TWI538029B - 介電質成膜裝置及介電質成膜方法 - Google Patents

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Description

介電質成膜裝置及介電質成膜方法
本發明，係有關於介電質成膜裝置及介電質成膜方法。
現今，使用有鋯鈦酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3、PZT)等之強介電質的壓電元件，係被利用在噴墨頭或加速度感測器等之MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術中。
圖4，係為對於(100)/(001)配向之PZT薄膜和(111)配向之PZT薄膜的壓電特性作展示之圖表。(100)/(001)配向之PZT薄膜，係展現有較(111)配向之PZT薄膜更大的壓電特性，此事係為週知。
圖6，係為先前技術之介電質成膜裝置110的內部構成圖。
介電質成膜裝置110，係具有真空槽111、和被配置在真空槽111內之PZT的靶材121、和被配置在與靶材121相對面之位置處並保持基板131之基板保持台132、和將被保持在基板保持台132處的基板131作加熱之基板加熱部118、和對於靶材121施加電壓之濺鍍電源113、和將濺鍍氣體導入至真空槽111內之濺鍍氣體導入部114、以及在真空槽111內而被配置在從靶材121所放出之粒子會作附著的位置處之第1、第2防附著板134、135。
在形成壓電元件的情況時，於應成膜之基板131中，係使用在附有熱氧化膜之Si基板上而預先依序層積有身為密著層之Ti薄膜和身為下部電極層之貴金屬的薄膜者。貴金屬之薄膜，係為Pt或Ir之薄膜，並優先配向於(111)面。
基板加熱部118，係具備有發熱構件133和加熱用電源117。發熱構件133，係被配置在基板保持台132之與基板131相反側處，加熱用電源117，係被與發熱構件133作電性連接。
若是從加熱用電源117而對於發熱構件133流動直流電流，則發熱構件133係發熱，基板保持台132上之基板131係被加熱。
圖7，係對於使用有先前技術之介電質成膜裝置110的成膜方法中之發熱構件133的溫度變化作展示。
首先，加熱發熱構件133，並將其升溫保持於身為成膜時之溫度的640℃。
在靶材121之與基板保持台132相反側的背面處，係被密著固定有陰極電極122，濺鍍電源113，係被與陰極電極122作電性連接。
若是從濺鍍氣體導入部114而將濺鍍氣體導入至真空槽111內，並從濺鍍電源113來透過陰極電極122而對於靶材121施加交流電壓，則被作了導入的濺鍍氣體係電離並電漿化。電漿中之離子，係對於靶材121之表面作濺鍍，並從靶材121而放出PZT之粒子。
從靶材121所放出的PZT粒子之一部份，係射入被作了加熱的基板131之表面，並在基板131之貴金屬的薄膜上形成PZT之薄膜。
在形成了特定厚度之PZT薄膜之後，停止從濺鍍電源113而來之電壓施加，並停止濺鍍氣體之導入。將發熱構件133降溫至身為較成膜時而更低之溫度的400℃，並結束成膜工程。
圖8，係對於使用先前技術之介電質成膜裝置110而在Pt薄膜上所形成了的PZT薄膜之中央部(Center)和外緣部(Edge)以及中央部和外緣部之間之中間部(Middle)的3個場所之X光繞射形態作展示。可以得知，所形成之PZT薄膜，係優先配向於(111)方向。
亦即是，在先前技術之介電質成膜裝置中，係有著難以形成作了(100)/(001)配向之介電質膜的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-327106號公報
[專利文獻2]日本特開2010-084180號公報
