の平坦部８２ｂが対向しているため、下防着板８２が特に加熱され易い。そして、ベーキング処理時の温度を超えて上防着板８１や下防着板８２（特に、基板Ｓｗの近傍に位置する下防着板８２）が昇温すると、スパッタ粒子が付着、堆積しない上防着板８１や下防着板８２の裏面から真空排気されずにその表面に残留する種々のガス（酸素や、水蒸気等）が放出されることになる。このような放出ガスが成膜時に薄膜中に取り込まれると、例えば膜質の劣化を招来するので、これを可及的に抑制する必要がある。
本実施形態では、図２に示すように、真空チャンバ１の下壁内面１３に、下防着板８２の平坦部８２ｂに対向させて、筒状に成形されたブロック体９を立設した。ブロック体９は、アルミニウムや銅などの伝熱特性のよい金属で構成され、ブロック体９の頂面９１までの高さは、下防着板８２の処理位置にて、ブロック体９の頂面９１と下防着板８２（即ち、平坦部８２ｂ）の下面とが、隙間を存して対向するように定寸されている。上下方向における隙間は、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下に設定される。また、真空チャンバ１の下壁内面１３とブロック体９との間には、シリコンシートやインジウムシートのような熱伝達を向上させる熱伝導シート９２が介在されている。そして、成膜中、ジャケット１１に所定温度の冷媒を流通させ、真空チャンバ１の壁面から熱伝導シート９２を介した伝熱でブロック体９が所定温度に冷却されるようになっている。本実施形態では、ジャケット１１がブロック体９を冷却する冷却手段を構成する。ブロック体９の体積、頂面９１の面積（防着板との対向面の面積）や、防着板８２に対するブロック体９の相対位置等は、冷却しようとする下防着板８２の温度等を考慮して適宜設定される。
以上の実施形態によれば、ブロック体９を真空チャンバ１の下壁内面１３に立設するという簡単な構成で、処理位置にある下防着板８２をブロック体９からの放射冷却により冷却することができ、結果として、真空処理中に下防着板８２が所定温度以上に加熱されることを防止でき、ひいては、下防着板８２の昇温に伴うガス放出が可及的に抑制されて、放出ガスが薄膜中に取り込まれて例えば膜質の劣化を招来するといった不具合が発生することを防止できる。この場合、ブロック体９は、真空チャンバ１の内壁面に固定配置されたものであり、冷媒供給用の配管を接続するといったことを省略できるため、スパッタリング装置ＳＭの破損につながる、真空チャンバ１内での水漏れを発生させる危険性を可及的に少なくできる。その上、真空チャンバ１に設けられている既存のジャケット１１を利用し、このジャケット１１に冷媒を循環させるだけで、真空チャンバ１の壁面からの伝熱でブロック体９を冷却できる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の変形が可能である。本実施形態では、スパッタリング装置ＳＭの構造上、特に高温になり易く、かつ、真空チャンバ１の下壁内面に対して近接離間方向に移動する可動防着板としての下防着板８２の平坦部８２ｂを冷却対象部分とし、平坦部８２ｂを冷却するために、ブロック体９を真空チャンバ１の下壁内面１３に立設したものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、上下方向に沿って移動する下防着板８２の起立壁部８２ａが冷却できるように、ブロック体９を真空チャンバ１の側壁内面に立設することもでき、また、本発明のブロック体９を用いる冷却構造は、固定防着板８１に対しても有効である。なお、ブロック体９を真空チャンバ１の壁面に立設するとき、熱伝導シート９２は省略することができる。
また、上記実施形態では、下防着板８２の処理位置にて、下防着板８２の平坦部８２ｂの下面が、隙間を存してブロック体９の頂面９１に対向するようにしたものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、下防着板８２の処理位置にて平坦部８２ｂの下面がブロック体９の頂面９１に当接するようにし、面接触による伝熱で下防着板８２を冷却するように構成することもできる。但し、真空チャンバ１内で実施される真空処理によっては、例えば、スパッタ粒子が平坦部８２ｂの下面まで回り込んで付着する場合があり、このような場合、平坦部８２ｂの下面とブロック体９の頂面９１とを当接させると、良好な真空処理を阻害するパーティクルを発生させる虞がある。このため、下防着板８２を繰り返し上下動させても、下防着板８２の処理位置にて下防着板８２とブロック体９との間に１ｍｍ以下の隙間が常時形成されるように位置決め機構を持つことが好ましい場合がある。
図３（ａ）に示す変形例のものは、上記のような位置決め機構を備えるものであり、具体的には、各駆動軸８３ａの上端に、単一のリング状のガイドリング８３ｂが設けられると共に、ブロック体９の頂面９１に対向するガイドリング８３ｂの下面の所定位置には周方向に間隔（例えば、１２０度間隔）をおいて凹孔８３ｃが形成されている。一方、ブロック体９の頂面９１は、下防着板８２の処理位置への移動を許容するように（つまり、ガイドリング８３ｂが干渉しないように）段付きに形成され、頂面９１の一段低くなった上面部分９３に、凹孔８３ｃに位相を合わせて位置決めピン９４が立設されている。そして、下防着板８２の処理位置では、各凹孔８３ｃに各位置決めピン９４が嵌合することで、下防着板８２の処理位置にて下防着板８２とブロック体９との間に１ｍｍ以下の隙間が常時形成されるようになっている。
上記変形例では、ガイドリング８３ｂの下面の所定位置に凹孔８３ｃが、ブロック体９の頂面９１に位置決めピン９４が形成されるものを例に説明したが、これに限定されるものではない。図３（ｂ）に示す他の変形例のものでは、ブロック体９の頂面９１の所定位置に、位置決めピン９５を周方向に間隔（例えば、１２０度間隔）をおいて立設し、位置決めピン９５に位相を合わせて下防着板８２の平坦部８２ｂの下面所定位置に、凹孔８３ｄを形成するようにしてもよい。この場合、各凹孔８３ｄに各位置決めピン９５を繰り返し嵌合させると、パーティクルが発生し、これが基板Ｓｗに悪影響を与えることも考えられる。このため、凹孔８３ｄより内方に位置させて、平坦部８２ｂの下面所定位置に突条８３ｅを形成すると共に、突条８３ｅに位相を合わせて、ブロック体９の頂面９１に、突条８３ｅを受け入れる環状の受入凹溝９６を形成し、下防着板８２の処理位置にて、突条８３ｅと受入凹溝９６とでラビリンス構造を形成するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、真空チャンバ１の壁面に設けられ、冷媒が循環されるジャケット１１により冷却手段を構成するもの例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、ブロック体９内に冷媒循環路を形成し、冷媒循環路に冷媒を循環させてブロック体９を直接冷却することができる。他方で、真空チャンバ内のガスを吸着するクライオパネルを真空チャンバ１内でブロック体９に対向配置してブロック体９を冷却するようにしてもよい。更に、図４に示すように、ブロック体９内に、その頂面９１に通じるガス通路９７を形成し、下防着板８２の処理位置にて、下防着板８２とブロック体９との間の空間に、アルゴンやヘリウム等からなる所定の冷却ガスを導入し、冷却ガスの伝熱によって下防着板８２を冷却することもできる。この場合、頂面９１におけるガス通路９７のガス出口を径方向内外から囲繞するように、頂面９１と下防着板８２の平坦部８２ｂの下面とに、突条９８または受入凹溝８３ｆを夫々形成し、突条９８と受入凹溝８３ｆとでラビリンス構造を形成して冷却ガスのコンダクタンスを小さくしてもよく、また、封止部材（図示せず）を設けて下防着板８２とブロック体９との間の空間の圧力を大きくすることもできる。
