KR101573665B1 - 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법 - Google Patents

유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101573665B1
KR101573665B1 KR1020157020938A KR20157020938A KR101573665B1 KR 101573665 B1 KR101573665 B1 KR 101573665B1 KR 1020157020938 A KR1020157020938 A KR 1020157020938A KR 20157020938 A KR20157020938 A KR 20157020938A KR 101573665 B1 KR101573665 B1 KR 101573665B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
target
dielectric film
heating
film forming
Prior art date
Application number
KR1020157020938A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150093257A (ko
Inventor
이사오 기무라
다케히토 진보
히로키 고바야시
요우헤이 엔도우
요우헤이 오오니시
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20150093257A publication Critical patent/KR20150093257A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101573665B1 publication Critical patent/KR101573665B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/088—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or Pb and B representing a refractory or rare earth metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/002—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/025—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/063—Heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(100)/(001) 배향한 유전체막을 형성할 수 있는 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법을 제공한다. 유전체 성막 장치 (10) 는, 타깃 (21) 으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 방착판 (34) 을 가열하는 방착판 가열부 (19) 를 갖고 있다. 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터 진공조 (11) 내에 스퍼터 가스를 도입하고, 방착판 (34) 을 성막 온도보다 높은 온도로 가열하여, 방착판 (34) 에 부착된 박막으로부터 증기를 방출시켜, 기판 (31) 에 시드층을 형성한 후, 기판 (31) 을 성막 온도로 하고, 전원 (13) 으로부터 타깃 (21) 에 교류 전압을 인가하여, 타깃 (21) 을 스퍼터하고, 기판 (31) 에 유전체막을 성막한다.

Description

유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법{DIELECTRIC FILM FORMATION DEVICE AND DIELECTRIC FILM FORMATION METHOD}
본 발명은 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법에 관한 것이다.
현재, 티탄산지르콘산납 (Pb(Zr,Ti)O3, PZT) 등의 강유전체를 사용한 압전 소자는 잉크젯 헤드나 가속도 센서 등의 MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) 기술에 응용되고 있다.
도 4 는 (100)/(001) 배향의 PZT 박막과, (111) 배향의 PZT 박막의 압전 특성을 나타내는 그래프이다. (100)/(001) 배향의 PZT 박막은 (111) 배향의 PZT 박막보다 큰 압전 특성을 나타내는 것으로 알려져 있다.
도 6 은 종래의 유전체 성막 장치 (110) 의 내부 구성도이다.
유전체 성막 장치 (110) 는, 진공조 (111) 와, 진공조 (111) 내에 배치된 PZT 의 타깃 (121) 과, 타깃 (121) 과 대면하는 위치에 배치되어 기판 (131) 을 유지하는 기판 유지대 (132) 와, 기판 유지대 (132) 에 유지된 기판 (131) 을 가열하는 기판 가열부 (118) 와, 타깃 (121) 에 전압을 인가하는 스퍼터 전원 (113) 과, 진공조 (111) 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부 (114) 와, 진공조 (111) 내에서 타깃 (121) 으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 제 1, 제 2 방착판 (134, 135) 을 갖고 있다.
압전 소자를 형성하는 경우, 성막해야 할 기판 (131) 에는, 열산화막이 형성된 Si 기판 상에 밀착층인 Ti 박막과 하부 전극층인 귀금속의 박막이 이 순서로 미리 적층된 것을 사용한다. 귀금속의 박막은 Pt 또는 Ir 의 박막으로, (111) 면에 우선 배향되어 있다.
기판 가열부 (118) 는 발열 부재 (133) 와 가열용 전원 (117) 을 갖고 있다. 발열 부재 (133) 는 기판 유지대 (132) 의 기판 (131) 과는 반대측에 배치되고, 가열용 전원 (117) 은 발열 부재 (133) 에 전기적으로 접속되어 있다.
가열용 전원 (117) 으로부터 발열 부재 (133) 에 직류 전류가 흐르게 되면, 발열 부재 (133) 는 발열되어 기판 유지대 (132) 상의 기판 (131) 이 가열된다.
도 7 은 종래의 유전체 성막 장치 (110) 를 사용한 성막 방법에서의 발열 부재 (133) 의 온도 변화를 나타내고 있다.
우선 발열 부재 (133) 를 가열하여, 성막시의 온도인 640 ℃ 로 승온 유지한다.
타깃 (121) 의 기판 유지대 (132) 와는 반대측의 이면에는 캐소드 전극 (122) 이 밀착하여 고정되고, 스퍼터 전원 (113) 은 캐소드 전극 (122) 에 전기적으로 접속되어 있다.
진공조 (111) 의 벽면에 진공 배기 장치 (115) 를 접속하여, 진공조 (111) 내를 진공 배기한다. 스퍼터 가스 도입부 (114) 로부터 진공조 (111) 내에 스퍼터 가스를 도입시키고, 스퍼터 전원 (113) 으로부터 캐소드 전극 (122) 을 통해 타깃 (121) 에 교류 전압을 인가시키면, 도입된 스퍼터 가스는 전리되어 플라즈마화된다. 플라즈마 중의 이온은 타깃 (121) 의 표면을 스퍼터하여, 타깃 (121) 으로부터 PZT 의 입자가 방출된다.