[專利文獻3]日本特開2003-081694號公報
本發明，係為了解決上述先前技術之問題而創作者，其目的，係在於提供一種能夠形成作了(100)/(001)配向之介電質膜的介電質成膜裝置以及介電質成膜方法。
本發明者們，係推測到，在先前技術之介電質成膜裝置中，於PZT薄膜之成膜初期時，會由於Pb朝向貴金屬之薄膜方向擴散或再蒸發的影響，而在PZT薄膜中產生Pb缺陷並形成TiO2，而在TiO2/貴金屬之薄膜上所形成的PZT薄膜，係會優先配向為(111)方向，並依據此，而發現了，藉由在貴金屬之薄膜上預先形成PbO之種晶層，係能夠達成上述之目的。
根據此種知識所完成之本發明，係為一種介電質成膜裝置，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽內之靶材、和被配置在與前述靶材相對面之位置處並將基板作保持之基板保持台、和對於被保持在前述基板保持台上之前述基板進行加熱之基板加熱部、和對於前述靶材施加電壓之濺鍍電源、以及將濺鍍氣體導入前述真空槽內之濺鍍氣體導入部，該介電質成膜裝置，係對於前述靶材進行濺鍍並在前述基板上成膜介電質膜，該介電質成膜裝置，其特徵為，更具備有：元素源保持部，係被配置在前述真空槽內，並將由在化學構造中包含有前述靶材中所包含之元素的金屬化合物所成之元素源作保持；和元素源加熱部，係將被保持在前述元素源保持部處之前述元素源加熱，前述元素源，係構成為若是被加熱則會放出蒸氣。
本發明，係為一種介電質成膜裝置，其中，前述靶材，係由鈦鋯酸鉛(PZT)所成，前述元素源，係在化學構造中包含有Pb和O，且構成為若是被加熱則放出PbO之蒸氣。
本發明，係為一種介電質成膜裝置，其中，前述元素源，係被配置在從前述靶材所放出的粒子會附著之位置處。
本發明，係為一種介電質成膜裝置，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽內之靶材、和被配置在與前述靶材相對面之位置處並將基板作保持之基板保持台、和對於被保持在前述基板保持台上之前述基板進行加熱之基板加熱部、和對於前述靶材施加電壓之濺鍍電源、和將濺鍍氣體導入前述真空槽內之濺鍍氣體導入部、以及在前述真空槽內而被配置於從前述靶材所放出之粒子會附著的位置處之防附著板，該介電質成膜裝置，係對於前述靶材進行濺鍍並在前述基板上成膜介電質膜，該介電質成膜裝置，其特徵為，更具備有：防附著板加熱部，係加熱前述防附著板。
本發明，係為一種介電質成膜裝置，其中，前述靶材，係由鈦鋯酸鉛(PZT)所成。
本發明，係為一種介電質成膜裝置，其中，前述防附著板，係被設為環狀，並以將較被保持在前述基板保持部處之前述基板的外周而更外側作包圍的方式，來作配置。
本發明，係為一種介電質成膜方法，係為使用有介電質成膜裝置之介電質成膜方法，該介電質成膜裝置，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽內之靶材、和被配置在與前述靶材相對面之位置處並將基板作保持之基板保持台、和對於被保持在前述基板保持台上之前述基板進行加熱之基板加熱部、和對於前述靶材施加電壓之濺鍍電源、和將濺鍍氣體導入前述真空槽內之濺鍍氣體導入部、和在前述真空槽內而被配置於從前述靶材所放出之粒子會附著的位置處之防附著板、以及加熱前述防附著板之防附著板加熱部，該介電質成膜方法，其特徵為：預先決定成膜溫度，並具備有：種晶層形成工程，係從前述濺鍍氣體導入部而將濺鍍氣體導入前述真空槽內，並將前述防附著板加熱至較前述成膜溫度更高之溫度，而使蒸氣從被附著在前述防附著板上之薄膜放出，以在前述基板上形成種晶層；和成膜工程，係將前述基板設為前述成膜溫度，並從前述濺鍍電源而對於前述靶材施加電壓，而使前述靶材被作濺鍍，並在前述基板之前述種晶層上成膜介電質膜。