また、上記実施形態では、真空処理装置をスパッタリング装置ＳＭとした場合を例に説明したが、真空チャンバ内に可動防着板を備えるものであれば、特に制限はなく、例えば、ドライエッチング装置にも本発明は適用できる。
ＳＭ…スパッタリング装置（真空処理装置）、１…真空チャンバ、１１…ジャケット（冷却手段）、４…ステージ、４１…基台、４３…ホットプレート、８…防着板、８２…下防着板、９…ブロック体、９２…熱伝導シート、Ｓｗ…基板（被処理基板）。
Claims (3)
- 真空チャンバを有してこの真空チャンバ内にセットされた被処理基板に対して所定の真空処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内に防着板が設けられ、防着板が真空チャンバに固定配置される固定防着板と一方向に移動自在な可動防着板とで構成されるものにおいて、
真空チャンバの内壁面に立設された金属製のブロック体と、ブロック体を冷却する冷却手段とを更に備え、被成膜基板に対して所定の真空処理を施す可動防着板の処理位置にて、ブロック体の頂面が可動防着板に近接または当接するようにしたことを特徴とする真空処理装置。 - 前記冷却手段が真空チャンバの壁面に設けたジャケットで構成され、ジャケットに冷媒を循環させたときの真空チャンバの壁面からの伝熱で前記ブロック体が冷却されるように構成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載の真空処理装置。
- 真空チャンバの内壁面とブロック体との間に介在された熱伝導シートを更に備えることを特徴とする請求項２記載の真空処理装置。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005060757A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置、及び成膜方法 |
| JP2005336572A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Tsukishima Kikai Co Ltd | 蒸着装置 |
| JP2011127136A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置および、該スパッタリング装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
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Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2967784B2 (ja) * | 1989-12-11 | 1999-10-25 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法及びその装置 |
| JPH0586475A (ja) * | 1990-10-23 | 1993-04-06 | Nec Home Electron Ltd | 真空成膜装置 |
| JPH07150353A (ja) * | 1994-07-18 | 1995-06-13 | Hitachi Ltd | 真空処理装置及びそれを用いた成膜装置と成膜方法 |
| JP2000073162A (ja) | 1998-08-26 | 2000-03-07 | Victor Co Of Japan Ltd | 蒸着装置 |
| US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| JP2005330509A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成装置、薄膜形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP5149285B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2013-02-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリングにより成膜する磁気デバイスの製造装置及び磁気デバイスの製造方法 |
| JP5563347B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR101573665B1 (ko) * | 2010-10-06 | 2015-12-01 | 가부시키가이샤 알박 | 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법 |
| JP5604525B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2014-10-08 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JP2013105949A (ja) * | 2011-11-15 | 2013-05-30 | Ulvac Japan Ltd | 表面波プラズマ処理装置 |
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| JP5956611B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2016-07-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング方法および機能素子の製造方法 |
| US20140356985A1 (en) * | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Lam Research Corporation | Temperature controlled substrate support assembly |
| JP6140539B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-05-31 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| CN107406973A (zh) * | 2015-01-19 | 2017-11-28 | 欧瑞康表面解决方案股份公司，普费菲孔 | 用于提高热输出的带有特别设计的真空腔 |
| JP6171108B2 (ja) * | 2015-02-25 | 2017-07-26 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
| SG11201709089YA (en) * | 2015-05-22 | 2017-12-28 | Ulvac Inc | Magnetron sputtering apparatus |
| JP6616192B2 (ja) * | 2016-01-06 | 2019-12-04 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005060757A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置、及び成膜方法 |
| JP2005336572A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Tsukishima Kikai Co Ltd | 蒸着装置 |
| JP2011127136A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置および、該スパッタリング装置を用いた半導体デバイスの製造方法 |
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