타깃 (121) 으로부터 방출된 PZT 입자의 일부는 가열된 기판 (131) 의 표면에 입사되어, 기판 (131) 의 귀금속의 박막 상에 PZT 박막이 형성된다.
소정의 막두께의 PZT 박막을 형성한 후, 스퍼터 전원 (113) 으로부터의 전압 인가를 정지하여, 스퍼터 가스의 도입을 정지한다. 발열 부재 (133) 를 성막시보다 낮은 온도인 400 ℃ 로 강온시켜, 성막 공정을 종료한다.
도 8 은 종래의 유전체 성막 장치 (110) 를 이용하여 Pt 박막 상에 형성한 PZT 박막의 중앙부 (Center) 와, 외연부 (Edge) 와, 중앙부와 외연부 사이의 중간부 (Middle) 의 3 군데의 X 선 회절 패턴을 나타내고 있다. 형성되는 PZT 의 박막은 (111) 방향으로 우선 배향되어 있음을 알 수 있다.
즉, 종래의 유전체 성막 장치에서는 (100)/(001) 배향한 유전체막을 형성하기가 곤란하다는 문제가 있었다.
일본 공개특허공보 2007-327106호 일본 공개특허공보 2010-084180호 일본 공개특허공보 2003-081694호
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서 창작된 것으로, 그 목적은 (100)/(001) 배향한 유전체막을 형성할 수 있는 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은, 종래의 유전체 성막 장치에서는 PZT 박막의 성막 초기에 있어서, Pb 가 귀금속의 박막 방향으로 확산되거나 재증발하는 영향으로, PZT 박막에 Pb 결손이 생겨 TiO2 가 형성되고, TiO2/귀금속의 박막 상에 형성되는 PZT 박막이 (111) 방향으로 우선 배향된 것으로 추측하고, 귀금속의 박막 상에 PbO 의 시드층을 미리 형성함으로써 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아냈다.
이러한 지견에 기초하여 이루어진 본 발명은, 진공조와, 상기 진공조 내에 배치된 타깃과, 상기 타깃과 대면하는 위치에 배치되어 기판을 유지하는 기판 유지대와, 상기 기판 유지대에 유지된 상기 기판을 가열하는 기판 가열부와, 상기 타깃에 전압을 인가하는 스퍼터 전원과, 상기 진공조 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부를 가지며, 상기 타깃을 스퍼터하여 상기 기판에 유전체막을 성막하는 유전체 성막 장치로서, 상기 진공조 내에 배치되어, 화학 구조 중에 상기 타깃에 포함되는 원소를 함유하는 금속 화합물로 이루어지는 원소원을 유지하는 원소원 유지부와, 상기 원소원 유지부에 유지된 상기 원소원을 가열하는 원소원 가열부를 가지며, 상기 원소원은 가열되면 증기를 방출하도록 구성된 유전체 성막 장치이다.
본 발명은 유전체 성막 장치로서, 상기 타깃은 티탄산지르콘산납 (PZT) 으로 이루어지고, 상기 원소원은 화학 구조 중에 Pb 와 O 를 함유하고, 가열되면 PbO 의 증기를 방출하도록 구성된 유전체 성막 장치이다.
본 발명은 유전체 성막 장치로서, 상기 원소원은, 상기 타깃으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 유전체 성막 장치이다.
본 발명은, 진공조와, 상기 진공조 내에 배치된 타깃과, 상기 타깃과 대면하는 위치에 배치되어 기판을 유지하는 기판 유지대와, 상기 기판 유지대에 유지된 상기 기판을 가열하는 기판 가열부와, 상기 타깃에 전압을 인가하는 스퍼터 전원과, 상기 진공조 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부와, 상기 진공조 내에서 상기 타깃으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 방착판을 가지며, 상기 타깃을 스퍼터하여 상기 기판에 유전체막을 성막하는 유전체 성막 장치로서, 상기 방착판을 가열하는 방착판 가열부를 갖는 유전체 성막 장치이다.
본 발명은 유전체 성막 장치로서, 상기 타깃은 티탄산지르콘산납 (PZT) 으로 이루어지는 유전체 성막 장치이다.
본 발명은, 상기 방착판이 고리 형상으로 되고, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 기판의 외주보다 외측을 둘러싸도록 배치된 유전체 성막 장치이다.
본 발명은, 진공조와, 상기 진공조 내에 배치된 타깃과, 상기 타깃과 대면하는 위치에 배치되어 기판을 유지하는 기판 유지대와, 상기 기판 유지대에 유지된 상기 기판을 가열하는 기판 가열부와, 상기 타깃에 전압을 인가하는 스퍼터 전원과, 상기 진공조 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부와, 상기 진공조 내에서 상기 타깃으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 방착판과, 상기 방착판을 가열하는 방착판 가열부를 갖는 유전체 성막 장치를 사용한 유전체 성막 방법으로서, 성막 온도를 미리 결정해 두고, 상기 스퍼터 가스 도입부로부터 상기 진공조 내에 스퍼터 가스를 도입하고, 상기 방착판을 상기 성막 온도보다 높은 온도로 가열하여, 상기 방착판에 부착된 박막으로부터 증기를 방출시켜, 상기 기판에 시드층을 형성하는 시드층 형성 공정과, 상기 기판을 상기 성막 온도로 하고, 상기 스퍼터 전원으로부터 상기 타깃에 전압을 인가하여, 상기 타깃을 스퍼터시켜, 상기 기판의 상기 시드층 상에 유전체막을 성막하는 성막 공정을 갖는 유전체 성막 방법이다.