由於係能夠在作了(111)配向之Pt或者是Ir的薄膜上，成膜作了(100)/(001)配向之介電質膜，因此，係能夠得到相較於先前技術而壓電特性為更大之壓電元件。
當若是被加熱則會放出蒸氣的元素源係被配置在濺鍍粒子會作附著之位置處的情況時，就算是反覆進行成膜，元素源亦不會被耗盡，而能夠反覆進行作了(100)/(001)配向之介電質膜的成膜。
〈介電質成膜裝置之第1例〉
對於本發明之介電質成膜裝置的第1例之構造作說明。
圖1，係為第1例之介電質成膜裝置10的內部構成圖。
介電質成膜裝置10，係具有真空槽11、和被配置在真空槽11內之靶材21、和被配置在與靶材21相對面之位置處並保持基板31之基板保持台32、和將被保持在基板保持台32處的基板31作加熱之基板加熱部18、和對於靶材21施加電壓之濺鍍電源13、和將濺鍍氣體導入至真空槽11內之濺鍍氣體導入部14、以及在真空槽11內而被配置在從靶材21所放出之粒子會作附著的位置處之防附著板36。
靶材21，於此係由鈦鋯酸鉛(PZT)所成。
在真空槽11之壁面處，係隔著絕緣構件28而被安裝有陰極電極22，陰極電極22和真空槽11係被作電性絕緣。將真空槽11預先設為接地電位。
陰極電極22之表面，係露出於真空槽11內。靶材21，係被密著固定在陰極電極22的表面之中央部處，靶材21係被與陰極電極22作電性連接。
濺鍍電源13，係被配置在真空槽11之外側處，並被與陰極電極22作電性連接，而構成為能夠透過陰極電極22來對於靶材21施加交流電壓。
在陰極電極22之與靶材21相反側處，係被配置有磁石裝置29。磁石裝置29，係構成為能夠在靶材21之表面上形成磁力線。
基板保持台32，於此係為碳化矽(SiC)，外周係被形成為較基板31之外周更大，表面係被設為與靶材21之表面相對面。基板保持台32之表面的中央部，係被構成為能夠將基板31作靜電吸附保持。
若是在基板保持台32之表面的中央部處靜電吸附基板31，則基板31之背面係密著於基板保持台32之表面的中央部，基板31係成為與基板保持台32作熱性連接。
基板加熱部18，係具備有第1發熱部33a和加熱用電源17。
第1發熱部33a，於此係為SiC，並被配置在基板保持台32之與基板31相反側處，加熱用電源17，係被與第1發熱部33a作電性連接。若是從加熱用電源17而對於第1發熱部33a流動直流電流，則第1發熱部33a係發熱，基板保持台32上之基板31係成為被加熱。
基板31之背面，係密著於基板保持台32之表面的中央部處，並成為從基板31之中央部起直到外緣部為止而均等地被導熱。
濺鍍氣體導入部14，係被與真空槽11之壁面作連接 ，並成為能夠將濺鍍氣體導入至真空槽11內。
防附著板36，於此，係具備有第1、第2防附著板34、35。第1、第2防附著板34、35之素材，係為石英、氧化鋁等之陶瓷。
第1防附著板34，係被設為其內周為較基板31之外周更大的環狀，並以將身為基板保持台32之表面的中央部之外側的外緣部作覆蓋的方式，而被作配置。從靶材21所放出之粒子，係設為並不會附著在基板保持台32之表面的外緣部處。
第1防附著板34之背面，係密著於基板保持台32之表面的外緣部處，第1防附著板34係被與基板保持台32作熱性連接。
若是在基板保持台32之表面的中央部處載置基板31，則第1防附著板34係成為將較基板31之外周更外側的部分作包圍。
第2防附著板35，係被設為其內周為較靶材21之外周或基板31之外周更大的筒狀。第2防附著板35，係被配置在基板保持台32和陰極電極22之間，並成為將基板31和靶材21之間的空間之側方作包圍。從靶材21所放出之粒子，係設為並不會附著在真空槽11之壁面上。
在基板保持台32之與第1防附著板34相反側處，係被配置有第2發熱部33b。
第2發熱部33b，於此係為SiC，並被與加熱用電源17作電性連接。若是從加熱用電源17而對於第2發熱部 33b流動直流電流，則第2發熱部33b係發熱，第1防附著板34係成為被加熱。
若是將加熱防附著板36之部分稱作防附著板加熱部19，則防附著板加熱部19於此係藉由第2發熱部33b和加熱用電源17而被構成。
於此，第1、第2發熱部33a、33b，係相互被作連接，而構成1個的發熱構件33。若是從加熱用電源17而對於發熱構件33流動直流電流，則第1、第2發熱部33a、33b係一同發熱，基板31和第1防附著板34係成為一同被加熱。
本發明，係亦包含有將第1、第2發熱部33a、33b藉由相互獨立之發熱構件來構成的情況。於此情況，係可構成為對於第1、第2發熱部33a、33b分別流動直流電流，並將基板31和第1防附著板34分別獨立地加熱。
在發熱構件33之與基板保持台32相反側處，係被配置有冷卻裝置38。冷卻裝置38，係構成為能夠在內部使被作了溫度管理之冷媒作循環，並成為就算是發熱構件33發熱，真空槽11之壁面亦不會被加熱。
進而，亦可在第2防附著板35之外周側面處配置有發熱構件，並構成為使第2防附著板35亦被作加熱。若是第2防附著板35被加熱，則係從預先被附著在第2防附著板35之內周側面處的PZT之薄膜，而放出PbO之蒸氣。
針對使用有第1例之介電質成膜裝置10的成膜方法作說明。
於應成膜之基板31中，於此係使用在矽基板之熱氧化膜(SiO2)上，預先依序層積有身為密著層之Ti薄膜和身為下部電極層之貴金屬的薄膜者。貴金屬之薄膜，係為Pt或Ir之薄膜，並優先配向於(111)面。
將身為適合於PZT薄膜之成膜的溫度之成膜時溫度(以下，稱作成膜溫度)，藉由試驗或模擬而預先求取出來。
在真空槽11之壁面處，連接真空排氣裝置15，而對真空槽11內作真空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持。
首先，作為準備工程，一面維持真空槽11內之真空氛圍，一面將與原本應成膜之基板31相異的假基板搬入真空槽11內，並進行靶材21之濺鍍，而在第1、第2防附著板34、35之表面上，預先使PZT之薄膜附著。接著，一面維持真空槽11內之真空氛圍，一面將假基板搬出至真空槽11之外側。
一面維持真空槽11內之真空氛圍，一面將應成膜之基板31搬入真空槽11內，並以使基板31之表面的貴金屬之薄膜與靶材21之表面相對面的方向，來保持在基板保持台32之表面的中央部處。
在冷卻裝置38中，預先使被作了溫度管理的冷媒作循環。
圖2，係對於以下之種晶層形成工程和成膜工程處的發熱構件33之溫度變化作展示。
首先，作為種晶層形成工程，將濺鍍氣體從濺鍍氣體導入部14來導入至真空槽11內。於此，在濺鍍氣體中係使用Ar氣體。之後，持續濺鍍氣體之導入。
從加熱用電源17來對於發熱構件33流動直流電流，並將發熱構件33設為較成膜溫度更高溫。於此，係升溫至785℃。
基板31和第1防附著板34係被加熱，並被附著在第1防附著板34處的PZT之薄膜而放出PbO之蒸氣。
被放出的PbO之蒸氣，係附著在基板31表面之貴金屬的薄膜上，並在基板31表面之貴金屬的薄膜上形成PbO之種晶層。
在將發熱構件33於特定之時間中而保持在785℃後，將其冷卻至成膜溫度。於此，係冷卻至適合進行PZT之成膜的640℃。
接著，作為成膜工程，若是將發熱構件33保持在640℃之溫度(成膜溫度)，並一面持續從濺鍍氣體導入部14而來之濺鍍氣體的導入，一面從濺鍍電源13透過陰極電極22而施加交流電壓，則被導入至真空槽11內之濺鍍氣體係電離並電漿化。電漿中之離子，係被磁石裝置29所形成的磁力線捕捉，並射入靶材21之表面，而從靶材21將PZT之粒子彈飛。
從靶材21所放出之PZT之粒子的一部份，係射入基板31之表面。在基板31表面之貴金屬的薄膜上，由於係預先被形成有PbO之種晶層，因此，係從種晶層而被供給有PbO，在PZT薄膜處係並不會產生Pb之欠缺，而在種晶層上形成作了(001)/(100)配向之介電質膜(於此係為PZT膜)。