(111) 배향한 Pt 또는 Ir 의 박막 상에 (100)/(001) 배향한 유전체막을 성막할 수 있으므로, 종래보다 압전 특성이 큰 압전 소자를 얻을 수 있다.
가열되면 증기를 방출하는 원소원이 스퍼터 입자가 부착되는 위치에 배치되어 있는 경우에는, 성막을 반복해도 원소원은 없어지지 않아 (100)/(001) 배향한 유전체막의 성막을 반복하여 실시할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 유전체 성막 장치의 제 1 예의 내부 구성도
도 2 는 본 발명의 유전체 성막 장치의 발열 부재의 온도 변화를 나타내는 도면
도 3 은 본 발명의 유전체 성막 장치로 형성한 PZT 박막의 X 선 회절 패턴을 나타내는 도면
도 4 는 (100)/(001) 배향의 PZT 박막과, (111) 배향의 PZT 박막의 압전 특성을 나타내는 그래프
도 5 는 본 발명의 유전체 성막 장치의 제 2 예의 내부 구성도
도 6 은 종래의 유전체 성막 장치의 내부 구성도
도 7 은 종래의 유전체 성막 장치의 발열 부재의 온도 변화를 나타내는 도면
도 8 은 종래의 유전체 성막 장치로 형성한 PZT 박막의 X 선 회절 패턴을 나타내는 도면
＜유전체 성막 장치의 제 1 예＞
본 발명의 유전체 성막 장치의 제 1 예의 구조를 설명한다.
도 1 은 제 1 예의 유전체 성막 장치 (10) 의 내부 구성도이다.
유전체 성막 장치 (10) 는, 진공조 (11) 와, 진공조 (11) 내에 배치된 타깃 (21) 과, 타깃 (21) 과 대면하는 위치에 배치되어 기판 (31) 을 유지하는 기판 유지대 (32) 와, 기판 유지대 (32) 에 유지된 기판 (31) 을 가열하는 기판 가열부 (18) 와, 타깃 (21) 에 전압을 인가하는 스퍼터 전원 (13) 과, 진공조 (11) 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부 (14) 와, 진공조 (11) 내에서 타깃 (21) 으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 방착판 (36) 을 갖고 있다.
타깃 (21) 은 여기서는 티탄산지르콘산납 (PZT) 으로 이루어진다.
진공조 (11) 의 벽면에는 캐소드 전극 (22) 이 절연 부재 (28) 를 개재하여 장착되고, 캐소드 전극 (22) 과 진공조 (11) 는 전기적으로 절연되어 있다. 진공조 (11) 는 접지 전위에 놓여 있다.
캐소드 전극 (22) 의 표면은 진공조 (11) 내에 노출되어 있다. 타깃 (21) 은 캐소드 전극 (22) 표면의 중앙부에 밀착하여 고정되고, 타깃 (21) 과 캐소드 전극 (22) 은 전기적으로 접속되어 있다.
스퍼터 전원 (13) 은 진공조 (11) 의 외측에 배치되어, 캐소드 전극 (22) 에 전기적으로 접속되고, 캐소드 전극 (22) 을 통해 타깃 (21) 에 교류 전압을 인가할 수 있도록 구성되어 있다.
캐소드 전극 (22) 의 타깃 (21) 과는 반대측에는 자석 장치 (29) 가 배치되어 있다. 자석 장치 (29) 는 타깃 (21) 의 표면에 자력선을 형성하도록 구성되어 있다.
기판 유지대 (32) 는 여기서는 탄화규소 (SiC) 로서, 외주는 기판 (31) 의 외주보다 크게 형성되고, 표면은 타깃 (21) 의 표면과 대면하도록 향해져 있다. 기판 유지대 (32) 표면의 중앙부는 기판 (31) 을 정전 흡착시켜 유지할 수 있도록 구성되어 있다.
기판 유지대 (32) 표면의 중앙부에 기판 (31) 을 정전 흡착시키면, 기판 (31) 의 이면은 기판 유지대 (32) 표면의 중앙부에 밀착되고, 기판 (31) 은 기판 유지대 (32) 와 열적으로 접속되도록 되어 있다.
기판 가열부 (18) 는, 제 1 발열부 (33a) 와 가열용 전원 (17) 을 갖고 있다.
제 1 발열부 (33a) 는 여기서는 SiC 로서, 기판 유지대 (32) 의 기판 (31) 과는 반대측에 배치되고, 가열용 전원 (17) 은 제 1 발열부 (33a) 에 전기적으로 접속되어 있다. 가열용 전원 (17) 으로부터 제 1 발열부 (33a) 에 직류 전류가 흐르게 되면, 제 1 발열부 (33a) 는 발열되어 기판 유지대 (32) 상의 기판 (31) 이 가열되도록 되어 있다.