圖3，係對於使用本發明之介電質成膜裝置10而在Pt薄膜上所形成了的PZT薄膜之中央部(Center)和外緣部(Edge)以及中央部和外緣部之間之中間部(Middle)的3個場所之X光繞射形態作展示。
根據圖3之X光繞射形態，可以得知係形成了在(100)/(001)方向上作了優先配向之PZT薄膜。
從靶材21所放出的PZT粒子之一部份，係附著在第1防附著板34之表面上，並成為下一次之種晶層形成工程中的PbO之蒸氣的放出源。
當在基板31上成膜了特定膜厚之PZT薄膜之後，停止從濺鍍電源13所對於陰極電極22之電壓施加，並停止從濺鍍氣體導入部14所對於真空槽11內之濺鍍氣體的導入。
停止從加熱用電源17所對於發熱構件33之電流的供給，並將發熱構件33冷卻至較成膜溫度更低的溫度。於此，係降溫至400℃。
在將基板31冷卻至能夠藉由搬送機器人來進行搬送的溫度後，一面維持真空槽11內之真空氛圍，一面將完成成膜之基板31搬出至真空槽11之外側，接著，將其他之未成膜的基板31搬入真空槽11內，並反覆進行上述之 種晶層形成工程和成膜工程。
〈介電質成膜裝置之第2例〉
對於本發明之介電質成膜裝置的第2例之構造作說明。
圖5，係為第2例之介電質成膜裝置10’的內部構成圖。在第2例之介電質成膜裝置10’的構成中，針對與第1例之介電質成膜裝置10的構成相同之部分，係附加同樣的符號，並省略其說明。
第2例之介電質成膜裝置10’，係具備有被配置在真空槽11內並且將由在化學構造中含有於靶材21中所包含之元素(金屬元素)的金屬化合物所成之元素源作保持的元素源保持部39、和將被保持在元素源保持部39中之元素源作加熱的元素源加熱部40。
元素源保持部39，於此係為坩堝，並被配置在藉由基板31和靶材21以及第1、第2防附著板34、35所包圍了的空間之內側處。
若是對於靶材21作濺鍍，則從靶材21所放出之PZT的粒子之一部份，係成為附著在被配置於坩堝之內側處的元素源上。
元素源加熱部40，於此係為電熱器，並被安裝在元素源保持部39上。元素源加熱部40，係被與加熱用電源17作電性連接，若是從加熱用電源17而流動直流電流，則元素源加熱部40係發熱，被保持在元素源保持部39處之元素源係成為被加熱。
元素源，於此係使用在化學構造中含有Pb和O之例如PZT或PbO。若是元素源被加熱，則於此係構成為放出PbO之蒸氣。
本發明之元素源加熱部40，只要是能夠將被保持在元素源保持部39處之元素源作加熱，則係並不被限定於電熱器，像是紅外線燈管或者是雷射等之其他的週知之加熱裝置，亦係被包含在本發明中。
針對使用有第2例之介電質成膜裝置10’的成膜方法作說明。
於應成膜之基板31中，於此係使用在矽基板之熱氧化膜(SiO2)上，預先依序層積有身為密著層之Ti薄膜和身為下部電極層之貴金屬的薄膜者。貴金屬之薄膜，係為Pt或Ir之薄膜，並優先配向於(111)面。
將身為適合於PZT薄膜之成膜的溫度之成膜溫度，藉由試驗或模擬而預先求取出來。
在元素源保持部39處，預先將元素源作保持。於此，作為元素源，係使用PZT。
在真空槽11之壁面處，連接真空排氣裝置15，而對真空槽11內作真空排氣。之後，持續進行真空排氣，而將真空槽11之真空氛圍作維持。
一面維持真空槽11內之真空氛圍，一面將應成膜之基板31搬入真空槽11內，並以使基板31之表面的貴金屬之薄膜與靶材21之表面相對面的方向，來保持在基板保持台32之表面的中央部處。
在冷卻裝置38中，預先使被作了溫度管理的冷媒作循環。
作為種晶層形成工程，將濺鍍氣體從濺鍍氣體導入部14來導入至真空槽11內。於此，在濺鍍氣體中係使用Ar氣體。之後，繼續濺鍍氣體之導入。
若是從加熱用電源17而對於元素源加熱部40流動直流電流，並使被保持在元素源保持部39處之元素源被作加熱，則係從身為元素源之PZT而放出PbO之蒸氣。
被放出的PbO之蒸氣，係附著在基板31表面之貴金屬的薄膜上，並在基板31表面之貴金屬的薄膜上形成PbO之種晶層。
停止從加熱用電源17所對於元素源加熱部40之電流供給，而停止元素源之加熱。
接著，作為成膜工程，從加熱用電源17而對於第1發熱部33a流動直流電流，並將第1發熱部33a一直升溫至成膜溫度。於此，係升溫至640℃。被保持在基板保持台32處之基板31，係被作加熱。
若是一面將第1發熱部33a保持在640℃之溫度(成膜溫度)，並一面持續從濺鍍氣體導入部14而來之濺鍍氣體的導入，一面從濺鍍電源13而對於陰極電極22施加交流電壓，則被導入至真空槽11內之濺鍍氣體係電離並電漿化。電漿中之離子，係被磁石裝置29所形成的磁力線捕捉，並射入靶材21之表面，而從靶材21將PZT之粒子彈飛。
從靶材21所放出之PZT之粒子的一部份，係射入基板31之表面。在基板31之Pt薄膜上，由於係預先被形成有PbO之種晶層，因此，係從種晶層而被供給有PbO，在PZT薄膜處係並不會產生Pb之欠缺，而在種晶層上形成作了(001)/(100)配向之介電質膜(於此係為PZT膜)。
從靶材21所放出的PZT粒子之一部份，係附著在被保持於元素源保持部39處之元素源上，並成為下一次之種晶層形成工程中的PbO之蒸氣的放出源。
當在基板31上成膜了特定膜厚之PZT薄膜之後，停止從濺鍍電源13所對於陰極電極22之電壓施加，並停止從濺鍍氣體導入部14所對於真空槽11內之濺鍍氣體的導入。停止從加熱用電源17所對於第1發熱部33a之電流的供給，並將第1發熱部33a冷卻至較成膜溫度更低的溫度。於此，係降溫至400℃。
在將基板31冷卻至能夠藉由搬送機器人來進行搬送的溫度後，一面維持真空槽11內之真空氛圍，一面將完成成膜之基板31搬出至真空槽11之外側，接著，將其他之未成膜的基板31搬入真空槽11內，並反覆進行上述之種晶層形成工程和成膜工程。
10、10’．．．介電質成膜裝置
11．．．真空槽
13．．．濺鍍電源
14．．．濺鍍氣體導入部
18．．．基板加熱部
19．．．防附著板加熱部
21．．．靶材
31．．．基板
32．．．基板保持台
34．．．防附著板(第1防附著板)
39．．．元素源保持部
40．．．元素源加熱部
[圖1]本發明之介電質成膜裝置的第1例之內部構成圖。
[圖2]對於本發明之介電質成膜裝置的發熱構件之溫度變化作展示的圖。
[圖3]對於藉由本發明之介電質成膜裝置所形成的PZT薄膜之X光繞射形態作展示的圖。
[圖4]對於(100)/(001)配向之PZT薄膜和(111)配向之PZT薄膜的壓電特性作展示之圖表。
[圖5]本發明之介電質成膜裝置的第2例之內部構成圖。
[圖6]先前技術之介電質成膜裝置的內部構成圖。
[圖7]對於先前技術之介電質成膜裝置的發熱構件之溫度變化作展示的圖。
[圖8]對於藉由先前技術之介電質成膜裝置所形成的PZT薄膜之X光繞射形態作展示的圖。
10．．．介電質成膜裝置
11．．．真空槽
13．．．濺鍍電源
14．．．濺鍍氣體導入部
15．．．真空排氣裝置
17．．．加熱用電源
18．．．基板加熱部
19．．．防附著板加熱部
21．．．靶材
22．．．陰極電極
28．．．絕緣構件
29．．．磁石裝置
31．．．基板
32．．．基板保持台
33．．．發熱構件
33a．．．第1發熱部
33b．．．第2發熱部
34．．．第1防附著板
35．．．第2防附著板
36．．．防附著板
38．．．冷卻裝置

Claims (7)