기판 (31) 의 이면은 기판 유지대 (32) 표면의 중앙부에 밀착되고, 기판 (31) 의 중앙부로부터 외연부까지 균등하게 전열되도록 되어 있다.
스퍼터 가스 도입부 (14) 는 진공조 (11) 의 벽면에 접속되고, 진공조 (11) 내에 스퍼터 가스를 도입할 수 있도록 되어 있다.
방착판 (36) 은 여기서는 제 1, 제 2 방착판 (34, 35) 을 갖고 있다. 제 1, 제 2 방착판 (34, 35) 의 소재는 석영, 알루미나 등의 세라믹스이다.
제 1 방착판 (34) 은, 내주가 기판 (31) 의 외주보다 큰 고리 형상으로 되고, 기판 유지대 (32) 표면의 중앙부의 외측인 외연부를 덮도록 배치되어 있다. 타깃 (21) 으로부터 방출된 입자는 기판 유지대 (32) 표면의 외연부에 부착되지 않도록 되어 있다.
제 1 방착판 (34) 의 이면은 기판 유지대 (32) 표면의 외연부에 밀착되고, 제 1 방착판 (34) 은 기판 유지대 (32) 와 열적으로 접속되어 있다.
기판 유지대 (32) 표면의 중앙부에 기판 (31) 을 재치 (載置) 시키면, 제 1 방착판 (34) 은 기판 (31) 의 외주보다 외측을 둘러싸도록 되어 있다.
제 2 방착판 (35) 은, 내주가 타깃 (21) 의 외주나 기판 (31) 의 외주보다 큰 통 형상으로 되어 있다. 제 2 방착판 (35) 은, 기판 유지대 (32) 와 캐소드 전극 (22) 사이에 배치되고, 기판 (31) 과 타깃 (21) 사이의 공간의 측방을 둘러싸도록 되어 있다. 타깃 (21) 으로부터 방출된 입자는 진공조 (11) 의 벽면에 부착되지 않도록 되어 있다.
기판 유지대 (32) 의 제 1 방착판 (34) 과는 반대측에는 제 2 발열부 (33b) 가 배치되어 있다.
제 2 발열부 (33b) 는 여기서는 SiC 로서, 가열용 전원 (17) 에 전기적으로 접속되어 있다. 가열용 전원 (17) 으로부터 제 2 발열부 (33b) 에 직류 전류가 흐르게 되면, 제 2 발열부 (33b) 는 발열되어 제 1 방착판 (34) 이 가열되도록 되어 있다.
방착판 (36) 을 가열하는 부분을 방착판 가열부 (19) 라고 부르면, 방착판 가열부 (19) 는 여기서는 제 2 발열부 (33b) 와 가열용 전원 (17) 으로 구성되어 있다.
여기서는 제 1, 제 2 발열부 (33a, 33b) 는 서로 접속되어, 한 개의 발열 부재 (33) 가 구성되어 있다. 가열용 전원 (17) 으로부터 발열 부재 (33) 에 직류 전류가 흐르게 되면, 제 1, 제 2 발열부 (33a, 33b) 는 함께 발열되어 기판 (31) 과 제 1 방착판 (34) 은 함께 가열되도록 되어 있다.
본 발명은 제 1, 제 2 발열부 (33a, 33b) 가 별개의 발열 부재로 구성되어 있는 경우도 포함된다. 이 경우에는, 제 1, 제 2 발열부 (33a, 33b) 에 별개로 직류 전류가 흐르게 되어, 기판 (31) 과 제 1 방착판 (34) 이 별개로 가열되도록 구성할 수 있다.
발열 부재 (33) 의 기판 유지대 (32) 와는 반대측에는 냉각 장치 (38) 가 배치되어 있다. 냉각 장치 (38) 는 내부에 온도 관리된 냉각 매체를 순환할 수 있도록 구성되어, 발열 부재 (33) 가 발열되어도 진공조 (11) 의 벽면이 가열되지 않게 되어 있다.
또한, 제 2 방착판 (35) 의 외주 측면에 발열 부재가 배치되어, 제 2 방착판 (35) 도 가열되도록 구성해도 된다. 제 2 방착판 (35) 이 가열되면, 제 2 방착판 (35) 의 내주 측면에 미리 부착된 PZT 의 박막으로부터 PbO 의 증기가 방출된다.
제 1 예의 유전체 성막 장치 (10) 를 사용한 성막 방법을 설명한다.
성막해야 할 기판 (31) 에는, 여기서는 Si 기판의 열산화막 (SiO2) 상에 밀착층인 Ti 박막과 하부 전극층인 귀금속의 박막이 이 순서로 미리 적층된 것을 사용한다. 귀금속의 박막은 Pt 또는 Ir 의 박막으로, (111) 면에 우선 배향되어 있다.
PZT 박막의 성막에 적합한 온도인 성막시의 온도 (이하, 성막 온도라고 부른다) 를 시험이나 시뮬레이션에 의해 미리 구해 둔다.
진공조 (11) 의 벽면에 진공 배기 장치 (15) 를 접속하여, 진공조 (11) 내를 진공 배기한다. 이후, 진공 배기를 계속하여 진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지한다.
우선 준비 공정으로서, 진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지하면서, 본래 성막해야 할 기판 (31) 과는 상이한 더미 기판을 진공조 (11) 내로 반입하여, 타깃 (21) 의 스퍼터를 실시하고, 제 1, 제 2 방착판 (34, 35) 의 표면에 미리 PZT 의 박막을 부착시킨다. 이어서, 진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지하면서 더미 기판을 진공조 (11) 의 외측으로 반출한다.
진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지하면서, 진공조 (11) 내로 성막해야 할 기판 (31) 을 반입하고, 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막이 타깃 (21) 의 표면과 대면하는 방향에서 기판 유지대 (32) 표면의 중앙부에 유지시킨다.
냉각 장치 (38) 에 온도 관리된 냉각 매체를 순환시켜 둔다.
도 2 는 이하의 시드층 형성 공정과 성막 공정에서의 발열 부재 (33) 의 온도 변화를 나타내고 있다.
우선 시드층 형성 공정으로서, 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터 진공조 (11) 내에 스퍼터 가스를 도입한다. 여기서는 스퍼터 가스로 Ar 가스를 사용한다. 이후, 스퍼터 가스의 도입을 계속한다.
가열용 전원 (17) 으로부터 발열 부재 (33) 에 직류 전류를 흐르게 하여, 발열 부재 (33) 를 성막 온도보다 고온으로 한다. 여기서는 785 ℃ 로 승온시킨다.
기판 (31) 과 제 1 방착판 (34) 이 가열되어, 제 1 방착판 (34) 에 부착된 PZT 의 박막으로부터 PbO 의 증기가 방출된다.
방출된 PbO 의 증기는, 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막 상에 부착되어, 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막 상에 PbO 의 시드층이 형성된다.
발열 부재 (33) 를 소정의 시간 785 ℃ 로 유지한 후, 성막 온도까지 냉각시킨다. 여기서는 PZT 의 성막에 적합한 640 ℃ 로 냉각시킨다.
이어서, 성막 공정으로서, 발열 부재 (33) 를 640 ℃ 의 온도 (성막 온도) 로 유지하고, 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터의 스퍼터 가스의 도입을 계속하면서, 스퍼터 전원 (13) 으로부터 캐소드 전극 (22) 에 교류 전압을 인가하면, 진공조 (11) 내에 도입된 스퍼터 가스가 전리되어 플라즈마화된다. 플라즈마 중의 이온은 자석 장치 (29) 가 형성하는 자력선에 포착되어 타깃 (21) 의 표면에 입사되어, 타깃 (21) 으로부터 PZT 의 입자를 튀어 날아가게 한다.
타깃 (21) 으로부터 방출된 PZT 입자의 일부는 기판 (31) 의 표면에 입사된다. 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막 상에는 PbO 의 시드층이 미리 형성되어 있기 때문에, 시드층으로부터 PbO 가 공급되어 PZT 박막에 Pb 결손은 생기지 않고, 시드층 상에 (001)/(100) 배향한 유전체막 (여기서는 PZT 막) 이 형성된다.
도 3 은 본 발명의 유전체 성막 장치 (10) 에서 Pt 박막 상에 형성한 PZT 박막의 중앙부 (Center) 와, 외연부 (Edge) 와, 중앙부와 외연부 사이의 중간부 (Middle) 의 3 군데의 X 선 회절 패턴을 나타내고 있다.
도 3 의 X 선 회절 패턴으로부터 (100)/(001) 방향으로 우선 배향된 PZT 박막이 형성되어 있음을 알 수 있다.
타깃 (21) 으로부터 방출된 PZT 입자의 일부는 제 1 방착판 (34) 의 표면에 부착되어, 다음번의 시드층 형성 공정에 있어서의 PbO 의 증기의 방출원이 된다.
기판 (31) 상에 소정의 막두께의 PZT 박막을 성막한 후, 스퍼터 전원 (13) 으로부터 캐소드 전극 (22) 으로의 전압 인가를 정지하고, 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터 진공조 (11) 내로의 스퍼터 가스의 도입을 정지한다.
가열용 전원 (17) 으로부터 발열 부재 (33) 로의 전류 공급을 정지하고, 발열 부재 (33) 를 성막 온도보다 낮은 온도로 냉각시킨다. 여기서는 400 ℃ 로 강온시킨다.
기판 (31) 이 반송 로봇으로 반송할 수 있는 온도까지 냉각된 후, 진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지하면서 성막을 마친 기판 (31) 을 진공조 (11) 의 외측으로 반출하고, 이어서 다른 미(未)성막 기판 (31) 을 진공조 (11) 내로 반입하여, 상기 서술한 시드층 형성 공정과 성막 공정을 반복한다.
＜유전체 성막 장치의 제 2 예＞
본 발명의 유전체 성막 장치의 제 2 예의 구조를 설명한다.
도 5 는 제 2 예의 유전체 성막 장치 (10＇) 의 내부 구성도이다. 제 2 예의 유전체 성막 장치 (10＇) 의 구성 중 제 1 예의 유전체 성막 장치 (10) 의 구성과 동일한 부분에는 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.