  1. 一種介電質成膜裝置，其特徵為，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽內之包含有Pb和O之靶材、和被配置在與前述靶材相對面之位置處並將基板作保持之基板保持台、和對於被保持在前述基板保持台上之前述基板進行加熱之基板加熱部、和對於前述靶材施加電壓之濺鍍電源、以及將濺鍍氣體導入前述真空槽內之濺鍍氣體導入部，該介電質成膜裝置，係對於前述靶材進行濺鍍並在前述基板上成膜包含有Pb和O之介電質膜，該介電質成膜裝置，係更具備有：元素源保持部，係被配置在前述真空槽內，並將由在化學構造中包含有Pb和O的金屬化合物所成之元素源作保持；和元素源加熱部，係將被保持在前述元素源保持部處之前述元素源加熱，前述元素源，係構成為若是被加熱則會放出PbO之蒸氣，藉由前述元素源加熱部來加熱前述元素源並在前述基板上形成包含Pb和O之種晶層，接著，在停止了前述元素源之加熱之後，在前述種晶層上形成前述介電質膜。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之介電質成膜裝置，其中，前述靶材，係由鈦鋯酸鉛(PZT)所成。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之介電質成 膜裝置，其中，前述元素源，係被配置在從前述靶材所放出的粒子會附著之位置處。
  4. 一種介電質成膜裝置，其特徵為，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽內之包含Pb和O的介電質之靶材、和被配置在與前述靶材相對面之位置處並將基板作保持之基板保持台、和將被保持在前述基板保持台上之前述基板加熱至成膜溫度之基板加熱部、和對於前述靶材施加電壓之濺鍍電源、和將濺鍍氣體導入前述真空槽內之濺鍍氣體導入部、以及在前述真空槽內而被配置於從前述靶材所放出之粒子會附著的位置處之防附著板，該介電質成膜裝置，係對於前述靶材進行濺鍍並在前述基板上成膜包含Pb和O之介電質膜，該介電質成膜裝置，係更具備有：防附著板加熱部，係將前述防附著板加熱至較前述成膜溫度而更高溫，藉由前述防附著板加熱部來加熱前述防附著板並放出PbO之蒸氣，在前述基板上形成包含Pb和O之種晶層，接著，在停止了前述防附著板之加熱之後，在前述種晶層上形成前述介電質膜。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之介電質成膜裝置，其中，前述靶材，係由鈦鋯酸鉛(PZT)所成。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所記載之介電質成膜裝置，其中，前述防附著板，係被設為環狀，並以將較被保持在前述基板保持台處之前述基板的外周而更外側作 包圍的方式，來作配置。
  7. 一種介電質成膜方法，係為使用有介電質成膜裝置之介電質成膜方法，該介電質成膜裝置，係具備有：真空槽、和被配置在前述真空槽內之靶材、和被配置在與前述靶材相對面之位置處並將基板作保持之基板保持台、和對於被保持在前述基板保持台上之前述基板進行加熱之基板加熱部、和對於前述靶材施加電壓之濺鍍電源、和將濺鍍氣體導入前述真空槽內之濺鍍氣體導入部、和在前述真空槽內而被配置於從前述靶材所放出之粒子會附著的位置處之防附著板、以及加熱前述防附著板之防附著板加熱部，該介電質成膜方法，其特徵為：預先決定成膜溫度，並具備有：種晶層形成工程，係從前述濺鍍氣體導入部而將濺鍍氣體導入前述真空槽內，並將前述防附著板加熱至較前述成膜溫度更高之溫度，而從被附著在前述防附著板上之薄膜放出PbO之蒸氣，以在前述基板上形成種晶層；和成膜工程，係將前述基板設為前述成膜溫度，並從前述濺鍍電源而對於前述靶材施加電壓，而使前述靶材被作濺鍍，並在前述基板之前述種晶層上成膜介電質膜。
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