제 2 예의 유전체 성막 장치 (10＇) 는 진공조 (11) 내에 배치되어, 화학 구조 중에 타깃 (21) 에 포함되는 원소 (금속 원소) 를 함유하는 금속 화합물로 이루어지는 원소원을 유지하는 원소원 유지부 (39) 와, 원소원 유지부 (39) 에 유지된 원소원을 가열하는 원소원 가열부 (40) 를 갖고 있다.
원소원 유지부 (39) 는 여기서는 도가니로서, 기판 (31) 과 타깃 (21) 과 제 1, 제 2 방착판 (34, 35) 으로 둘러싸인 공간의 내측에 배치되어 있다.
타깃 (21) 을 스퍼터하면, 타깃 (21) 으로부터 방출된 PZT 입자의 일부는 도가니의 내측에 배치된 원소원에 부착되게 되어 있다.
원소원 가열부 (40) 는 여기서는 전열기로서, 원소원 유지부 (39) 에 장착되어 있다. 원소원 가열부 (40) 는 가열용 전원 (17) 에 전기적으로 접속되고, 가열용 전원 (17) 으로부터 직류 전류가 흐르게 되면, 원소원 가열부 (40) 는 발열되어 원소원 유지부 (39) 에 유지된 원소원이 가열되도록 되어 있다.
원소원은, 여기서는 화학 구조 중에 Pb 와 O 를 함유하고, 예를 들어 PZT 나 PbO 가 사용된다. 원소원은 가열되면, 여기서는 PbO 의 증기를 방출하도록 구성되어 있다.
본 발명의 원소원 가열부 (40) 는, 원소원 유지부 (39) 에 유지된 원소원을 가열할 수 있다면 전열기에 한정되지 않고, 적외선 램프나 레이저 등의 다른 공지된 가열 장치도 본 발명에 포함된다.
제 2 예의 유전체 성막 장치 (10＇) 를 사용한 성막 방법을 설명한다.
성막해야 할 기판 (31) 에는, 여기서는 Si 기판의 열산화막 (SiO2) 상에 밀착층인 Ti 박막과 하부 전극층인 귀금속의 박막이 이 순서로 미리 적층된 것을 사용한다. 귀금속의 박막은 Pt 또는 Ir 의 박막으로, (111) 면에 우선 배향되어 있다.
PZT 박막의 성막에 적합한 온도인 성막 온도를 시험이나 시뮬레이션에 의해 미리 구해 둔다.
원소원 유지부 (39) 에 미리 원소원을 유지시켜 둔다. 여기서는 원소원으로서 PZT 를 사용한다.
진공조 (11) 의 벽면에 진공 배기 장치 (15) 를 접속하여, 진공조 (11) 내를 진공 배기한다. 이후, 진공 배기를 계속하여 진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지한다.
진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지하면서, 진공조 (11) 내로 성막해야 할 기판 (31) 을 반입하고, 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막이 타깃 (21) 의 표면과 대면하는 방향에서 기판 유지대 (32) 표면의 중앙부에 유지시킨다.
냉각 장치 (38) 에 온도 관리된 냉각 매체를 순환시켜 둔다.
시드층 형성 공정으로서, 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터 진공조 (11) 내에 스퍼터 가스를 도입한다. 여기서는 스퍼터 가스에 Ar 가스를 사용한다. 이후, 스퍼터 가스의 도입을 계속한다.
가열용 전원 (17) 으로부터 원소원 가열부 (40) 에 직류 전류를 흐르게 하여, 원소원 유지부 (39) 에 유지된 원소원을 가열시키면, 원소원인 PZT 로부터 PbO 의 증기가 방출된다.
방출된 PbO 의 증기는, 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막 상에 부착되어, 기판 (31) 표면의 귀금속의 박막 상에 PbO 의 시드층이 형성된다.
가열용 전원 (17) 으로부터 원소원 가열부 (40) 로의 전류 공급을 정지하고, 원소원의 가열을 멈춘다.
이어서, 성막 공정으로서, 가열용 전원 (17) 으로부터 제 1 발열부 (33a) 에 직류 전류를 흐르게 하여, 제 1 발열부 (33a) 를 성막 온도까지 승온시킨다. 여기서는 640 ℃ 로 승온시킨다. 기판 유지대 (32) 에 유지된 기판 (31) 이 가열된다.
제 1 발열부 (33a) 를 640 ℃ 의 온도 (성막 온도) 로 유지하고, 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터의 스퍼터 가스의 도입을 계속하면서, 스퍼터 전원 (13) 으로부터 캐소드 전극 (22) 에 교류 전압을 인가하면, 진공조 (11) 내에 도입된 스퍼터 가스가 전리되어 플라즈마화된다. 플라즈마 중의 이온은 자석 장치 (29) 가 형성하는 자력선에 포착되어 타깃 (21) 의 표면에 입사되고, 타깃 (21) 으로부터 PZT 의 입자를 튀어 날아가게 한다.
타깃 (21) 으로부터 방출된 PZT 입자의 일부는 기판 (31) 의 표면에 입사된다. 기판 (31) 의 Pt 박막 상에는 PbO 의 시드층이 미리 형성되어 있기 때문에, 시드층으로부터 PbO 가 공급되어 PZT 박막에 Pb 결손은 생기지 않고, 시드층 상에 (001)/(100) 배향한 유전체막 (여기서는 PZT 막) 이 형성된다.
타깃 (21) 으로부터 방출된 PZT 입자의 일부는 원소원 유지부 (39) 에 유지된 원소원에 부착되어, 다음번의 시드층 형성 공정에 있어서의 PbO 의 증기의 방출원이 된다.
기판 (31) 상에 소정의 막두께의 PZT 박막을 성막한 후, 스퍼터 전원 (13) 으로부터 캐소드 전극 (22) 으로의 전압 인가를 정지하고, 스퍼터 가스 도입부 (14) 로부터 진공조 (11) 내로의 스퍼터 가스의 도입을 정지한다. 가열용 전원 (17) 으로부터 제 1 발열부 (33a) 로의 전류 공급을 정지하고, 제 1 발열부 (33a) 를 성막 온도보다 낮은 온도로 냉각시킨다. 여기서는 400 ℃ 로 강온시킨다.
기판 (31) 이 반송 로봇으로 반송할 수 있는 온도까지 냉각된 후, 진공조 (11) 내의 진공 분위기를 유지하면서 성막을 마친 기판 (31) 을 진공조 (11) 의 외측으로 반출하고, 이어서 다른 미성막 기판 (31) 을 진공조 (11) 내로 반입하여, 상기 서술한 시드층 형성 공정과 성막 공정을 반복한다.
10, 10＇……유전체 성막 장치
11……진공조
13……스퍼터 전원
14……스퍼터 가스 도입부
18……기판 가열부
19……방착판 가열부
21……타깃
31……기판
32……기판 유지대
34……방착판 (제 1 방착판)
39……원소원 유지부
40……원소원 가열부

Claims (5)

  1. 진공조와,
    상기 진공조 내에 배치된 Pb 와 O 를 함유하는 유전체의 타깃과,
    상기 타깃과 대면하는 위치에 배치되어 기판을 유지하는 기판 유지대와,
    상기 기판 유지대에 유지된 상기 기판을 가열하는 기판 가열부와,
    상기 타깃에 전압을 인가하는 스퍼터 전원과,
    상기 진공조 내에 스퍼터 가스를 도입하는 스퍼터 가스 도입부와,
    상기 진공조 내에서 상기 타깃으로부터 방출된 입자가 부착되는 위치에 배치된 방착판과,
    상기 방착판을 가열하는 방착판 가열부를 갖는 유전체 성막 장치를 사용한 유전체 성막 방법으로서,
    상기 타깃을 스퍼터시켜 상기 기판 상에 유전체막을 성막해야 할 성막 온도를 미리 결정해 두고,
    상기 스퍼터 가스 도입부로부터 상기 진공조 내에 스퍼터 가스를 도입하고, 상기 방착판을 상기 성막 온도보다 높은 온도로 가열하여, 상기 방착판에 부착된 Pb 와 O 를 함유하는 박막으로부터 증기를 방출시켜, 상기 기판에 Pb 와 O 를 함유하는 시드층을 형성하는 시드층 형성 공정과,
    상기 기판을 상기 성막 온도로 하고, 상기 스퍼터 전원으로부터 상기 타깃에 전압을 인가하여, 상기 타깃을 스퍼터시켜, 상기 기판의 상기 시드층 상에 상기 유전체막을 성막하는 성막 공정을 갖는, 유전체 성막 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타깃은 티탄산지르콘산납 (PZT) 으로 이루어지는, 유전체 성막 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 방착판은 고리 형상으로 되고, 상기 기판 유지대에 유지된 상기 기판의 외주보다 외측을 둘러싸도록 배치된, 유전체 성막 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 시드층을 형성한 후, 상기 방착판을 냉각시키는, 유전체 성막 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 방착판을 상기 성막 온도로 냉각시키고, 상기 기판에 상기 유전체 박막을 형성하는, 유전체 성막 방법.
KR1020157020938A 2010-10-06 2011-10-03 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법 KR101573665B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-227009 2010-10-06
JP2010227009 2010-10-06
PCT/JP2011/072804 WO2012046705A1 (ja) 2010-10-06 2011-10-03 誘電体成膜装置及び誘電体成膜方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137011453A Division KR20130099137A (ko) 2010-10-06 2011-10-03 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150093257A KR20150093257A (ko) 2015-08-17
KR101573665B1 true KR101573665B1 (ko) 2015-12-01

Family

ID=45927701

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137011453A KR20130099137A (ko) 2010-10-06 2011-10-03 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법
KR1020157020938A KR101573665B1 (ko) 2010-10-06 2011-10-03 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137011453A KR20130099137A (ko) 2010-10-06 2011-10-03 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9593409B2 (ko)
EP (1) EP2626442B1 (ko)
JP (1) JP5747041B2 (ko)
KR (2) KR20130099137A (ko)
CN (1) CN103140601B (ko)
TW (1) TWI538029B (ko)
WO (1) WO2012046705A1 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101517707B1 (ko) * 2010-10-06 2015-05-04 가부시키가이샤 알박 유전체 박막의 성막 방법
JP2014058726A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Ulvac Japan Ltd Ｐｚｔ膜形成方法、及び、ｐｚｔ膜形成装置
WO2015137198A1 (ja) * 2014-03-10 2015-09-17 株式会社アルバック 多層膜の製造方法および多層膜
KR101971771B1 (ko) 2014-06-20 2019-04-23 가부시키가이샤 아루박 다층막 및 다층막의 제조 방법
CN106463608B (zh) 2014-06-24 2019-07-12 株式会社爱发科 Pzt薄膜层叠体和pzt薄膜层叠体的制造方法
JP6186067B1 (ja) * 2016-12-13 2017-08-23 住友精密工業株式会社 圧電体結晶膜の成膜方法および圧電体結晶膜成膜用トレイ
KR102369676B1 (ko) * 2017-04-10 2022-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
WO2019240029A1 (ja) * 2018-06-15 2019-12-19 株式会社アルバック 真空処理装置、ダミー基板装置
JP7012157B2 (ja) * 2018-06-20 2022-01-27 株式会社アルバック 防着部材及び真空処理装置
CN112789366B (zh) * 2018-10-30 2023-03-14 株式会社爱发科 真空处理装置
WO2020100400A1 (ja) * 2018-11-16 2020-05-22 株式会社アルバック 真空処理装置
JP7078752B2 (ja) * 2018-12-27 2022-05-31 株式会社アルバック 真空処理装置
US20220056571A1 (en) * 2019-11-28 2022-02-24 Ulvac, Inc. Film Forming Method
CN114850003B (zh) * 2021-02-03 2023-06-27 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007308782A (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Konica Minolta Holdings Inc チタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2208390B (en) * 1987-08-06 1991-03-27 Plessey Co Plc Thin film deposition process
JPH0517147A (ja) * 1991-07-15 1993-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 鉛を含む複合酸化物薄膜の製造方法
JP2671835B2 (ja) * 1994-10-20 1997-11-05 日本電気株式会社 スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法
JPH10102234A (ja) * 1996-09-26 1998-04-21 Canon Inc スパッタ装置及び該装置を用いた成膜方法
JPH11229132A (ja) * 1998-02-19 1999-08-24 Toshiba Corp スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法
JP4662112B2 (ja) 2001-09-05 2011-03-30 独立行政法人産業技術総合研究所 強誘電体薄膜及びその製造方法
JP2007042818A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Fujitsu Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP5274753B2 (ja) 2006-06-08 2013-08-28 株式会社アルバック 含Ｐｂ結晶薄膜の形成方法
JP4276276B2 (ja) * 2007-09-07 2009-06-10 富士フイルム株式会社 圧電素子の製造方法
JP5280789B2 (ja) 2008-09-30 2013-09-04 富士フイルム株式会社 鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜およびその作製方法、鉛含有ペロブスカイト型酸化物膜を用いる圧電素子、ならびにこれを用いる液体吐出装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007308782A (ja) 2006-05-22 2007-11-29 Konica Minolta Holdings Inc チタン酸ジルコン酸鉛膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012046705A1 (ja) 2014-02-24
TWI538029B (zh) 2016-06-11
KR20150093257A (ko) 2015-08-17
TW201241886A (en) 2012-10-16
US9593409B2 (en) 2017-03-14
EP2626442A1 (en) 2013-08-14
EP2626442B1 (en) 2020-04-15
CN103140601B (zh) 2015-08-05
JP5747041B2 (ja) 2015-07-08
EP2626442A4 (en) 2017-01-04
CN103140601A (zh) 2013-06-05
US20130228453A1 (en) 2013-09-05
WO2012046705A1 (ja) 2012-04-12
KR20130099137A (ko) 2013-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101573665B1 (ko) 유전체 성막 장치 및 유전체 성막 방법
KR102369706B1 (ko) 정전 척 및 이의 제조 방법
US20080041306A1 (en) Object-processing apparatus controlling production of particles in electric field or magnetic field
JP2008117982A5 (ko)
JP6007070B2 (ja) スパッタリング方法及びスパッタリング装置
KR101517707B1 (ko) 유전체 박막의 성막 방법
WO2015194452A1 (ja) 多層膜及びその製造方法
WO2015137198A1 (ja) 多層膜の製造方法および多層膜
CN104241183A (zh) 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置
JP2003045949A (ja) 静電吸着装置及び真空処理装置
KR20100090559A (ko) 에어로졸 코팅층을 갖는 정전척 및 그 제조방법
CN104241182A (zh) 静电吸盘的制造方法,静电吸盘及等离子体处理装置
JP4355046B2 (ja) クリーニング方法及び基板処理装置
JP6497709B2 (ja) プラズマｃｖｄ装置及び磁気記録媒体の製造方法
CN103189968B (zh) 电介质薄膜的成膜方法
JP2019151879A (ja) 成膜装置
KR20220012590A (ko) 정전척 제조 방법 및 재생 방법
JPH0883587A (ja) 荷電粒子線装置
JP2010166086A (ja) 静電チャックを用いた半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180827

Year of fee payment: 4